本公開(kāi)內(nèi)容涉及具有電流驅(qū)動(dòng)型顯示元件的顯示單元，涉及在這種顯示單元中使用的驅(qū)動(dòng)單元和驅(qū)動(dòng)方法，以及涉及包括這種顯示單元的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
近年來(lái)，在執(zhí)行圖像顯示的顯示單元的領(lǐng)域中，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了使用發(fā)光亮度響應(yīng)于流動(dòng)電流的值發(fā)生變化的電流驅(qū)動(dòng)型光學(xué)元件，例如有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件的顯示單元(有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示單元)并且其商業(yè)化正在進(jìn)行中。與液晶元件等不同，發(fā)光元件是自發(fā)光元件，并且光源(背光)是不必要的。因此，與需要光源的液晶顯示單元相比，有機(jī)EL顯示單元具有圖像的可視性高、功耗低、元件的響應(yīng)速度快等特征。在顯示單元中，驅(qū)動(dòng)電路控制以矩陣排列的像素。例如，在PTL1中，公開(kāi)了包括像素陣列部以及由移位寄存器和多個(gè)緩沖電路構(gòu)成的控制線驅(qū)動(dòng)部的顯示面板?？刂凭€驅(qū)動(dòng)部通過(guò)控制線將控制信號(hào)提供給每一個(gè)像素。兩個(gè)或更多電壓(VDD/VSS)被提供至緩沖電路，并且基于從外面提供的設(shè)置信號(hào)和重置信號(hào)選擇和輸出這些電壓中的一個(gè)。引用列表專利文獻(xiàn)PTL1：日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公布號(hào)2009-223092

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
順便提及，通常，鑒于成本、電路的配置面積、電路布局的自由度等，電子電路期望具有簡(jiǎn)單構(gòu)造，并且顯示單元中的驅(qū)動(dòng)電路也被期望具有簡(jiǎn)單構(gòu)造。因此，希望提供各自適用于實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電路構(gòu)造的顯示單元、驅(qū)動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的一種顯示單元包括：?jiǎn)挝幌袼?、開(kāi)關(guān)以及非線性元件。該開(kāi)關(guān)被配置為基于施加于第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行供應(yīng)DC信號(hào)的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制。非線性元件被插入第一端子與第三端子之間。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的一種驅(qū)動(dòng)單元包括開(kāi)關(guān)和非線性元件。該開(kāi)關(guān)被配置為基于施加于第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行供應(yīng)DC信號(hào)的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制。非線性元件被插入第一端子與第三端子之間。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的一種驅(qū)動(dòng)方法包括：基于施加于第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行供應(yīng)DC信號(hào)的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制；并且執(zhí)行第一端子與第三端子之間的非線性操作。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的電子設(shè)備包括上述顯示單元，并且電子設(shè)備的實(shí)例可包括電視設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、攝像機(jī)以及諸如移動(dòng)電話的移動(dòng)終端裝置。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)實(shí)施方式的顯示單元、驅(qū)動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備，信號(hào)基于脈沖信號(hào)來(lái)被施加于單位像素。此時(shí)，該開(kāi)關(guān)被控制為基于施加于第一端子的脈沖信號(hào)在供應(yīng)DC信號(hào)的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間接通或者關(guān)斷，并且通過(guò)非線性元件在第一端子與第三端子之間執(zhí)行非線性操作。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)實(shí)施方式的顯示單元、驅(qū)動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備，設(shè)置有基于施加于第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行供應(yīng)DC信號(hào)的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制的開(kāi)關(guān)，以及插入第一端子與第三端子之間的非線性元件。因此，可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單電路。附圖說(shuō)明[圖1]是示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的顯示單元的構(gòu)造實(shí)例的框圖。[圖2]是示出了圖1中示出的子像素的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖3]是示出了圖1中示出的電源線驅(qū)動(dòng)部的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖4]是示出了顯示單元中的電源線驅(qū)動(dòng)部的配置的說(shuō)明性示圖。[圖5]是示出了圖3中示出的驅(qū)動(dòng)電路及其周邊部的布局構(gòu)造實(shí)例的布局圖。[圖6]是示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)部的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖7]是示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的子像素的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖8]是示出了圖3中示出的驅(qū)動(dòng)電路的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖9]是示出了根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動(dòng)部的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖10]是示出了圖9中示出的驅(qū)動(dòng)電路的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖11]是示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的變形例的電源線驅(qū)動(dòng)部的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖12]是示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的另一變形例的電源線驅(qū)動(dòng)部的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖13]是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)部的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖14]是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的子像素的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖15]是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的操作實(shí)例的時(shí)序波形圖。[圖16]是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路和子像素的操作實(shí)例的說(shuō)明性示圖。[圖17]是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的變形例的子像素的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。[圖18]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的安裝有顯示單元的模塊的構(gòu)造實(shí)例的說(shuō)明性示圖。[圖19]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例1的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖20A]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例2的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖20B]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例2的另一外觀構(gòu)造的透視圖。[圖21]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例3的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖22A]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例4的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖22B]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例4的外觀構(gòu)造的另一透視圖。