顯示裝置及其驅(qū)動方法與流程

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本發(fā)明涉及顯示裝置，特別是涉及具有有機EL元件等電光學(xué)元件的有源矩陣型顯示裝置及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

近年來，作為薄型、輕量、可高速響應(yīng)的顯示裝置，有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置受到關(guān)注。有機EL顯示裝置具備配置成二維狀的多個像素電路。有機EL顯示裝置的像素電路包括有機EL元件和與有機EL元件串聯(lián)設(shè)置的驅(qū)動晶體管。驅(qū)動晶體管控制流入有機EL元件的電流的量，有機EL元件以與流入的電流的量相應(yīng)的亮度進行發(fā)光。

有機EL顯示裝置中存在像素的亮度隨著使用時間的增長而降低的問題。像素的亮度降低的原因在于，隨著使用時間的增長，有機EL元件的發(fā)光效率降低，驅(qū)動晶體管的特性(例如，閾值電壓等)變動。作為解決該問題的方法，已知如下方法：經(jīng)由數(shù)據(jù)線等向像素電路的外部讀出在像素電路內(nèi)流動的電流，且基于對讀出的電流進行測定而得到的結(jié)果來修正視頻信號(例如，參照專利文獻1)。此外，有時也代替測定電流，而基于測定電壓的結(jié)果來修正視頻信號。

與之不同，作為低耗電的顯示裝置，已知進行中止驅(qū)動(也稱為間斷驅(qū)動或低頻驅(qū)動)的顯示裝置。中止驅(qū)動是如下驅(qū)動方法：在持續(xù)顯示相同的圖像時，設(shè)置驅(qū)動期間和中止期間，在驅(qū)動期間使驅(qū)動電路進行動作，在中止期間停止驅(qū)動電路的動作。中止驅(qū)動可適用于像素電路內(nèi)的晶體管的截止泄漏特性良好的(截止漏電流較小)的情況。進行中止驅(qū)動的顯示裝置在例如專利文獻2中有記載。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-284172號公報

專利文獻2：日本特開2004-78124號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

有源矩陣型顯示裝置中，一幀期間分割成：逐行依次選擇像素電路，并對選擇的行的像素電路寫入數(shù)據(jù)電壓的視頻信號期間；和不對像素電路寫入數(shù)據(jù)電壓的垂直回掃期間。在基于測定在像素電路內(nèi)流動的電流而得到的結(jié)果來修正視頻信號的情況下，考慮到一般的掃描線驅(qū)動電路不具有在垂直回掃期間輸出選擇電平的信號的功能這一點，而考慮在視頻信號期間內(nèi)進行電流測定處理的方法。

作為在一個視頻信號期間內(nèi)對多行像素電路測定電流的方法，考慮如下方法，在視頻信號期間內(nèi)選擇多個線期間，使選擇的線期間的長度相比通常延長而進行數(shù)據(jù)電壓的寫入和電流的測定(以下，稱為現(xiàn)有的方法)?，F(xiàn)有的方法中，按圖47所示的定時選擇掃描線G1～Gn。但是，在現(xiàn)有的方法中，線期間的長度不固定，因此，從顯示控制電路向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路進行數(shù)據(jù)傳送的定時即數(shù)據(jù)傳送定時不規(guī)則。因此，現(xiàn)有的方法中，存在為了數(shù)據(jù)傳送，需要幀存儲器或幾十行的行存儲器的問題。另外，現(xiàn)有的方法中，進行電流測定處理時，將與數(shù)據(jù)電壓不同的測定用電壓寫入像素電路。因此，現(xiàn)有的方法中還存在如下問題，通過向像素電路寫入測定用電壓，有機EL元件的平均亮度變化，且顯示圖像的畫質(zhì)降低。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種顯示裝置，其能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時進行用于取得電路元件特性的電量的測定(例如，像素電路的電流的測定)。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的第一方面是一種顯示裝置，該顯示裝置是具有驅(qū)動期間和中止期間的有源矩陣型顯示裝置，該顯示裝置的特征在于，具備：

顯示部，其包含多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線和配置成二維狀的多個像素電路；

掃描線驅(qū)動電路，其驅(qū)動所述多個掃描線；和

數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其除了驅(qū)動所述多個數(shù)據(jù)線的功能之外，還具有測定從各像素電路輸出的電流的功能，

所述掃描線驅(qū)動電路在設(shè)定于中止期間內(nèi)的電流測定期間，對從所述多個掃描線中選擇的掃描線施加電流測定用及電壓寫入用的掃描信號，

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在電流測定期間，對所述多個數(shù)據(jù)線施加測定用電壓，測定從與選擇的掃描線對應(yīng)設(shè)置的像素電路輸出的電流，并對所述多個數(shù)據(jù)線施加與視頻信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明的第二方面在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述掃描線驅(qū)動電路在驅(qū)動期間按每個線期間依次選擇所述多個掃描線，并對選擇的掃描線施加選擇電平的掃描信號，在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間，對所述多個掃描線施加非選擇電平的掃描信號，

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在驅(qū)動期間按每個線期間對所述多個數(shù)據(jù)線施加所述數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明的第三方面在本發(fā)明的第二方面基礎(chǔ)上，特征在于：

還具備輸出使能信號的顯示控制電路，該使能信號在驅(qū)動期間在各線期間成為選擇電平且在中止期間在電流測定期間的至少一部分成為選擇電平，

所述掃描線驅(qū)動電路包含移位寄存器，該移位寄存器具有與所述多個掃描線對應(yīng)的多個級，且基于所述使能信號輸出對所述多個掃描線施加的掃描信號。

本發(fā)明的第四方面在本發(fā)明的第三方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級包含：

節(jié)點控制電路，其根據(jù)從置位端子及復(fù)位端子輸入的信號，將第一節(jié)點的電壓切換成選擇電平及非選擇電平；

第一輸出控制電路，其在所述第一節(jié)點的電壓為選擇電平時，對下一級置位端子及上一級復(fù)位端子施加從時鐘端子輸入的信號；和

第二輸出控制電路，其在所述第一節(jié)點的電壓為選擇電平時，對對應(yīng)的掃描線施加所述使能信號。

本發(fā)明的第五方面在本發(fā)明的第四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第一輸出控制電路包含第一輸出控制晶體管，該第一輸出控制晶體管具有：與時鐘端子連接的第一導(dǎo)通端子；與下一級置位端子及上一級復(fù)位端子連接的第二導(dǎo)通端子；及與所述第一節(jié)點連接的控制端子，

所述第二輸出控制電路包含第二輸出控制晶體管，該第二輸出控制晶體管具有：被供給所述使能信號的第一導(dǎo)通端子；與對應(yīng)的掃描線連接的第二導(dǎo)通端子；及與所述第一節(jié)點或具有與所述第一節(jié)點相同的邏輯電平的電壓的第二節(jié)點連接的控制端子。

本發(fā)明的第六方面在本發(fā)明的第五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述顯示部還包含多個監(jiān)測線，

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與所述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的控制端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；

讀出控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的監(jiān)測線與所述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于所述驅(qū)動晶體管的控制端子與一個導(dǎo)通端子之間。

本發(fā)明的第七方面在本發(fā)明的第五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與所述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；

基準電壓施加晶體管，其設(shè)置于所述驅(qū)動晶體管的控制端子與具有基準電壓的配線之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于所述驅(qū)動晶體管的控制端子與一個導(dǎo)通端子之間。

本發(fā)明的第八方面在本發(fā)明的第四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述多個掃描線包含多個第一掃描線和多個第二掃描線，

所述使能信號包含第一使能信號和第二使能信號，

所述第二輸出控制電路包含：

第二輸出控制晶體管，該第二輸出控制晶體管具有：被供給所述第一使能信號的第一導(dǎo)通端子、與對應(yīng)的第一掃描線連接的第二導(dǎo)通端子及與所述第一節(jié)點或具有與所述第一節(jié)點相同的邏輯電平的電壓的第二節(jié)點連接的控制端子；和

第三輸出控制晶體管，該第三輸出控制晶體管具有：被供給所述第二使能信號的第一導(dǎo)通端子、與對應(yīng)的第二掃描線連接的第二導(dǎo)通端子及與所述第一節(jié)點或具有與所述第一節(jié)點相同的邏輯電平的電壓的第三節(jié)點連接的控制端子。

本發(fā)明的第九方面在本發(fā)明的第八方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與所述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的控制端子之間且具有與對應(yīng)的第一掃描線連接的控制端子；

讀出控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的第二掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于所述驅(qū)動晶體管的控制端子與另一個導(dǎo)通端子之間。

本發(fā)明的第十方面在本發(fā)明的第三方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述顯示控制電路輸出所述移位寄存器的第奇數(shù)級用的使能信號和所述移位寄存器的第偶數(shù)級用的使能信號。

本發(fā)明的第十一方面在本發(fā)明的第三方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述顯示控制電路按每多個中止期間切換在中止期間輸出選擇電平的使能信號的定時。

本發(fā)明的第十二方面在本發(fā)明的第三方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述掃描線驅(qū)動電路包含晶體管，該晶體管使用含有銦、鎵、鋅及氧的氧化物半導(dǎo)體形成。

本發(fā)明的第十三方面在本發(fā)明的第三方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器在驅(qū)動期間按每個線期間進行移位動作，在中止期間以比線期間長的周期進行移位動作。

本發(fā)明的第十四方面在本發(fā)明的第二方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還具備修正運算部，該修正運算部基于由所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路測定的電流對視頻信號進行修正。

本發(fā)明的第十五方面是一種顯示裝置，該顯示裝置是具備包含用于顯示圖像的電路元件并構(gòu)成多行×多列的像素矩陣的多個像素電路的有源矩陣型顯示裝置，該顯示裝置的特征在于，具備：

數(shù)據(jù)線，其為了向各像素電路供給電壓而以與所述像素矩陣的各列對應(yīng)的方式設(shè)置；

第一掃描線，其為了控制電壓向各像素電路的寫入而以與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的方式設(shè)置；

第二掃描線，其為了控制是否進行用于取得所述電路元件的特性的電量的測定而以與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的方式設(shè)置；

數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其除了對所述數(shù)據(jù)線施加要向各像素電路供給的電壓的功能之外，還具有進行電量的測定的功能；和

掃描線驅(qū)動電路，其包含移位寄存器，該移位寄存器由以1對1地與形成所述像素矩陣的多個行對應(yīng)的多個級構(gòu)成，且各級與所述第一掃描線及所述第二掃描線連接，對所述第一掃描線及所述第二掃描線分別施加第一掃描信號及第二掃描信號，

所述移位寄存器的各級基于一個移位時鐘，控制要對所述第一掃描線施加的第一掃描信號及要對所述第二掃描線施加的第二掃描信號兩者的電平。

本發(fā)明的第十六方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級包含：

第一節(jié)點；

第一輸出節(jié)點，其與下一級連接；

第二輸出節(jié)點，其與所述第一掃描線連接；

第三輸出節(jié)點，其與所述第二掃描線連接；

第一節(jié)點控制部，其在從上一級第一輸出節(jié)點供給的輸出信號從非選擇電平變成選擇電平時，使所述第一節(jié)點從截止電平變成導(dǎo)通電平；

輸出信號控制部，其在所述第一節(jié)點成為導(dǎo)通電平時，基于控制時鐘控制從所述第一輸出節(jié)點輸出的輸出信號的電平；

第一掃描信號控制部，其在所述第一節(jié)點成為導(dǎo)通電平時，基于第一使能信號控制從所述第二輸出節(jié)點輸出的第一掃描信號的電平；和

第二掃描信號控制部，其在所述第一節(jié)點成為導(dǎo)通電平時，基于第二使能信號控制從所述第三輸出節(jié)點輸出的第二掃描信號的電平。

本發(fā)明的第十七方面在本發(fā)明的第十六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級還包含第一掃描信號復(fù)位部，該第一掃描信號復(fù)位部使從所述第二輸出節(jié)點輸出的第一掃描信號的電平為非選擇電平，

所述第一掃描信號控制部具有：

第一掃描控制晶體管，該第一掃描控制晶體管的控制端子與所述第一節(jié)點連接，該第一掃描控制晶體管的第一導(dǎo)通端子被供給所述第一使能信號，該第一掃描控制晶體管的第二導(dǎo)通端子與所述第二輸出節(jié)點及所述第一掃描信號復(fù)位部連接；和

第一升壓電容，該第一升壓電容的一端與所述第一節(jié)點連接，另一端與所述第一掃描控制晶體管的第二導(dǎo)通端子連接。

本發(fā)明的第十八方面在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第一使能信號為4相以上的時鐘信號，

所述移位寄存器中相互鄰接的兩個級被供給相互不同的相的時鐘信號作為所述第一使能信號。

本發(fā)明的第十九方面在本發(fā)明的第十六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級還包含第二掃描信號復(fù)位部，該第二掃描信號復(fù)位部使從所述第三輸出節(jié)點輸出的第三掃描信號的電平為非選擇電平，

所述第二掃描信號控制部具有第二掃描控制晶體管，該第二掃描控制晶體管的控制端子與所述第一節(jié)點連接，該第二掃描控制晶體管的第一導(dǎo)通端子被供給所述第二使能信號，該第二掃描控制晶體管的第二導(dǎo)通端子與所述第三輸出節(jié)點及所述第二掃描信號復(fù)位部連接。

本發(fā)明的第二十方面在本發(fā)明的第十九方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第二掃描信號控制部還具有第二升壓電容，該第二升壓電容的一端與所述第一節(jié)點連接，另一端與所述第二掃描控制晶體管的第二導(dǎo)通端子連接。

本發(fā)明的第二十一方面在本發(fā)明的第十九方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第二使能信號是2相以上的時鐘信號，

所述移位寄存器中相互鄰接的兩個級被供給相互不同的相的時鐘信號作為所述第二使能信號。

本發(fā)明的第二十二方面在本發(fā)明的第十九方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第一掃描信號控制部具有第一掃描控制晶體管，該第一掃描控制晶體管的控制端子與所述第一節(jié)點連接，該第一掃描控制晶體管的第一導(dǎo)通端子被供給所述第一使能信號，該第一掃描控制晶體管的第二導(dǎo)通端子與所述第二輸出節(jié)點及所述第一掃描信號復(fù)位部連接，

所述第一掃描控制晶體管的電流能力比所述第二掃描控制晶體管的電流能力大。

本發(fā)明的第二十三方面在本發(fā)明的第二十二方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述第一掃描控制晶體管的溝道寬度比所述第二掃描控制晶體管的溝道寬度大。

本發(fā)明的第二十四方面在本發(fā)明的第十六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級還包含：

第一掃描信號復(fù)位部，其使從所述第二輸出節(jié)點輸出的第一掃描信號的電平為非選擇電平；和

第二掃描信號復(fù)位部，其使從所述第三輸出節(jié)點輸出的第二掃描信號的電平為非選擇電平，

基于同一信號，所述第一掃描信號復(fù)位部使所述第一掃描信號的電平為非選擇電平，所述第二掃描信號復(fù)位部使所述第二掃描信號的電平為非選擇電平。

本發(fā)明的第二十五方面在本發(fā)明的第十六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述移位寄存器的各級還包含：

輸出信號復(fù)位部，其使從所述第一輸出節(jié)點輸出的輸出信號的電平為非選擇電平；

第一掃描信號復(fù)位部，其使從所述第二輸出節(jié)點輸出的第一掃描信號的電平為非選擇電平；和

第二掃描信號復(fù)位部，其使從所述第三輸出節(jié)點輸出的第二掃描信號的電平為非選擇電平，

基于同一信號，所述輸出信號復(fù)位部使所述輸出信號的電平為非選擇電平，所述第一掃描信號復(fù)位部使所述第一掃描信號的電平為非選擇電平，所述第二掃描信號復(fù)位部使所述第二掃描信號的電平為非選擇電平。

本發(fā)明的第二十六方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在垂直掃描期間進行電量的測定。

本發(fā)明的第二十七方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

采用重復(fù)驅(qū)動期間和中止期間的中止驅(qū)動，該驅(qū)動期間進行通常的顯示動作，該中止期間停止所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及所述掃描線驅(qū)動電路的動作，

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在中止期間進行電量的測定。

本發(fā)明的第二十八方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在裝置的電源接通之后的期間或非顯示期間進行電量的測定，該非顯示期間為指示裝置的電源切斷后直到裝置的電源切斷為止的期間。

本發(fā)明的第二十九方面在本發(fā)明的第二十八方面的基礎(chǔ)上，其特征在于：

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路每當進行電量的測定，對所述數(shù)據(jù)線施加與黑色顯示相當?shù)碾妷海?/p>

