本發(fā)明的幾個方式例如涉及以電光學(xué)元件顯示圖像時防止顯示品質(zhì)的降低的技術(shù)。

背景技術(shù)：
近幾年，提出有各種使用有機發(fā)光二極管（OrganicLightEmittingDiode，以下稱為“OLED”）元件等發(fā)光元件的電光學(xué)裝置。在該電光學(xué)裝置中，一般采用對應(yīng)于掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉而設(shè)置像素電路的構(gòu)成。像素電路包括上述發(fā)光元件、驅(qū)動晶體管等，與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)設(shè)置。在這樣的構(gòu)成中，若與像素的灰度電平對應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號施加于驅(qū)動晶體管的柵極，則該驅(qū)動晶體管將與柵極/源極間的電壓對應(yīng)的電流向發(fā)光元件供給。由此，該發(fā)光元件以與灰度電平對應(yīng)的亮度發(fā)光。此時，若驅(qū)動晶體管的閾值電壓等特性按每個像素電路產(chǎn)生偏差，則產(chǎn)生損壞顯示畫面的一致性的顯示不勻。因此，提出了補償像素電路的驅(qū)動晶體管的特性的技術(shù)（例如，參照專利文獻1）。專利文獻1：日本特開2011-53635號公報然而，若電光學(xué)裝置趨于微細化，則由于各種布線、端子、電極等接近，則相互容易產(chǎn)生電容耦合。因此，若在某個電極中電位變動，則影響其它的電極的電位，結(jié)果成為使顯示品質(zhì)降低的重要原因。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的之一是提供一種即使電光學(xué)裝置微細化、也能夠防止顯示品質(zhì)的降低的電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。為了實現(xiàn)上述目的本發(fā)明實施方式的電光學(xué)裝置具有：多個數(shù)據(jù)線；第一像素電路，其與上述多個數(shù)據(jù)線中的第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)設(shè)置；和第二像素電路，其與上述多個數(shù)據(jù)線中的第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)設(shè)置，上述第一像素電路以及第二像素電路分別包括：發(fā)光元件；和驅(qū)動晶體管，其將與柵極/源極間的電壓對應(yīng)的電流向上述發(fā)光元件供給，上述電光學(xué)裝置具有：第一保持電容，其一端與上述第一數(shù)據(jù)線連接，另一端與應(yīng)向上述第一像素電路的發(fā)光元件供給的電流對應(yīng)地進行電位移位；第二保持電容，其一端與上述第二數(shù)據(jù)線連接，另一端與應(yīng)向上述第二像素電路的發(fā)光元件供給的電流對應(yīng)地進行電位移位；定電位線，俯視狀態(tài)下，其設(shè)置于上述第一保持電容與上述第二保持電容之間。根據(jù)本發(fā)明方式，設(shè)置于第一保持電容與第二保持電容之間的定電位線作為屏蔽線起作用。因此，經(jīng)由第一保持電容的第一數(shù)據(jù)線、經(jīng)由第二保持電容的第二數(shù)據(jù)線相互不容易受電位變動的影響，從而能夠防止顯示品質(zhì)降低。在上述方式中，也可以構(gòu)成為，上述第一保持電容的一端以及上述第二保持電容的一端以第一導(dǎo)電層或者第二導(dǎo)電層中的任意一方形成，上述第一保持電容的另一端以及上述第二保持電容的另一端以上述第一導(dǎo)電層或者上述第二導(dǎo)電層中的任意另一方形成，上述定電位線至少以上述第一導(dǎo)電層的布線以及第二導(dǎo)電層的布線來形成。根據(jù)該構(gòu)成，由構(gòu)成第一保持電容以及第二保持電容的第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層構(gòu)成。