[圖23A]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例5的外觀構(gòu)造的前視圖。[圖23B]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例5的外觀構(gòu)造的后視圖。[圖24]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例6的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖25]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例7的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖26]是示出了根據(jù)任一實(shí)施方式的顯示單元的應(yīng)用例8的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖27]是示出了根據(jù)另一變形例的子像素的構(gòu)造實(shí)例的電路圖。具體實(shí)施方式下文將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式。應(yīng)注意，將按照以下順序進(jìn)行其描述。1.第一實(shí)施方式2.第二實(shí)施方式3.應(yīng)用例<1.實(shí)施方式>(構(gòu)造實(shí)例)圖1示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示單元的構(gòu)造實(shí)例。顯示單元1是使用有機(jī)EL元件的有源矩陣顯示單元。應(yīng)注意，根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)本實(shí)施方式來(lái)實(shí)施并且因此將在一起描述。顯示單元1包括顯示部10和驅(qū)動(dòng)部20。顯示部10由以矩陣排列的多個(gè)像素Pix構(gòu)成。每一個(gè)像素Pix均包括紅色、綠色和藍(lán)色子像素11。顯示部10包括沿行方向延伸的多個(gè)掃描線WSAL和多個(gè)電源線PL，以及沿列方向延伸的多個(gè)數(shù)據(jù)線DTL。掃描線WSL、電源線PL以及數(shù)據(jù)線DTL中的每個(gè)的端部均連接至驅(qū)動(dòng)部20。每個(gè)上述子像素11被布置在每一個(gè)掃描線WSL和每一個(gè)數(shù)據(jù)線DTL的交點(diǎn)處。圖2示出了子像素11的電路構(gòu)造的實(shí)例。子像素11包括寫(xiě)入晶體管WSTr、驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr、有機(jī)EL元件OLED以及電容器Cs和電容器Csub。換言之，在該實(shí)例中，子像素11具有由兩個(gè)晶體管(寫(xiě)入晶體管WSTr和驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr)以及兩個(gè)電容器Cs和電容器Csub構(gòu)成的所謂的“2Tr2C”的構(gòu)造。例如，寫(xiě)入晶體管WSTr和驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr可各自由N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。寫(xiě)入晶體管WSTr的柵極連接至掃描線WSL，其源極連接至數(shù)據(jù)線DTL，并且其漏極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極和電容器Cs的一端。驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極連接至寫(xiě)入晶體管WSTr的漏極和電容器Cs的一端，其漏極連接至電源線PL，并且其源極連接至電容器Cs的另一端和有機(jī)EL元件OLED的陽(yáng)極等。電容器Cs的一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極等，并且其另一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極等。電容器Csub的一端連接至有機(jī)EL元件OLED的陽(yáng)極，并且其另一端連接至有機(jī)EL元件OLED的陰極。換言之，在這個(gè)實(shí)例中，電容器Csub并聯(lián)連接至有機(jī)EL元件OLED。有機(jī)EL元件OLED是發(fā)射對(duì)應(yīng)于每一個(gè)子像素11的顏色(紅色、綠色或者藍(lán)色)的光的發(fā)光元件，并且其陽(yáng)極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極等，以及其陰極通過(guò)驅(qū)動(dòng)部20來(lái)提供陰極電壓Vcath。驅(qū)動(dòng)部20基于從外面提供的影像信號(hào)(picturesignal)Sdisp和同步信號(hào)Ssync來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示部10。如圖1中所示，驅(qū)動(dòng)部20包括影像信號(hào)處理部21、時(shí)序生成部22、掃描線驅(qū)動(dòng)部23、電源線驅(qū)動(dòng)部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27。影像信號(hào)處理部21對(duì)從外部提供的影像信號(hào)Sdisp執(zhí)行預(yù)定的信號(hào)處理以產(chǎn)生影像信號(hào)Sdisp2。預(yù)定的信號(hào)處理的實(shí)例可包括伽馬校正和過(guò)驅(qū)動(dòng)校正。時(shí)序生成部22是基于從外部提供的同步信號(hào)Ssync，向掃描線驅(qū)動(dòng)部23、電源線驅(qū)動(dòng)部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27的每一個(gè)提供控制信號(hào)，并且控制這些部彼此同步操作的電路。掃描線驅(qū)動(dòng)部23根據(jù)從時(shí)序生成部22提供的控制信號(hào)順次將掃描信號(hào)WS施加至多個(gè)掃描線WSL，以在行的基礎(chǔ)上順次選擇子像素11。電源線驅(qū)動(dòng)部26根據(jù)從時(shí)序生成部22提供的控制信號(hào)順次將電力信號(hào)DS施加至多個(gè)電源線PL，以在行基礎(chǔ)上控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。電力信號(hào)DS在電壓Vccp和電壓Vini之間轉(zhuǎn)換。如稍后將描述的，電壓Vini是使子像素11初始化的電壓，并且電壓Vccp是允許電流Ids流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr以允許有機(jī)EL元件OLED發(fā)光的電壓。圖3示出了電源線驅(qū)動(dòng)部26的構(gòu)造實(shí)例。電源線驅(qū)動(dòng)部26包括電壓生成部31、移位寄存器32和多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33。電壓生成部31生成電壓Vccp。電壓生成部31通過(guò)配線L1將電壓Vccp供應(yīng)給每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33。移位寄存器32基于從時(shí)序生成部22提供的控制信號(hào)(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動(dòng)的像素線的多個(gè)掃描信號(hào)Ss。每個(gè)掃描信號(hào)Ss對(duì)應(yīng)于顯示部10中的每個(gè)像素線。具體地，例如，第k個(gè)掃描信號(hào)Ss(k)對(duì)應(yīng)于第k個(gè)像素線。每個(gè)掃描信號(hào)Ss均是在高電平電壓VH與低電平電壓VL之間轉(zhuǎn)換的信號(hào)。低電平電壓VL是比電壓Vini低了驅(qū)動(dòng)電路33的晶體管35(稍后描述)的閾值電壓Vth的量的電壓(Vini-Vth)。例如，移位寄存器32可以通過(guò)第k個(gè)配線L2(k)將掃描信號(hào)Ss(k)供應(yīng)給第k個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33(k)。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33基于從電壓生成部31供應(yīng)的電壓Vccp和從移位寄存器32供應(yīng)的掃描信號(hào)Ss生成電力信號(hào)DS。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于顯示部10中的每個(gè)像素線。具體地，例如，第k個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33(k)基于電壓Vccp和第k個(gè)掃描信號(hào)Ss(k)生成第k個(gè)電力信號(hào)DS(k)。然后，驅(qū)動(dòng)電路33(k)在第k個(gè)像素線中將電力信號(hào)DS(k)施加至電源線PL(k)。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33均包括晶體管34和晶體管35。例如，各個(gè)晶體管34和晶體管35可由與寫(xiě)入晶體管WSTr和驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr相似的N-溝道MOSTFT構(gòu)成。在驅(qū)動(dòng)電路33(k)中，晶體管34的柵極連接至晶體管35的源極和配線L2(k)，其漏極連接至配線L1以及其源極連接至晶體管35的漏極和柵極和電源線PL(k)。在驅(qū)動(dòng)電路33(k)中，晶體管35的漏極連接至晶體管35的柵極、晶體管34的源極和電源線PL(k)，其源極連接至晶體管34的柵極和配線L2(k)。換言之，晶體管35是所謂的二極管連接。晶體管34形成為具有的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。利用該構(gòu)造，在驅(qū)動(dòng)電路33(k)中，當(dāng)掃描信號(hào)Ss(k)的電壓是高電平電壓VH時(shí)，導(dǎo)通晶體管34并且截止晶體管35。因此，驅(qū)動(dòng)電路33(k)將電壓Vccp輸出為電力信號(hào)DS(k)。此外，當(dāng)掃描信號(hào)Ss(k)的電壓是低電平電壓VL時(shí)，截止晶體管34并且瞬時(shí)導(dǎo)通晶體管35。因此，驅(qū)動(dòng)電路33(k)將比低電平電壓VL(＝Vini-Vth)高了晶體管35的閾值電壓Vth的量的電壓Vini輸出為電力信號(hào)DS(k)。圖4示出了顯示單元1中的電源線驅(qū)動(dòng)部26的配置。