所述掃描線驅(qū)動電路在由所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路對所述數(shù)據(jù)線施加與黑色顯示相當?shù)碾妷旱钠陂g，對所述第一掃描線施加選擇電平的第一掃描信號，并且對所述第二掃描線施加選擇電平的第二掃描信號。

本發(fā)明的第三十方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將進行電量測定的行定義為測定對象行時，進行取得所述電路元件的特性的處理的特性檢測處理期間包括：進行測定電量的準備的測定準備期間；設(shè)置于所述測定準備期間之后進行電量測定的電量測定期間；和設(shè)置于所述電量測定期間之后進行準備使得在所述測定對象行進行期望的顯示的顯示準備期間，

所述掃描線驅(qū)動電路，

在所述測定準備期間，對與所述測定對象行對應(yīng)的第一掃描線施加選擇電平的第一掃描信號，

在所述電量測定期間，對與所述測定對象行對應(yīng)的第二掃描線施加選擇電平的第二掃描信號，

在所述顯示準備期間，對與所述測定對象行對應(yīng)的第一掃描線施加選擇電平的第一掃描信號，

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，

在所述測定準備期間，對所述數(shù)據(jù)線施加用于進行電量測定的電壓，使得取得所述電路元件的特性，

在所述顯示準備期間，對所述數(shù)據(jù)線施加與對應(yīng)于所述測定對象行的各像素的目標亮度相應(yīng)的電壓。

本發(fā)明的第三十一方面在本發(fā)明的第三十方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述電量測定期間設(shè)定成比所述測定準備期間長的期間，且設(shè)定成比所述顯示準備期間長的期間。

本發(fā)明的第三十二方面在本發(fā)明的第三十方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述電量測定期間的長度可變更。

本發(fā)明的第三十三方面在本發(fā)明的第三十方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述特性檢測處理期間還包含設(shè)置于所述測定準備期間之前在所述測定對象行進行黑色顯示的像素復(fù)位期間，

所述掃描線驅(qū)動電路在所述像素復(fù)位期間，對與所述測定對象行對應(yīng)的第一掃描線施加選擇電平的第一掃描信號，并且對與所述測定對象行對應(yīng)的第二掃描線施加選擇電平的第二掃描信號，

所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路在所述像素復(fù)位期間，對所述數(shù)據(jù)線施加與黑色顯示相當?shù)碾妷骸?/p>

本發(fā)明的第三十四方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述多個像素電路及所述掃描線驅(qū)動電路形成于1塊玻璃基板上。

本發(fā)明的第三十五方面在本發(fā)明的第三十四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述多個像素電路及所述掃描線驅(qū)動電路包含使用含有銦、鎵、鋅及氧的氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管。

本發(fā)明的第三十六方面在本發(fā)明的第三十四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述掃描線驅(qū)動電路在所述第一掃描線及所述第二掃描線延伸的方向上，僅設(shè)置于形成所述像素矩陣的矩形區(qū)域的一側(cè)。

本發(fā)明的第三十七方面在本發(fā)明的第三十四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

所述掃描線驅(qū)動電路在所述第一掃描線及所述第二掃描線延伸的方向上，設(shè)置于形成所述像素矩陣的矩形區(qū)域的一側(cè)及另一側(cè)。

本發(fā)明的第三十八方面在本發(fā)明的第十五方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還具備控制部，該控制部控制所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及所述掃描線驅(qū)動電路的動作，

所述控制部在由所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路進行電量的測定時，控制所述掃描線驅(qū)動電路的動作，使得在所述移位寄存器中停止移位時鐘的傳送。

本發(fā)明的第三十九方面是一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置是具有顯示部具有驅(qū)動期間和中止期間的有源矩陣型顯示裝置，該顯示部包含多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線和配置成二維狀的多個像素電路，該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

驅(qū)動所述多個掃描線的步驟；和

驅(qū)動所述多個數(shù)據(jù)線，并測定從各像素電路輸出的電流的步驟，

在驅(qū)動所述多個掃描線的步驟中，在設(shè)定于中止期間內(nèi)的電流測定期間，對從所述多個掃描線中選擇的掃描線施加電流測定用及電壓寫入用的掃描信號，

在驅(qū)動所述多個數(shù)據(jù)線并測定電流的步驟中，在電流測定期間，對所述多個數(shù)據(jù)線施加測定用電壓，測定從與選擇的掃描線對應(yīng)設(shè)置的像素電路輸出的電流，并對所述多個數(shù)據(jù)線施加與視頻信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明的第四十方面是一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置是具備多個像素電路、數(shù)據(jù)線、第一掃描線和第二掃描線的有源矩陣型顯示裝置，該多個像素電路包含用于顯示圖像的電路元件并構(gòu)成多行×多列的像素矩陣，該數(shù)據(jù)線為了向各像素電路供給電壓而以與所述像素矩陣的各列對應(yīng)的方式設(shè)置，第一掃描線為了控制電壓向各像素電路的寫入而以與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的方式設(shè)置，該第二掃描線為了控制是否進行用于取得所述電路元件的特性的電量的測定而以與所述像素矩陣的各行對應(yīng)的方式設(shè)置，該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

數(shù)據(jù)線驅(qū)動步驟，驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線使得進行要向各像素電路供給的電壓向所述數(shù)據(jù)線的施加及電量的測定；和

掃描線驅(qū)動步驟，利用由以1對1地與形成所述像素矩陣的多個行對應(yīng)的多個級構(gòu)成且各級與所述第一掃描線及所述第二掃描線連接的移位寄存器，對所述第一掃描線及所述第二掃描線分別施加第一掃描信號及第二掃描信號，

所述掃描線驅(qū)動步驟中，所述移位寄存器的各級基于一個移位時鐘控制對所述第一掃描線應(yīng)施加的第一掃描信號及對所述第二掃描線應(yīng)施加的第二掃描信號兩者的電平。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的第一方面或第三十九方面，在使用驅(qū)動期間和中止期間進行中止驅(qū)動的情況下，能夠在中止期間內(nèi)設(shè)定電流測定期間，在電流測定期間測定從寫入了測定用電壓的像素電路輸出的電流。另外，通過在電流測定期間對像素電路寫入數(shù)據(jù)電壓，能夠抑制電流測定對顯示圖像造成的影響，防止顯示圖像的畫質(zhì)降低。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，通過在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間固定掃描線的電壓，能夠削減顯示裝置的耗電量。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，基于在驅(qū)動期間和中止期間以不同的方式變化的使能信號，使用相同的移位寄存器生成驅(qū)動期間的掃描信號和中止期間的掃描信號，由此，能夠簡化掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面，能夠使用兩個輸出控制電路，與向下一級的輸出信號分開地輸出基于使能信號的掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的第五方面，能夠使用第一輸出控制晶體管構(gòu)成輸出向下一級去的輸出信號的第一輸出控制電路，并使用第二輸出控制晶體管構(gòu)成輸出掃描信號的第二輸出控制電路。

根據(jù)本發(fā)明的第六方面，能夠在具備監(jiān)測線和包含電光學(xué)元件、3個晶體管及電容器的像素電路的顯示裝置中，使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

根據(jù)本發(fā)明的第七方面，能夠在具備具有基準電壓的配線和包含電光學(xué)元件、3個晶體管及電容器的像素電路的顯示裝置中，使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

根據(jù)本發(fā)明的第八方面，能夠在具備兩種掃描線的顯示裝置中，使用第一輸出控制晶體管構(gòu)成輸出向下一級去的輸出信號的第一輸出控制電路，使用第二輸出控制晶體管及第三輸出控制晶體管構(gòu)成輸出兩個掃描信號的第二輸出控制電路。

根據(jù)本發(fā)明的第九方面，能夠在具備包含電光學(xué)元件、3個晶體管及電容器的像素電路的顯示裝置中，使用簡單的電路在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

根據(jù)本發(fā)明的第十方面，通過向移位寄存器的第奇數(shù)級和第偶數(shù)級供給不同的使能信號，能夠防止相鄰的掃描線的電壓在相同的時間帶成為選擇電平。

根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，通過在中止期間持續(xù)選擇相同的掃描線，能夠?qū)ο嗤南袼仉娐非袚Q條件多次測定電流。

根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，含有銦、鎵、鋅及氧的氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅高的遷移率，因此，通過使用所述氧化物半導(dǎo)體形成掃描線驅(qū)動電路所含的晶體管，能夠縮小晶體管的尺寸，降低掃描線驅(qū)動電路的布局面積。因此，在將像素電路和掃描線驅(qū)動電路一體形成的情況下，能夠降低形成于像素區(qū)域周圍的邊緣的面積。另外，使用所述氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管具有截止漏電流小的特征。因此，通過將像素電路和掃描線驅(qū)動電路一體形成，能夠?qū)崿F(xiàn)保持的電壓難以變動而適于中止驅(qū)動的像素電路，和即使在使動作中止的期間長的情況下也難以進行錯誤動作的掃描線驅(qū)動電路。

根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，通過使電流測定期間比線期間長，能夠在電流測定期間花費必要的時間進行測定用電壓的寫入、電流的測定及數(shù)據(jù)電壓的寫入。

根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，通過基于電流測定結(jié)果修正視頻信號，能夠補償像素亮度的降低，并提高顯示圖像的畫質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的第十五方面或第四十方面，在掃描線驅(qū)動電路內(nèi)，設(shè)置基于一個移位時鐘控制第一掃描信號及第二掃描信號兩者的電平的移位寄存器。因此，能夠使用簡單的電路，進行用于取得電路元件特性的電量的測定。

根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，通過適當?shù)乜刂瓶刂茣r鐘、第一使能信號及第二使能信號的波形，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)揮本發(fā)明的第十五方面的效果的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，在具備具有第一掃描控制晶體管和第一升壓電容的第一掃描信號控制部的顯示裝置中，能夠得到與本發(fā)明的第十五方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，在使用4相以上的時鐘信號作為第一使能信號的顯示裝置中，能夠得到與本發(fā)明的第十五方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，在具備具有第二掃描控制晶體管的第二掃描信號控制部的顯示裝置中，能夠得到與本發(fā)明的第十五方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，在具備具有第二掃描控制晶體管和第二升壓電容的第二掃描信號控制部的顯示裝置中，能夠得到與本發(fā)明的第十五方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第二十一方面，在使用2相以上的時鐘信號作為第二使能信號的顯示裝置中，能夠得到與本發(fā)明的第十五方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第二十二方面，能夠在充分短的時間內(nèi)進行對像素的寫入，能夠充分確保測定電量的期間。

根據(jù)本發(fā)明的第二十三方面，能夠得到與本發(fā)明的第二十二方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第二十四方面，能夠以簡易的結(jié)構(gòu)使第一掃描信號及第二掃描信號兩者的電平為非選擇電平。

根據(jù)本發(fā)明的第二十五方面，能夠以簡易的結(jié)構(gòu)使輸出信號、第一掃描信號、第二掃描信號所有的電平為非選擇電平。

根據(jù)本發(fā)明的第二十六方面，即使在不采用中止驅(qū)動等特殊的驅(qū)動方法的情況下，也能夠進行用于取得電路元件特性的電量的測定。

根據(jù)本發(fā)明的第二十七方面，能夠不對顯示圖像的畫質(zhì)造成影響地進行用于取得電路元件特性的電量的測定。

根據(jù)本發(fā)明的第二十八方面，即使在不采用中止驅(qū)動等特殊的驅(qū)動方法的情況下，也能夠進行用于取得電路元件特性的電量的測定。另外，能夠完全不會對顯示圖像的畫質(zhì)造成影響地進行電量的測定。

根據(jù)本發(fā)明的第二十九方面，能夠防止在非顯示期間進行不需要的顯示(例如，有機EL元件的發(fā)光)。

根據(jù)本發(fā)明的第三十方面，在電量測定后對各像素施加與目標亮度相應(yīng)的電壓，因此，能夠抑制電量測定對顯示圖像造成的影響，防止顯示圖像的畫質(zhì)降低。

根據(jù)本發(fā)明的第三十一方面，電量的測定結(jié)果的可靠性提高，因此，能夠更有效地補償電路元件的劣化。

根據(jù)本發(fā)明的第三十二方面，在對電量的測定結(jié)果(模擬數(shù)據(jù))進行AD轉(zhuǎn)換時，能夠有效利用由A/D轉(zhuǎn)換器進行的AD轉(zhuǎn)換的分辨率。

本發(fā)明的第三十三方面，在進行電量的測定之前，使像素的顯示狀態(tài)為黑色顯示的狀態(tài)。由此，能夠去除進行電量測定之前的像素電路內(nèi)的狀態(tài)對測定結(jié)果造成的影響。

根據(jù)本發(fā)明的第三十四方面，像素電路和掃描線驅(qū)動電路形成于同一玻璃基板上，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的小型化。

根據(jù)本發(fā)明的第三十五方面，含有銦、鎵、鋅及氧的氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅高的遷移率，因此，通過使用所述氧化物半導(dǎo)體形成掃描線驅(qū)動電路所含的晶體管，能夠縮小晶體管的尺寸，降低掃描線驅(qū)動電路的布局面積。因此，在將像素電路和掃描線驅(qū)動電路一體形成的情況下，能夠削減形成于像素區(qū)域周圍的邊緣的面積。另外，使用所述氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管具有截止漏電流小的特征。因此，能夠提高進行電量測定時的S/N比。

根據(jù)本發(fā)明的第三十六方面，與在形成像素矩陣的矩形區(qū)域的兩側(cè)設(shè)置掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)相比，能夠縮小整體的尺寸。

根據(jù)本發(fā)明的第三十七方面，能夠容易地使顯示部的左右兩側(cè)的邊緣的尺寸相同。

根據(jù)本發(fā)明的第三十八方面，能夠在移位時鐘的傳送停止的期間中可靠地進行電量的測定。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖2是圖1所示的顯示裝置的像素電路的電路圖。

圖3是圖1所示的顯示裝置的掃描線驅(qū)動電路的框圖。

圖4是圖3所示的掃描線驅(qū)動電路的單元電路的電路圖。

圖5是圖4所示的單元電路的時序圖。

圖6是圖4所示的單元電路的時序圖。

圖7是圖4所示的單元電路的時序圖。

圖8是圖4所示的單元電路的時序圖。

圖9是表示圖1所示的顯示裝置的動作的時序圖。

圖10是表示圖1所示的顯示裝置在中止期間的輸出信號Y1的波形的時序圖。

圖11是表示圖1所示的顯示裝置在中止期間的數(shù)據(jù)線和監(jiān)測線的電壓的變化的示意圖。

圖12是圖1所示的顯示裝置的詳細的時序圖。

圖13是圖1所示的顯示裝置的修正數(shù)據(jù)存儲部和修正運算部的詳細的框圖。

圖14是表示圖1所示的顯示裝置的CPU的動作的流程圖。

圖15是表示本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖16是圖15所示的顯示裝置的像素電路的電路圖。

圖17是圖15所示的顯示裝置的詳細的時序圖。

圖18是表示圖15所示的顯示裝置的修正數(shù)據(jù)存儲部和修正運算部的詳細的框圖。

圖19是表示圖15所示的顯示裝置的CPU的動作的流程圖。

圖20是表示本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖21是圖20所示的顯示裝置的像素電路的電路圖。

圖22是圖20所示的顯示裝置的掃描線驅(qū)動電路的框圖。

圖23是圖22所示的掃描線驅(qū)動電路的單元電路的電路圖。

圖24是圖20所示的顯示裝置的詳細的時序圖。

圖25是表示圖20所示的顯示裝置在中止期間的數(shù)據(jù)線的電壓的變化的示意圖。

圖26是用于說明本發(fā)明第四實施方式的驅(qū)動方法的時序圖。

圖27是表示本發(fā)明第五實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖28是表示上述第五實施方式中包含像素電路及電流測定部的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖29是用于說明在上述第五實施方式中進行用于特性檢測的電流測定時的動作的時序圖。

圖30是表示上述第五實施方式中進行電源接通時集中性地對多行進行電流測定時的處理順序的流程圖。

圖31是表示上述第五實施方式中在電源切斷時進行集中監(jiān)測的情況下的處理順序的流程圖。

圖32是表示第一變形例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖33是在上述第一變形例中用于說明數(shù)據(jù)線的連接點的切換的圖。

圖34是表示上述第一變形例中的電壓測定部的一結(jié)構(gòu)例的圖。

圖35是圖32所示的顯示裝置的詳細的時序圖。

圖36是表示第二變形例中的像素電路及電流測定部的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖37是在上述第二變形例中用于說明控制時鐘信號的控制的圖。

