技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法，且更具體地說(shuō)，涉及顯示裝置的使用氧化物晶體管的移位寄存器。

背景技術(shù)：

平板顯示裝置包括使用液晶的液晶顯示(LCD)裝置、使用發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、使用電泳顆粒的電泳顯示(EPD)裝置等。

平板顯示裝置包括：通過(guò)包含像素的像素陣列來(lái)顯示圖像的顯示面板，每個(gè)像素獨(dú)立地由薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動(dòng)；用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的面板驅(qū)動(dòng)器；及用于控制面板驅(qū)動(dòng)器的時(shí)序控制器。面板驅(qū)動(dòng)器包括用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的柵極線的柵極驅(qū)動(dòng)器和用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。

柵極驅(qū)動(dòng)器包括移位寄存器，移位寄存器輸出用于獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)顯示面板的柵極線的掃描脈沖。移位寄存器通常包括相關(guān)地連接至彼此的多個(gè)級(jí)。每個(gè)級(jí)包括多個(gè)TFT。每個(gè)級(jí)的輸出作為掃描脈沖被提供至每條柵極線，同時(shí)被提供作為用于控制另一級(jí)的進(jìn)位信號(hào)。近來(lái)，主要通過(guò)利用面板內(nèi)柵極(GIP)技術(shù)在形成像素陣列的TFT陣列時(shí)一體地形成柵極驅(qū)動(dòng)器。

氧化物半導(dǎo)體TFT(下文中，稱(chēng)為氧化物TFT)近來(lái)作為包括在顯示面板中的TFT成為焦點(diǎn)，因?yàn)檠趸颰FT具有比非晶硅TFT高的遷移率且能夠在比多晶硅TFT低的溫度下制造。因此，這樣的包括氧化物半導(dǎo)體TFT的顯示面板適合大規(guī)模應(yīng)用。然而，氧化物TFT對(duì)光敏感，因此當(dāng)暴露于光時(shí)，裝置特性可能會(huì)發(fā)送改變。

圖1是圖解閾值電壓隨一般的N型氧化物TFT的光照時(shí)間的可變特性的電壓-電流曲線圖。

參照?qǐng)D1，當(dāng)用光照射有源層時(shí)，氧化物有源層劣化，由此，N型氧化物TFT的閾值電壓Vth偏移到負(fù)值。隨著光照繼續(xù)，氧化物有源層進(jìn)一步劣化，并且閾值電壓Vth進(jìn)一步沿負(fù)方向偏移，如圖1所示。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，盡管施加截止電壓(off-voltage)作為主要用作移位寄存器的N型氧化物TFT的柵極電壓，但柵極電壓不低于施加至源極的低電壓。在將截止電壓施加至氧化物TFT的柵極時(shí)，氧化物TFT在邏輯上應(yīng)截止。然而，由于N型氧化物TFT的閾值電壓因光劣化而沿負(fù)方向偏移，導(dǎo)致因?yàn)闁艠O和源極之間的電壓Vgs大于0V(Vgs>0V)而流動(dòng)的漏電流增加，由此，移位寄存器可能不輸出正常波形。

例如，當(dāng)閾值電壓因N型氧化物TFT的光劣化而沿負(fù)方向偏移時(shí)，用于控制上拉TFT的節(jié)點(diǎn)控制部產(chǎn)生漏電流，由此，控制節(jié)點(diǎn)的電壓失真。因此，可能產(chǎn)生諸如由上拉TFT輸出的掃描脈沖的波形失真或掃描脈沖的輸出不均勻之類(lèi)的輸出故障。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的顯示裝置及其移位寄存器。

本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種顯示裝置，其包括具有提高的輸出性能和/或輸出穩(wěn)定性的移位寄存器。

本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)的一部分將在下面的描述中列出，這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)的一部分在研究下文之后，對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得顯而易見(jiàn)，或可以通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施而獲悉。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