在這個(gè)實(shí)例中，掃描線驅(qū)動(dòng)部23被布置在基板30的設(shè)置有顯示部10的區(qū)域的左側(cè)上的邊框區(qū)域中，并且電源線驅(qū)動(dòng)部26被布置在其右側(cè)的邊框區(qū)域中。在設(shè)置有電源線26的區(qū)域中，配線L1被如此設(shè)置以沿著垂直方向延伸。進(jìn)一步地，移位寄存器32被布置在配線L1的右側(cè)，并且多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33被布置在配線L1的左側(cè)上的區(qū)域39中。圖5示出了驅(qū)動(dòng)電路33及其周邊部的布局構(gòu)造實(shí)例。在這個(gè)實(shí)例中，顯示單元1使用適于形成兩個(gè)金屬層(即，下層金屬M(fèi)1和上層金屬M(fèi)2)的制造工藝進(jìn)行制造。例如，下層金屬M(fèi)1可由鉬Mo形成，并且例如，上層金屬M(fèi)2可由鋁Al形成。上層金屬M(fèi)2的片電阻低于下層金屬M(fèi)1的片電阻。各個(gè)晶體管34和晶體管35的柵極(柵極部分GP)由下層金屬M(fèi)1構(gòu)成，并且各個(gè)晶體管34和晶體管35的漏極和源極被連接至上層金屬M(fèi)2。配線L1由上層金屬M(fèi)2形成并且連接至晶體管34的漏極。配線L2在除了與配線L1相交的一部分之外的部分中由上層金屬M(fèi)2形成，并且在與配線L1相交的一部分中由下層金屬M(fèi)1形成。配線L2連接至晶體管34的柵極(柵極部分GP)，并且通過(guò)接觸CT連接至上層金屬M(fèi)2，該上層金屬M(fèi)2連接至晶體管35的源極。電源線PL由上層金屬M(fèi)2形成，且連接至晶體管34的源極和晶體管35的漏極，并且通過(guò)接觸CT連接至晶體管35的柵極。在圖1中，根據(jù)從影像信號(hào)處理部21供應(yīng)的影像信號(hào)Sdisp2和從時(shí)序生成部22供應(yīng)的控制信號(hào)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27生成包括指示每個(gè)子像素11的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig以及用于執(zhí)行稍后描述的Vth校正的電壓Vofs的信號(hào)Sig，并且將信號(hào)Sig施加至每個(gè)數(shù)據(jù)線DTL。利用該構(gòu)造，如稍后將描述的，驅(qū)動(dòng)部20在子像素11上執(zhí)行校正(Vth校正)以抑制驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的元件變化對(duì)圖像質(zhì)量的影響。然后，驅(qū)動(dòng)部20在子像素11上執(zhí)行像素電壓Vsig的寫(xiě)入并且執(zhí)行不同于上述Vth校正的μ(遷移率，mobility)校正。然后，此后，每個(gè)子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對(duì)應(yīng)于寫(xiě)入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光。在此，子像素11對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“單位像素”的特定但非限制性實(shí)例。電容器Cs對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第一電容器”的特定但非限制性實(shí)例。電容器Csub對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第二電容器”的特定但非限制性實(shí)例。有機(jī)EL元件OLED對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“顯示元件”的特定但非限制性實(shí)例。晶體管34對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“開(kāi)關(guān)”的特定但非限制性實(shí)例。晶體管35對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“非線性元件”的特定但非限制性實(shí)例。掃描信號(hào)Ss對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“脈沖信號(hào)”的特定但非限制性實(shí)例。配線L2對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第一配線”的特定但非限制性實(shí)例，并且配線L1對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第二配線”的特定但非限制性實(shí)例。高電平電壓VH對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第一電壓”的特定但非限制性實(shí)例，并且低電平電壓VL對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第二電壓”的特定但非限制性實(shí)例。電壓Vini對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第三電壓”的特定但非限制性實(shí)例，并且電壓Vccp對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第四電壓”的特定但非限制性實(shí)例。電壓Vofs對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“重置電壓”的特定但非限制性實(shí)例。(操作和功能)隨后，將描述根據(jù)本實(shí)施方式的顯示單元1的操作和功能。(總體操作概要)首先，參考圖1，描述顯示單元1的總體操作概要。影像信號(hào)處理部21對(duì)從外部提供的影像信號(hào)Sdisp執(zhí)行預(yù)定的信號(hào)處理以產(chǎn)生影像信號(hào)Sdisp2。時(shí)序生成部22基于從外部提供的同步信號(hào)Ssync，向各掃描線驅(qū)動(dòng)部23、電源線驅(qū)動(dòng)部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27提供控制信號(hào)，以控制這些部彼此同步操作。掃描線驅(qū)動(dòng)部23根據(jù)從時(shí)序生成部22提供的控制信號(hào)順次將掃描信號(hào)WS施加至多個(gè)掃描線WSL中的每一個(gè)，以在行基礎(chǔ)上順次選擇子像素11。電源線驅(qū)動(dòng)部26根據(jù)從時(shí)序生成部22提供的控制信號(hào)順次將電力信號(hào)DS施加至多個(gè)電源線PL中的每一個(gè)，以在行基礎(chǔ)上控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。根據(jù)從影像信號(hào)處理部21供應(yīng)的影像信號(hào)Sdisp2和從時(shí)序生成部22供應(yīng)的控制信號(hào)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27生成包括指示每個(gè)子像素11的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig和用于執(zhí)行Vth校正的電壓Vofs的信號(hào)Sig，并且將信號(hào)Sig施加至每個(gè)數(shù)據(jù)線DTL。顯示部10基于從驅(qū)動(dòng)部20提供的掃描信號(hào)WS、電力信號(hào)DS和信號(hào)Sig來(lái)執(zhí)行顯示。(詳細(xì)操作)圖6是驅(qū)動(dòng)部20的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)WS的波形，(B)示出了電力信號(hào)DS的波形，以及(C)示出了信號(hào)Sig的波形。在圖6的(A)中，掃描信號(hào)WS(k)表示驅(qū)動(dòng)第k個(gè)線中的子像素11的掃描信號(hào)WS。同樣地，掃描信號(hào)WS(k+1)、WS(k+2)和WS(k+1)表示分別驅(qū)動(dòng)第(k+1)個(gè)線、第(k+2)個(gè)線和第(k+3)個(gè)線中的子像素11的掃描信號(hào)WS。上述情況也適用于電力信號(hào)DS(圖6的(B))。驅(qū)動(dòng)部20的掃描線驅(qū)動(dòng)部23順次將具有兩個(gè)脈沖PP1和脈沖PP2的掃描信號(hào)WS施加至每個(gè)掃描線WSL(圖6的(A))。這時(shí)，在一個(gè)水平期間(1H)，掃描線驅(qū)動(dòng)部23將兩個(gè)脈沖PP1和脈沖PP2施加至一個(gè)掃描線WSL。電源線驅(qū)動(dòng)部26將僅在包含脈沖PP1的開(kāi)始時(shí)刻(例如時(shí)刻t1)的預(yù)定時(shí)間段(例如，從時(shí)刻t0至?xí)r刻t2的時(shí)間段)中變?yōu)殡妷篤ini并且在其他時(shí)間段中變?yōu)殡妷篤ccp的電力信號(hào)DS施加至每一個(gè)電源線PL(圖6的(B))。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27在包括脈沖PP2的預(yù)定時(shí)間段(例如，從時(shí)刻t4至?xí)r刻t7的時(shí)間段)將像素電壓Vsig施加至每一個(gè)數(shù)據(jù)線DTL，并且在其他時(shí)間段將電壓Vofs施加至每一個(gè)數(shù)據(jù)線DTL(圖6的(C))。以此方式，驅(qū)動(dòng)部20在一個(gè)水平期間(例如，從時(shí)刻t1至?xí)r刻t7)驅(qū)動(dòng)第k個(gè)線中的子像素11，并且在下一個(gè)水平期間(例如，從時(shí)刻t7至?xí)r刻t8)驅(qū)動(dòng)第(k+1)個(gè)線的子像素11。然后，驅(qū)動(dòng)部20在一個(gè)幀期間驅(qū)動(dòng)顯示部10的所有子像素11。圖7是子像素11在從時(shí)刻t0至?xí)r刻t7的時(shí)間段的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)WS的波形，(B)示出了電力信號(hào)DS的波形，(C)示出了信號(hào)Sig的波形，(D)示出了驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形，以及(E)示出了驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。在圖7的(B)至(E)中，使用相同的電壓軸示出各波形。驅(qū)動(dòng)部20在一個(gè)水平期間(1H)執(zhí)行子像素11的初始化(初始化期間P1)，執(zhí)行Vth校正以抑制驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的元件變化對(duì)圖像質(zhì)量的影響(Vth校正期間P2)，以及執(zhí)行像素電壓Vsig對(duì)子像素11的寫(xiě)入以及μ校正(寫(xiě)入和μ校正期間P3)。