圖38是在上述第二變形例中用于說明積分時間的調(diào)整的圖。

圖39是表示第三變形例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖40是上述第三變形例中的掃描線驅(qū)動電路內(nèi)的單元電路的電路圖。

圖41是用于說明上述第三變形例中的掃描線的驅(qū)動方法的時序圖。

圖42是表示第四變形例中的單元電路的主要部分的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖43是上述第四變形例中的單元電路的電路圖。

圖44是第五變形例中的單元電路的電路圖。

圖45是表示上述第五變形例中的掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖46是用于說明第六變形例中的驅(qū)動方法的時序圖。

圖47是具有延長的線期間的顯示裝置的時序圖。

具體實施方式

＜1.第一實施方式＞

＜1.1結(jié)構(gòu)＞

圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖1所示的顯示裝置1是具備顯示部11、顯示控制電路12、掃描線驅(qū)動電路13、源極驅(qū)動器(數(shù)據(jù)線驅(qū)動/電流測定電路)14、A/D轉(zhuǎn)換器15、修正數(shù)據(jù)存儲部16及修正運算部17的有源矩陣型有機EL顯示裝置。以下，m及n為2以上的整數(shù)，i為1以上n以下的整數(shù)，j為1以上m以下的整數(shù)。

顯示部11包含n條掃描線G1～Gn、m條數(shù)據(jù)線S1～Sm、m條監(jiān)測線M1～Mm及(m×n)個像素電路18。掃描線G1～Gn相互平行地配置。數(shù)據(jù)線S1～Sm和監(jiān)測線M1～Mm以相互平行且與掃描線G1～Gn正交的方式配置。掃描線G1～Gn和數(shù)據(jù)線S1～Sm在(m×n)個部位交叉。(m×n)個像素電路18與掃描線G1～Gn和數(shù)據(jù)線S1～Sm的交叉點對應(yīng)地配置成二維狀。利用該(m×n)個像素電路18，形成n行×m列的像素矩陣。使用未圖示的電極對像素電路18供給高電平電源電壓ELVDD和低電平電源電壓ELVSS。以下，將掃描線的延伸方向(圖1中，水平方向)稱為行方向，將數(shù)據(jù)線的延伸方向(圖1中，垂直方向)稱為列方向。

顯示控制電路12是顯示裝置1的控制電路。顯示控制電路12對掃描線驅(qū)動電路13輸出控制信號CS1，對源極驅(qū)動器14輸出控制信號CS2，并對修正運算部17輸出視頻信號X1?？刂菩盘朇S2中包含例如源極起始脈沖或源極時鐘等?？刂菩盘朇S1的詳情將在后文敘述。

掃描線驅(qū)動電路13根據(jù)控制信號CS1驅(qū)動掃描線G1～Gn(詳情后述)。此外，從未圖示的電源電路對掃描線驅(qū)動電路13供給高電平電壓VDD及低電平電壓VSS。對源極驅(qū)動器14供給控制信號CS2和從修正運算部17輸出的修正后的視頻信號X2。源極驅(qū)動器14具有驅(qū)動數(shù)據(jù)線S1～Sm的功能(作為數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路的功能)和測定從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流的功能(作為電流測定電路的功能)。更詳細而言，源極驅(qū)動器14根據(jù)控制信號CS2，對數(shù)據(jù)線S1～Sm分別施加與視頻信號X2相應(yīng)的m個電壓(以下，稱為數(shù)據(jù)電壓)。另外，源極驅(qū)動器14根據(jù)控制信號CS2，對數(shù)據(jù)線S1～Sm分別施加m個測定用電壓，此時，將從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的m個電流分別轉(zhuǎn)換成電壓進行輸出。

A/D轉(zhuǎn)換器15將源極驅(qū)動器14的輸出電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字數(shù)據(jù)。修正數(shù)據(jù)存儲部16存儲由修正運算部17進行的修正運算所需要的數(shù)據(jù)(以下，稱為修正數(shù)據(jù))。修正運算部17基于從A/D轉(zhuǎn)換器15輸出的數(shù)據(jù)，更新存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部16的修正數(shù)據(jù)。另外，修正運算部17參照存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部16的修正數(shù)據(jù)，修正從顯示控制電路12輸出的視頻信號X1，并輸出修正后的視頻信號X2。

圖2是第i行第j列像素電路18的電路圖。如圖2所示，像素電路18包含有機EL元件L1、晶體管Q1～Q3及電容器C1，與掃描線Gi、數(shù)據(jù)線Sj及監(jiān)測線Mj連接。晶體管Q1～Q3是N溝道型TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶體管)。對晶體管Q1的漏極端子施加高電平電源電壓ELVDD。晶體管Q1的源極端子與有機EL元件L1的陽極端子連接。對有機EL元件L1的陰極端子施加低電平電源電壓ELVSS。晶體管Q2的一個導(dǎo)通端子(圖2中，左側(cè)的端子)與數(shù)據(jù)線Sj連接，晶體管Q2的另一個導(dǎo)通端子與晶體管Q1的柵極端子連接。晶體管Q3的一個導(dǎo)通端子(圖2中，左側(cè)的端子)與監(jiān)測線Mj連接，晶體管Q3的另一個導(dǎo)通端子與晶體管Q1的源極端子和有機EL元件L1的陽極端子連接。晶體管Q2、Q3的柵極端子與掃描線Gi連接。電容器C1設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與源極端子之間。晶體管Q1作為驅(qū)動晶體管發(fā)揮作用，晶體管Q2作為寫入控制晶體管發(fā)揮作用，晶體管Q3作為讀出控制晶體管發(fā)揮作用。

圖3是表示掃描線驅(qū)動電路13的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖3所示，掃描線驅(qū)動電路13包含將n個單元電路41進行多級連接的移位寄存器。圖3中記載了第1～4級的單元電路41，第5～n級單元電路41也按照同樣的形式連接。單元電路41具有：時鐘端子CK、CKB、使能端子EN、置位端子S、復(fù)位端子R及輸出端子Y1、Y2。向掃描線驅(qū)動電路13供給的控制信號CS1中包含：柵極起始脈沖GSP、柵極時鐘GCK1、GCK2及使能信號EN1、EN2。

柵極起始脈沖GSP被供給至第1級單元電路41的置位端子S。柵極時鐘GCK1被供給至第奇數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CK和第偶數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CKB。柵極時鐘GCK2被供給至第偶數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CK和第奇數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CKB。使能信號EN1被供給至第奇數(shù)級的單元電路41的使能端子EN，使能信號EN2被供給至第偶數(shù)級的單元電路41的使能端子EN。第1級單元電路41的輸出端子Y1與第2級單元電路41的置位端子S連接。第2～(n-1)級單元電路41的輸出端子Y1與下一級單元電路41的置位端子S和上一級單元電路41的復(fù)位端子R連接。第n級單元電路41的輸出端子Y1與第(n-1)級單元電路41的復(fù)位端子R連接。對第n級單元電路41的復(fù)位端子R供給表示視頻信號期間結(jié)束的信號(未圖示)。第i級單元電路41的輸出端子Y2與掃描線Gi連接。

圖4是單元電路41的電路圖。如圖4所示，單元電路41包含晶體管Q11～Q17及電容器C11、C12。晶體管Q11～Q17為N溝道型TFT。晶體管Q11的漏極端子和柵極端子與置位端子S連接。晶體管Q11的源極端子與晶體管Q12的漏極端子、晶體管Q13的柵極端子及晶體管Q15的一個導(dǎo)通端子(圖4中，左側(cè)的端子)連接。晶體管Q13的漏極端子與時鐘端子CK連接，晶體管Q13的源極端子與晶體管Q14的漏極端子和輸出端子Y1連接。晶體管Q15的另一個導(dǎo)通端子與晶體管Q16的柵極端子連接，對晶體管Q15的柵極端子施加高電平電壓VDD。晶體管Q16的漏極端子與使能端子EN連接，晶體管Q16的源極端子與晶體管Q17的漏極端子和輸出端子Y2連接。對晶體管Q12、Q14、Q17的源極端子施加低電平電壓VSS。晶體管Q12的柵極端子與復(fù)位端子R連接，晶體管Q14、Q17的柵極端子與時鐘端子CKB連接。電容器C11設(shè)置于晶體管Q13的柵極端子和源極端子之間，電容器C12設(shè)置于晶體管Q16的柵極端子和源極端子之間。

晶體管Q11、Q12作為根據(jù)從置位端子S和復(fù)位端子R輸入的信號將圖4所示的節(jié)點N1(第一節(jié)點)的電壓切換成高電平和低電平的節(jié)點控制電路發(fā)揮作用。晶體管Q13、Q14和電容器C11作為在節(jié)點N1為升壓(boost)狀態(tài)時將從時鐘端子CK輸入的信號施加給下一級單元電路41的置位端子S和上一級單元電路41的復(fù)位端子R的第一輸出控制電路發(fā)揮作用。晶體管Q15～Q17和電容器C12作為在節(jié)點N1的電壓為高電平時將從顯示控制電路12輸出的使能信號EN1或EN2施加給掃描線Gi的第二輸出控制電路發(fā)揮作用。

像素電路18所含的晶體管Q1～Q3及掃描線驅(qū)動電路13的單元電路41所含的晶體管Q11～Q17使用例如含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及氧(O)的氧化物半導(dǎo)體形成。

圖5是單元電路41的時序圖。參照圖5說明單元電路41的動作。以下，對于經(jīng)由單元電路41的端子進行輸入輸出的信號，以與該端子相同的名稱稱呼。例如，將經(jīng)由時鐘端子CK輸入的信號稱為時鐘信號CK。另外，將晶體管Q13、Q16的柵極端子所連接的節(jié)點分別稱為節(jié)點N1、節(jié)點N2。如圖5所示，時鐘信號CK、CKB在相互不同的期間成為高電平。設(shè)置信號S在時鐘信號CKB的高電平期間(圖5中，時刻t1～t2)成為高電平。復(fù)位信號R在時鐘信號CKB的下一高電平期間(圖5中，時刻t5～t6)成為高電平。

在時刻t1之前，節(jié)點N1的電壓為低電平。設(shè)置信號S在時刻t1變成高電平時，晶體管Q11成為導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點N1的電壓變成高電平。此外，節(jié)點N1的電壓為通常的高電平時，晶體管Q13成為導(dǎo)通狀態(tài)，但時鐘信號CK為低電平，因此，輸出信號Y1維持在低電平。在時刻t2，設(shè)置信號S變成低電平時，晶體管Q11成為截止狀態(tài)，節(jié)點N1成為高阻抗狀態(tài)。節(jié)點N1的電壓在時刻t2以后也成為高電平。

在時刻t3，時鐘信號CK變成高電平。此時節(jié)點N1為高阻抗狀態(tài)，因此，時鐘信號CK變成高電平時，節(jié)點N1的電壓通過自舉變得比通常的高電平高(節(jié)點N1成為升壓狀態(tài))。因此，高電平的時鐘信號CK以原有電平(未降低晶體管Q13的閾值電壓)通過晶體管Q13并從輸出端子Y1輸出。在時刻t4，時鐘信號CK變成低電平時，節(jié)點N1的電壓恢復(fù)成通常的高電平，輸出信號Y1變成低電平。

在時刻t5，復(fù)位信號R變成高電平時，晶體管Q12成為導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點N1的電壓變成低電平。另外，時鐘信號CKB在時刻t5變成高電平時，晶體管Q14成為導(dǎo)通狀態(tài)。晶體管Q14具有將輸出信號Y1可靠地變成低電平的功能。像這樣，在節(jié)點N1的電壓成為高電平時，從輸出端子Y1輸出時鐘信號CK。

晶體管Q16、Q17及電容器C12按照與晶體管Q13、Q14及電容器C11相同的方式連接。在節(jié)點N2為高阻抗狀態(tài)且節(jié)點N2的電壓成為高電平時，當使能信號EN變成高電平時，節(jié)點N2的電壓通過自舉變得比通常的高電平高(節(jié)點N2成為升壓狀態(tài))。除了節(jié)點N2的電壓比通常的高電平高時以外，晶體管Q15維持導(dǎo)通狀態(tài)。節(jié)點N2具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓。因此，節(jié)點N1、N2的電壓為高電平時，從輸出端子Y2輸出使能信號EN。

此外，晶體管Q15當節(jié)點N2的電壓成為規(guī)定以上時成為截止狀態(tài)，具有將節(jié)點N1、N2電切離并輔助由自舉引起的節(jié)點N2的電壓上升的功能。電容器C11具有輔助由自舉引起的節(jié)點N1的電壓上升的功能和降低混入時鐘信號CK的噪聲經(jīng)由晶體管Q13的寄生電容對節(jié)點N1的電壓造成的影響的功能。電容器C12具有與電容器C11相同的功能。

如上所述，節(jié)點N2具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓。在此，在驅(qū)動期間，對單元電路41供給圖6所示的波形的使能信號EN。因此，到時刻t3時，節(jié)點N2的電壓通過自舉變得比通常的高電平高(節(jié)點N2成為升壓狀態(tài))。由此，高電平的使能信號EN以原有電平(未降低晶體管Q16的閾值電壓)通過晶體管Q16從輸出端子Y2輸出(參照圖6)。另一方面，在中止期間，除了后述的電流測定期間以外，如圖7所示，使能信號EN維持在低電平。因此，即使在時刻t3，節(jié)點N2的電壓通過自舉變得比通常的高電平高，輸出端子Y2的電壓也維持在低電平。在中止期間，如圖8所示，使能信號EN僅在電流測定期間成為高電平。因此，在電流測定期間(圖8中，時刻t3～時刻t4的期間)，節(jié)點N2的電壓通過自舉變得比通常的高電平高，由此，高電平的使能信號EN以原有電平(未降低晶體管Q16的閾值電壓)通過晶體管Q16從輸出端子Y2輸出。

＜1.2驅(qū)動方法＞

圖9是表示顯示裝置1的動作的時序圖。顯示裝置1進行使用了驅(qū)動期間和中止期間的中止驅(qū)動。驅(qū)動期間的長度設(shè)定成一幀期間，驅(qū)動期間分割成視頻信號期間和垂直回掃期間。視頻信號期間與n行的像素電路18對應(yīng)地包含n個線期間(也稱為水平期間)。在視頻信號期間，柵極時鐘GCK1、GCK2的周期分別為2線期間，n條掃描線G1～Gn各被選擇1線期間。在第i個線期間，掃描線驅(qū)動電路13將掃描線Gi的電壓控制成高電平，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加m個數(shù)據(jù)電壓。由此，對與掃描線Gi連接的m個像素電路18寫入數(shù)據(jù)電壓(圖9中記載為編程(program))。

中止期間的長度比一幀期間長，例如設(shè)定成多幀期間。中止期間分割成視頻保持期間和垂直回掃期間。柵極時鐘GCK1、GCK2不僅在驅(qū)動期間，而且在中止期間也以高電平和低電平變化。中止期間中的柵極時鐘GCK1、GCK2的周期比2線期間長。中止期間中，如圖10所示，n個單元電路41的輸出信號Y1按照上升順序(按照第1級、第2級、第3級、……的順序)成為高電平各柵極時鐘GCK1、GCK2的半周期。以下，在中止期間中，將第1～n級單元電路41的輸出信號Y1成為高電平的期間分別稱為第1～n個中止線期間。以下的說明中，假定視頻保持期間每一次包含第1～n個中止線期間。

中止期間中，將1個中止線期間(以下，設(shè)為第i個中止線期間)選擇為電流測定期間。在電流測定期間，選擇掃描線Gi。掃描線驅(qū)動電路13在電流測定期間，對選擇的掃描線Gi施加電流測定用的掃描信號及電壓寫入用的掃描信號。在中止期間選擇的掃描線由規(guī)定的方法(例如，按照上升順序或隨機)決定，并按照每4個中止期間進行切換。在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間，掃描線驅(qū)動電路13將掃描線G1～Gn的電壓控制成低電平(圖9中，以粗虛線記載)。

圖11是表示中止期間中的數(shù)據(jù)線Sj和監(jiān)測線Mj的電壓的變化的示意圖。源極驅(qū)動器14在電流測定期間對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加測定用電壓，測定從m個像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流，并對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加m個數(shù)據(jù)電壓。由此，對與掃描線Gi連接的m個像素電路18進行寫入測定用電壓的處理、測定電流的處理及寫入數(shù)據(jù)電壓的處理。顯示裝置1中，寫入測定用電壓的處理和測定電流的處理在相同的時間帶進行。在中止期間的電流測定期間以外的期間，源極驅(qū)動器14不驅(qū)動數(shù)據(jù)線Sj。