定電位線也由第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層構(gòu)成。作為屏蔽線的功能提高。在該構(gòu)成中，優(yōu)選構(gòu)成為，上述定電位線的上述第一導(dǎo)電層的布線以及第二導(dǎo)電層的布線相互電連接。根據(jù)該構(gòu)成，剖面方向的屏蔽功能也提高。此外，定電位線的第一導(dǎo)電層的布線以及第二導(dǎo)電層的布線也可以是相互不電連接。不連接的情況下，定電位線的第一導(dǎo)電層的布線以及第二導(dǎo)電層的布線可以是相互相同或者不相同的電位。在上述方式中，也可以構(gòu)成為，作為定電位線，使用供給復(fù)位電位的布線。即，也可以構(gòu)成為，上述發(fā)光元件是雙端子型元件，上述發(fā)光元件與上述驅(qū)動晶體管在不同的2個電源電位之間以串聯(lián)的方式電連接，上述發(fā)光元件兩端子中的、上述驅(qū)動晶體管側(cè)的端子被該驅(qū)動晶體管供給電流之后，變?yōu)橐?guī)定的復(fù)位電位，向上述定電位線供給上述復(fù)位電位。另外，在上述方式中，也可以構(gòu)成為，作為定電位線，使用發(fā)光元件的電源線。即，也可以構(gòu)成為，上述發(fā)光元件與上述驅(qū)動晶體管在不同的2個電源電位之間以串聯(lián)的方式連接，上述2個電源電位中的一方被供給至所述定電位線。在本發(fā)明的方式中，除了電光學(xué)裝置之外，還能夠定義為具有電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。作為電子設(shè)備，典型地能夠例舉出頭戴式顯示器（HMD）、電子取景器等顯示裝置。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的立體圖。圖2是表示該電光學(xué)裝置的電構(gòu)成的圖。圖3是表示該電光學(xué)裝置中的像素電路的圖。圖4是表示該像素電路的構(gòu)成的俯視圖。圖5是表示圖4的等效電路的俯視圖。圖6是表示該電光學(xué)裝置的電平移位電路的要部構(gòu)成的俯視圖。圖7是表示圖6的等效電路的俯視圖。圖8是表示以圖6的P-p線剖開的局部剖視圖。圖9是表示以圖6的Q-q線以及R-r線剖開的局部剖視圖。圖10是表示該電光學(xué)裝置的動作的時序圖。圖11是該電光學(xué)裝置的動作說明圖。圖12是該電光學(xué)裝置的動作說明圖。圖13是該電光學(xué)裝置的動作說明圖。圖14是該電光學(xué)裝置的動作說明圖。圖15是表示該電光學(xué)裝置的數(shù)據(jù)信號的振幅壓縮的圖。圖16是表示該電光學(xué)裝置的晶體管的特性的圖。圖17是表示應(yīng)用方式的電平移位電路的要部構(gòu)成的俯視圖。圖18是表示使用了實施方式等的電光學(xué)裝置的HMD的立體圖。圖19是表示HMD的光學(xué)構(gòu)成的圖。具體實施方式以下，參照附圖，對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電光學(xué)裝置10的構(gòu)成的立體圖。該電光學(xué)裝置10例如是在HMD（HeadMountDisplay）等中顯示彩色圖像的微型顯示器。電光學(xué)裝置10是多個像素電路、驅(qū)動該像素電路的驅(qū)動電路等例如形成于半導(dǎo)體硅基板上而構(gòu)成的有機EL裝置，在像素電路中作為發(fā)光元件的一個例子使用OLED，電光學(xué)裝置10的詳細說明在后面進行敘述。電光學(xué)裝置10收納在顯示區(qū)域開口的框狀的殼體72中，并且連接有FPC（FlexiblePrintedCircuits，柔性印刷電路）基板74的一端。在FPC基板74的另一端設(shè)置有多個端子76，與省略圖示的上位電路連接。在FPC基板上，通過COF（ChipOnFilm）技術(shù)安裝半導(dǎo)體晶片的控制電路5，并且從該上位電路經(jīng)由多個端子76且與同步信號同步地供給圖像（映像）數(shù)據(jù)。同步信號包括垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘信號。另外，對于圖像數(shù)據(jù)而言，按照每個RGB例如以8比特來規(guī)定應(yīng)顯示的圖像的像素的灰度電平?？刂齐娐?