然后，此后，每個(gè)子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對(duì)應(yīng)于寫(xiě)入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光(發(fā)光期間P4)。在此，初始化期間P1對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第一子期間”的特定但非限制性實(shí)例，Vth校正期間P2對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第二子期間”的特定但非限制性實(shí)例。以下將描述其細(xì)節(jié)。首先，在初始化期間P1之前的時(shí)刻t0，電源線驅(qū)動(dòng)部26將電力信號(hào)DS從電壓Vccp改變到電壓Vini(圖7的(B))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs被設(shè)置為電壓Vini(圖7的(E))。接下來(lái)，驅(qū)動(dòng)部20在時(shí)刻t1至?xí)r刻t2的時(shí)間段(初始化期間P1)對(duì)子像素11進(jìn)行初始化。具體地，在時(shí)刻t1時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27將信號(hào)Sig設(shè)置為電壓Vofs(圖7的(C))，并且掃描線驅(qū)動(dòng)部23將掃描信號(hào)WS的電壓從低電平改變?yōu)楦唠娖?圖7的(A))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)置為電壓Vofs(圖7的(D))。以此方式，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs(＝Vofs-Vini)被設(shè)置為大于驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的閾值電壓Vth的電壓，這使子像素11初始化。接下來(lái)，驅(qū)動(dòng)部20在時(shí)刻t2至?xí)r刻t3的時(shí)間段期間執(zhí)行Vth校正(Vth校正期間P2)。具體地，電源線驅(qū)動(dòng)部26在時(shí)刻t2時(shí)將電力信號(hào)DS從電壓Vini改變?yōu)殡妷篤ccp(圖7的(B))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr操作在飽和區(qū)中，并且電流Ids從漏極流動(dòng)至源極。電流Ids增加源極電壓Vs(圖7的(E))。這時(shí)，因?yàn)樵礃O電壓Vs低于有機(jī)EL元件OLED的陰極的電壓Vcath，所以有機(jī)EL元件OLED保持反向偏壓狀態(tài)，并且電流不流過(guò)有機(jī)EL元件OLED。源極電壓Vs以此方式增加，這減少柵極-源極電壓Vgs。因此，電流Ids減少。電流Ids通過(guò)負(fù)反饋操作向“0”(零)收斂(converge)。換言之，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs收斂為等于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth(Vgs＝Vth)。接著，掃描線驅(qū)動(dòng)部23在時(shí)刻t3時(shí)將掃描信號(hào)WS的電壓從高電平改變?yōu)榈碗娖?圖7的(A))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr截止。然后，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27在時(shí)刻t4時(shí)將信號(hào)Sig設(shè)置為像素電壓Vsig(圖7的(C))。然后，在從時(shí)刻t5至?xí)r刻t6期間(寫(xiě)入和μ校正期間P3)，驅(qū)動(dòng)部20執(zhí)行像素電壓Vsig對(duì)子像素11的寫(xiě)入，并且執(zhí)行μ校正。具體地，掃描線驅(qū)動(dòng)部23在時(shí)刻t5將掃描信號(hào)WS的電壓從低電平改變?yōu)楦唠娖?圖7的(A))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg從電壓Vofs升高到像素電壓Vsig(圖7的(D))。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs變得大于閾值電壓Vth(Vgs>Vth)，并且電流Ids從漏極流動(dòng)至源極。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs增加(圖7的(E))。利用這樣的負(fù)反饋操作，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的元件變化的影響被抑制(μ(遷移率)校正)，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs被設(shè)置為與像素電壓Vsig對(duì)應(yīng)的電壓Vemi。然后，驅(qū)動(dòng)部20在時(shí)刻t6之后的時(shí)間段允許子像素11發(fā)光(發(fā)光期間P4)。具體地，掃描線驅(qū)動(dòng)部23在時(shí)刻t6時(shí)將掃描信號(hào)WS的電壓從高電平改變?yōu)榈碗娖?圖7的(A))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr截止，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極變得浮動(dòng)。因此，此后，電容器Cs的端子間電壓，即，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓被保持。進(jìn)一步地，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs在電流Ids流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr時(shí)增加(圖7的(E))，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg相應(yīng)地增加(圖7的(D))。然后，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs變得大于這種自舉操作的有機(jī)EL元件OLED的閾值Vel電壓Vcath的和(Vel+Vcath)時(shí)，電流在有機(jī)EL元件OLED的陽(yáng)極和陰極之間流動(dòng)，并且有機(jī)EL元件OLED發(fā)光。換言之，源極電壓Vs根據(jù)有機(jī)EL元件OLED的元件變化增加并且有機(jī)EL元件OLED發(fā)光。此后，在顯示單元1中，在預(yù)定期間(一個(gè)幀期間)過(guò)去之后，發(fā)生從發(fā)光期間P4至初始化期間P1的轉(zhuǎn)換。驅(qū)動(dòng)部20執(zhí)行驅(qū)動(dòng)以重復(fù)一系列操作。以此方式，在顯示單元1中，執(zhí)行Vth校正和μ校正兩者。因此，可以抑制由驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的元件變化所引起的圖像質(zhì)量的劣化。此外，在顯示單元1中，在發(fā)光期間P4允許根據(jù)有機(jī)EL元件OLED的元件變化增加源極電壓Vs。因此，可以抑制由有機(jī)EL元件OLED的元件變化所引起的圖像質(zhì)量的劣化。(驅(qū)動(dòng)電路33的操作)接下來(lái)，將描述驅(qū)動(dòng)電路33的詳細(xì)操作。驅(qū)動(dòng)電路33基于從電壓生成部31供應(yīng)的電壓Vccp和從移位寄存器32供應(yīng)的掃描信號(hào)Ss生成電力信號(hào)DS。圖8是驅(qū)動(dòng)電路33操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)Ss的波形，以及(B)示出了電力信號(hào)DS的波形。首先，掃描信號(hào)Ss的電壓在時(shí)刻t11從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖8的(A))。因此，驅(qū)動(dòng)電路33的晶體管34導(dǎo)通，晶體管35截止，并且通過(guò)電壓生成部31生成的電壓Vccp通過(guò)晶體管34相應(yīng)地被施加至電源線PL。以此方式，電力信號(hào)DS改變至電壓Vccp(圖8的(B))。然后，在Vth校正期間P2、寫(xiě)入和μ校正期間P3以及發(fā)光期間P4，驅(qū)動(dòng)電路33將電流供應(yīng)給連接至電源線PL的每一個(gè)子像素11。然后，掃描信號(hào)Ss的電壓在時(shí)刻t12從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(＝Vini-Vth)(圖8的(A))。因此，驅(qū)動(dòng)電路33的晶體管34截止，晶體管35瞬時(shí)導(dǎo)通，并且電源線PL的電壓相應(yīng)地減少(圖8的(B))。然后，當(dāng)電源線PL的電壓減少至電壓Vini時(shí)，晶體管35截止。此后，在初始化期間P1，在連接至電源線PL的每一個(gè)子像素11中執(zhí)行初始化。驅(qū)動(dòng)電路33重復(fù)上述操作。因此，連接至電源線PL的每一個(gè)子像素11重復(fù)從初始化至發(fā)光的一系列操作。如上所述，在顯示單元1中，使用起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管34和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管35來(lái)配置驅(qū)動(dòng)電路33。因此，如將使用比較例所描述的，可以簡(jiǎn)化電源線驅(qū)動(dòng)部26的電路構(gòu)造。此外，在驅(qū)動(dòng)電路33中，制成的晶體管34的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。因此，可以促進(jìn)子像素11的驅(qū)動(dòng)，并且抑制驅(qū)動(dòng)電路33的電路面積。具體地，在Vth校正期間P2、寫(xiě)入和μ校正期間P3以及發(fā)光期間P4，驅(qū)動(dòng)電路33使晶體管34導(dǎo)通以將電流供應(yīng)至子像素11。具體地，在發(fā)光期間P4，驅(qū)動(dòng)電路33供應(yīng)允許有機(jī)EL元件OLED發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流。隨著有機(jī)EL元件OLED的發(fā)光亮度升高，驅(qū)動(dòng)電流增加。因此，晶體管34的導(dǎo)通電阻理想地的是足夠低，并且晶體管34的溝道寬度W理想地地是較寬。另一方面，在初始化期間P1，驅(qū)動(dòng)電路33將電壓Vini施加至電源線PL以將子像素11的源極電壓Vs設(shè)置為電壓Vini。