圖12是顯示裝置1的詳細的時序圖。圖12中記載有在中止期間選擇第偶數(shù)個掃描線Gi(i為偶數(shù))的情況下的定時。此外，在一個時鐘的下降時刻和另一個時鐘的上升時刻之間，如圖5所示設(shè)置有一些間隔，但圖12中，為了便于說明，忽視該間隔進行圖示。如圖12所示，柵極時鐘GCK1、GCK2在相互不同的期間成為高電平。在驅(qū)動期間中，柵極時鐘GCK1、GCK2的周期為2線期間，柵極起始脈沖GSP(未圖示)在驅(qū)動期間的開始前成為高電平1線期間。因此，第1～n級單元電路41的輸出信號Y1在第1～n個線期間分別成為高電平，在驅(qū)動期間內(nèi)的除此以外的期間成為低電平。在驅(qū)動期間，使能信號EN1、EN2分別與柵極時鐘GCK1、GCK2同樣地變化。因此，各級的單元電路41中，時鐘信號CK和使能信號EN同樣地變化，輸出信號Y2與輸出信號Y1同樣地變化。因此，在驅(qū)動期間，掃描線G1～Gn的電壓在第1～n個線期間分別成為高電平。

在中止期間，柵極時鐘GCK1、GCK2的周期分別為2中止線期間，柵極起始脈沖GSP在中止期間內(nèi)的規(guī)定的定時成為高電平1中止線期間。因此，第1～n級單元電路41的輸出信號Y1分別在第i個中止線期間成為高電平，在中止期間內(nèi)的除此以外的期間成為低電平。如上所述，在中止期間選擇掃描線Gi的情況下，在第i個中止線期間，在i為奇數(shù)的情況下，使能信號EN1成為高電平，在i為偶數(shù)的情況下，使能信號EN2成為高電平。使能信號EN1、EN2在中止期間內(nèi)的除此以外的期間為低電平(圖12示出i為偶數(shù)的情況)。因此，第i級單元電路41中，時鐘信號CK和使能信號EN同樣地變化，輸出信號Y2與輸出信號Y1同樣地變化。第1～n級(除第i級以外)的單元電路41中，使能信號EN為低電平，因此，輸出信號Y2為低電平。因此，在中止期間，掃描線Gi的電壓僅在第i個中止線期間成為高電平，掃描線G1～Gn(除Gi以外)的電壓維持在低電平。

以下說明以圖12所示的時序驅(qū)動掃描線Gi和數(shù)據(jù)線Sj時的第i行j列像素電路18的動作。以下，將晶體管Q1的特性稱為“TFT特性”，將有機EL元件L1的特性稱為“OLED特性”。在第i個線期間，掃描線Gi的電壓為高電平，因此，晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加數(shù)據(jù)電壓Dij。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Dij。

在第i個線期間結(jié)束時，選擇的掃描線Gi的電壓變成低電平。隨之，晶體管Q2、Q3成為截止狀態(tài)。其以后，晶體管Q1的柵極電壓通過電容器C1的作用保持在Dij。在數(shù)據(jù)電壓Dij為規(guī)定以上的情況下，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)，在有機EL元件L1中流動與晶體管Q1的柵極-源極間電壓相應(yīng)的量的電流。有機EL元件L1以與流動的電流的量相應(yīng)的亮度進行發(fā)光。

在第i個中止線期間(電流測定期間)，選擇的掃描線Gi的電壓變成高電平。隨之，晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。在第i個中止線期間的前半部，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加測定用電壓Vmg(i，j)。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Vmg(i，j)。測定用電壓Vmg(i，j)為TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。此外，測定用電壓Vmg(i，j)的值設(shè)定成在電流測定期間僅向晶體管Q1和有機EL元件L1中的任一者流入電流。進行OLED特性的測定時的測定用電壓Vmg(i，j)為晶體管Q1未成為導(dǎo)通狀態(tài)的任意的電壓。另外，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加OLED特性測定用電壓時，進一步對監(jiān)測線Mj施加用于向有機EL元件L1流入電流的電壓Vm(i，j)。施加TFT特性測定用電壓時，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q3的電流流入監(jiān)測線Mj。施加OLED特性測定用電壓時，晶體管Q1成為截止狀態(tài)，從監(jiān)測線Mj通過晶體管Q3和有機EL元件L1的電流向具有低電平電源電壓ELVSS的電極流動。源極驅(qū)動器14在第i個中止線期間的前半部測定流過監(jiān)測線Mj的電流。

在第i個中止線期間的后半部，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加數(shù)據(jù)電壓Dij。此時，像素電路18與第i個線期間同樣地動作。在第i個中止線期間結(jié)束時，掃描線Gi的電壓變成低電平。以后，有機EL元件L1以與數(shù)據(jù)電壓Dij相應(yīng)的亮度進行發(fā)光。

＜1.3修正運算及修正數(shù)據(jù)的更新＞

圖13是表示修正數(shù)據(jù)存儲部16和修正運算部17的詳細的框圖。如圖13所示，修正數(shù)據(jù)存儲部16包含：TFT用增益存儲部16a；OLED用增益存儲部16b；TFT用偏置存儲部16c；及OLED用偏置存儲部16d。4個存儲部16a～16d分別與(m×n)個像素電路18對應(yīng)地存儲(m×n)個修正數(shù)據(jù)。TFT用增益存儲部16a存儲基于TFT特性的檢測結(jié)果的增益(以下，稱為TFT用增益)。OLED用增益存儲部16b存儲基于OLED特性的檢測結(jié)果的增益(以下，稱為OLED用增益)。TFT用偏置存儲部16c存儲基于TFT特性的檢測結(jié)果的偏置(以下，稱為TFT用偏置)。OLED用偏置存儲部16d存儲基于OLED特性的檢測結(jié)果的偏置(以下，稱為OLED用偏置)。

修正運算部17包含：LUT61；乘法器62、63、66、67；加法器64、65、68；及CPU69。向修正運算部17輸入視頻信號X1所含的灰度P、TFT特性檢測用的灰度P、OLED特性檢測用的值pre_Vmg_oled及A/D轉(zhuǎn)換器15的輸出。從4個存儲部16a～16d讀出第i行j列像素電路18的修正數(shù)據(jù)。

LUT61對灰度P實施伽馬修正。乘法器62將LUT61的輸出與從TFT用增益存儲部16a讀出的TFT用增益相乘。乘法器63將乘法器62的輸出與從OLED用增益存儲部16b讀出的OLED用增益相乘。加法器64將乘法器63的輸出與從TFT用偏置存儲部16c讀出的TFT用偏置相加。加法器65將加法器64的輸出與從OLED用偏置存儲部16d讀出的OLED用偏置相加。乘法器66將加法器65的輸出與用于補償數(shù)據(jù)電壓的衰減的系數(shù)Z相乘。修正運算部17在視頻信號期間，對源極驅(qū)動器14輸出包含乘法器66的輸出的視頻信號X2。修正運算部17在檢測TFT特性的電流測定期間，將乘法器66的輸出作為與測定用電壓Vmg(i，j)對應(yīng)的數(shù)據(jù)向源極驅(qū)動器14輸出。

乘法器67將值pre_Vmg_oled與從OLED用增益存儲部16b讀出的OLED用增益相乘。加法器68將乘法器67的輸出與從OLED用偏置存儲部16d讀出的OLED用偏置相加。修正運算部17在檢測OLED特性的電流測定期間，將加法器68的輸出作為與電壓(用于在有機EL元件L1中流動電流的電壓)Vm(i，j)對應(yīng)的數(shù)據(jù)向源極驅(qū)動器14輸出。

CPU69基于A/D轉(zhuǎn)換器15的輸出，更新存儲于4個存儲部16a～16d的修正數(shù)據(jù)。圖14是表示CPU69的動作的流程圖。CPU69每4個中止期間執(zhí)行圖14所示的步驟S101～S116。CPU69在第一中止期間執(zhí)行步驟S101～S104，在第二中止期間執(zhí)行步驟S105～S108，在第三中止期間執(zhí)行步驟S109～S112，在第四中止期間執(zhí)行步驟S113～S116。

源極驅(qū)動器14在第一中止期間內(nèi)的電流測定期間的前半部，對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加用于測定TFT特性的第一測定用電壓Vmg(i，j)，此時，測定從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流。CPU69從A/D轉(zhuǎn)換器15接收此時得到的第一電流測定值(步驟S101)。接著，CPU69基于在步驟S101中接收的第一電流測定值，求得第一TFT特性(步驟S102)。接著，CPU69使用第一TFT特性，更新存儲于TFT用偏置存儲部16c的TFT用偏置(步驟S103)，并更新存儲于TFT用增益存儲部16a的TFT用增益(步驟S104)。

源極驅(qū)動器14在第二中止期間內(nèi)的電流測定期間的前半部，對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加用于測定TFT特性的第二測定用電壓Vmg(i，j)，此時，測定從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流。CPU69從A/D轉(zhuǎn)換器15接收此時得到的第二電流測定值(步驟S105)。接著，CPU69基于步驟S105中接收的第二電流測定值，求得第二TFT特性(步驟S106)。接著，CPU69使用第二TFT特性，更新存儲于TFT用偏置存儲部16c的TFT用偏置(步驟S107)，并更新存儲于TFT用增益存儲部16a的TFT用增益(步驟S108)。此外，第一測定用電壓和第二測定用電壓相互不同。例如，第一測定用電壓是與相對較低的灰度對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓，第二測定用電壓是與相對較高的灰度對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

源極驅(qū)動器14在第三中止期間內(nèi)的電流測定期間的前半部，對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加晶體管Q1不成為導(dǎo)通狀態(tài)那樣的電壓，并對監(jiān)測線M1～Mm施加用于測定OLED特性的第三測定用電壓Vm(i，j)，測定此時從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流。CPU69從A/D轉(zhuǎn)換器15接收此時得到的第三電流測定值(步驟S109)。接著，CPU69基于步驟S109中接收的第三電流測定值，求得第一OLED特性(步驟S110)。接著，CPU69使用第一OLED特性，更新存儲于OLED用偏置存儲部16d的OLED用偏置(步驟S111)，并更新存儲于OLED用增益存儲部16b的OLED用增益(步驟S112)。

源極驅(qū)動器14在第四中止期間內(nèi)的電流測定期間的前半部，對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加晶體管Q1不成為導(dǎo)通狀態(tài)那樣的電壓，同時對監(jiān)測線M1～Mm施加用于測定OLED特性的第四測定用電壓Vm(i，j)，此時，測定從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流。CPU69從A/D轉(zhuǎn)換器15接收此時得到的第四電流值(步驟S113)。接著，CPU69基于步驟S113中接收的第四電流測定值，求得第二OLED特性(步驟S114)。接著，CPU69使用第二OLED特性，更新存儲于OLED用偏置存儲部16d的OLED用偏置(步驟S115)，并更新存儲于OLED用增益存儲部16b的OLED用增益(步驟S116)。此外，第三測定用電壓和第四測定用電壓相互不同。

顯示控制電路12每4個中止期間切換中止期間中輸出高電平的使能信號EN1、EN2的中止線期間。因此，在中止期間選擇的掃描線按每4中止期間切換。源極驅(qū)動器14在第一～第四中止期間，分別測定從寫入第一～第四測定用電壓的像素電路18輸出的電流。修正運算部17在第一～第四中止期間，分別基于第一～第四電流測定值，更新存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部16的修正數(shù)據(jù)。像這樣，通過在中止期間持續(xù)選擇相同的掃描線，能夠?qū)ο嗤南袼仉娐?8切換條件并多次測定電流，基于多次的電流測定結(jié)果更新修正數(shù)據(jù)。

＜1.4效果等＞

如以上所述，本實施方式的顯示裝置1是具備顯示部11、顯示控制電路12、掃描線驅(qū)動電路13和源極驅(qū)動器14，該顯示部11包含：n條掃描線G1～Gn、m條數(shù)據(jù)線S1～Sm、m條監(jiān)測線M1～Mm、配置成二維狀的(m×n)個像素電路18。掃描線驅(qū)動電路13在驅(qū)動期間，按每個線期間依次選擇掃描線G1～Gn，對選擇的掃描線施加高電平(選擇電平)的掃描信號。另外，掃描線驅(qū)動電路13在設(shè)定于中止期間內(nèi)的電流測定期間，對從掃描線G1～Gn中選擇的掃描線Gi施加高電平(電流測定用及電壓寫入用)的掃描信號，在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間，對掃描線G1～Gn施加低電平(非選擇電平)的掃描信號。源極驅(qū)動器14在驅(qū)動期間，按每個線期間對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加與視頻信號X2相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。另外，源極驅(qū)動器14在電流測定期間對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加測定用電壓，測定從像素電路18向監(jiān)測線M1～Mm輸出的電流，并對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加數(shù)據(jù)電壓。

因此，根據(jù)本實施方式的顯示裝置1，在使用驅(qū)動期間和中止期間進行中止驅(qū)動的情況下，能夠在中止期間內(nèi)設(shè)定電流測定期間，在電流測定期間測定從寫入了測定用電壓的像素電路18輸出的電流。另外，通過在電流測定期間對像素電路18寫入數(shù)據(jù)電壓，能夠抑制電流測定對顯示圖像造成的影響，防止顯示圖像的畫質(zhì)降低。另外，通過在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間固定掃描線G1～Gn的電壓，能夠降低顯示裝置1的耗電量。

顯示控制電路12輸出在驅(qū)動期間按每1線期間交替成為高電平且在中止期間一方在電流測定期間成為高電平的兩個使能信號EN1、EN2。掃描線驅(qū)動電路13具有與掃描線G1～Gn對應(yīng)的多個單元電路41(多個級)，并包含基于使能信號EN1、EN2輸出對掃描線G1～Gn施加的掃描信號的移位寄存器。基于在驅(qū)動期間和中止期間以不同的方式變化的使能信號EN1、EN2，使用相同的移位寄存器生成驅(qū)動期間的掃描信號和中止期間的掃描信號，由此能夠簡化掃描線驅(qū)動電路13的結(jié)構(gòu)。

單元電路41(移位寄存器的各級)包含：節(jié)點控制電路(晶體管Q11、Q12)、第一輸出控制電路(晶體管Q13、Q14和電容器C11)和第二輸出控制電路(晶體管Q15～Q17和電容器C12)。像這樣能夠使用2個輸出控制電路，與向下一級單元電路41輸出的輸出信號分開地輸出基于使能信號EN1或EN2的掃描信號。

第一輸出控制電路能夠使用晶體管Q13(第一輸出控制晶體管)、晶體管Q11及設(shè)置于晶體管Q13的柵極端子與源極端子之間的電容器C11構(gòu)成，該晶體管Q13具有：與時鐘端子CK連接的漏極端子(第一導(dǎo)通端子)；與下一級置位端子S及上一級復(fù)位端子R連接的源極端子(第二導(dǎo)通端子)；及與節(jié)點N1連接的柵極端子(控制端子)，該晶體管Q11具有：與下一級置位端子S及上一級復(fù)位端子R連接的漏極端子；被供給低電平電壓VSS的源極端子；及與時鐘端子CKB連接的柵極端子。第二輸出控制電路能夠使用晶體管Q16(第二輸出控制晶體管)、晶體管Q17、晶體管Q15及設(shè)置于晶體管Q16的柵極端子與源極端子之間的電容器C12構(gòu)成，該晶體管Q16具有：被供給使能信號EN1或EN2的漏極端子；與掃描線Gi連接的源極端子；及與具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓的節(jié)點N2(第二節(jié)點)連接的柵極端子，該晶體管Q17具有：與掃描線Gi連接的漏極端子；被供給低電平電壓VSS的源極端子；及與時鐘端子CKB連接的柵極端子，該晶體管Q15具有：與晶體管Q11的源極端子連接的導(dǎo)通端子(一個導(dǎo)通端子)；與晶體管Q16的柵極端子連接的導(dǎo)通端子(另一個導(dǎo)通端子)；及被供給高電平電壓VDD的柵極端子。