為了獲得這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和概括描述的，一種移位寄存器，所述移位寄存器包括多個(gè)級(jí)，其中每一級(jí)包括：第一輸出部，所述第一輸出部包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第一上拉晶體管響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)輸出多個(gè)時(shí)鐘中的相應(yīng)時(shí)鐘作為掃描信號(hào)，所述第一下拉晶體管響應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)輸出第一低電壓作為掃描信號(hào)；節(jié)點(diǎn)控制部，所述節(jié)點(diǎn)控制部包括用于控制所述第一節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)和所述第二節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)的多個(gè)晶體管；至少兩個(gè)遮光層，所述遮光層通過(guò)將所述晶體管劃分為至少兩個(gè)區(qū)域而與相應(yīng)級(jí)的晶體管分別地交疊；和連接晶體管，所述連接晶體管選擇性地向所述至少兩個(gè)遮光層中的與所述第一上拉晶體管交疊的第一遮光層施加電壓，以使得所述第一遮光層浮置。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述連接晶體管包括施加控制信號(hào)的柵極、施加電壓的第一電極和電連接至所述第一遮光層的第二電極；并且施加所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓作為所述控制信號(hào)，并且所述掃描信號(hào)、所述相應(yīng)時(shí)鐘、進(jìn)位信號(hào)和外部AC電壓的其中之一被施加至所述第一電極，或者以幀為單位周期性地或非周期性地施加脈沖信號(hào)作為所述控制信號(hào)，并且包括施加至相應(yīng)級(jí)的第一低電壓在內(nèi)的多個(gè)低電壓之一被施加至所述第一電極；并且在向所述第一電極施加所述進(jìn)位信號(hào)時(shí)，相應(yīng)級(jí)進(jìn)一步包括第二輸出部，所述第二輸出部包括第二上拉晶體管，所述第二上拉晶體管響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)而輸出與所述相應(yīng)時(shí)鐘相同或不同的進(jìn)位時(shí)鐘作為所述進(jìn)位信號(hào)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述第二輸出部還包括第二下拉晶體管，所述第二下拉晶體管響應(yīng)于所述第二節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)而輸出所述多個(gè)低電壓中的第二低電壓作為所述進(jìn)位信號(hào)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述遮光層包括：施加多個(gè)低電壓之一的所述第一遮光層和第二遮光層，或者施加所述掃描信號(hào)或所述進(jìn)位信號(hào)的所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述節(jié)點(diǎn)控制部包括：置位部，所述置位部響應(yīng)于第一控制端子的邏輯狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)設(shè)置為所述置位部的電壓；復(fù)位部，所述復(fù)位部響應(yīng)于第二控制端子的邏輯狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)復(fù)位為所述第一低電壓或所述第二低電壓；噪聲清除器，所述噪聲清除器響應(yīng)于所述第二節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)復(fù)位為所述第二低電壓；和逆變器，所述逆變器響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將所述逆變器的與所述第一節(jié)點(diǎn)具有相反邏輯狀態(tài)的高電壓或低電壓輸出至所述第二節(jié)點(diǎn)，并且其中，所述第一控制端子被提供起始脈沖、或者從在前級(jí)之一輸出的在前掃描信號(hào)或在前進(jìn)位信號(hào)；所述置位部被提供高電壓、所述在前掃描信號(hào)或所述在前進(jìn)位信號(hào)；并且所述第二控制端子被提供復(fù)位脈沖、或者從在后級(jí)之一輸出的在后掃描信號(hào)或在后進(jìn)位信號(hào)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述噪聲清除器包括：第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管彼此串聯(lián)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二低電壓的供應(yīng)線之間以根據(jù)所述第二節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)復(fù)位為所述第二低電壓；和第三晶體管，所述第三晶體管根據(jù)所述第一節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將高電平的偏移電壓提供至位于所述第一晶體管與所述第二晶體管之間的連接節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，在所述遮光層包括所述第一遮光層和第二遮光層時(shí)，所述第一遮光層與所述第一上拉晶體管、所述第二上拉晶體管、所述置位部和在所述逆變器中連接至所述逆變器的高電壓的晶體管交疊，并且與所述連接晶體管交疊或非交疊，并且所述第二遮光層在每一級(jí)中與除了與所述第一遮光層交疊的晶體管之外的其它晶體管交疊，或者所述第一遮光層與所述第一上拉晶體管和所述第二上拉晶體管交疊，并且與所述連接晶體管交疊或非交疊，并且所述第二遮光層在每一級(jí)中與除了與所述第一遮光層交疊的晶體管之外的其它晶體管交疊；或者所述第一遮光層與所述第一上拉晶體管交疊，并且與所述連接晶體管交疊或非交疊，并且所述第二遮光層在每一級(jí)中與除了所述第一上拉晶體管之外的其它晶體管交疊。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，在所述遮光層包括所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層時(shí)，所述第一遮光層與所述第一上拉晶體管交疊；所述第二遮光層與所述復(fù)位部、所述第一下拉晶體管、所述第二下拉晶體管以及所述噪聲清除器的第一晶體管和第二晶體管交疊；所述第三遮光層與所述置位部交疊；所述第二上拉晶體管與所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層的其中之一交疊；在所述逆變器中連接至所述逆變器的高電壓的晶體管與所述第二遮光層和第三遮光層之一交疊，并且在所述逆變器中連接至所述逆變器的低電壓的晶體管與所述第二遮光層和第三遮光層之一交疊；所述噪聲清除器的第三晶體管與所述第二遮光層和第三遮光層之一交疊；并且所述連接晶體管與所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層的其中之一交疊。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述遮光層包括：所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層；以及第四遮光層，所述第四遮光層與所述置位部交疊且被施加所述掃描信號(hào)、進(jìn)位信號(hào)和在前掃描信號(hào)、在前進(jìn)位信號(hào)以及所述多個(gè)低電壓之一的其中之一；并且其中所述第一遮光層與所述第一上拉晶體管交疊；所述第二遮光層與所述復(fù)位部、所述第一下拉晶體管、所述第二下拉晶體管以及所述噪聲清除器的第一晶體管和所述第二晶體管交疊；所述第二上拉晶體管與所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層的其中之一交疊；連接至所述逆變器的高電壓的晶體管與所述第二遮光層和第三遮光層之一交疊，并且連接至所述逆變器的低電壓的晶體管與所述第二遮光層和第三遮光層之一交疊；所述噪聲清除器的所述第三晶體管與所述第二遮光層和所述第三遮光層之一交疊；所述連接晶體管與所述第一遮光層、第二遮光層、第三遮光層和第四遮光層的其中之一交疊；并且被施加所述掃描信號(hào)或進(jìn)位信號(hào)的所述第四遮光層通過(guò)直接連接或間接連接而電連接至所述第三遮光層；或者被施加所述多個(gè)低電壓之一的所述第四遮光層通過(guò)直接連接或間接連接而電連接至所述第二遮光層。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述置位部包括第一置位晶體管和第二置位晶體管，所述第一置位晶體管和所述第二置位晶體管串聯(lián)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述置位部的電壓供應(yīng)線之間并由所述第一控制端子控制；所述復(fù)位部包括第一復(fù)位晶體管和第二復(fù)位晶體管，所述第一復(fù)位晶體管和所述第二復(fù)位晶體管串聯(lián)連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第一低電壓或第二低電壓的供應(yīng)線之間并由所述第二控制端子控制；并且所述第一置位晶體管與所述第二置位晶體管之間的連接節(jié)點(diǎn)和所述第一復(fù)位晶體管與所述第二復(fù)位晶體管之間的連接節(jié)點(diǎn)電連接至位于所述噪聲清除器的第一晶體管與第二晶體管之間的連接節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括嵌入在顯示面板的非顯示區(qū)域中的柵極驅(qū)動(dòng)器，所述柵極驅(qū)動(dòng)器包括如上所述的移位寄存器，所述移位寄存器用于獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)所述顯示面板的柵極線。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，所述移位寄存器的每一級(jí)中包括的晶體管的至少之一為氧化物晶體管。

應(yīng)該理解的是，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

被包括來(lái)給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在本申請(qǐng)中組成本申請(qǐng)一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是示出閾值電壓隨一般的氧化物TFT的光照時(shí)間的可變特性的曲線圖；

圖2是示意性地圖解根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造的框圖；

圖3是圖解應(yīng)用于圖2中所示的顯示面板的LCD子像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖4是圖解應(yīng)用于圖2中所示的顯示面板的OLED子像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖5是示意性地圖解用作圖2中所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的移位寄存器的框圖；

圖6是圖解圖5中所示的每一級(jí)中的輸出部的基本構(gòu)造的電路圖；

圖7A至圖7C是示意性地圖解圖5中所示的遮光層的實(shí)例的視圖；

圖8是圖解圖7A中所示的輸出部的TFT結(jié)構(gòu)的截面圖；

圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖13是圖解根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖14是圖解根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖15是圖解根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖16是圖解根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖17是圖解根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖18是圖解根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；

圖19是圖解根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖；以及

圖20是圖解根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的具有嵌入其中的移位寄存器的顯示裝置的構(gòu)造的框圖。圖3和圖4是分別圖解應(yīng)用于圖2中所示的顯示裝置的LCD子像素和OLED子像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。

圖2中所示的顯示裝置包括顯示面板30、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20、時(shí)序控制器10、伽馬電壓產(chǎn)生器60和電源(未示出)，顯示面板30包括像素陣列50和柵極驅(qū)動(dòng)器40。

時(shí)序控制器10接收從主機(jī)(host set)提供的圖像數(shù)據(jù)VD和時(shí)序控制信號(hào)TCS。時(shí)序控制器10利用各種數(shù)據(jù)處理方法調(diào)制圖像數(shù)據(jù)VD并將調(diào)制后的圖像數(shù)據(jù)VDm輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20。