在這種情況下，電流瞬時(shí)流過(guò)晶體管35但是電流不持續(xù)流過(guò)晶體管35。因此，可以減小晶體管35的溝道寬度W。該構(gòu)造促進(jìn)子像素11的驅(qū)動(dòng)并且使得可以抑制驅(qū)動(dòng)電路33的電路面積。另外，如圖5中所示，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，配線L1由具有低片電阻的上層金屬M(fèi)2形成。因此，可以減小配線L1的電阻值，并且促進(jìn)子像素11的驅(qū)動(dòng)。此外，如圖4和圖5中所示，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，配線L1被布置在驅(qū)動(dòng)電路33與移位寄存器32之間。因此，可以促進(jìn)子像素11的驅(qū)動(dòng)。具體地，例如，當(dāng)配線L1被布置在顯示部10與驅(qū)動(dòng)電路33之間時(shí)，配線L1與電源線PL相交。換言之，在這種情況下，必須通過(guò)具有高片電阻的下層金屬M(fèi)1形成配線L1或者電源線PL，并且在交叉點(diǎn)處無(wú)意地形成有寄生電容。因此，施加至電源線PL的電力信號(hào)DS的上升時(shí)間tr增加，并且例如，難以生成具有短時(shí)寬度的脈沖。另一方面，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，配線L1被布置在驅(qū)動(dòng)電路33與移位寄存器32之間。因此，可以通過(guò)具有低片電阻的上層金屬M(fèi)2形成配線L1，并且減少電力信號(hào)DS等的上升時(shí)間tr。順便提及，如圖5中所示，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，配線L1與配線L2相交，并且必須通過(guò)具有高片電阻的下層金屬M(fèi)1在交叉點(diǎn)處形成配線L2。然而，配線L2被連接至晶體管34和晶體管35，并且與在顯示面板10中延伸的電源線PL不同，電容負(fù)荷較低。因此，移位寄存器32相對(duì)容易地驅(qū)動(dòng)配線L2。因此，可以減少電力信號(hào)DS的波形遲鈍的可能性。(比較例)接下來(lái)，將描述根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動(dòng)部26R。在本比較例中，電壓生成部31R生成電壓Vccp和電壓Vini，并且驅(qū)動(dòng)電路33R選擇和輸出電壓Vccp和電壓Vini中的一個(gè)。它的其他構(gòu)造與在本實(shí)施方式中(圖1)中的那些構(gòu)造相似。圖9示出了根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動(dòng)部26R的構(gòu)造實(shí)例。電源線驅(qū)動(dòng)部26R包括電壓生成部31R、移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R。電壓生成部31R生成電壓Vccp以通過(guò)配線L1將電壓Vccp供應(yīng)給每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R，并且生成電壓Vini以通過(guò)配線L3將電壓Vini供應(yīng)給每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R。移位寄存器32RA基于從時(shí)序生成部22供應(yīng)的控制信號(hào)(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動(dòng)的像素線的多個(gè)掃描信號(hào)SsA。例如，移位寄存器32RA可以通過(guò)第k個(gè)配線L2A(k)將掃描信號(hào)SsA(k)供應(yīng)給第k個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R(k)。同樣地，移位寄存器32RB基于從時(shí)序生成部22供應(yīng)的控制信號(hào)(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動(dòng)的像素線的多個(gè)掃描信號(hào)SsB。例如，移位寄存器32RB可以通過(guò)第k個(gè)配線L2B(k)將掃描信號(hào)SsB(k)供應(yīng)給第k個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R(k)。基于從電壓生成部31R供應(yīng)的電壓Vccp和電壓Vini、從移位寄存器33RA供應(yīng)的掃描信號(hào)SsA以及從移位寄存器33RB供應(yīng)的掃描信號(hào)SsB，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R生成電力信號(hào)DS。每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33R包括晶體管35R。例如，晶體管35R可由類似于晶體管34等的N-溝道MOSTFT構(gòu)成。在驅(qū)動(dòng)電路33R(k)中，晶體管35R的漏極連接至晶體管34的源極和電源線PL(k)，其柵極連接至配線L2B(k)，以及其源極連接至配線L3。圖10是驅(qū)動(dòng)電路33R的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)SsA的波形，(B)示出了掃描信號(hào)SsB的波形，以及(C)示出了電力信號(hào)DS的波形。首先，掃描信號(hào)SsB的電壓在時(shí)刻t21時(shí)從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(圖10的(B))。因此，晶體管35R截止，并且停止電壓Vini施加至電源線PL。然后，掃描信號(hào)SsA的電壓在時(shí)刻t22時(shí)從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖10的(A))。因此，晶體管34導(dǎo)通，通過(guò)電壓生成部31R生成的電壓Vccp通過(guò)晶體管34被施加至電源線PL，并且電力信號(hào)DS改變至電壓Vccp(圖10的(C))。接下來(lái)，掃描信號(hào)SsA的電壓在時(shí)刻t23時(shí)從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(圖10的(A))。因此，晶體管34截止，并且停止電壓Vccp施加至電源線PL。然后，掃描信號(hào)SsB的電壓在時(shí)刻t24時(shí)從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖10的(B))。因此，晶體管35R導(dǎo)通，通過(guò)電壓生成部31R生成的電壓Vini通過(guò)晶體管35R被施加至電源線PL，并且電力信號(hào)DS相應(yīng)地改變至電壓Vini(圖10的(C))。以此方式，在電源線驅(qū)動(dòng)部26R中，電壓生成部31R生成電壓Vccp和電壓Vini，并且驅(qū)動(dòng)電路33R基于通過(guò)移位寄存器32RA和移位寄存器32RB分別生成的兩個(gè)掃描信號(hào)SsA和SsB，選擇和輸出電壓Vccp和電壓Vini中的一個(gè)。在根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動(dòng)部26R中，驅(qū)動(dòng)電路33R使用用作這樣的開(kāi)關(guān)的兩個(gè)晶體管34和晶體管35R構(gòu)成。因此，電源線驅(qū)動(dòng)部26R必須具有執(zhí)行兩個(gè)晶體管34和晶體管35R的導(dǎo)通截止控制的兩個(gè)移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及分別傳輸電壓Vccp和電壓Vini的兩個(gè)配線L1和配線L3。因此，增加電源線驅(qū)動(dòng)部26R的電路大小，增加電路和配線的配置面積，并且因此可削弱電路布局的自由度。此外，可削弱作為整個(gè)顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。具體地，近年來(lái)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面期望具有窄邊框的面板。然而，因?yàn)殡娫淳€驅(qū)動(dòng)部26R形成在類似于圖4的情況的所謂邊框區(qū)域中，所以可能難以減少邊框區(qū)域。另一方面，在根據(jù)本實(shí)施方式的電源線驅(qū)動(dòng)部26中，驅(qū)動(dòng)電路33使用起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管34和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管35構(gòu)成。因此，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，可實(shí)現(xiàn)由一個(gè)移位寄存器34和一個(gè)配線L1構(gòu)成的簡(jiǎn)單構(gòu)造，并且可實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于電源線驅(qū)動(dòng)部26R的作用。因此，在電源線驅(qū)動(dòng)部26中，可以減少電路大小，以減少電路和配線的配置面積，并且增強(qiáng)電路布局的自由度。此外，因?yàn)榭蓪?shí)現(xiàn)具有窄邊框區(qū)域的面板，這使得可以增強(qiáng)整個(gè)顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。(效果)如上所述，在本實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)電路使用起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管構(gòu)成。因此，可以簡(jiǎn)化電源線驅(qū)動(dòng)部的構(gòu)造。因此，可以減少電路大小、減少電路和配線的配置面積，以及增強(qiáng)電路布局的自由度，并且增強(qiáng)作為整個(gè)顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。此外，在本實(shí)施方式中，制成的晶體管34的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。這促進(jìn)子像素的驅(qū)動(dòng)并且使得可以抑制驅(qū)動(dòng)電路的電路面積。此外，在本實(shí)施方式中，配線L1由具有低片電阻的上層金屬形成。因此，可以減小配線L1的電阻值，并且促進(jìn)子像素的驅(qū)動(dòng)。進(jìn)一步地，在本實(shí)施方式中，配線L1被布置在驅(qū)動(dòng)電路與移位寄存器之間。因此，可以促進(jìn)子像素的驅(qū)動(dòng)。