兼具電光學(xué)裝置10的電源電路和數(shù)據(jù)信號輸出電路的功能。即，控制電路5除了將根據(jù)同步信號生成的各種控制信號、各種電位（電壓）向電光學(xué)裝置10供給之外，還將數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)變換為模擬的數(shù)據(jù)信號而向電光學(xué)裝置10供給。圖2是表示實施方式的電光學(xué)裝置10的電構(gòu)成的圖。如該圖所示，電光學(xué)裝置10大致包括掃描線驅(qū)動電路20、多路分離器30、電平移位電路40、顯示部100。其中，在顯示部100矩陣狀地排列有與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)的像素電路110。詳細而言，在顯示部100中，m行的掃描線12在圖中沿橫向延伸設(shè)置，另外，例如，每3列分組的（3n）列的數(shù)據(jù)線14在圖中沿縱向延伸，并且，與各掃描線12保持相互電絕緣地交叉設(shè)置。而且，在對應(yīng)于m行的掃描線12與（3n）列的數(shù)據(jù)線14的交叉的位置設(shè)置有像素電路110。這里，m、n是任一自然數(shù)。掃描線12以及像素電路110的矩陣中，為了區(qū)別行（row），有在圖中從上按順序稱作1、2、3、…、（m-1）、m行的情況。同樣，為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列（column），有在圖中從左按順序稱作1、2、3、…、（3n-1）、（3n）列的情況。另外，為了將數(shù)據(jù)線14的組通用地進行說明，若使用1以上n以下的整數(shù)j，則從左數(shù)第j組從屬有第（3j-2）列、第（3j-1）列以及第（3j）列的數(shù)據(jù)線14。此外，對應(yīng)于同一行的掃描線12與屬于同一組的3列數(shù)據(jù)線14的交叉的3個像素電路110，分別與R、G、B的像素對應(yīng)。因此，在本實施方式中，像素電路110的矩陣排列為縱m行×橫（3n）列，從顯示圖像的點排列來看為縱m行×橫n列。為便于說明，例如在將與R對應(yīng)的第（3j-2）列的數(shù)據(jù)線14設(shè)為第一數(shù)據(jù)線時，有將與G對應(yīng)的第（3j-1）列的數(shù)據(jù)線14稱為第二數(shù)據(jù)線的情況。對于像素電路110而言，與R的數(shù)據(jù)線14（第一數(shù)據(jù)線）對應(yīng)的像素電路成為第一像素電路，與G的數(shù)據(jù)線14（第二數(shù)據(jù)線）對應(yīng)的像素電路成為第二像素電路。那么，在電光學(xué)裝置10，如下所述的控制信號由控制電路5供給。詳細而言，向電光學(xué)裝置10供給：用于控制掃描線驅(qū)動電路20的控制信號Ctr；用于控制在多路分離器30的選擇的控制信號Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）；與這些信號有邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號/Sel（1）、/Sel（2）、/Sel（3）；用于控制電平移位電路40的控制信號/Gini、Gref、Gcpl；與控制信號Gcpl有邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號/Gcpl。此外，控制信號Ctr實際上包括脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多個信號。另外，數(shù)據(jù)信號Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）與在多路分離器30的選擇時機一致地從控制電路5經(jīng)由與第1、2、…、n組對應(yīng)的共用端子78向電光學(xué)裝置10供給。這里，在本實施方式中，規(guī)定應(yīng)顯示的像素的灰度的灰度電平例如被指定為從最暗0電平到最亮255電平的范圍，此時，在從相當于0電平的電位Vmax到相當于255電平的電位Vmin的范圍內(nèi)階段性地取得數(shù)據(jù)信號Vd（1）～Vd（n）。