時(shí)序控制器10利用時(shí)序控制信號(hào)TCS產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20的操作時(shí)序的數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS，以及用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器40的操作時(shí)序的柵極控制信號(hào)GCS。時(shí)序控制器10將數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS和柵極控制信號(hào)GCS分別提供至對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器。時(shí)序控制信號(hào)TCS包括點(diǎn)時(shí)鐘和數(shù)據(jù)使能信號(hào)。時(shí)序控制信號(hào)TCS可進(jìn)一步包括水平同步信號(hào)和垂直同步信號(hào)。數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS包括用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20中的調(diào)制后圖像數(shù)據(jù)VDm的鎖存時(shí)序的源極起始脈沖和源極移位時(shí)鐘、用于控制圖像數(shù)據(jù)信號(hào)VDa的輸出周期的源極輸出使能信號(hào)等。柵極控制信號(hào)包括控制柵極驅(qū)動(dòng)器40的操作時(shí)間點(diǎn)的柵極起始脈沖以及被用作輸出信號(hào)或移位控制信號(hào)的柵極時(shí)鐘等。

可進(jìn)一步在時(shí)序控制器10和柵極驅(qū)動(dòng)器40之間設(shè)置電平移位器(未示出)。電平移位器可嵌入電源中。電平移位器將來(lái)自時(shí)序控制器10的柵極控制信號(hào)GCS(即，柵極起始脈沖和柵極時(shí)鐘的晶體管-晶體管電平(TTL)電壓)電平移位為用于驅(qū)動(dòng)像素陣列50的TFT的柵極導(dǎo)通電壓(柵極高電壓)和柵極截止電壓(柵極低電壓)，然后將柵極導(dǎo)通電壓和柵極截止電壓提供至柵極驅(qū)動(dòng)器40。

來(lái)自時(shí)序控制器10的數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS和調(diào)制后圖像數(shù)據(jù)VDm被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20根據(jù)數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS被驅(qū)動(dòng)。在從伽馬電壓產(chǎn)生器60提供的一組基準(zhǔn)伽馬電壓被分別細(xì)分成對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的灰度級(jí)值的灰度級(jí)電壓之后，數(shù)字圖像數(shù)據(jù)VDm利用細(xì)分的灰度級(jí)電壓被分別轉(zhuǎn)換為模擬圖像數(shù)據(jù)信號(hào)VDa。模擬圖像數(shù)據(jù)信號(hào)VDa被分別提供至顯示面板30的數(shù)據(jù)線。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20包括分區(qū)地驅(qū)動(dòng)顯示面板30的數(shù)據(jù)線的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC。在將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC安裝在諸如載帶封裝(TCP)、覆晶薄膜(COF)、柔性印刷電路(FPC)等的電路膜上之后，每個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC可通過(guò)帶式自動(dòng)接合(TAB)貼附至顯示面板30或者可按照玻上芯片方式安裝在顯示面板30上。

顯示面板30通過(guò)其中像素布置成矩陣的像素陣列50來(lái)顯示圖像。像素陣列50的每個(gè)像素通常利用紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)期望的顏色?？蛇M(jìn)一步提供白色子像素以提高亮度。每個(gè)子像素由TFT獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)?？墒褂梅蔷Ч?a-Si)TFT、多晶硅(poly-Si)TFT、氧化物TFT或有機(jī)TFT作為T(mén)FT，但在所示實(shí)施方式中使用氧化物TFT。可使用LCD面板、OLED顯示面板或EPD面板作為顯示面板30。

例如，當(dāng)顯示面板30為L(zhǎng)CD面板時(shí)，如圖3所示，每個(gè)子像素SP包括連接至一條柵極線G和一條數(shù)據(jù)線D的TFT、在TFT與公共電極之間并行布置的液晶電容器Clc和存儲(chǔ)電容器Cst。液晶電容器Clc充入在通過(guò)TFT提供至像素電極的數(shù)據(jù)信號(hào)與提供至公共電極的公共電壓Vcom之間的差值電壓。液晶電容器Clc根據(jù)充入的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶，并且光透射的量由充入的電壓來(lái)控制。存儲(chǔ)電容器Cst用來(lái)穩(wěn)定地保持液晶電容器Clc的充電電壓。

另一方面，當(dāng)顯示面板30為OLED面板時(shí)，如圖4所示，每個(gè)子像素包括連接在高電壓線EVDD和低電壓線EVSS之間的OLED裝置、用于獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每個(gè)OLED的第一開(kāi)關(guān)TFT ST1和第二開(kāi)關(guān)TFT ST2、以及包括驅(qū)動(dòng)TFT DT和存儲(chǔ)電容器Cst的像素電路。

每個(gè)OLED裝置包括連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的陽(yáng)極、連接至低電壓線EVSS的陰極、和設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間的發(fā)光層。每個(gè)OLED產(chǎn)生與從驅(qū)動(dòng)TFT DT提供的電流量成比例的光。

第一開(kāi)關(guān)TFT ST1由一條柵極線Ga的柵極信號(hào)驅(qū)動(dòng)以將來(lái)自對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)電壓提供至驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極節(jié)點(diǎn)。第二開(kāi)關(guān)TFT ST2由另一條柵極線Gb的柵極信號(hào)驅(qū)動(dòng)以將來(lái)自基準(zhǔn)線R的基準(zhǔn)電壓提供至源極節(jié)點(diǎn)。在感測(cè)模式中，第二開(kāi)關(guān)TFT ST2還被用作電流從驅(qū)動(dòng)TFT DT至基準(zhǔn)線R的輸出路徑。

連接在驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極節(jié)點(diǎn)和源極節(jié)點(diǎn)之間的存儲(chǔ)電容器Cst由通過(guò)第一開(kāi)關(guān)TFT ST1提供至柵極節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)電壓和通過(guò)第二開(kāi)關(guān)TFT ST2提供至源極節(jié)點(diǎn)的基準(zhǔn)電壓之間的電壓差充電，該電壓差接著被提供作為驅(qū)動(dòng)TFT DT的驅(qū)動(dòng)電壓。

驅(qū)動(dòng)TFT DT將從高電壓線EVDD提供的、與從存儲(chǔ)電容器Cst提供的驅(qū)動(dòng)電壓成比例的電流量提供至OLED裝置以發(fā)射光。

柵極驅(qū)動(dòng)器40嵌入在顯示面板30的非顯示區(qū)域中而具有GIP類(lèi)型。當(dāng)像素陣列50的TFT陣列形成于基板上時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器40包括形成于基板上的多個(gè)氧化物TFT。柵極驅(qū)動(dòng)器40包括移位寄存器，移位寄存器響應(yīng)于來(lái)自時(shí)序控制器10的柵極控制信號(hào)GCS以依次或按交錯(cuò)方式獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)像素陣列50的柵極線G。來(lái)自時(shí)序控制器10的柵極控制信號(hào)GCS可被提供至柵極驅(qū)動(dòng)器40。另一方面，來(lái)自時(shí)序控制器10的柵極控制信號(hào)GCS可通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器20被提供至柵極驅(qū)動(dòng)器40。在每條柵極線G的操作周期期間，柵極驅(qū)動(dòng)器40將柵極導(dǎo)通電壓的掃描脈沖提供至對(duì)應(yīng)的柵極線G以使其處于使能狀態(tài)。在除操作周期之外的其余周期期間，柵極驅(qū)動(dòng)器40將柵極截止電壓提供至對(duì)應(yīng)的柵極線G以使其處于禁能狀態(tài)。嵌入的柵極驅(qū)動(dòng)器40可形成于周邊區(qū)域的一側(cè)處或形成于周邊區(qū)域的兩側(cè)。