像素電路18包含：有機EL元件L1(電光學(xué)元件)；與有機EL元件L1串聯(lián)設(shè)置的晶體管Q1(驅(qū)動晶體管)；設(shè)置于數(shù)據(jù)線Sj與晶體管Q1的柵極端子之間且具有與掃描線Gi連接的柵極端子的晶體管Q2(寫入控制晶體管)；設(shè)置于監(jiān)測線Mj與晶體管Q1的源極端子(一個導(dǎo)通端子)之間且具有與掃描線Gi連接的柵極端子的晶體管Q3(讀出控制晶體管)；和設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與源極端子之間的電容器C1。因此，在具備監(jiān)測線和包含電光學(xué)元件、3個晶體管及電容器的像素電路的顯示裝置中，能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

顯示控制電路12輸出第奇數(shù)級的單元電路41(移位寄存器的第奇數(shù)級)用的使能信號EN1和第偶數(shù)級的單元電路41(移位寄存器的第偶數(shù)級)用的使能信號EN2。像這樣，通過向移位寄存器的第奇數(shù)級和第偶數(shù)級供給不同的使能信號，能夠防止相鄰的掃描線的電壓在相同的時間帶成為高電平。

另外，含有銦、鎵、鋅及氧的氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅高的遷移率。因此，通過使用上述氧化物半導(dǎo)體形成掃描線驅(qū)動電路13所含的晶體管Q11～Q17，能夠縮小晶體管的尺寸，降低掃描線驅(qū)動電路13的布局面積。因此，在將像素電路18和掃描線驅(qū)動電路13一體形成的情況下(也稱為柵極驅(qū)動器單片結(jié)構(gòu))，能夠降低形成于像素區(qū)域周圍的邊緣的面積。另外，使用上述氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管具有截止漏電流小的特征。因此，在采用柵極單片結(jié)構(gòu)的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)保持的電壓難以變動而適合中止驅(qū)動的像素電路，和即使在中止動作的期間較長的情況下也難以進行錯誤動作的掃描線驅(qū)動電路。

掃描線驅(qū)動電路13所含的移位寄存器在驅(qū)動期間按每1線期間進行移位動作，并在中止期間按每個比線期間長的中止線期間進行移位動作。通過像這樣使電流測定期間比線期間長，能夠在電流測定期間，花費必要的時間進行測定用電壓的寫入、電流的測定及數(shù)據(jù)電壓的寫入。另外，顯示裝置1還具備基于源極驅(qū)動器14中測定的電流修正視頻信號X1的修正運算部17。因此，通過基于電流測定結(jié)果修正視頻信號X1，能夠補償像素的亮度的降低，并提高顯示圖像的畫質(zhì)。

＜2.第二實施方式＞

＜2.1結(jié)構(gòu)＞

圖15是表示本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖15所示的顯示裝置2是在第一實施方式的顯示裝置1中將顯示部11、修正數(shù)據(jù)存儲部16及修正運算部17分別置換成顯示部21、修正數(shù)據(jù)存儲部26及修正運算部27的裝置。顯示裝置2具有將數(shù)據(jù)線和監(jiān)測線共用的特征。本實施方式的結(jié)構(gòu)要素中，對與第一實施方式相同的要素標注相同的參照標記并省略說明。

顯示部21包含n條掃描線G1～Gn、m條數(shù)據(jù)線S1～Sm及(m×n)個像素電路28。掃描線G1～Gn相互平行地配置。數(shù)據(jù)線S1～Sm以相互平行且與掃描線G1～Gn正交的方式配置。(m×n)個像素電路28與掃描線G1～Gn和數(shù)據(jù)線S1～Sm的交叉點對應(yīng)地配置成二維狀。像素電路28不僅被供給高電平電源電壓ELVDD和低電平電源電壓ELVSS，而且還使用未圖示的配線被供給基準電壓Vref。

圖16是第i行j列像素電路28的電路圖。如圖16所示，像素電路28包含有機EL元件L1、晶體管Q1～Q3及電容器C1，并與掃描線Gi和數(shù)據(jù)線Sj連接。晶體管Q1和有機EL元件L1按照與像素電路18相同的方式連接。晶體管Q2的一個導(dǎo)通端子(圖16中左側(cè)的端子)與數(shù)據(jù)線Sj連接，晶體管Q2的另一個導(dǎo)通端子與晶體管Q1的源極端子和有機EL元件L1的陽極端子連接。晶體管Q3的漏極端子與具有基準電壓Vref的配線連接，晶體管Q3的源極端子與晶體管Q1的柵極端子連接。晶體管Q2、Q3的柵極端子與掃描線Gi連接。電容器C1設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與源極端子之間。晶體管Q1作為驅(qū)動晶體管發(fā)揮作用，晶體管Q2作為寫入控制晶體管發(fā)揮作用，晶體管Q3作為基準電壓施加晶體管發(fā)揮作用。

＜2.2驅(qū)動方法＞

顯示裝置2與顯示裝置1一樣，根據(jù)圖9及圖11所示的時序圖進行動作。圖17是顯示裝置2的詳細的時序圖。圖17所示的時序圖是從圖12所示的時序圖刪除了監(jiān)測線Mj的電壓的變化的圖。顯示裝置2中也與顯示裝置1一樣，能夠使用圖3及圖4所示的掃描線驅(qū)動電路13，按照圖17所示的時序驅(qū)動掃描線G1～Gn。顯示裝置2中，顯示控制電路12按每2個中止期間切換輸出高電平的使能信號EN1、EN2的中止線期間。因此，在中止期間選擇的掃描線按每2個中止期間切換。

以下說明按圖17所示的時序在驅(qū)動期間驅(qū)動掃描線Gi和數(shù)據(jù)線Sj時的第i行j列像素電路28的動作。在第i個線期間，掃描線Gi的電壓成為高電平，因此，晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加數(shù)據(jù)電壓Dij。因此，晶體管Q1的柵極-源極間電壓成為(Vref-Dij)。

在第i個線期間結(jié)束時，選擇的掃描線Gi的電壓變成低電平。隨之，晶體管Q2、Q3成為截止狀態(tài)。其以后，晶體管Q1的柵極-源極間電壓通過電容器C1的作用保持在(Vref-Dij)。在數(shù)據(jù)電壓Dij為規(guī)定以下的情況下，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)，與晶體管Q1的柵極-源極間電壓相應(yīng)的量的電流流入有機EL元件L1。有機EL元件L1以與流入的電流的量相應(yīng)的亮度進行發(fā)光。

在第i個中止線期間(電流測定期間)，選擇的掃描線Gi的電壓變成高電平。隨之，晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。在第i個中止線期間的前半部，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加測定用電壓Vmg(i，j)。因此，晶體管Q1的柵極-源極間電壓成為{Vref-Vmg(i，j)}。此時，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q2的電流流入數(shù)據(jù)線Sj。在圖17所示的期間T0，電流流入數(shù)據(jù)線Sj。源極驅(qū)動器14在第i個中止線期間的前半部測定向數(shù)據(jù)線Sj輸出的電流。

在第i個中止線期間的后半部，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加數(shù)據(jù)電壓Dij。此時，像素電路28與第i個線期間同樣地動作。在第i個中止線期間結(jié)束時，掃描線Gi的電壓變成低電平。其以后，有機EL元件L1以與數(shù)據(jù)電壓Dij相應(yīng)的亮度發(fā)光。

＜2.3修正運算及修正數(shù)據(jù)的更新＞

圖18是表示修正數(shù)據(jù)存儲部26和修正運算部27的詳細的框圖。如圖18所示，修正數(shù)據(jù)存儲部26包含TFT用增益存儲部26a和TFT用偏置存儲部26b。2個存儲部26a、26b分別與(m×n)個像素電路28對應(yīng)地存儲(m×n)個修正數(shù)據(jù)。TFT用增益存儲部26a存儲TFT用增益，TFT用偏置存儲部26b存儲TFT用偏置。

修正運算部27包含LUT71、乘法器72、74、加法器73及CPU75。向修正運算部27輸入視頻信號X1所含的灰度P、TFT特性檢測用的灰度P及A/D轉(zhuǎn)換器15的輸出。從2個存儲部26a、26b讀出第i行j列像素電路28的修正數(shù)據(jù)。

LUT71對灰度P實施伽馬修正。乘法器72將LUT71的輸出與從TFT用增益存儲部26a讀出的TFT用增益相乘。加法器73將從TFT用偏置存儲部26b讀出的TFT用偏置與乘法器72的輸出相加。乘法器74將加法器73的輸出與用于補償數(shù)據(jù)電壓的衰減的系數(shù)Z相乘。修正運算部27在視頻信號期間，對源極驅(qū)動器14輸出包含乘法器74的輸出的視頻信號X2。修正運算部27在電流測定期間將乘法器74的輸出作為與測定用電壓Vmg(i，j)對應(yīng)的數(shù)據(jù)向源極驅(qū)動器14輸出。

CPU75基于A/D轉(zhuǎn)換器15的輸出，更新存儲于2個存儲部26a、26b的修正數(shù)據(jù)。圖19是表示CPU75的動作的流程圖。CPU75按每2個中止期間執(zhí)行圖19所示的步驟S101～S108。CPU75在第一中止期間執(zhí)行步驟S101～S104，且在第二中止期間執(zhí)行步驟S105～S108。步驟S101～S108中，除了在步驟S103、S107中更新存儲于TFT用偏置存儲部26b的TFT用偏置，在步驟S104、S108中更新存儲于TFT用增益存儲部26a的TFT用增益這一點以外，與第一實施方式一樣。

如上所述，顯示裝置2中，在中止期間選擇的掃描線按每2個中止期間切換。源極驅(qū)動器14在第一中止期間及第二中止期間分別測定從寫入了第一測定用電壓及第二測定用電壓的像素電路28輸出的電流。修正運算部27在第一中止期間及第二中止期間分別基于第一電流測定值及第二電流測定值更新存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部26的修正數(shù)據(jù)。

＜2.4效果等＞

如以上所示，本實施方式的顯示裝置2具備：顯示部21；顯示控制電路12；掃描線驅(qū)動電路13；和源極驅(qū)動器14，該顯示部21包含：n條掃描線G1～Gn；m條數(shù)據(jù)線S1～Sm；和配置成二維狀的(m×n)個像素電路28。掃描線驅(qū)動電路13在電流測定期間對從掃描線G1～Gn中選擇的掃描線Gi施加高電平(電流測定用及電壓寫入用)的掃描信號。源極驅(qū)動器14在電流測定期間對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加測定用電壓，測定從像素電路28向數(shù)據(jù)線S1～Sm輸出的電流，并對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加數(shù)據(jù)電壓。

像素電路28包含：有機EL元件L1(電光學(xué)元件)、與有機EL元件L1串聯(lián)設(shè)置的晶體管Q1(驅(qū)動晶體管)、晶體管Q2(寫入控制晶體管)、晶體管Q3(基準電壓施加晶體管)、設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與源極端子之間的電容器C1，該晶體管Q2設(shè)置于數(shù)據(jù)線Sj與晶體管Q1的源極端子(一個導(dǎo)通端子)之間且具有與掃描線Gi連接的柵極端子(控制端子)，該晶體管Q3設(shè)置于晶體管Q1的柵極與具有基準電壓Vref的配線之間且具有與掃描線Gi連接的柵極端子。因此，在具備具有基準電壓的配線和包含電光學(xué)元件、3個晶體管、電容器的像素電路的顯示裝置中，能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

＜3.第三實施方式＞

＜3.1結(jié)構(gòu)＞

圖20是表示本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖20所示的顯示裝置3是在第一實施方式的顯示裝置1中，將顯示部11和掃描線驅(qū)動電路13分別置換成顯示部31和掃描線驅(qū)動電路33的裝置。本實施方式的結(jié)構(gòu)要素中，對與第一實施方式相同的要素標注相同的參照標記并省略說明。

顯示部31包含2n條掃描線GA1～GAn、GB1～GBn、m條數(shù)據(jù)線S1～Sm及(m×n)個像素電路38。掃描線GA1～GAn、GB1～GBn相互平行地配置。數(shù)據(jù)線S1～Sm以相互平行且與掃描線GA1～GAn、GB1～GBn正交的方式配置。(m×n)個像素電路38與掃描線GA1～GAn和數(shù)據(jù)線S1～Sm的交叉點對應(yīng)地配置成二維狀。此外，掃描線GA1～GAn相當于第一掃描線，掃描線GB1～GBn相當于第二掃描線。另外，對掃描線GA1～GAn供給的信號相當于第一掃描信號，對掃描線GB1～GBn供給的信號相當于第二掃描信號。

圖21是第i行j列像素電路38的電路圖。如圖21所示，像素電路38包含有機EL元件L1、晶體管Q1～Q3及電容器C1，與掃描線GAi、GBi和數(shù)據(jù)線Sj連接。像素電路38的結(jié)構(gòu)除了以下點以外，與像素電路18相同。晶體管Q3的一個導(dǎo)通端子(圖21中，左側(cè)的端子)與數(shù)據(jù)線Sj連接。晶體管Q2、Q3的柵極端子分別與掃描線GAi、GBi連接。電容器C1設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與漏極端子之間。

圖22是表示掃描線驅(qū)動電路33的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖22所示，掃描線驅(qū)動電路33包含將n個單元電路51連接多級而得到的移位寄存器。單元電路51具有：時鐘端子CK、CKB；使能端子ENA、ENB；置位端子S；復(fù)位端子R；及輸出端子Y1～Y3。向掃描線驅(qū)動電路33供給的控制信號CS1中包含：柵極起始脈沖GSP、柵極時鐘GCK1、GCK2及使能信號ENA1、ENA2、ENB1、ENB2。

單元電路51的連接形式除了以下點以外，與第一實施方式的單元電路41的連接形式相同。使能信號ENA1、ENB1分別被供給至第奇數(shù)級的單元電路51的使能端子ENA、ENB。使能信號ENA2、ENB2分別被供給至第偶數(shù)級的單元電路51的使能端子ENA、ENB。第i級單元電路51的輸出端子Y2、Y3分別與掃描線GAi、GBi連接。

圖23是單元電路51的電路圖。如圖23所示，單元電路51是對單元電路41追加了作為N溝道型TFT的晶體管Q18～Q20和電容器C13的電路。晶體管Q11～Q17和電容器C11、C12按照與單元電路41同樣的方式連接。其中，晶體管Q16的漏極端子與使能端子ENA連接。

晶體管Q18的一個導(dǎo)通端子(圖23中，左側(cè)的端子)與節(jié)點N1連接。晶體管Q18的另一個導(dǎo)通端子與晶體管Q19的柵極端子連接，晶體管Q18的柵極端子被施加高電平電壓VDD。晶體管Q19的漏極端子與使能端子ENB連接，晶體管Q19的源極端子與晶體管Q20的漏極端子和輸出端子Y3連接。晶體管Q20的柵極端子與時鐘端子CKB連接，晶體管Q20的源極端子被施加低電平電壓VSS。電容器C13設(shè)置于晶體管Q19的柵極端子與源極端子之間。以下，將連接晶體管Q19的柵極端子的節(jié)點稱為節(jié)點N3。

晶體管Q11、Q12作為節(jié)點控制電路發(fā)揮作用，晶體管Q13、Q14和電容器C11作為第一輸出控制電路發(fā)揮作用。晶體管Q15～Q20和電容器C12、C13作為在節(jié)點N1的電壓為高電平時，對掃描線GAi施加從顯示控制電路12輸出的使能信號ENA1或ENA2并對掃描線GBi施加從顯示控制電路12輸出的使能信號ENB1或ENB2的第二輸出控制電路發(fā)揮作用。此外，本實施方式中，由電容器C12實現(xiàn)第一升壓電容，由電容器C13實現(xiàn)第二升壓電容。

單元電路51中，與單元電路41一樣，節(jié)點N1的電壓為高電平時，時鐘信號CK從輸出端子Y1輸出，使能信號ENA從輸出端子Y2輸出。另外，晶體管Q18～Q20及電容器C13按照與晶體管Q15～Q17及電容器C12同樣的方式連接。節(jié)點N3具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓。因此，節(jié)點N1、N3的電壓為高電平時，將使能信號ENB從輸出端子Y3輸出。

如以上那樣構(gòu)成單元電路51，因此，單元電路51能夠基于1個移位時鐘驅(qū)動掃描線GAi及掃描線GBi這兩者。對于該情況，第四實施方式及第五實施方式也一樣。此外，由輸出端子Y1實現(xiàn)第一輸出節(jié)點，由輸出端子Y2實現(xiàn)第二輸出節(jié)點，且由輸出端子Y3實現(xiàn)第三輸出節(jié)點。另外，由晶體管Q16實現(xiàn)第一掃描控制晶體管，且由晶體管Q19實現(xiàn)第二掃描控制晶體管。另外，由晶體管Q11實現(xiàn)第一節(jié)點控制部，由晶體管Q12實現(xiàn)輸出信號控制部，由晶體管Q16及電容器C12實現(xiàn)第一掃描信號控制部，且由晶體管Q19及電容器C13實現(xiàn)第二掃描信號控制部，由晶體管Q14實現(xiàn)輸出信號復(fù)位部，由晶體管Q17實現(xiàn)第一掃描信號復(fù)位部，并由晶體管Q20實現(xiàn)第二掃描信號復(fù)位部。