此外，在本實(shí)施方式中，顯示部在不使用PMOS晶體管的情況下僅使用NMOS晶體管構(gòu)成。因此，即使通過(guò)不可以制造PMOS晶體管的工藝，如利用氧化物TFT(TOSTFT)工藝也能夠制造顯示部。(變形例1-1)在上述實(shí)施方式中，二極管連接的晶體管35被設(shè)置在每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33中。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，如圖11中所示，可以設(shè)置二極管35B。電源線驅(qū)動(dòng)部26B包括驅(qū)動(dòng)電路33B。在驅(qū)動(dòng)電路33B(k)中，二極管35B的陽(yáng)極連接至電源線PL(k)，并且其陰極連接至配線L2(k)。(變形例1-2)在上述實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管34和晶體管35由N-溝道MOSTFT構(gòu)成。然而，晶體管不限于此，并且例如，如圖12中所示，各個(gè)晶體管34和晶體管35可由P-溝道MOSTFT構(gòu)成。根據(jù)本變形例的電源線驅(qū)動(dòng)部26C包括驅(qū)動(dòng)電路33C、電壓生成部31C和移位寄存器32C。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33C包括晶體管36和晶體管37。每個(gè)晶體管36和晶體管37均是P-溝道MOSTFT。晶體管36起到非線性元件(二極管)的作用，以及晶體管37起到開(kāi)關(guān)的作用。電壓生成部31C生成電壓Vini。移位寄存器32C基于從時(shí)序生成部22供應(yīng)的控制信號(hào)(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動(dòng)的像素線的多個(gè)掃描信號(hào)Ss。每個(gè)掃描信號(hào)Ss的高電平電壓VH是比電壓Vccp高驅(qū)動(dòng)電路33C的晶體管36的閾值電壓的絕對(duì)值|Vth|的電壓(Vccp+|Vth|)。利用該構(gòu)造，在驅(qū)動(dòng)電路33C(k)中，當(dāng)掃描信號(hào)Ss(k)的電壓是低電平電壓VL時(shí)，晶體管37導(dǎo)通并且晶體管36截止。因此，驅(qū)動(dòng)電路33C(k)將電壓Vini輸出為電力信號(hào)DS(k)。此外，當(dāng)掃描信號(hào)Ss(k)的電壓是高電平電壓VH時(shí)，晶體管37截止并且瞬時(shí)導(dǎo)通晶體管36。因此，驅(qū)動(dòng)電路33C(k)將比高電平電壓VH(＝Vccp+|Vth|)低了晶體管36的閾值電壓的絕對(duì)值|Vth|的電壓Vccp輸出為電力信號(hào)DS(k)。在這個(gè)實(shí)例中，例如，晶體管36的溝道寬度(W)可大于晶體管37的溝道寬度(W)。(變形例1-3)在上述實(shí)施方式中，電源線驅(qū)動(dòng)部26使用驅(qū)動(dòng)電路33構(gòu)成。然而，該構(gòu)造不限于此，可替換地或者除此之外，掃描線驅(qū)動(dòng)部23可以使用驅(qū)動(dòng)電路33構(gòu)成。在這種情況下，可以簡(jiǎn)化掃描線驅(qū)動(dòng)部23的構(gòu)造(變形例1-4)在上述實(shí)施方式中，該技術(shù)應(yīng)用于使用有機(jī)EL元件的顯示單元。然而，該應(yīng)用不限于此，并且可替代地，例如，該技術(shù)可以應(yīng)用于使用液晶顯示元件的顯示單元。具體地，例如，該技術(shù)可以應(yīng)用于選擇像素電壓所寫(xiě)入的電路(對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施方式中的掃描線驅(qū)動(dòng)部23)。(變形例1-5)在上述實(shí)施方式中，如圖7等中所示，在Vth校正期間P2之前設(shè)置一個(gè)初始化期間P1。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個(gè)初始化期間P1。在這種情況下，可跨過(guò)多個(gè)水平期間設(shè)置多個(gè)初始化期間P1。因此，確保較長(zhǎng)的初始化期間P1，這使得可以更加安全地使子像素11初始化。同樣地，在上述實(shí)施方式中，如圖7等中所示，在初始化期間P1與寫(xiě)入和μ校正期間P3之間設(shè)置一個(gè)Vth校正期間P2。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個(gè)Vth校正期間P2。在這種情況下，可以跨(over)多個(gè)水平期間設(shè)置多個(gè)Vth校正期間P2。因此，確保較長(zhǎng)的Vth校正期間P2，這使得可以更加安全地執(zhí)行Vth校正。<2.第二實(shí)施方式>接下來(lái)，將描述根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示單元2。在本實(shí)施方式中，電壓Vofs在子像素11初始化之前被寫(xiě)至子像素11以執(zhí)行消光操作。應(yīng)注意，相同的標(biāo)號(hào)用于表示根據(jù)上述第一實(shí)施方式的顯示單元1的基本上相同的部件，并且適當(dāng)省略其描述。如圖1中所示，顯示單元2包括驅(qū)動(dòng)部40。驅(qū)動(dòng)部40包括掃描線驅(qū)動(dòng)部43。如以下所示，掃描線驅(qū)動(dòng)部43順次將具有三個(gè)脈沖PP0至脈沖PP2的掃描信號(hào)WS施加至掃描線WSL。圖13是驅(qū)動(dòng)部40的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)WS的波形，(B)示出了電力信號(hào)DS的波形，以及(C)示出了信號(hào)Sig的波形。驅(qū)動(dòng)部40的掃描線驅(qū)動(dòng)部43在一個(gè)水平期間(1H)中將脈沖PP0施加至一個(gè)掃描線WSL，并且在下一個(gè)水平期間(1H)中將兩個(gè)脈沖PP1和脈沖PP2施加至掃描線WSL。具體地，根據(jù)第一實(shí)施方式的掃描線驅(qū)動(dòng)部23在一個(gè)水平期間(1H)中將兩個(gè)脈沖PP1和脈沖PP2施加至一個(gè)掃描線WSL，然而，根據(jù)本實(shí)施方式的掃描線驅(qū)動(dòng)部43在一個(gè)水平期間(1H)之前的一個(gè)水平期間(1H)中進(jìn)一步將脈沖PP0施加至掃描線WSL。具體地，在信號(hào)Sig表示電壓Vofs以及與要供應(yīng)脈沖PP0的與像素線有關(guān)的電力信號(hào)DS表示電壓Vccp的期間中的預(yù)定時(shí)間段(例如，從時(shí)刻t31至t32)期間施加脈沖PP0。圖14是顯示單元2中的子像素11的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)WS的波形，(B)示出了電力信號(hào)DS的波形，(C)示出了信號(hào)Sig的波形，(D)示出了驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形，以及(E)示出了驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。首先，驅(qū)動(dòng)部40在初始化期間P1之前的從時(shí)刻t31至?xí)r刻t32的時(shí)間段(消光操作期間P0)中執(zhí)行消光操作。具體地，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27將電壓Vofs施加至數(shù)據(jù)信號(hào)線DTL的期間中的時(shí)刻t31，掃描線驅(qū)動(dòng)部43將掃描信號(hào)WS的電壓從低電平變?yōu)楦唠娖?圖14的(A)和(C))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg從基于在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig的電壓減少，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)置為電壓Vofs(圖14的(D))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs也減少，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的電流Ids變成“0”(零)。因此，有機(jī)EL元件OLED截止，并且發(fā)光期間P4結(jié)束。在此，消光操作期間P0對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)內(nèi)容中的“第三子期間”的特定但非限制性實(shí)例。此后，在時(shí)刻t32時(shí)，掃描線驅(qū)動(dòng)部43將掃描信號(hào)WS的電壓從高電平變成低電平(圖14的(A))。因此，寫(xiě)入晶體管WSTr截止。接下來(lái)，在時(shí)刻t0時(shí)，類似于第一實(shí)施方式，電源線驅(qū)動(dòng)部26將電力信號(hào)DS從電壓Vccp變成電壓Vini(圖14的(B))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓VS減少至被設(shè)置的電壓Vini(圖14的(E))。此時(shí)，隨著源極電壓Vs的減少，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg也減少(圖14的(D))。在圖14中，為了便于描述，電力信號(hào)DS被示出為在時(shí)刻t0時(shí)從電壓Vccp急速變成電壓Vini。然而，實(shí)際上，電力信號(hào)DS在如以下示出的某個(gè)時(shí)間常數(shù)從電壓Vccp變成電壓Vini。圖15是驅(qū)動(dòng)部40的操作的時(shí)序圖，其中，(A)示出了掃描信號(hào)WS的波形，(B)示出了掃描信號(hào)Ss的波形，以及(C)示出了電力信號(hào)DS的波形。圖16示出了驅(qū)動(dòng)電路33和子像素11的操作。電源線驅(qū)動(dòng)部26的移位寄存器32在時(shí)刻t0時(shí)將掃描信號(hào)Ss的電壓從高電平電壓VH變成低電平電壓VL(圖15的(B))。因此，在每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路33中的晶體管35被瞬時(shí)導(dǎo)通。如圖16中所示，電流I1通過(guò)晶體管35相應(yīng)地從連接至電源線PL的多個(gè)子像素11的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr流過(guò)移位寄存器32。因此，如圖14的(E)中所示，在某個(gè)時(shí)間常數(shù)內(nèi)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs被設(shè)置為電壓Vini，并且如通過(guò)圖15的(C)中的波形W1所示，在某個(gè)時(shí)間常數(shù)內(nèi)電力信號(hào)DS從電壓Vccp變成電壓Vini。