這里，因為將控制針對OLED的電流的晶體管設(shè)為P溝道型，指定越亮的灰度電平，則數(shù)據(jù)信號從電位Vmax降低。另外，在數(shù)據(jù)線14分別設(shè)置保持電容50。保持電容50的一端與數(shù)據(jù)線14連接，保持電容50的另一端與定電位的、例如電位Vorst的供電線16共通連接。作為保持電容50，也可以使用寄生于數(shù)據(jù)線14的電容，也可以使用該寄生電容與由構(gòu)成數(shù)據(jù)線14的布線和另外的布線夾持絕緣體（電介質(zhì)）而形成的電容元件的合成電容。這里，將保持電容50的電容設(shè)為Cdt。掃描線驅(qū)動電路20根據(jù)控制信號Ctr而生成在橫跨幀期間對掃描線12每一行按順序進行掃描的掃描信號。這里，將向第1、2、3、…、（m-1）、m行的掃描線12供給的掃描信號分別標記為Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。此外，掃描線驅(qū)動電路20除了掃描信號Gwr（1）～Gwr（m）之外，還按每行生成與該掃描信號同步的各種控制信號并向顯示部100供給，但在圖2中省略圖示。另外，所謂幀期間為電光學(xué)裝置10顯示1個鏡頭（畫面）大小的圖像所需要的時間，例如若同步信號所包含的垂直同步信號的頻率是120Hz的話，則其1個周期為8.3毫秒。多路分離器30是設(shè)置于每列的傳輸門34的集合體。與屬于第j組的（3j-2）列、（3j-1）列、（3j）列對應(yīng)的傳輸門34的輸入端相互與共用端子78連接，并且數(shù)據(jù)信號Vd（j）以時分割方式供給。在第j組中，設(shè)置于作為左端列的（3j-2）列的傳輸門34在控制信號Sel（1）為H電平（控制信號/Sel（1）為L電平）時接通（導(dǎo)通）。同樣，在第j組中，設(shè)置于作為中央列的（3j-1）列的傳輸門34在控制信號Sel（2）為H電平（控制信號/Sel（2）為L電平）時接通，在第j組中設(shè)置于作為右端列的（3j）列的傳輸門34在控制信號Sel（3）為H電平時（控制信號/Sel（3）為L電平時）接通。電平移位電路40是使該數(shù)據(jù)信號的電位向?qū)母髁械膫鬏旈T34的輸出端輸出的數(shù)據(jù)信號的電位振幅壓縮的方向移位的器件。因此，電平移位電路40每列具有保持電容41、傳輸門42、N溝道型的晶體管43、保持電容44、P溝道型的晶體管45的組合。在各列中，多路分離器30的傳輸門34的輸出端在電平移位電路40中、分別與保持電容41的一端、電平移位電路40中傳輸門42的輸入端連接。保持電容41的另一端在各列中相互與作為固定電位的Gnd共通接地。此外，對于電壓而言，只要沒有特別說明，保持電容的兩端電壓、柵極/源極間的電壓、OLED150的陽極/陰極間的電壓的電位Gnd以零伏為基準。各列的傳輸門42在控制信號Gcpl為H電平時（控制信號/Gcpl為L電平時）接通。傳輸門42的輸出端經(jīng)由保持電容44與數(shù)據(jù)線14連接。這里，對于保持電容44的一端以及另一端而言，為便于說明，將一端設(shè)為數(shù)據(jù)線14一側(cè)，將另一端設(shè)為傳輸門42一側(cè)。此時，保持電容44的一端除了與數(shù)據(jù)線14連接之外，也與晶體管45的漏極節(jié)點連接，另一方面，保持電容44的另一端也與晶體管43的漏極節(jié)點連接。為便于說明，圖2中雖然省略表示，但將保持電容44的電容設(shè)為Cref1，將保持電容44的另一端設(shè)為節(jié)點h。另外，在以列區(qū)別保持電容44的情況下，與R列對應(yīng)的保持電容為第一保持電容，與G列對應(yīng)的保持電容為第二保持電容。此外，如圖2所示，供電線16以縱貫電平移位電路40的內(nèi)部的方式延伸配置。對于晶體管43而言，源極節(jié)點遍及各列與作為規(guī)定的基準電位而供給電位Vref的供電線62共通地連接，柵極節(jié)點遍及各列與供給控制信號Gref的控制線64共通地連接。因此，節(jié)點h和供電線62在控制信號Gref為H電平時由于晶體管45的接通而電連接，另一方面，在控制信號Gref為L電平時由于晶體管45的斷開而成為非電連接。另外，對于晶體管45而言，源極節(jié)點遍及各列地與作為初始電位而供給電位Vini的供電線61共通地連接，柵極節(jié)點遍及各列與供給控制信號/Gini的控制線63共通地連接。