＜3.2驅(qū)動方法＞

顯示裝置3與顯示裝置1一樣，按照圖9及圖11所示的時序圖進行動作。圖24是顯示裝置3的詳細的時序圖。圖24中記載了在中止期間選擇第偶數(shù)個掃描線Gi(i為偶數(shù))的情況下的定時。柵極起始脈沖GSP和柵極時鐘GCK1、GCK2與第一實施方式同樣地變化。此外，與掃描線Gi對應(yīng)的行相當于測定對象行。

在驅(qū)動期間，使能信號ENA1、ENA2分別與柵極時鐘GCK1、GCK2同樣地變化，使能信號ENB1、ENB2維持在低電平。因此，在驅(qū)動期間，掃描線GA1～GAn的電壓在第1～n個中止線期間分別成為高電平，掃描線GB1～GBn的電壓維持在低電平。

在第i個中止線期間(電流測定期間)，如圖24所示，設(shè)定期間T1～T3。此外，如圖25所示，期間T1是用于寫入測定用電壓的期間，期間T2是用于進行電流測定的期間，期間T3是用于寫入數(shù)據(jù)電壓的期間。關(guān)于圖24，在i為奇數(shù)的情況下，使能信號ENA1在期間T1、T3成為高電平，使能信號ENB1在期間T2成為高電平。在i為偶數(shù)的情況下，使能信號ENA2在期間T1、T3成為高電平，使能信號ENB2在期間T2成為高電平。使能信號ENA1、ENA2、ENB1、ENB2在中止期間內(nèi)的除此以外的期間成為低電平。在i為奇數(shù)的情況下，第i級單元電路51中，輸出信號Y2、Y3分別與使能信號ENA1、ENB1同樣地變化。在i為偶數(shù)的情況下，第i級單元電路51中，輸出信號Y2、Y3分別與使能信號ENA2、ENB2同樣地變化。第1～n級(除第i級以外)的單元電路51中，使能信號ENA1、ENA2、ENB1、ENB2為低電平，因此，輸出信號Y2、Y3為低電平。因此，在中止期間，掃描線GAi的電壓僅在期間T1、T3成為高電平，掃描線GBi的電壓僅在期間T2成為高電平，掃描線GA1～GAn、GB1～GBn(除GAi、GBi以外)的電壓維持在低電平。

以下說明以圖24所示的定時驅(qū)動掃描線GAi、GBi和數(shù)據(jù)線Sj時的第i行j列像素電路38的動作。在第i個線期間，掃描線GAi的電壓為高電平，掃描線GBi的電壓為低電平。因此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。此時，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加與視頻信號X2相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Dij。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Dij。

第i個線期間結(jié)束時，掃描線GAi的電壓變成低電平。隨之，晶體管Q2成為截止狀態(tài)。其以后，晶體管Q1的柵極電壓通過電容器C1的作用保持在Dij。在數(shù)據(jù)電壓Dij為規(guī)定以上的情況下，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)，向有機EL元件L1流入與晶體管Q1的柵極-源極間電壓相應(yīng)的量的電流。有機EL元件L1以與流入的電流量相應(yīng)的亮度發(fā)光。因此，有機EL元件L1以與數(shù)據(jù)電壓Dij相應(yīng)的亮度發(fā)光。

在第i個中止線期間(電流測定期間)內(nèi)的期間T1，掃描線GAi的電壓為高電平，掃描線GBi的電壓為低電平。因此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。此時，源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj施加測定用電壓Vmg(i，j)。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Vmg(i，j)。測定用電壓Vmg(i，j)為TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。此外，TFT特性測定用電壓是使晶體管Q1為導(dǎo)通狀態(tài)的電壓，OLED特性測定用電壓是使晶體管Q1為截止狀態(tài)的電壓。

在期間T2，掃描線GAi的電壓為低電平，掃描線GBi的電壓為高電平。因此，晶體管Q2成為截止狀態(tài)，晶體管Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。在期間T1施加TFT特性測定用電壓時，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q3的電流流入數(shù)據(jù)線Sj。此外，設(shè)定測定用電壓Vmg(i，j)的值使得此時電流不流入有機EL元件L1。在期間T1施加OLED特性測定用電壓時，源極驅(qū)動器14進一步對數(shù)據(jù)線Sj施加用于向有機EL元件L1流入電流的電壓Vm(i，j)。由此，從數(shù)據(jù)線Sj通過晶體管Q3和有機EL元件L1的電流向具有低電平電源電壓ELVSS的電極流動。源極驅(qū)動器14在期間T2測定流入數(shù)據(jù)線Sj的電流。

在期間T3，掃描線GAi的電壓成為高電平，掃描線GBi的電壓成為低電平。此時，源極驅(qū)動器14和像素電路38與第i個線期間同樣地動作。期間T3以后，有機EL元件L1以與數(shù)據(jù)電壓Dij相應(yīng)的亮度發(fā)光。

＜3.3修正運算及修正數(shù)據(jù)的更新＞

顯示裝置3所含的修正數(shù)據(jù)存儲部16和修正運算部的詳細與第一實施方式相同(參照圖13)。修正運算部17所含的CPU69的動作與第一實施方式相同(參照圖14)。

＜3.4效果等＞

如以上所示，本實施方式的顯示裝置3具備：顯示部31；顯示控制電路12；掃描線驅(qū)動電路33；和源極驅(qū)動器14，顯示部31包含：2n條掃描線GA1～GAn、GB1～GBn；m條數(shù)據(jù)線S1～Sm；和配置成二維狀的(m×n)個像素電路38。掃描線驅(qū)動電路33在電流測定期間，對從掃描線GA1～GAn、GB1～GBn中選擇的掃描線GAi、GBi，施加在期間T1～T3成為高電平的掃描信號(電流測定用的掃描信號及電壓寫入用的掃描信號)。源極驅(qū)動器14在電流測定期間，對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加測定用電壓，并測定從像素電路38向數(shù)據(jù)線S1～Sm輸出的電流，并對數(shù)據(jù)線S1～Sm施加數(shù)據(jù)電壓。

顯示控制電路12輸出使能信號ENA1、ENA2作為第一使能信號，并輸出使能信號ENB1、ENB2作為第二使能信號。單元電路51(移位寄存器的各級)包含節(jié)點控制電路(晶體管Q11、Q12)、第一輸出控制電路(晶體管Q13、Q14和電容器C11)和第二輸出控制電路(晶體管Q15～Q20和電容器C12、C13)。

第二輸出控制電路能夠用晶體管Q16(第二輸出控制晶體管)和晶體管Q19(第三輸出控制晶體管)構(gòu)成，該晶體管Q16具有：被供給使能信號ENA1或ENA2的漏極端子(第一導(dǎo)通端子)；與掃描線GAi(第一掃描線)連接的源極端子(第二導(dǎo)通端子)；及與具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓的節(jié)點N2(第二節(jié)點)連接的柵極端子(控制端子)，該晶體管Q19具有：被供給使能信號ENB1或ENB2的漏極端子；與掃描線GBi(第二掃描線)連接的源極端子；及與具有與節(jié)點N1相同的邏輯電平的電壓的節(jié)點N3(第三節(jié)點)連接的柵極端子。

像素電路38包含：有機EL元件L1(電光學(xué)元件)；與有機EL元件L1串聯(lián)設(shè)置的晶體管Q1(驅(qū)動晶體管)；晶體管Q2(寫入控制晶體管)；晶體管Q3(讀出控制晶體管)；和設(shè)置于晶體管Q1的柵極端子與漏極端子(另一個導(dǎo)通端子)之間的電容器C1，該晶體管Q2設(shè)置于數(shù)據(jù)線Sj與晶體管Q1的柵極端子之間且具有與掃描線GAi連接的柵極端子(控制端子)，該晶體管Q3設(shè)置于數(shù)據(jù)線Sj與晶體管Q1的源極端子(一個導(dǎo)通端子)之間且具有與掃描線GBi連接的柵極端子。因此，在具備兩種掃描線和包含電光學(xué)元件、3個晶體管及電容器的像素電路的顯示裝置中，能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。

＜4.第四實施方式＞

＜4.1結(jié)構(gòu)等＞

顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)、像素電路的結(jié)構(gòu)、掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及單元電路的結(jié)構(gòu)與第三實施方式一樣，因此，省略說明(參照圖20～圖23)。驅(qū)動方法與本實施方式的顯示裝置和第三實施方式的顯示裝置不同。詳細而言，第三實施方式中，采用中止驅(qū)動，在中止期間中進行用于特性檢測(驅(qū)動晶體管或有機EL的特性檢測)的電流測定。與之相對，本實施方式中，可以不是一定采用中止驅(qū)動，而在通常的顯示期間中進行用于特性檢測的電流測定。

＜4.2驅(qū)動方法＞

圖26是用于說明本實施方式中的驅(qū)動方法的時序圖。圖26所示的時序圖中，假定為對第i行(i為偶數(shù))進行電流測定(用于特性檢測的電流測定)的情況。即，第i行相當于測定對象行。在此，將進行用于特性檢測的處理的期間稱為“特性檢測處理期間”，將進行通常的顯示處理的期間稱為“通常動作期間”。圖26中，從時刻t11到時刻t14的期間為特性檢測處理期間，時刻t11以前的期間及時刻t14以后的期間為通常動作期間。另外，從時刻t12到時刻t13的期間是實際上進行電流的測定的電流測定期間。用于特性檢測的電流測定在一幀期間逐行進行或在一幀期間按每多行進行。本實施方式中，掃描線GA1～GAn成為高電平時，維持在高電平的期間的長度與通常動作期間和特性檢測處理期間相同。

此外，本實施方式中，從時刻t11到時刻t12的期間相當于測定準備期間，從時刻t12到時刻t13的期間相當于電量測定期間，從時刻t13到時刻t14的期間相當于顯示準備期間。但是，本實施方式中，進行電流的測定，因此，電量測定期間為電流測定期間。優(yōu)選電流測定期間設(shè)定成比測定準備期間長的期間，且設(shè)定成比顯示準備期間長的期間。另外，掃描線GA1～GAn相當于第一掃描線，掃描線GB1～GBn相當于第二掃描線。

在通常動作期間，使能信號ENA2與柵極時鐘GCK2同樣地變化，使能信號ENB2維持在低電平。因此，在通常動作期間，掃描線GA1～GAn的電壓按每1線依次成為高電平，掃描線GB1～GBn的電壓維持在低電平。

在特性檢測處理期間中的時刻t11～時刻t12，掃描線GAi的電壓成為高電平。由此，在第i行的像素電路38(參照圖21)中，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)。掃描線GBi的電壓維持在低電平。因此，晶體管Q3維持在截止狀態(tài)。此時，從源極驅(qū)動器14向數(shù)據(jù)線Sj供給測定用電壓。基于該測定用電壓對電容器C1進行充電。此外，測定用電壓是TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。

在特性檢測處理期間中的時刻t12～時刻t13(電流測定期間)，掃描線GAi的電壓成為低電平，掃描線GBi的電壓成為高電平。因此，晶體管Q2成為截止狀態(tài)，晶體管Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。在時刻t11～時刻t12施加TFT特性測定用電壓作為測定用電壓的情況下，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q3的電流流入數(shù)據(jù)線Sj。在時刻t11～時刻t12施加OLED特性測定用電壓作為測定用電壓的情況下，在時刻t12～時刻t13進一步對監(jiān)測線Mj施加用于向有機EL元件L1流入電流的電壓Vm(i，j)。由此，從數(shù)據(jù)線Sj通過晶體管Q3和有機EL元件L1的電流流入具有低電平電源電壓ELVSS的電極。在以上那樣的狀態(tài)下，源極驅(qū)動器14測定流入數(shù)據(jù)線Sj的電流。

在特性檢測處理期間中的時刻t13～時刻t14，掃描線GAi的電壓成為高電平，掃描線GBi的電壓成為低電平。由此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。此時，從源極驅(qū)動器14向數(shù)據(jù)線Sj供給用于圖像顯示的顯示用電壓?；谠擄@示用電壓電容器C1被充電，晶體管Q1成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，與顯示用電壓相應(yīng)的量的電流流入有機EL元件L1。根據(jù)以上，有機EL元件L1以與顯示用電壓相應(yīng)的亮度發(fā)光。

＜4.3關(guān)于單元電路及像素電路內(nèi)的晶體管＞

本實施方式中，進行電流測定的行的單元電路51(參照圖23)中，節(jié)點N1的電壓在比通常動作期間長的期間維持高電平。由于進行這種驅(qū)動，因此與使掃描線依次成為高電平各1水平掃描期間的通常的驅(qū)動方法相比，需要良好的保持特性。假定為了實現(xiàn)良好的保持特性而增長單元電路51內(nèi)的晶體管的溝道長，則單元電路51的布局面積增大。因此，為了防止單元電路51的布局面積的增大，優(yōu)選單元電路51內(nèi)的晶體管采用使用氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管。特別是使用含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及氧(O)的氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管的截止泄漏極小，因此，適用于本實施方式中的單元電路51內(nèi)的晶體管。

另外，本實施方式中，由于以下原因，像素電路38內(nèi)的晶體管也優(yōu)選采用使用氧化物半導(dǎo)體(特別是含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及氧(O)的氧化物半導(dǎo)體)形成的晶體管。各數(shù)據(jù)線Sj與對應(yīng)的列的所有行的像素電路38連接。因此，來自各像素電路38的漏電流越大，進行電流測定時的S/N比越差。因此，為了提高進行電流測定時的S/N比，優(yōu)選像素電路38內(nèi)的晶體管采用截止泄漏特性良好的晶體管(截止漏電流小的晶體管)。

此外，為了在比電流測定期間短的期間進行測定用電壓的寫入或顯示用電壓的寫入，優(yōu)選使與掃描線GA1～GAn對應(yīng)的晶體管的電流能力比與掃描線GB1～GBn對應(yīng)的晶體管的電流能力高。具體而言，在圖23所示的單元電路51中，優(yōu)選使晶體管Q16的電流能力比晶體管Q19的電流能力高。為了實現(xiàn)該情況，例如考慮使晶體管Q16的溝道寬度比晶體管Q19的溝道寬度大。由此，能夠在充分短的時間內(nèi)進行向像素的寫入，能夠確保充分長度的電流測定期間。

＜4.4效果＞

根據(jù)本實施方式，即使在不采用中止驅(qū)動的情況下，也與第三實施方式一樣，能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。由此，能夠補償驅(qū)動晶體管的特性的不均(例如閾值電壓的不均)及有機EL元件的劣化(發(fā)光效率的降低)。

＜5.第五實施方式＞

＜5.1結(jié)構(gòu)＞

圖27是表示本發(fā)明第五實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖27所示的顯示裝置4是在第三實施方式的顯示裝置3的基礎(chǔ)上增加了電源部19的裝置。本實施方式的顯示裝置4的驅(qū)動方法與第三實施方式的顯示裝置3的驅(qū)動方法不同。詳細而言，第三實施方式中，采用中止驅(qū)動，且在中止期間中進行用于特性檢測的電流測定。與之相對，本實施方式中，在電源接通或電源切斷時進行用于特性檢測的電流測定。更詳細而言，設(shè)置用于在剛按下顯示裝置3的電源接通按鈕之后或剛按下顯示裝置3的電源切斷按鈕之后進行電流測定的專用期間。

在功能上，源極驅(qū)動器14中包含驅(qū)動數(shù)據(jù)線S1～Sm的數(shù)據(jù)線驅(qū)動部和測定流過數(shù)據(jù)線S1～Sm的電流的電流測定部。圖28是表示包含像素電路38及電流測定部142的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的電路圖。像素電路38的電路結(jié)構(gòu)與第三實施方式一樣(參照圖21)。在數(shù)據(jù)線Sj附近設(shè)置有控制黑電壓(用于顯示黑色的電壓)向數(shù)據(jù)線Sj的施加的開關(guān)SW0。在數(shù)據(jù)線Sj上設(shè)置有控制像素電路38－電流測定部142間的電連接的開關(guān)SW1。電流測定部142中包含運算放大器1421、電容器1422和開關(guān)SW2。運算放大器1421的反相輸入端子與數(shù)據(jù)線Sj連接，非反相輸入端子(同相輸入端子)與設(shè)置于源極驅(qū)動器14內(nèi)的D/A轉(zhuǎn)換器144的輸出端子連接。運算放大器1421的輸出端子與A/D轉(zhuǎn)換器15的輸入端子連接。電容器1422及開關(guān)SW2設(shè)置于運算放大器1421的輸出端子與數(shù)據(jù)線Sj之間。開關(guān)SW0、SW1、SW2的狀態(tài)分別由控制信號S0、S1、S2控制。如以上這樣，該電流測定部142由積分電路構(gòu)成。