柵極驅(qū)動(dòng)器40的移位寄存器包括遮光層，遮光層與氧化物有源層交疊以吸收外部和內(nèi)部的光，這樣，可減少或防止氧化物TFT由于暴露于光而發(fā)生的劣化。特別地，移位寄存器的每一級(jí)進(jìn)一步包括連接TFT，連接TFT在具體的時(shí)間段期間將電壓施加至與輸出TFT交疊的遮光層，從而使遮光層選擇性地處于電浮置狀態(tài)。結(jié)果，可減少由遮光層導(dǎo)致的時(shí)鐘負(fù)載，并且可通過(guò)限制電壓損耗而改善輸出特性。此外，每一級(jí)的遮光層可被劃分為被施加不同電壓的多個(gè)區(qū)域，從而可逐區(qū)域地根據(jù)TFT的期望功能來(lái)控制它們的特性。

圖5是示意性地圖解圖2中所示的柵極驅(qū)動(dòng)器中使用的移位寄存器的框圖。圖6是圖解圖5中所示的每一級(jí)中的輸出部的基本構(gòu)造的電路圖。圖7A至圖7C是示意性地圖解圖5中所示的遮光層的實(shí)例的視圖。

圖5中所示的移位寄存器包括TFT部TFTs和配線部VLs，TFT部TFTs包括用于將掃描輸出OUT1至OUTn獨(dú)立地提供至多條柵極線的多個(gè)級(jí)ST1至STn。配線部VLs包括用于提供多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的多條時(shí)鐘線CLs和用于提供多個(gè)電源電壓的多條電源線PLs。

下文中，“在前級(jí)”表示在用來(lái)輸出掃描脈沖的對(duì)應(yīng)級(jí)之前被驅(qū)動(dòng)的級(jí)中的至少一個(gè)級(jí)，“在后級(jí)”表示在用來(lái)輸出掃描脈沖的對(duì)應(yīng)級(jí)之后被驅(qū)動(dòng)的級(jí)中的至少一個(gè)級(jí)。

各自具有不同相位的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)通過(guò)時(shí)鐘線CLs被提供至移位寄存器。由于時(shí)鐘信號(hào)循環(huán)，因此時(shí)鐘信號(hào)的至少之一被提供至每一級(jí)。

級(jí)ST1至STn的每一個(gè)被依次驅(qū)動(dòng)以將相應(yīng)時(shí)鐘作為掃描輸出OUT提供至對(duì)應(yīng)的柵極線并作為用于控制在前級(jí)或在后級(jí)的至少之一的進(jìn)位信號(hào)。起始脈沖替代來(lái)自在前級(jí)的進(jìn)位信號(hào)被提供至第一級(jí)ST1。復(fù)位脈沖替代來(lái)自在后級(jí)的進(jìn)位信號(hào)可被提供至最后一級(jí)STn。

構(gòu)成TFT部TFTs的級(jí)ST1至STn的每一個(gè)包括多個(gè)氧化物TFT和至少一個(gè)遮光層LS，遮光層LS與設(shè)置在TFT部TFTs下方的氧化物有源層交疊以減少或防止氧化物有源層因暴露于光而劣化。

參照?qǐng)D6，每一級(jí)ST進(jìn)一步包括連接TFT Tcn，連接TFT Tcn用于在具體周期期間將電壓施加至與輸出部的上拉TFT Tu交疊的遮光層LS，以使遮光層LS選擇性地浮置。連接TFT Tcn在具體周期期間響應(yīng)于控制信號(hào)V1并將電壓V2施加至遮光層LS。

例如，連接TFT Tcn響應(yīng)于控制信號(hào)V1，隨后上拉TFT Tu在導(dǎo)通周期期間被導(dǎo)通，如此，電壓V2被施加至遮光層LS。在除導(dǎo)通周期之外的周期期間，上拉TFT Tu使遮光層LS浮置。連接TFT Tcn的控制信號(hào)V1可以是用于控制上拉TFT Tu的控制節(jié)點(diǎn)(下文中，稱(chēng)為Q節(jié)點(diǎn))電壓或其他控制信號(hào)，比如，施加至每一幀的起始脈沖或復(fù)位脈沖。使用上拉TFT Tu的輸出電壓OUT、施加至上拉TFT Tu的輸出時(shí)鐘CLKn、進(jìn)位輸出、或具有兩個(gè)或更多個(gè)相位的外部AC電壓的其中之一，作為通過(guò)連接TFT Tcn施加至遮光層LS的電壓V2。

因此，可減少由上拉TFT Tu的遮光層LS的選擇性浮置導(dǎo)致的時(shí)鐘負(fù)載。此外，遮光層LS的電壓被周期性地復(fù)位，由此，可減少或防止電壓損耗或波動(dòng)。結(jié)果，可改善輸出特性。

參照?qǐng)D7A、7B和7C，每一級(jí)STi包括與TFT部TFTs中的上拉TFT Tu和連接TFT Tcn的至少一部分交疊的至少一個(gè)遮光層LSa、LSb1、LSb2、LSc1和LSc2。每個(gè)遮光層LSa、LSb1、LSb2、LSc1和LSc2設(shè)置在TFT Tu或Tcn上方或下方，并與包括TFT Tu或Tcn的層分離開(kāi)。

如圖7A所示，每一級(jí)STi的上拉TFT Tu和連接TFT Tcn可共用遮光層LSa。如圖7B所示，與上拉TFT Tu交疊的遮光層LSb1和與連接TFT Tcn交疊的遮光層LSb2可分離開(kāi)。如圖7C所示，與上拉TFT Tu交疊的遮光層LSc1和與連接TFT Tcn交疊的遮光層LSc2分離開(kāi)，但遮光層LSc1可共用另一級(jí)且遮光層LSc2可共用另一級(jí)。

圖8是圖解圖7A中所示的上拉TFT和連接TFT Tcn的結(jié)構(gòu)的截面圖。

參照?qǐng)D8，上拉TFT Tu和連接TFT Tcn共用位于基板100上的遮光層LS、覆蓋基板100上的遮光層LS的緩沖層102、位于緩沖層102上的層間電介質(zhì)層122和位于層間介電層122上的鈍化層128。

上拉TFT Tu包括位于緩沖層102上的有源層110、堆疊在有源層110上的柵極電介質(zhì)層118和柵極120、以及通過(guò)穿過(guò)覆蓋柵極電介質(zhì)層118和柵極120的層間電介質(zhì)層122的接觸孔CH11和CH12分別連接至有源層110的源極區(qū)域114和漏極區(qū)域116的源極124和漏極126。有源層110包括：與柵極120交疊的溝道區(qū)域112，其中柵極電介質(zhì)層118插入在溝道區(qū)域112與柵極120之間；以及用于歐姆接觸源極124和漏極126的導(dǎo)電源極區(qū)域114和漏極區(qū)域116。