因此，數(shù)據(jù)線14和供電線61在控制信號/Gini為L電平時由于晶體管45的接通而電連接，另一方面，在控制信號/Gini為H電平時由于晶體管45的斷開而成為非電連接。在本實施方式中，為便于說明，將掃描線驅(qū)動電路20、多路分離器30以及電平移位電路40分開，但是這些能夠作為驅(qū)動像素電路110的驅(qū)動電路而整合定義。參照圖3對像素電路110進行說明。因為從電學(xué)來看，各像素電路110是互相相同的構(gòu)成，所以這里以位于第i行、第j組中的左端列的第（3j-2）列的i行（3j-2）列的像素電路110為例進行說明。此外，圖3僅限于表示像素電路110的等效電路，并不是反應(yīng)實際的電路布局的圖。另外i是一般地表示像素電路110排列的行的情況下的符號，是1以上m以下的整數(shù)。如圖3所示，像素電路110包括P溝道型的晶體管121～125、保持電容140、OLED150。向該像素電路110供給掃描信號Gwr（i）、控制信號Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）。這里，掃描信號Gwr（i）、控制信號Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）分別與第i行對應(yīng)而由掃描線驅(qū)動電路20供給。其中，經(jīng)由控制線134供給控制信號Gel（i），同樣，分別經(jīng)由控制線133、135供給控制信號Gcmp（i）、Gorst（i）。此外，因為掃描信號Gwr（i）、控制信號Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）與第i行對應(yīng)地供給，從而若是第i行，則也共通地向著眼的（3j-2）列以外的其它列的像素電路供給。那么，對于在i行（3j-2）列的像素電路110中的晶體管122而言，柵極節(jié)點與第i行的掃描線12連接，漏極或者源極節(jié)點的一方與第（3j-2）列的數(shù)據(jù)線14連接，另一方分別與晶體管121的柵極節(jié)點、保持電容140的一端、晶體管123的漏極節(jié)點連接。這里，為了與其它節(jié)點區(qū)別而將晶體管121的柵極節(jié)點標記為g。在晶體管121，源極節(jié)點與供電線116連接，漏極節(jié)點分別與晶體管123的源極節(jié)點、晶體管124的源極節(jié)點連接。這里，在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel向供電線116供給。在晶體管123中，柵極節(jié)點與第i行的控制線133連接并供給控制信號Gcmp（i）。在晶體管124中，柵極節(jié)點與第i行的控制線134連接并供給控制信號Gel（i），漏極節(jié)點分別與晶體管125的源極節(jié)點、OLED150的陽極Ad連接。在晶體管125中，柵極節(jié)點與第i行的控制線135連接并供給與第i行對應(yīng)的控制信號Gorst（i），漏極節(jié)點和與第（3j-2）列對應(yīng)的供電線16連接并保持為電位Vorst。此外，在晶體管121～125中，有因溝道型的變更等引起電位關(guān)系變化的情況。在電位關(guān)系變化的情況下，有作為漏極節(jié)點說明的節(jié)點成為源極節(jié)點、作為源極節(jié)點說明的節(jié)點成為漏極節(jié)點的可能。例如，晶體管121的源極節(jié)點以及漏極節(jié)點的任意一方與供電線116電連接，任意另一方能夠經(jīng)由晶體管123與OLED150的陽極Ad電連接。保持電容140的另一端與供電線116連接。因此，保持電容140保持晶體管121的源極/漏極間的電壓。這里，將保持電容140的電容標記為Cpix時，保持電容50的電容Cdt、保持電容44的電容Cref1、保持電容140的電容Cpix設(shè)定為：Cdt、Cref1＞＞Cpix。即，Cpix比Cdt以及Cref1小很多。此外，Cref2是與Cref1相同的程度，或者是比Cref1稍微小。另外，作為保持電容140，也可以使用寄生于晶體管121的柵極節(jié)點g的電容，也可以使用通過在半導(dǎo)體硅基板中用相互不同的導(dǎo)電層夾持絕緣層而形成的電...