＜5.2驅(qū)動方法＞

參照圖29，說明本實施方式中進行用于特性檢測的電流測定時的動作。電流測定如上所述在電源接通或電源切斷時進行。此外，典型的是在電源接通或電源切斷時集中對多行進行電流測定。圖29中，表示對多行進行電流測定的期間中的對第i行及第k行進行電流測定的期間的時序圖。此外，第i行和第k行可以是彼此相鄰的行，也可以是彼此分離的行。

到時刻t21時，掃描線GAi的電壓成為高電平。由此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，掃描線GBi的電壓為低電平，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。另外，控制信號S0、S1、S2分別成為低電平、高電平、高電平，因此，開關(guān)SW0、SW1、SW2分別成為截止狀態(tài)、導(dǎo)通狀態(tài)、導(dǎo)通狀態(tài)。另外，此時，從D/A轉(zhuǎn)換器144輸出測定用電壓。通過以上動作，對數(shù)據(jù)線Sj施加測定用電壓，基于該測定用電壓對電容器C1進行充電。此外，測定用電壓是TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。

到時刻t22時，掃描線GAi的電壓成為低電平，掃描線GBi的電壓成為高電平。因此，晶體管Q2成為截止狀態(tài)，晶體管Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，在施加TFT特性測定用電壓作為測定用電壓的情況下，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q3的電流流入數(shù)據(jù)線Sj，在施加OLED特性測定用電壓作為測定用電壓的情況下，從數(shù)據(jù)線Sj通過晶體管Q3和有機EL元件L1的電流向具有低電平電源電壓ELVSS的電極流動。

到時刻t23時，控制信號S2成為低電平。因此，開關(guān)SW2成為截止狀態(tài)。由此，由于電容器1422的存在，來自運算放大器1421的輸出電壓與流過數(shù)據(jù)線Sj的電流的大小相應(yīng)地變化。這樣，從時刻t23到開關(guān)S1成為截止狀態(tài)的時刻t24的期間中，進行電流測定。此外，來自運算放大器1421的輸出電壓被供給至A/D轉(zhuǎn)換器15。

到時刻t24時，掃描線GAi的電壓成為高電平。因此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，掃描線GBi的電壓維持在高電平。因此，晶體管Q3維持在導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在時刻t24，控制信號S0、S1、S2分別成為高電平、低電平、低電平。因此，開關(guān)SW0、SW1、SW2分別成為導(dǎo)通狀態(tài)、截止狀態(tài)、截止狀態(tài)。根據(jù)以上動作，數(shù)據(jù)線Sj被施加黑電壓，第i行的像素電路38中，進行基于黑電壓的寫入。此外，控制信號S1及控制信號S2維持低電平直到時刻t25。因此，從時刻t24到時刻t25的期間，開關(guān)SW1、SW2維持截止。由此，從時刻t24到時刻t25的期間中，運算放大器1421的輸出成為保持狀態(tài)，在A/D轉(zhuǎn)換器15中，進行基于時刻t23～時刻t24的電流測定的結(jié)果的AD轉(zhuǎn)換。這樣，在時刻t23～時刻t24進行電流測定，在時刻t24～時刻t25進行AD轉(zhuǎn)換。此外，通過進行基于黑電壓的寫入，可防止在非顯示期間中有機EL元件L1不必要地發(fā)光。

到時刻t26，掃描線GAi的電壓成為低電平，由此，晶體管Q2成為截止狀態(tài)后，向修正運算部17的傳送通過AD轉(zhuǎn)換得到的第i行的數(shù)據(jù)。第k行的電流測定在之后的控制信號S2從高電平變成低電平的時刻t28開始，因此，第i行的數(shù)據(jù)的傳送在直到時刻t28為止的期間進行。此外，該數(shù)據(jù)傳送是在AD轉(zhuǎn)換后儲存于緩存器的數(shù)據(jù)的傳送，例如能夠采用使用了I2C(Inter-Integrated Circuit：內(nèi)部集成電路)或SPI(Serial Peripheral Interface：串行外圍接口)等串行總線的公知的方法。

本實施方式中，使以上那樣的處理在電源接通或電源切斷時重復(fù)進行與進行電流測定的行的數(shù)量相等的次數(shù)。

接著，參照圖30說明在電源接通時集中對多行進行電流測定時的處理順序。此外，以下將集中對多行進行電流測定稱為“集中監(jiān)測”。將裝置的電源接通時(步驟S100)，從電源部19輸出集中監(jiān)測起始信號P_start(步驟S110)。顯示控制電路12接收到集中監(jiān)測起始信號P_start時，如上述(參照圖29)執(zhí)行集中監(jiān)測(步驟S120)。而且，基于通過集中監(jiān)測得到的電流測定值，進行存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部16的修正數(shù)據(jù)的更新(步驟S130)。然后，從顯示控制電路12對電源部19輸出表示集中監(jiān)測結(jié)束的監(jiān)測結(jié)束信號M_end(步驟S140)。由此，開始通常驅(qū)動(步驟S150)。

接著，參照圖31說明在電源切斷時進行集中監(jiān)測時的處理順序。當按下裝置的電源切斷按鈕時(步驟S200)，從電源部19輸出集中監(jiān)測起始信號P_start(步驟S210)。顯示控制電路12接收到集中監(jiān)測起始信號P_start時，如上述(參照圖29)執(zhí)行集中監(jiān)測(步驟S220)。而且，基于通過集中監(jiān)測得到的電流測定值，進行存儲于修正數(shù)據(jù)存儲部16的修正數(shù)據(jù)的更新(步驟S230)。然后，從顯示控制電路12對電源部19輸出表示集中監(jiān)測結(jié)束的監(jiān)測結(jié)束信號M_end(步驟S240)。由此，裝置的電源被切斷(步驟S250)。

＜5.3效果等＞

根據(jù)本實施方式，即使在與第四實施方式一樣未采用中止驅(qū)動的情況下，也能夠使用簡單的電路，測定像素電路的電流。另外，電流測定在電源接通或電源切斷時進行，因此，電流測定不會對顯示處理造成影響。因此，能夠完全不會對顯示圖像的畫質(zhì)造成影響地測定像素電路的電流。

＜6.變形例＞

＜6.1第一變形例＞

上述各實施方式中，顯示裝置中設(shè)置有具有測定從像素電路向監(jiān)測線M1～Mm或數(shù)據(jù)線S1～Sm輸出的電流的功能的源極驅(qū)動器。即，為了得到像素電路內(nèi)的電路元件(驅(qū)動晶體管Q1或有機EL元件L1)的特性而進行電流的測定。但是，本發(fā)明不限定于此，為了得到像素電路內(nèi)的電路元件的特性，也可以進行電壓的測定。在此，說明代替第三實施方式中的電流的測定而進行電壓的測定的例子。

圖32是表示本變形例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖32所示的顯示裝置5是在第三實施方式的顯示裝置3中將作為數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及電流測定電路發(fā)揮作用的源極驅(qū)動器34置換成作為數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及電壓測定電路發(fā)揮作用的源極驅(qū)動器44的裝置。源極驅(qū)動器44具有驅(qū)動數(shù)據(jù)線S1～Sm的功能和為了取得TFT特性或OLED特性而測定向像素電路18供給恒定電流時的數(shù)據(jù)線S1～Sm上的規(guī)定位置的電壓的功能。更詳細而言，源極驅(qū)動器44根據(jù)控制信號CS2，對數(shù)據(jù)線S1～Sm分別施加與視頻信號X2相應(yīng)的m個數(shù)據(jù)電壓。另外，源極驅(qū)動器44根據(jù)控制信號CS2，將m個測定用電壓分別施加到數(shù)據(jù)線S1～Sm后，測定向數(shù)據(jù)線S1～Sm供給恒定電流時在數(shù)據(jù)線S1～Sm上的規(guī)定位置分別表現(xiàn)出的m個電壓，并輸出測定得到的m個電壓。此外，像素電路38的電路結(jié)構(gòu)與第三實施方式一樣(參照圖21)。

在功能上，源極驅(qū)動器44包含驅(qū)動數(shù)據(jù)線S1～Sm的數(shù)據(jù)線驅(qū)動部和測定數(shù)據(jù)線S1～Sm上的規(guī)定位置的電壓的電壓測定部。本變形例中，如圖33所示，設(shè)置有用于切換將數(shù)據(jù)線Sj與數(shù)據(jù)線驅(qū)動部441連接的狀態(tài)和將數(shù)據(jù)線Sj與電壓測定部442連接的狀態(tài)的切換部443。而且，構(gòu)成為：基于從顯示控制電路12對切換部443供給的切換控制信號SW，將數(shù)據(jù)線驅(qū)動部441及電壓測定部442中的任一者與數(shù)據(jù)線Sj連接。

圖34是表示電壓測定部442的一結(jié)構(gòu)例的圖。如圖34所示，該電壓測定部442包含放大器4421和恒流源4422。這種結(jié)構(gòu)中，在利用恒流源4422將固定電流供給至數(shù)據(jù)線Sj的狀態(tài)下，將具有低電平電源電壓ELVSS的電極和節(jié)點4443之間的電壓利用放大器4421放大。而且，將放大后的電壓供給至A/D轉(zhuǎn)換器15。

圖35是本變形例的顯示裝置5的詳細的時序圖。本變形例和第三實施方式中，中止線期間內(nèi)的動作不同。以下，說明以圖35所示的時序驅(qū)動掃描線GAi、GBi和數(shù)據(jù)線Sj時的第i個中止線期間(電壓測定期間)內(nèi)的第i行j列像素電路38的動作。

在期間T1，掃描線GAi的電壓為高電平，掃描線GBi的電壓為低電平。因此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。此時，源極驅(qū)動器44對數(shù)據(jù)線Sj施加測定用電壓Vmg(i，j)。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Vmg(i，j)。測定用電壓Vmg(i，j)為TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。TFT特性測定用電壓是使晶體管Q1為導(dǎo)通狀態(tài)且電流不流入有機EL元件L1的電壓。OLED特性測定用電壓是使晶體管Q1為截止狀態(tài)的電壓。

在期間T2，掃描線GAi的電壓為低電平，掃描線GBi的電壓為高電平。因此，晶體管Q2成為截止狀態(tài)，晶體管Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。在該狀態(tài)下，向數(shù)據(jù)線Sj供給恒定電流I_FIX。恒定電流I_FIX在TFT特性測定時從像素電路38向源極驅(qū)動器44流動，在OLED特性測定時，從源極驅(qū)動器44向像素電路38流動。在期間T1對數(shù)據(jù)線Sj施加TFT特性測定用電壓的情況下，從具有高電平電源電壓ELVDD的電極通過晶體管Q1、Q3的電流流入數(shù)據(jù)線Sj。此時，在期間T1供給的TFT特性測定用電壓以滿足“TFT特性測定用電壓＜有機EL元件L1的閾值電壓+晶體管Q1的閾值電壓”的方式設(shè)定。通過像這樣設(shè)定，在TFT特性測定時，電流不會流入有機EL元件L1，能夠僅測定晶體管Q1的特性。在期間T1對數(shù)據(jù)線Sj施加OLED特性測定用電壓的情況下，從數(shù)據(jù)線Sj通過晶體管Q3和有機EL元件L1的電流向具有低電平電源電壓ELVSS的電極流動。此時，在期間T1供給的OLED特性測定用電壓以滿足“OLED特性測定用電壓＜有機EL元件L1的閾值電壓+晶體管Q1的閾值電壓”的方式設(shè)定。通過像這樣設(shè)定，在OLED特性測定時，晶體管Q1不會成為導(dǎo)通狀態(tài)，能夠僅測定有機EL元件L1的特性。源極驅(qū)動器44在期間T2中測定數(shù)據(jù)線Sj上的規(guī)定位置(圖34的節(jié)點4443)的電壓。

在期間T3，掃描線GAi的電壓為高電平，掃描線GBi的電壓為低電平。因此，晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3截止。此時，源極驅(qū)動器44對數(shù)據(jù)線Sj施加與視頻信號X2相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Dij。因此，晶體管Q1的柵極電壓成為Dij，有機EL元件L1以與數(shù)據(jù)電壓Dij相應(yīng)的亮度發(fā)光。

如以上那樣，即使在代替電流的測定而采用進行電壓的測定的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠取得TFT特性或OLED特性，并能夠基于該取得的信息進行視頻信號的修正等。

＜6.2第二變形例＞

第三實施方式中，將中止線期間(電流測定期間)內(nèi)的期間T2的長度固定設(shè)為前提，但本發(fā)明不限定于此。也能夠根據(jù)電流測定的對象或測定電流的預(yù)測值的電平變更上述期間T2的長度。以下說明關(guān)于第三實施方式使上述期間T2的長度可變更的結(jié)構(gòu)。

在功能上，源極驅(qū)動器14包含驅(qū)動數(shù)據(jù)線S1～Sm的數(shù)據(jù)線驅(qū)動部和測定流過數(shù)據(jù)線S1～Sm的電流的電流測定部。圖36是表示像素電路38及電流測定部142的結(jié)構(gòu)的電路圖。像素電路38的電路結(jié)構(gòu)與第三實施方式一樣(參照圖21)。電流測定部142包含運算放大器1421、電容器1422和開關(guān)1423。運算放大器1421的反相輸入端子與數(shù)據(jù)線Sj連接，非反相輸入端子在進行電流測定時被供給測定用電壓Vmg(i，j)。電容器1422及開關(guān)1423設(shè)置于運算放大器1421的輸出端子與數(shù)據(jù)線Sj之間。開關(guān)1423的狀態(tài)由控制時鐘信號Sclk控制。如以上那樣，該電流測定部142由積分電路構(gòu)成。在這種結(jié)構(gòu)中，首先，根據(jù)控制時鐘信號Sclk，將開關(guān)1423設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，運算放大器1421的輸出端子-反相輸入端子間成為短路狀態(tài)，運算放大器1421的輸出端子及數(shù)據(jù)線Sj的電壓與測定用電壓Vmg(i，j)相等。接著，根據(jù)控制時鐘信號Sclk，開關(guān)1423成為截止狀態(tài)。由此，由于電容器1422的存在，來自運算放大器1421的輸出電壓與數(shù)據(jù)線Sj中流動的電流的大小相應(yīng)地變化。來自運算放大器1421的輸出電壓被供給至A/D轉(zhuǎn)換器15。

對于電流測定，根據(jù)測定對象等的不同，有測定電流的預(yù)測值大時和測定電流的預(yù)測值小時。關(guān)于此，通過像例如圖37所示那樣對供給至電流測定部142內(nèi)的開關(guān)1423的控制時鐘信號Sclk進行控制并使積分時間(控制時鐘信號Sclk的無效(OFF)時間)的長度變化，能夠有效利用由A/D轉(zhuǎn)換器15進行的AD轉(zhuǎn)換的分辨率。具體而言，通過對控制時鐘信號Sclk進行控制，如圖38所示，在測定電流的預(yù)測值大時縮短積分時間，在測定電流的預(yù)測值小時增長積分時間。此外，圖38中，以標記TS1表示測定電流的預(yù)測值大時的積分時間，且以標記TS2表示測定電流的預(yù)測值小時的積分時間。

＜6.3第三變形例＞

上述各實施方式中，掃描線驅(qū)動電路設(shè)置于顯示部的一側(cè)，但本發(fā)明不限定于此。也可以采用將掃描線驅(qū)動電路設(shè)置于顯示部的兩側(cè)的結(jié)構(gòu)。在此說明關(guān)于第三實施方式將掃描線驅(qū)動電路設(shè)置于顯示部兩側(cè)的例子。