連接TFT Tcn包括位于緩沖層102上的有源層210、位于有源層210上的柵極電介質(zhì)層218和柵極220、以及通過(guò)穿過(guò)覆蓋柵極電介質(zhì)層218和柵極220的層間電介質(zhì)層122的接觸孔CH21和CH22分別連接至有源層210的源極區(qū)域214和漏極區(qū)域216的源極224和漏極226。特別地，漏極226通過(guò)穿過(guò)層間電介質(zhì)層122和緩沖層102的接觸孔CH3連接至遮光層LS。有源層210包括溝道區(qū)域212、以及用于歐姆接觸源極224和漏極226的導(dǎo)電源極區(qū)域214和漏極區(qū)域216。

遮光層LS由不透明金屬或半導(dǎo)體形成。遮光層LS吸收外部和內(nèi)部的光，這樣，可減少或防止光引入到由氧化物半導(dǎo)體形成的有源層110和210。由上拉TFT Tu和連接TFT Tcn共用的遮光層LS根據(jù)連接TFT Tcn的控制而選擇性地浮置。

下文中，將描述圖8中所示的包括TFT Tu和Tcn的氧化物TFT的制造方法。

使用第一掩模工藝在基板100上形成遮光層LS。在將遮光材料涂覆在基板100的頂表面上之后，通過(guò)使用第一掩模執(zhí)行包括光刻工藝和蝕刻工藝的圖案化工藝對(duì)遮光材料進(jìn)行圖案化，如此，在基板100的一個(gè)區(qū)域中形成遮光層LS。遮光層LS由金屬或半導(dǎo)體形成為不透明薄膜。

通過(guò)第二掩模工藝形成緩沖層102以及位于緩沖層102上的有源層110和210。將緩沖層102涂覆在形成有遮光層LS的基板100上。緩沖層102由諸如硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiN_x)等的介電材料形成。在將氧化物半導(dǎo)體層涂覆在緩沖層102的頂表面上之后，通過(guò)使用第二掩模執(zhí)行圖案化工藝對(duì)氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，如此，有源層110和210形成為與遮光層LS的一部分交疊。有源層110和210由非晶鋅氧化物半導(dǎo)體和非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)半導(dǎo)體形成。例如，可通過(guò)濺射方法或化學(xué)沉積方法形成a-IGZO半導(dǎo)體。濺射方法可采用包括氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化銦(In₂O₃)和氧化鋅(ZnO)在內(nèi)的化合物靶。

使用第三掩模工藝在有源層110和210上形成各自具有堆疊結(jié)構(gòu)的柵極電介質(zhì)層118、218和柵極120、220。在將柵極介電材料和柵極金屬材料依次涂覆在有源層110和210上之后，通過(guò)使用第三掩模執(zhí)行圖案化工藝對(duì)所涂覆的柵極介電材料和柵極金屬材料進(jìn)行圖案化，如此，形成柵極120、220和分別與柵極120、220對(duì)齊的柵極電介質(zhì)層118、218。隨后，通過(guò)等離子體或紫外(UV)光對(duì)有源層110和210的各自被柵極120、220暴露的部分進(jìn)行處理，如此，通過(guò)金屬材料的滲透和擴(kuò)散而形成導(dǎo)電源極區(qū)域114、214和漏極區(qū)域116、216。與柵極120、220交疊的區(qū)域被用作具有氧化物半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)域112、212。硅氧化物(SiO₂)和硅氮化物(SiN_x)被選擇性地用作柵極電介質(zhì)層118、218。柵極120、220可具有包括選自由銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、鉭(Ta)和鎢(W)構(gòu)成的集合中的至少一種元素或其合金的多重結(jié)構(gòu)。

使用第四掩模工藝形成層間電介質(zhì)層122和接觸孔CH11、CH12、CH21、CH22和CH3。在將層間電介質(zhì)層122涂覆在緩沖層102上以覆蓋柵極120和220、柵極電介質(zhì)層118和218以及有源層110和210之后，通過(guò)使用第四掩模執(zhí)行圖案化工藝形成各自暴露至源極區(qū)域114和214的接觸孔CH11和CH21以及各自暴露至漏極區(qū)域116和216的接觸孔CH12和CH22。在此情形中，亦形成穿過(guò)層間電介質(zhì)層122和緩沖層102以暴露遮光層LS的一部分的接觸孔CH3。層間電介質(zhì)層122由硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiN_x)或它們的堆疊結(jié)構(gòu)形成。

使用第五掩模工藝在層間電介質(zhì)層122上形成源極124、224和漏極126、226。在將源極/漏極金屬層涂覆在整個(gè)層間電介質(zhì)層122上之后，通過(guò)使用第五掩模執(zhí)行圖案化工藝對(duì)源極/漏極金屬層進(jìn)行圖案化，如此，形成源極124、224和漏極126、226。源極124和224分別通過(guò)接觸孔CH11和CH21連接至有源層110和210的源極區(qū)域114和214。漏極126和226分別通過(guò)接觸孔CH12和CH22連接至有源層110和210的漏極區(qū)域116和216。連接TFT Tcn的漏極226通過(guò)接觸孔CH3連接至遮光層LS。源極/漏極金屬層通過(guò)利用選自由銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)構(gòu)成的集合中的至少一種元素或其合金形成。

接下來(lái)，在層間電介質(zhì)層122上形成鈍化層128以覆蓋源極124、224和漏極126、226，然后執(zhí)行后續(xù)掩模工藝。

圖9至圖12是分別圖解根據(jù)本發(fā)明第一至第四實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

參照?qǐng)D9至圖12，移位寄存器的每一級(jí)基本上包括置位部1的置位TFT Ts、復(fù)位部2的復(fù)位TFT Tr、輸出部5的上拉TFT Tu、和連接TFT Tcn。如圖11所示，可進(jìn)一步提供第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2。

置位部1的置位TFT Ts響應(yīng)于在前輸出PRE或起始脈沖而將高電壓VDD或在前輸出PRE提供至Q節(jié)點(diǎn)，如此，將Q節(jié)點(diǎn)設(shè)置為高電平。

復(fù)位部2的復(fù)位TFT Tr響應(yīng)于在后輸出NXT或復(fù)位脈沖而將低電壓VSS或相應(yīng)的輸出OUT提供至Q節(jié)點(diǎn)，如此，將Q節(jié)點(diǎn)設(shè)置為低電平。

輸出部5的上拉TFT Tu響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的高電平狀態(tài)，并由此輸出相應(yīng)的時(shí)鐘CLKn作為掃描輸出OUT。

如圖11中所示的第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的高電平狀態(tài)，并由此輸出進(jìn)位時(shí)鐘CLKc作為進(jìn)位輸出CR。進(jìn)位時(shí)鐘CLKc可與作為上拉TFT Tu的輸出OUT的時(shí)鐘CLKn相同或不同。

連接TFT Tcn在具體周期期間將電壓施加至上拉TFT Tu的遮光層LS，這樣，遮光層LS選擇性地處于浮置狀態(tài)。

連接TFT Tcn在輸出高電平掃描輸出OUT的時(shí)鐘輸出周期期間將高電平電壓施加至遮光層LS。另一方面，在除時(shí)鐘輸出周期之外的其他周期期間，沒(méi)有電壓施加至遮光層LS，如此，遮光層LS可變?yōu)樘幱诟≈脿顟B(tài)。