此時(shí)，在顯示單元2中，子像素11的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg和源極電壓Vs在時(shí)刻t0之前立即被設(shè)置為獨(dú)立于像素電壓Vsig的預(yù)定電壓。具體地，在時(shí)刻t0之前的從時(shí)刻t31至?xí)r刻t32的時(shí)間段(消光操作期間P0)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)部40執(zhí)行電壓Vofs對(duì)子像素11的寫(xiě)入時(shí)，柵極電壓Vg和源極電壓Vs在時(shí)刻t0之前立即成為獨(dú)立于在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig的預(yù)定電壓。因此，以基本上相同但與在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig無(wú)關(guān)的方式，在從時(shí)刻t0至?xí)r刻t2期間電力信號(hào)DS從電壓Vccp減少至電壓Vini。此后，與根據(jù)第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)部20相似，驅(qū)動(dòng)部40執(zhí)行子像素11的初始化(初始化期間P1)，執(zhí)行Vth校正(Vth校正期間P2)，并且執(zhí)行像素電壓Vsig對(duì)子像素11寫(xiě)入以及執(zhí)行μ校正(寫(xiě)入和μ校正期間P3)。然后，此后，子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對(duì)應(yīng)于寫(xiě)入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光(發(fā)光期間P4)。以此方式，在顯示單元2中，在子像素11的初始化之前電壓Vofs被寫(xiě)入子像素11以執(zhí)行消光操作。因此，以基本上相同的但與在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig無(wú)關(guān)的方式，在從時(shí)刻t0至?xí)r刻t2的時(shí)間段中可以將電力信號(hào)DS從電壓Vccp減少至電壓Vini。因此，在顯示單元2中，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。換言之，如果在子像素11的初始化之前不執(zhí)行消光操作，子像素11在時(shí)刻t0之前立即執(zhí)行發(fā)光操作。此時(shí)，每個(gè)子像素11的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg和源極電壓Vs是對(duì)應(yīng)于在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig的電壓，并且對(duì)應(yīng)于像素電壓Vsig的電流流過(guò)有機(jī)EL元件OLED。因此，時(shí)刻t0之后的電力信號(hào)DS的電壓變化可以根據(jù)在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig而變化。換言之，例如，當(dāng)在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig足夠低時(shí)，電流在時(shí)刻t0之前幾乎不立即流過(guò)有機(jī)EL元件OLED。因此，如通過(guò)圖15的(C)中的波形W1所示，電力信號(hào)DS的電壓在某個(gè)時(shí)間常數(shù)內(nèi)變化。另一方面，例如，當(dāng)在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig較高時(shí)，大量電流在時(shí)刻t0之前立即流過(guò)有機(jī)EL元件OLED。因此，如圖15的(C)中的波形W2所示，與像素電壓Vsig較低的情況相比，電力信號(hào)DS的電壓可以在較長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)內(nèi)發(fā)生變化。以此方式，因?yàn)殡娏π盘?hào)DS的電壓變化根據(jù)在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig而變化，例如，在時(shí)刻t2時(shí)電力信號(hào)DS的電壓可以根據(jù)像素電壓Vsig而發(fā)生變化。因此，Vth校正的程度在Vth校正期間P2可以根據(jù)之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig而改變，這可導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。此外，例如，當(dāng)在之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig較高并且電力信號(hào)DS的電壓在時(shí)刻t1時(shí)不能足夠低時(shí)，存在在初始化期間P1子像素11沒(méi)有徹底初始化的可能性，這可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。另一方面，在根據(jù)本實(shí)施方式的顯示單元2中，在子像素11的初始化之前電壓Vofs被寫(xiě)入至子像素11。因此，在從時(shí)刻t0至?xí)r刻t2期間，電力信號(hào)DS以與之前基本相同而與之前一個(gè)幀期間寫(xiě)入的像素電壓Vsig無(wú)關(guān)的方式從電壓Vccp減少至電壓Vini。此外，因?yàn)樵谧酉袼?1的初始化之前執(zhí)行消光操作，在時(shí)刻t0之前電流幾乎不能立即流過(guò)有機(jī)EL元件OLED。因此，允許電力信號(hào)DS在短時(shí)間常數(shù)內(nèi)從電壓Vccp減少至電壓Vini。因此，可以減少顯示單元2中的圖像質(zhì)量的劣化的可能性。如上所述，在本實(shí)施方式中，預(yù)定電壓在子像素的初始化之前被寫(xiě)入至子像素。因此，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。此外，在本實(shí)施方式中，在子像素的初始化之前執(zhí)行消光操作。因此，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。其他效果與上述第一實(shí)施方式中的效果相似。(變形例2-1)在上述實(shí)施方式中，如圖14等中所示，在初始化期間P1之前設(shè)置一個(gè)消光操作期間P0。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個(gè)消光操作期間P0。在這種情況下，例如，可以跨過(guò)多個(gè)水平期間設(shè)置多個(gè)消光操作期間P0。因此，確保較長(zhǎng)的消光操作期間P0，這使得可以更加安全地執(zhí)行消光操作。(變形例2-2)在上述實(shí)施方式中，在初始化期間P1之前的消光操作期間P0期間，電壓Vofs通過(guò)寫(xiě)入晶體管WSTr施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極。然而，這不是限制性的。例如，如圖17中示出的子像素11A，可以設(shè)置控制晶體管CTr，并且電壓Vofs可以通過(guò)控制晶體管CTr施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極。在該實(shí)例中，控制晶體管CTr的漏極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極，其柵極供應(yīng)有控制信號(hào)CTL，并且其源極供應(yīng)有電壓Vofs。然后，當(dāng)導(dǎo)通控制晶體管CTr時(shí)，電壓Vofs被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極。順便提及，在該實(shí)例中，電壓Vofs通過(guò)控制晶體管CTr施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極。然而，這不是限制性的，并且不同于電壓Vofs的電壓可以施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極。此外，在該實(shí)例中，控制晶體管CTr用于消光操作。然而，這不是限制性的，并且控制晶體管CTr可用于一個(gè)或多個(gè)消光操作、初始化期間P1中的初始化操作以及Vth校正期間P2中的Vth校正操作。(其他變形例)上述第一實(shí)施方式的任何變形例可以應(yīng)用于根據(jù)上述實(shí)施方式的顯示單元2。<3.應(yīng)用例>接下來(lái)，將描述上述實(shí)施方式中所描述的顯示單元的應(yīng)用例。根據(jù)上述實(shí)施方式的任何顯示單元適用于各種領(lǐng)域中的將外部輸入影像信號(hào)或者內(nèi)部生成影像信號(hào)顯示為圖像或者影像的電子設(shè)備的顯示單元，例如，電視設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)、諸如移動(dòng)電話、攝像機(jī)等的移動(dòng)終端裝置等。任何上述顯示單元可以植入在根據(jù)以下所描述的應(yīng)用例的電子設(shè)備中，例如，如圖18中示出的模塊。在模塊中，例如，顯示部920以及驅(qū)動(dòng)電路930A和驅(qū)動(dòng)電路930B可以形成在基板910上。用于連接驅(qū)動(dòng)電路93與外部裝置的外部連接終端(未示出)形成在被布置在基板910的一側(cè)上的區(qū)域940中。在該實(shí)例中，用于輸入和輸出信號(hào)的撓性印制電路(FPC)950連接至外部連接終端。顯示部920包括顯示部10，并且每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路930A和驅(qū)動(dòng)電路930B均包括所有或者一部分驅(qū)動(dòng)部20或者驅(qū)動(dòng)部40。(應(yīng)用例1)圖19示出了電視設(shè)備的外觀。電視設(shè)備包括主體部110和顯示部120，并且顯示部120是由上述任一顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例2)圖20A示出了電子書(shū)的外觀，以及圖20B示出了其他電子書(shū)的外觀。例如，這些電子圖書(shū)均可包括主體部210和顯示部220，并且顯示部220可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例3)圖21示出了智能電話的外觀。例如，這些智能電話均可包括主體部310和顯示部320，并且顯示部320可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例4)圖22A和圖22B各自示出了數(shù)碼相機(jī)的外觀，其中，圖22A示出了從其前面(物體側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀，以及圖22B示出了從其背面(圖像側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀。例如，數(shù)碼相機(jī)可包括用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開(kāi)關(guān)430以及快門按鈕440，并且顯示部420可由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例5)圖23A和圖23B各自示出了可互換類型的單鏡頭反光式數(shù)碼相機(jī)的外觀，其中，圖23A示出了從其前面(物體側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀，以及圖23B示出了從其背面(圖像側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀。例如數(shù)碼相機(jī)可包括主體部(相機(jī)機(jī)身)450、可互換拍攝鏡頭單元(可互換鏡頭)460、抓握部470、監(jiān)控器480以及取景器490，并且取景器490可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例6)圖24示出了筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。例如，筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)可包括主體部510、鍵盤520和顯示部530，并且顯示部530可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例7)圖25示出了攝像機(jī)的外觀。例如，攝像機(jī)可包括主體部610、鏡頭620、啟停開(kāi)關(guān)630和顯示部640，并且顯示部640可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例8)圖26示出了頭戴式顯示器的外觀。例如，頭戴式顯示器可包括眼鏡型顯示部710和耳鉤部件720并且顯示部710可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。在上文中，盡管已參照電子單元的實(shí)施方式、變形例和應(yīng)用例描述了該技術(shù)，但是該技術(shù)不限于實(shí)施方式等，并且可以進(jìn)行各種變形。因?yàn)橥ㄟ^(guò)該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)具有窄邊框區(qū)域的面板，所以可以增強(qiáng)電子設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。例如，在每個(gè)上述實(shí)施方式中，電容器Csub被設(shè)置在子像素11中。然而，該構(gòu)造不限于此，并且可替代地，例如，電容器Csub可以如同圖27中示出的子像素11D一樣而省去。具體地，在該實(shí)例中，子像素11D具有由兩個(gè)晶體管(寫(xiě)入晶體管WSTr和驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr)和一個(gè)電容器Cs配置的所謂的“2Tr1C”的構(gòu)造。應(yīng)注意，本技術(shù)可以進(jìn)行如下配置。(1)一種顯示單元，包括：?jiǎn)挝幌袼?；開(kāi)關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制，所述第二端子被提供有DC信號(hào)以及第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入第一端子與第三端子之間。(2)根據(jù)(1)所述的顯示單元，其中，非線性元件是包括漏極、柵極和源極的第一晶體管，漏極和柵極連接至第三端子，并且源極連接至第一端子，以及開(kāi)關(guān)是第二晶體管，該第二晶體管的溝道寬度大于第一晶體管的溝道寬度。(3)根據(jù)(2)所述的顯示單元，其中，第一晶體管的導(dǎo)電類型與第二晶體管的導(dǎo)電類型相同。(4)根據(jù)(1)所述的顯示單元，其中，非線性元件是二極管，該二極管具有連接至第三端子的陽(yáng)極以及連接至第一端子的陰極。(5)根據(jù)(1)至(4)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，進(jìn)一步包括：第一配線，連接至第一端子，并且被配置為傳輸脈沖信號(hào)；以及第二配線，連接至第二端子并且與第一配線相交，并且被配置為傳輸DC信號(hào)。(6)根據(jù)(5)所述的顯示單元，其中，在第一配線與第二配線的交叉點(diǎn)第二配線的片電阻低于第一配線的片電阻。(7)根據(jù)(1)至(6)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，脈沖信號(hào)在第一電壓與第二電壓之間轉(zhuǎn)換，該第一電壓導(dǎo)通開(kāi)關(guān)并且關(guān)斷非線性元件，并且第二電壓關(guān)斷開(kāi)關(guān)。(8)根據(jù)(7)所述的顯示單元，其中，單位像素包括顯示元件以及將驅(qū)動(dòng)電流提供至顯示元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，以及開(kāi)關(guān)將所述驅(qū)動(dòng)電流提供至驅(qū)動(dòng)晶體管。(9)根據(jù)(8)所述的顯示單元，其中，單位像素進(jìn)一步包括第一電容器和寫(xiě)入晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管包括柵極、連接至顯示元件的源極以及連接至第三端子的漏極，第一電容器被插入驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，以及寫(xiě)入晶體管被導(dǎo)通為在寫(xiě)入準(zhǔn)備期間將重置電壓施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極并且在寫(xiě)入期間將像素電壓施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。(10)根據(jù)(9)所述的顯示單元，其中，寫(xiě)入準(zhǔn)備期間包括第一子期間和布置在第一子期間之后的第二子期間，以及脈沖信號(hào)在第一子期間處于第二電壓處，并且在第二子期間和寫(xiě)入期間處于第一電壓處。(11)根據(jù)(10)所述的顯示單元，其中，非線性元件在第一子期間將對(duì)應(yīng)于第二電壓的第三電壓施加至單位像素，以及在第二子期間和寫(xiě)入期間，開(kāi)關(guān)將由DC信號(hào)表示的第四電壓施加至單位像素。(12)根據(jù)(11)所述的顯示單元，其中，在第一子期間，非線性元件通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管將驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓設(shè)置為第三電壓，以及在第二子期間，開(kāi)關(guān)允許電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管以改變驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓。(13)根據(jù)(10)至(12)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，寫(xiě)入準(zhǔn)備期間包括布置在第一子期間之前的第三子期間，脈沖信號(hào)在第三子期間處于第一電壓處，以及在第三子期間，開(kāi)關(guān)將由DC信號(hào)表示的第四電壓施加至單位像素。(14)根據(jù)(13)所述的顯示單元，其中，在第三子期間，驅(qū)動(dòng)晶體管減少將被提供給顯示元件的驅(qū)動(dòng)電流的量。(15)根據(jù)(8)所述的顯示單元，其中，單位像素進(jìn)一步包括第一電容器和控制晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管包括柵極、連接至顯示元件的源極以及連接至第三端子的漏極，第一電容器被插入在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，以及控制晶體管被導(dǎo)通以在被包括在布置在寫(xiě)入期間之前的寫(xiě)入準(zhǔn)備期間中的數(shù)個(gè)子期間中的一個(gè)或多個(gè)子期間將重置電壓施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。(16)根據(jù)(9)至(15)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所單位像素進(jìn)一步包括連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極的第二電容器。(17)一種驅(qū)動(dòng)單元，包括：開(kāi)關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制，第二端子被提供有DC信號(hào)并且第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入在第一端子與第三端子之間。(18)一種驅(qū)動(dòng)方法，包括：基于施加至第一端子的脈沖信號(hào)執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制，第二端子被提供有DC信號(hào)以及第三端子連接至單位像素；并且在第一端子與第三端子之間執(zhí)行非線性操作。(19)一種電子設(shè)備，設(shè)置有顯示單元和被配置為對(duì)顯示單元執(zhí)行操作控制的控制部，所述顯示單元包括：?jiǎn)挝幌袼?；開(kāi)關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開(kāi)控制，第二端子被提供有DC信號(hào)以及第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入在第一端子與第三端子之間。本申請(qǐng)是基于并且要求2013年1月7日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)?zhí)?013-473以及2013年11約19日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)?zhí)?013-239191的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于本文中。應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其他因素做出各種變形、組合、子組合以及更改，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或者其等同物的范圍內(nèi)即可。