圖39是表示本變形例的顯示裝置6的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖39所示，本變形例中，在顯示部601的一側(cè)(圖39中，左側(cè))及顯示部601的另一側(cè)(圖39中，右側(cè))都設(shè)置有掃描線驅(qū)動電路。此外，對設(shè)置于顯示部601一側(cè)的掃描線驅(qū)動電路標注標記33o，對設(shè)置于顯示部601的另一側(cè)的掃描線驅(qū)動電路標注標記33e。第奇數(shù)行掃描線GA1、GB1、GA3、GB3、……、GAn-1、GBn-1與掃描線驅(qū)動電路33o連接，第偶數(shù)行掃描線GA2、GB2、GA4、GB4，……、GAn、GBn與掃描線驅(qū)動電路33e連接。

掃描線驅(qū)動電路33o、33e的結(jié)構(gòu)除了以下點以外，與圖22所示的結(jié)構(gòu)相同。本變形例中，對掃描線驅(qū)動電路33o內(nèi)的各單元電路進一步供給使能信號EN_o，對掃描線驅(qū)動電路33e內(nèi)的各單元電路進一步供給使能信號EN_e。

圖40是本變形例中的掃描線驅(qū)動電路33o內(nèi)的單元電路的電路圖。在設(shè)置于圖23所示的單元電路51的構(gòu)成要素的基礎(chǔ)上，還設(shè)置有晶體管Q21、Q22及使能端子EN_o。晶體管Q21的一個導(dǎo)通端子(圖40中，左側(cè)的端子)與晶體管Q16的源極端子及晶體管Q17的漏極端子連接。晶體管Q21的另一個導(dǎo)通端子(圖40中，右側(cè)的端子)與輸出端子Y2連接。晶體管Q21的柵極端子與使能端子EN_o連接。晶體管Q22的一個導(dǎo)通端子(圖40中，左側(cè)的端子)與晶體管Q19的源極端子及晶體管Q20的漏極端子連接。晶體管Q22的另一個導(dǎo)通端子(圖40中，右側(cè)的端子)與輸出端子Y3連接。晶體管Q22的柵極端子與使能端子EN_o連接。此外，掃描線驅(qū)動電路33e內(nèi)的單元電路中，設(shè)置使能端子EN_e代替圖40所示的使能端子EN_o。

接著，參照圖41說明本變形例的掃描線的驅(qū)動方法。圖41中表示第1～6行輸出信號Y1(Y1_1～Y1_6)、使能信號EN_o、使能信號EN_e及第1～6行輸出信號Y2(Y2_1～Y2_6)的波形。當使掃描線驅(qū)動電路33o、33e分別以與第三實施方式中的掃描線驅(qū)動電路33相同的方式進行動作時，如圖41中以標記85表示的部分那樣，輸出信號Y1(Y1_1～Y1_6)依次成為高電平各2行。在此，關(guān)于各輸出信號Y1(Y1_1～Y1_6)成為高電平的期間，如圖41中以標記86表示的部分那樣，在前半的期間令使能信號EN_o為高電平，在后半的期間令使能信號EN_e為高電平。于是，如圖41中以標記87表示的部分那樣，輸出信號Y2(Y2_1～Y2_6)從第1行依次成為高電平。根據(jù)以上，即使在將掃描線驅(qū)動電路設(shè)置于顯示部兩側(cè)的結(jié)構(gòu)中，也能夠依次驅(qū)動掃描線GA1～GAn各一行。關(guān)于掃描線GB1～GBn，也能夠根據(jù)使能信號EN_o、EN_e，僅使期望的掃描線GB為高電平。

根據(jù)本變形例，能夠容易地使顯示部601的左右兩側(cè)的邊緣的尺寸相同。

＜6.4第四變形例＞

作為用于對單元電路供給使能信號的結(jié)構(gòu)，可以考慮各種各樣的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用在緩存部的上一級設(shè)置使能電路的結(jié)構(gòu)(本變形例中的結(jié)構(gòu))。

圖42是本變形例中的單元電路81的主要部分的結(jié)構(gòu)的框圖。由圖42可知，本變形例中，在輸出輸出信號Y2的第一輸出緩存器813上連接有由使能信號ENA控制的第一使能電路811，且在輸出輸出信號Y3的第二輸出緩存器814上連接有由使能信號ENB控制的第二使能電路812。第一使能電路811及第二使能電路812經(jīng)由電容器(圖42中未圖示)與節(jié)點N1連接。

圖43是本變形例中的單元電路81的電路圖。如圖43所示，單元電路81包含：晶體管Q11～Q14、Q31～Q32；電容器C11；第一輸出緩存器813；及第二輸出緩存器814。晶體管Q11～Q14、Q31～Q32為N溝道型TFT。晶體管Q11的漏極端子及柵極端子與置位端子S連接。晶體管Q11的源極端子與晶體管Q12的漏極端子及晶體管Q13的柵極端子連接。晶體管Q13的漏極端子與時鐘端子CK連接。晶體管Q13的源極端子與晶體管Q14的漏極端子、輸出端子Y1、晶體管Q31的漏極端子及晶體管Q32的漏極端子連接。晶體管Q12、Q14的源極端子被施加低電平電壓VSS。晶體管Q12的柵極端子與復(fù)位端子R連接，晶體管Q14的柵極端子與時鐘端子CKB連接。電容器C11設(shè)置于晶體管Q13的柵極端子與源極端子之間。晶體管Q31的柵極端子與使能端子ENA連接，晶體管Q32的柵極端子與使能端子ENB連接。晶體管Q31的源極端子與第一輸出緩存器813的輸入端子連接，晶體管Q32的源極端子與第二輸出緩存器814的輸入端子連接。第一輸出緩存器813的輸出端子與輸出端子Y2連接，第二輸出緩存器814的輸出端子與輸出端子Y3連接。

在以上那樣的結(jié)構(gòu)中，在節(jié)點N1的電壓為高電平時，如果時鐘信號CK及使能信號ENA都成為高電平，則輸出信號Y2成為高電平。另外，在節(jié)點N1的電壓為高電平時，如果時鐘信號CK及使能信號ENB都成為高電平，則輸出信號Y3成為高電平。據(jù)此，通過與第三實施方式同樣地控制使能信號，即使在單元電路的結(jié)構(gòu)為圖43所示那樣的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠驅(qū)動掃描線GA1～GAn、GB1～GBn使得進行用于特性檢測的電流測定。

＜6.5第五變形例＞

上述各實施方式中，復(fù)位信號R僅用于使節(jié)點N1的電壓變成低電平。但是，本發(fā)明不限定于此，也可以除了節(jié)點N1的電壓之外，為了使從單元電路輸出的輸出信號的電壓變成低電平而使用復(fù)位信號R。以下，說明使用復(fù)位信號R使節(jié)點N1的電壓及輸出信號Y1～Y3的電壓變成低電平的結(jié)構(gòu)。

圖44是本變形例中的單元電路91的電路圖。第三實施方式(參照圖23)中，晶體管Q14、Q17及Q20的柵極端子與時鐘端子CKB連接，但在本變形例中，晶體管Q14、Q17及Q20的柵極端子與復(fù)位端子R連接。像這樣，除了晶體管Q12的柵極端子之外，還對晶體管Q14、Q17及Q20的柵極端子供給復(fù)位信號R。隨之，本變形例中，在單元電路91中未設(shè)置時鐘端子CKB。除了以上的點以外，與第三實施方式相同。

圖45是表示本變形例中的掃描線驅(qū)動電路33的結(jié)構(gòu)的框圖。與第三實施方式中的結(jié)構(gòu)(參照圖22)不同，未在各單元電路91中設(shè)置時鐘端子CKB。本變形例中，柵極時鐘GCK1被供給至第奇數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CK，柵極時鐘GCK2被供給至第偶數(shù)級的單元電路41的時鐘端子CK。

在以上那樣的結(jié)構(gòu)中，復(fù)位信號R成為高電平時，晶體管Q12、Q14、Q17及Q20成為導(dǎo)通狀態(tài)。通過晶體管Q12成為導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點N1的電壓成為低電平。通過晶體管Q14成為導(dǎo)通狀態(tài)，輸出信號Y1的電壓成為低電平。通過晶體管Q17成為導(dǎo)通狀態(tài)，輸出信號Y2的電壓成為低電平。通過晶體管Q20成為導(dǎo)通狀態(tài)，輸出信號Y3的電壓成為低電平。如以上這樣，也能夠使用復(fù)位信號R使節(jié)點N1的電壓及輸出信號Y1～Y3的電壓變成低電平。

＜6.6第六變形例＞

關(guān)于第四實施方式(參照圖26)，也能夠在進行電流測定之前使像素的顯示狀態(tài)為黑色顯示的狀態(tài)。圖46是用于說明本變形例中的驅(qū)動方法的時序圖。圖46中，從時刻t31到時刻t35的期間為特性檢測處理期間，時刻t31以前的期間及時刻t35以后的期間為通常動作期間。另外，從時刻t33到時刻t34的期間為電流測定期間。此外，關(guān)于通常動作期間的動作，與第四實施方式一樣，因此，省略說明。

在特性檢測處理期間中的時刻t31～時刻t32，掃描線GAi的電壓及掃描線GBi的電壓成為高電平。由此，第i行的像素電路38(參照圖21)中，晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，從源極驅(qū)動器14向數(shù)據(jù)線Sj供給黑電壓(用于顯示黑色的電壓)。這樣，在晶體管Q2、Q3成為導(dǎo)通狀態(tài)時，向第i行的像素電路38供給黑電壓，因此，第i行的像素的顯示狀態(tài)成為黑色顯示的狀態(tài)。此外，由時刻t31～時刻t32的期間實現(xiàn)像素復(fù)位期間。

在特性檢測處理期間中的時刻t32～時刻t33，掃描線GAi的電壓維持在高電平，掃描線GBi的電壓成為低電平。因此，晶體管Q2維持導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Q3成為截止狀態(tài)。此時，從源極驅(qū)動器14對數(shù)據(jù)線Sj供給測定用電壓?；谠摐y定用電壓，將電容器C1充電。此外，測定用電壓是TFT特性測定用電壓及OLED特性測定用電壓中的任一者。在特性檢測處理期間中的時刻t33以后的期間，進行與第四實施方式(參照圖26)中的時刻t12以后的期間相同的動作。

根據(jù)本變形例，在進行電流測定之前，使像素的顯示狀態(tài)為黑色顯示的狀態(tài)。由此，能夠去除進行電流測定之前的有機EL元件L1的發(fā)光狀態(tài)對電流測定的結(jié)果造成的影響。

＜6.7其它變形例＞

關(guān)于第一實施方式～第三實施方式的顯示裝置，能夠構(gòu)成以下的變形例。第一實施方式～第三實施方式的顯示裝置中，在中止期間內(nèi)設(shè)定1個電流測定期間，掃描線驅(qū)動電路13、33在中止期間內(nèi)選擇1條掃描線僅1次。也可以代替該情況，在變形例的顯示裝置中，在中止期間內(nèi)設(shè)定多個電流測定期間。在該情況下，掃描線驅(qū)動電路可以在中止期間內(nèi)多次選擇相同的掃描線，也可以在中止期間內(nèi)每一次選擇多個掃描線。另外，掃描線驅(qū)動電路未必需要在所有的中止期間選擇掃描線。另外，n個中止線期間可以設(shè)置于中止期間內(nèi)的任意位置。

另外，只要在不脫離本發(fā)明的宗旨，就可以使用具有相同功能的其它單元電路代替各實施方式中示出的單元電路。在單元電路不包含晶體管Q15的情況下，晶體管Q16的柵極端子與節(jié)點N1連接。在單元電路不含有晶體管Q18的情況下，晶體管Q19的柵極端子與節(jié)點N1連接。

＜7.總結(jié)＞

如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，能夠使用簡單的電路，在防止顯示圖像的畫質(zhì)降低的同時測定像素電路的電流。此外，將第一實施方式～第五實施方式及它們的變形例的顯示裝置的特征在不與其性質(zhì)相悖的前提下任意組合，能夠構(gòu)成具有多個實施方式或變形例的特征的顯示裝置。

此外，第一實施方式～第三實施方式的顯示裝置的驅(qū)動方法也可以如以下那樣表述。

＜第一實施方式＞

一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置是具有顯示部且具有驅(qū)動期間和中止期間的有源矩陣型顯示裝置，該顯示部包含多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線、多個監(jiān)測線和配置成二維狀的多個像素電路，該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

驅(qū)動上述多個掃描線的步驟；和

驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線，并測定從各像素電路輸出的電流的步驟，

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與上述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的控制端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；

讀出控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的監(jiān)測線與上述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于上述驅(qū)動晶體管的控制端子與一個導(dǎo)通端子之間，

在驅(qū)動上述多個掃描線的步驟中，在驅(qū)動期間，按每個線期間依次選擇上述多個掃描線，對選擇的掃描線施加選擇電平的掃描信號，在設(shè)定于中止期間內(nèi)的電流測定期間，對從上述多個掃描線中選擇的掃描線施加選擇電平的掃描信號，在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間，對上述多個掃描線施加非選擇電平的掃描信號，

在驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線并測定電流的步驟中，在驅(qū)動期間，按每個線期間對上述多個數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)電壓，在電流測定期間，一邊對上述多個數(shù)據(jù)線施加測定用電壓，一邊測定從與選擇的掃描線對應(yīng)設(shè)置的像素電路向上述多個監(jiān)測線輸出的電流，接著，對上述多個數(shù)據(jù)線施加與視頻信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

＜第二實施方式＞

一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置是具有顯示部且具有驅(qū)動期間和中止期間的有源矩陣型顯示裝置，該顯示部包含多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線和配置成二維狀的多個像素電路，該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

驅(qū)動上述多個掃描線的步驟；和

驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線，并測定從各像素電路輸出的電流的步驟，

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與上述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；

基準電壓施加晶體管，其設(shè)置于上述驅(qū)動晶體管的控制端子與具有基準電壓的配線之間且具有與對應(yīng)的掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于上述驅(qū)動晶體管的控制端子與一個導(dǎo)通端子之間，

在驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線并測定電流的步驟中，在驅(qū)動期間，按每個線期間對上述多個數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)電壓，在電流測定期間，一邊對上述多個數(shù)據(jù)線施加測定用電壓，一邊測定從與選擇的掃描線對應(yīng)設(shè)置的像素電路向上述多個數(shù)據(jù)線輸出的電流，接著，對上述多個數(shù)據(jù)線施加與視頻信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

＜第三實施方式＞

一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置是具有顯示部且具有驅(qū)動期間和中止期間的有源矩陣型顯示裝置，該顯示部包含多個第一掃描線、多個第二掃描線、多個數(shù)據(jù)線和配置成二維狀的多個像素電路，該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

驅(qū)動上述多個掃描線的步驟；和

驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線，并測定從各像素電路輸出的電流的步驟，

各像素電路包含：

電光學(xué)元件；

驅(qū)動晶體管，其與上述電光學(xué)元件串聯(lián)地設(shè)置；

寫入控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的控制端子之間且具有與對應(yīng)的第一掃描線連接的控制端子；

讀出控制晶體管，其設(shè)置于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的一個導(dǎo)通端子之間且具有與對應(yīng)的第二掃描線連接的控制端子；和

電容器，其設(shè)置于上述驅(qū)動晶體管的控制端子與另一個導(dǎo)通端子之間，

在驅(qū)動上述多個掃描線的步驟中，在驅(qū)動期間，按每個線期間依次選擇上述多個掃描線，對選擇的掃描線施加選擇電平的掃描信號，在設(shè)定于中止期間內(nèi)的電流測定期間內(nèi)，依次設(shè)定第一期間、第二期間及第三期間，對從上述多個掃描線中選擇的掃描線，在上述第一期間及上述第三期間施加選擇電平的掃描信號，在上述第二期間施加非選擇電平的掃描信號，在中止期間內(nèi)的電流測定期間以外的期間對上述多個掃描線施加非選擇電平的掃描信號，

在驅(qū)動上述多個數(shù)據(jù)線并測定電流的步驟中，在驅(qū)動期間，按每個線期間對上述多個數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)電壓，在上述第一期間，對上述多個數(shù)據(jù)線施加測定用電壓，在上述第二期間測定從與選擇的掃描線對應(yīng)設(shè)置的像素電路向上述多個數(shù)據(jù)線輸出的電流，在上述第三期間對上述多個數(shù)據(jù)線施加與視頻信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。

附圖標記說明

1、2、3、4、5、6……顯示裝置

11、21、31、601……顯示部

12……顯示控制電路

13、33、33a、33b……掃描線驅(qū)動電路

14、44……源極驅(qū)動器

15……A/D轉(zhuǎn)換器

16、26……修正數(shù)據(jù)存儲部

17、27……修正運算部

18、28、38……像素電路

19……電源部

41、51、81、91……單元電路