參照?qǐng)D9，在根據(jù)第一實(shí)施方式的連接TFT Tcn中，柵極可連接至Q節(jié)點(diǎn)，源極可連接至輸出節(jié)點(diǎn)No，漏極可連接至上拉TFT Tu的遮光層LS。因此，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要導(dǎo)通的Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)，使得上拉TFT Tu的輸出OUT可被施加至上拉TFT Tu的遮光層LS。

參照?qǐng)D10，在根據(jù)第二實(shí)施方式的連接TFT Tcn中，柵極可連接至Q節(jié)點(diǎn)，源極可連接至?xí)r鐘節(jié)點(diǎn)Nc，漏極連接至上拉TFT Tu的遮光層LS。因此，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要導(dǎo)通的Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)，使得相應(yīng)的時(shí)鐘CLKn可被施加至上拉TFT Tu的遮光層LS。

參照?qǐng)D11，在根據(jù)第三實(shí)施方式的連接TFT Tcn中，柵極可連接至Q節(jié)點(diǎn)，源極可連接至進(jìn)位輸出節(jié)點(diǎn)Nco，漏極可連接至上拉TFT Tu的遮光層LS。因此，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要導(dǎo)通的Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)，使得進(jìn)位輸出CR可被施加至上拉TFT Tu的遮光層LS。

參照?qǐng)D12，在根據(jù)第四實(shí)施方式的連接TFT Tcn中，柵極可連接至Q節(jié)點(diǎn)或控制信號(hào)V1的供應(yīng)端子，源極可連接至控制信號(hào)V2的供應(yīng)端子，漏極可連接至上拉TFT Tu的遮光層LS。

因此，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要導(dǎo)通的Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)，使得電壓V2可被施加至上拉TFT Tu的遮光層LS?？墒褂镁哂袃蓚€(gè)或更多個(gè)相位的AC電壓、或DC電壓作為電壓V2。具有兩個(gè)或更多個(gè)相位的AC電壓可被交替地施加至每一級(jí)。

如上所述，在用于上拉TFT Tu的穩(wěn)定掃描輸出OUT的相應(yīng)柵極線的掃描周期期間，連接TFT Tcn將與源極具有類(lèi)似電平的電壓施加至上拉TFT Tu的遮光層LS，由此，上拉TFT Tu具有雙柵極結(jié)構(gòu)。結(jié)果，可改善上拉TFT Tu的輸出特性。此外，在包括其他柵極線的掃描周期和除相應(yīng)柵極線的掃描周期之外的周期期間，連接TFT Tcn使上拉TFT Tu的遮光層LS浮置，由此，能夠比施加恒定電壓于遮光層LS時(shí)進(jìn)一步減小時(shí)鐘CLKn負(fù)載。結(jié)果，可改善上拉TFT Tu的輸出特性。

同時(shí)，圖12中所示的連接TFT Tcn響應(yīng)于周期性地提供或非周期性地提供至每一幀的脈沖型控制信號(hào)V1，以周期性地將電壓V2施加至上拉TFT Tu的遮光層LS，由此，可使遮光層LS的電壓周期性地復(fù)位。

具有幀循環(huán)的起始脈沖或復(fù)位脈沖、或在垂直空白周期期間提供的附加脈沖可被施加作為控制信號(hào)V1。在每一級(jí)中使用的多個(gè)低電壓的至少一個(gè)可被施加作為電壓V2。此外，連接TFT Tcn的源極連接至輸出節(jié)點(diǎn)No，由此，可以施加通過(guò)下拉TFT(Td，參見(jiàn)圖13)輸出至輸出節(jié)點(diǎn)No的低電壓。

因此，上拉TFT Tu的遮光層LS被連接TFT Tcn周期性地復(fù)位，由此，可在浮置周期期間減少或防止由電荷累積導(dǎo)致的電壓損耗或波動(dòng)。結(jié)果，可改善上拉TFT Tu的輸出特性。

圖13和圖14是分別圖解根據(jù)本發(fā)明的第五和第六實(shí)施方式的移位寄存器的每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

與圖9中所示的第一實(shí)施方式相比，圖13中所示的第五實(shí)施方式進(jìn)一步包括逆變器4和輸出部5的下拉TFT Td。

與圖13中所示的第五實(shí)施方式相比，圖14中所示的第六實(shí)施方式進(jìn)一步包括第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2和第二下拉TFT Td2。

逆變器4響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的控制，將與Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)相反的高電壓VH或低電壓VL提供至QB節(jié)點(diǎn)。也就是說(shuō)，當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)處于高電平狀態(tài)時(shí)，逆變器4將低電壓VL提供至QB節(jié)點(diǎn)，反之，當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)處于低電平狀態(tài)時(shí)，逆變器4將高電壓VL提供至QB節(jié)點(diǎn)。

輸出部5的下拉TFT Td響應(yīng)于與Q節(jié)點(diǎn)相反的QB節(jié)點(diǎn)的高電平以輸出低電壓VSS1作為輸出電壓OUT。

當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)為高電平時(shí)，第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)輸出進(jìn)位時(shí)鐘CLKc作為進(jìn)位輸出CR。第二輸出部6的第二下拉TFT Td2響應(yīng)于QB節(jié)點(diǎn)的高電平輸出低電壓VSS2作為進(jìn)位輸出CR。

提供至輸出部5的低電壓VSS1、提供至第二輸出部6的低電壓VSS2、提供至復(fù)位部2的低電壓VSSx和提供至逆變器4的低電壓VL可彼此相同或不同。

當(dāng)上拉TFT Tu輸出時(shí)鐘CLKn作為掃描輸出OUT時(shí)，在輸出周期期間，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要導(dǎo)通的Q節(jié)點(diǎn)的高電平，使得掃描輸出OUT被施加至上拉TFT Tu的遮光層LS。在除輸出周期之外的周期期間，連接TFT Tcn與上拉TFT Tu一起響應(yīng)于將要截止的Q節(jié)點(diǎn)的低電平，使得遮光層LS浮置。

同時(shí)，代替分別應(yīng)用于圖10至圖12中所示的第二至第四實(shí)施方式，圖13中所示的逆變器4和輸出部5或圖14中所示的逆變器4和輸出部5、6可應(yīng)用于圖9中所示的第一實(shí)施方式。

圖15是圖解根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的移位寄存器的每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

參照?qǐng)D15，每一級(jí)包括：TFT部，TFT部包括置位部1、復(fù)位部2、噪聲清除部3、逆變器4、輸出部5和第二輸出部6；第一至第三遮光層LS11、LS12、LS13，第一至第三遮光層LS11、LS12、LS13與根據(jù)TFT功能被劃分為施加不同電壓的三個(gè)部分的TFT部交疊；以及連接TFT Tcn，連接TFT Tcn選擇性地使與上拉TFT Tu交疊的第一遮光層LS11浮置。

