1.一種用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電穩(wěn)壓裝置包含：
至少二線性穩(wěn)壓單元，每一線性穩(wěn)壓單元包含：一誤差放大器，用以放大一參考電壓及一回授電壓之間的一電壓差以產(chǎn)生一誤差信號；一第一晶體管，具有用以接收所述誤差信號的一輸入端及用以產(chǎn)生一輸出電壓的一輸出端；及一回授電路，耦接所述第一晶體管的輸出端，并將所述輸出電壓分壓而產(chǎn)生所述回授電壓；
一切換單元，包含：一第一開關，耦接其中一線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端；及一第二開關，耦接另一線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端；及
一自放電單元，包含：一比較器，用以比較所述參考電壓及所述回授電壓的大小以產(chǎn)生一比較信號；及一第二晶體管，耦接于其中一線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端，并用以接收所述比較信號。
2.如權(quán)利要求1所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述二線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管各為一PMOS功率晶體管，每一PMOS功率晶體管具有一閘極、一源極及一漏極，且所述閘極為所述第一晶體管的輸入端，所述漏極為所述第一晶體管的輸出端，所述源極外接一輸入電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電單元的第二晶體管為一NMOS功率晶體管，所述NMOS功率晶體管具有一閘極、一源極及一漏極，且所述閘極用以接收所述比較信號，所述漏極耦接于其中一線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端，所述源極接地。
4.如權(quán)利要求1所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電穩(wěn)壓裝置用于一電泳式顯示器的電源管理。
5.一種用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電穩(wěn)壓裝置包 含：
至少一線性穩(wěn)壓單元，包含：一誤差放大器，用以放大一參考電壓及一回授電壓之間的一電壓差以產(chǎn)生一誤差信號；一第一晶體管，具有用以接收所述誤差信號的一輸入端及用以產(chǎn)生一輸出電壓的一輸出端；及一回授電路，耦接所述第一晶體管的輸出端，并將所述輸出電壓分壓而產(chǎn)生所述回授電壓；及
一自放電單元，包含：一比較器，用以比較所述參考電壓及所述回授電壓的大小以產(chǎn)生一比較信號；及一第二晶體管，耦接于所述線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端，并用以接收所述比較信號。
6.如權(quán)利要求5所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管為一PMOS功率晶體管，所述PMOS功率晶體管具有一閘極、一源極及一漏極，且所述閘極為所述第一晶體管的輸入端，所述漏極為所述第一晶體管的輸出端，所述源極外接一輸入電壓。
7.如權(quán)利要求5所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電單元的第二晶體管為一NMOS功率晶體管，所述NMOS功率晶體管具有一閘極、一源極及一漏極，且所述閘極用以接收所述比較信號，所述漏極耦接于所述線性穩(wěn)壓單元的第一晶體管的輸出端，所述源極接地。
8.如權(quán)利要求5所述的用于顯示器的自放電穩(wěn)壓裝置，其特征在于：所述自放電穩(wěn)壓裝置用于一電泳式顯示器的電源管理。