置位部1、復(fù)位部2和噪聲清除部3被包括在第一節(jié)點(diǎn)控制部中以控制Q節(jié)點(diǎn)的充電或放電，逆變器4和第二復(fù)位部7被包括在第二節(jié)點(diǎn)控制部中以控制QB節(jié)點(diǎn)的充電或放電。

置位部1的置位TFT Ts響應(yīng)于在前輸出PRE或起始脈沖將高電壓VDD或在前輸出PRE提供至Q節(jié)點(diǎn)，由此將Q節(jié)點(diǎn)設(shè)置為高電平。在前級(jí)的進(jìn)位輸出和掃描輸出之一可作為在前輸出PRE被提供至置位TFT Ts的柵極。在前級(jí)的進(jìn)位輸出和掃描輸出之一可作為高電壓VDD或在前輸出PRE被提供至置位TFT Ts的漏極，在這種情況下，在置位TFT Ts的柵極處的在前輸出PRE和提供至漏極的在前輸出PRE可彼此相同或不同。

復(fù)位部2的復(fù)位TFT Tr響應(yīng)于在后輸出NXT或復(fù)位脈沖將低電壓VSS1提供至Q節(jié)點(diǎn)，由此將Q節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電平。在后級(jí)的進(jìn)位輸出被提供作為在后輸出NXT。

逆變器4響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將逆變器4的與Q節(jié)點(diǎn)具有相反邏輯狀態(tài)的高電壓或低電壓輸出至QB節(jié)點(diǎn)，例如，逆變器4包括第一至第四TFT Ti1至Ti4，即，QB節(jié)點(diǎn)的充電TFT Ti1和Ti3以及QB節(jié)點(diǎn)的放電TFT Ti2和Ti4。

具有二極管結(jié)構(gòu)的第一TFT Ti1將高電壓VH提供至A節(jié)點(diǎn)。第二TFT Ti2響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的控制將低電壓VL1提供至A節(jié)點(diǎn)。第三TFT Ti3響應(yīng)于A節(jié)點(diǎn)的控制將高電壓VH提供至QB節(jié)點(diǎn)。第四TFT Ti4響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的控制將低電壓VL2提供至QB節(jié)點(diǎn)。

當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)處于低電平時(shí)，第二TFT Ti2和第四TFT Ti4被截止，A節(jié)點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第一TFT Ti1而被設(shè)置為高電壓VH，第三TFT Ti3通過(guò)A節(jié)點(diǎn)的高電平被導(dǎo)通以將QB節(jié)點(diǎn)設(shè)置為高電壓VH。

當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)處于高電平時(shí)，第二TFT Ti2和第四TFT Ti4被導(dǎo)通。盡管第二TFT Ti2被導(dǎo)通，但A節(jié)點(diǎn)通過(guò)第二TFT Ti2被復(fù)位為低電壓VL1，由此第三TFT Ti3被截止。因此，QB節(jié)點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第四TFT Ti4復(fù)位為低電壓VL2。

噪聲清除器3響應(yīng)于QB節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)將Q節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電壓VSS2，例如，噪聲清除器3包括具有三個(gè)TFT Ta、Tb和Tc的晶體管-晶體管偏移(下文中，稱(chēng)為T(mén)TO)結(jié)構(gòu)。

噪聲清除器3包括：第一TFT Ta和第二TFT Tb，第一TFT Ta和第二TFT Tb串聯(lián)連接在Q節(jié)點(diǎn)和低電壓VSS2的供應(yīng)線之間并且響應(yīng)于QB節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)以將Q節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電壓VSS2；以及第三TFT Tc，第三TFT Tc響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)以將高電壓的偏移電壓VA提供至第一TFT Ta和第二TFT Tb的連接節(jié)點(diǎn)P。

當(dāng)QB節(jié)點(diǎn)處于低電平時(shí)，噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb被截止。當(dāng)QB節(jié)點(diǎn)處于高電平時(shí)，噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb被導(dǎo)通以將Q節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電壓VSS1。

當(dāng)噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb因QB節(jié)點(diǎn)的低電平被截止時(shí)，第三TFT Tc因Q節(jié)點(diǎn)的高電平被導(dǎo)通。導(dǎo)通的第三TFT Tc將高電壓的偏移電壓VA提供至第一TFT Ta和第二TFT Tb的連接節(jié)點(diǎn)P，即，第二TFT Tb的漏極和第一TFT Ta的源極。因此，QB節(jié)點(diǎn)的低電壓VL2被施加至第一TFT Ta的柵極且高電壓VA被施加至第一TFT Ta的源極，由此，柵極和源極之間的電壓具有低于閾值電壓的負(fù)值。結(jié)果，第一TFT Ta被完全截止，從而可減少或防止通過(guò)第一TFT Ta和第二TFT Tb的Q節(jié)點(diǎn)的漏電流。

高電壓VDD或VH或其他DC電壓(>VL2)被施加作為提供至第三TFT Tc的漏極的偏移電壓VA。

第二復(fù)位部7包括第二復(fù)位TFT Tr2，第二復(fù)位TFT Tr2根據(jù)對(duì)在前輸出PRE的響應(yīng)將QB節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電壓VL2。當(dāng)置位TFT Ts將Q節(jié)點(diǎn)設(shè)置為高電平時(shí)，第二復(fù)位TFT Tr2與置位部1的置位TFT Ts一起被導(dǎo)通，以將QB節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電平。

輸出部5包括如上所述的上拉TFT Tu和下拉TFT Td。第二輸出部6包括如上所述的第二上拉TFT Tu2和第二下拉TFT Td2。

當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)通過(guò)置位部1處于高電平時(shí)，上拉TFT Tu輸出相應(yīng)的時(shí)鐘CLKn作為掃描輸出OUT，第二上拉TFT Tu2輸出相應(yīng)的進(jìn)位時(shí)鐘CLKc作為進(jìn)位信號(hào)CR。相應(yīng)的時(shí)鐘CLKn與進(jìn)位時(shí)鐘CLKc彼此相同或不同。

當(dāng)Q節(jié)點(diǎn)通過(guò)復(fù)位部2和噪聲清除器3處于低電平時(shí)，下拉TFT Td輸出低電壓VSS1作為掃描輸出OUT的低電平，第二下拉TFT Td輸出低電壓VSS2作為進(jìn)位信號(hào)CR的低電平。

第一遮光層LS11與輸出部5的上拉TFT Tu交疊。在具體周期期間，連接至第一遮光層LS11的連接TFT Tcn響應(yīng)于控制信號(hào)V1將電壓V2施加至第一遮光層LS11，使得第一遮光層LS11選擇性地浮置。

使用Q節(jié)點(diǎn)電壓作為控制信號(hào)V1。可使用掃描輸出OUT、相應(yīng)的時(shí)鐘CLKn、進(jìn)位輸出CR、具有兩個(gè)或更多個(gè)相位的AC電壓、DC電壓的其中之一作為電壓V2。

或者，可使用施加至每一幀的起始脈沖和復(fù)位脈沖、以及垂直空白周期的控制脈沖作為控制信號(hào)?？墒褂糜糜趶?fù)位第一遮光層LS11的各個(gè)低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2的其中之一作為電壓V2。

為此，連接TFT Tcn的柵極可連接至Q節(jié)點(diǎn)或控制信號(hào)V1的供應(yīng)端子。連接TFT Tcn的漏極可連接至第一遮光層LS11。連接TFT Tcn的源極可連接至將時(shí)鐘CLKn提供至上拉TFT Tu的時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)和輸出進(jìn)位輸出CR的進(jìn)位輸出節(jié)點(diǎn)的其中之一，或者可連接至供應(yīng)電源電壓的任何一條供應(yīng)線。

第三遮光層LS13與置位部1、逆變器4的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3、以及包括第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2在內(nèi)的充電TFT Ts和Tu2交疊。當(dāng)前級(jí)的掃描輸出OUT或進(jìn)位輸出CR可被提供至第三遮光層LS13。為此，第三遮光層LS13可連接至輸出節(jié)點(diǎn)或進(jìn)位輸出節(jié)點(diǎn)。

同時(shí)，連接TFT Tcn電連接至第三遮光層LS13而非第一遮光層LS11，由此可選擇性地將電壓V2施加至第三遮光層LS13。在這種情況下，第一遮光層LS11與第三遮光層LS13可彼此電連接。

第二遮光層LS12與復(fù)位部2、第二復(fù)位部7、噪聲清除器3、逆變器4的第二TFT Ti2和第四TFT Ti4、輸出部5的下拉TFT Td、以及包括第二輸出部6的第二下拉TFT Td2在內(nèi)的放電TFT Tr1、Tr2、Ta、Tb、Tc和Td2交疊。第二遮光層LS12可連接至低電壓的供應(yīng)線之一，由此可施加低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2的其中之一。

同時(shí)，向噪聲清除器3施加高電壓的偏移電壓VA的第三TFT Tc可與第三遮光層LS13交疊。

連接TFT Tcn可與第一至第三遮光層LS11、LS12和LS13的任何一個(gè)交疊。

在逆變器4處連接至高電壓VH的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3可與第二遮光層LS12交疊，第二TFT Ti2和第四TFT Ti4可與第三遮光層LS13交疊，或者整個(gè)逆變器4可與第二遮光層LS12和第三遮光層LS13的任何一個(gè)交疊。從電源提供的高電壓VDD、VA和VH可彼此相同或不同，且可被稱(chēng)為柵極導(dǎo)通電壓。

從電源提供的低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2可彼此相同或不同，且可被稱(chēng)為柵極截止電壓。

例如，VSS1可等于或大于VSS2。VSS2可與逆變器4的VL2相同或不同。VL2可等于或大于逆變器4處的VL1。

如果VSS2<VSS1，則復(fù)位部2的復(fù)位TFT Tr1響應(yīng)于低電壓VSS2，即在后進(jìn)位信號(hào)的低電平，亦即在后輸出NXT，然后被截止。在這種情況下，柵極和源極之間的電壓(Vgs＝VSS2-VSS1)具有低于閾值電壓的負(fù)值，由此復(fù)位TFT Tr1被完全截止。結(jié)果，盡管閾值電壓因劣化而沿負(fù)方向移位，但可減少或防止Q節(jié)點(diǎn)的漏電流。

如果VL2<VSS2<VSS1，則由QB節(jié)點(diǎn)控制的下拉TFT Td和Td2被完全截止，由此，可減少或防止輸出端子的漏電流。

此外，圖15中所示的每一級(jí)包括分別連接在第一上拉TFT Tu的相應(yīng)柵極和源極之間的電容器C1、在第二上拉TFT Tu2的相應(yīng)柵極和源極之間的電容器C2、以及在逆變器4的第三TFT Ti3的相應(yīng)柵極和源極之間的電容器C3，由此根據(jù)施加至各個(gè)漏極的高電平放大各個(gè)相應(yīng)的柵極電壓。在QB節(jié)點(diǎn)和低電壓線VSS2之間進(jìn)一步設(shè)置電容器C4，在噪聲清除器3的連接節(jié)點(diǎn)P和低電壓線VSS2之間進(jìn)一步設(shè)置電容器C5，由此可穩(wěn)定地保持連接節(jié)點(diǎn)P的電壓。上述電容器C1至C5之一可應(yīng)用于本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式。

圖16是圖解根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

與圖15中所示的第七實(shí)施方式相比，在圖16中所示的第八實(shí)施方式的每一級(jí)中，不同之處在于第二上拉TFT Tu2與第一遮光層LS21交疊。然而，其他部件與上述實(shí)施方式的部件相同。

第一遮光層LS21與輸出部5的上拉TFT Tu和輸出部6的第二上拉TFT Tu2交疊。在具體周期期間，連接TFT Tcn響應(yīng)于第一信號(hào)V1將電壓V2施加至第一遮光層LS21，由此，第一遮光層LS21選擇性地浮置。

第三遮光層LS23與置位部1以及包括逆變器4的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3在內(nèi)的充電TFT Ts、Ti1和Ti3交疊。掃描輸出OUT或進(jìn)位輸出CR被施加至第三遮光層LS23。

第二遮光層LS22與圖15中所示的第二遮光層LS12相同。

連接TFT Tcn可與第一至第三遮光層LS21、LS22和LS23之一交疊。

在逆變器4中連接至高電壓VH的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3可與第二遮光層LS22交疊，連接至低電壓VL1和VL2的第二TFT Ti2和第四TFT Ti4可與第三遮光層LS23交疊，或者整個(gè)逆變器4可與第二遮光層LS22和第三遮光層LS23之一交疊。

根據(jù)包括三個(gè)遮光層的本發(fā)明的實(shí)施方式，第一遮光層可與上拉晶體管TFT Tu交疊；第二遮光層可與復(fù)位部2、下拉晶體管TFT Td、第二下拉晶體管TFT Td2以及噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb交疊；第三遮光層可與置位部1交疊；第二上拉晶體管TFT Tu2可與第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層的其中之一交疊；在逆變器4中連接至逆變器4的高電壓的晶體管可與第二遮光層和第三遮光層之一交疊，并且在逆變器4中連接至逆變器4的低電壓的晶體管可與第二遮光層和第三遮光層之一交疊；噪聲清除器3的第三TFT Tc可與第二遮光層和第三遮光層之一交疊；并且連接TFT Tcn可與第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層的其中之一交疊。

圖17是圖解根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

與圖15中所示的第七實(shí)施方式相比，在圖17中所示的第九實(shí)施方式的每一級(jí)中，不同之處在于每一級(jí)包括通過(guò)將TFT部劃分為施加不同電壓的兩部分與TFT部交疊的第一遮光層LS31和第二遮光層LS32。然而，其他部件與上述實(shí)施方式的部件相同。

第一遮光層LS31與輸出部5的上拉TFT Tu、第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2、以及包括逆變器4的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3在內(nèi)的充電TFT Ts、Ti1、Ti3交疊。在具體周期期間，連接TFT Tcn響應(yīng)于控制信號(hào)V1將電壓V2施加至第一遮光層LS31，由此，第一遮光層LS31選擇性地浮置。

第二遮光層LS32與圖15中所示的第二遮光層LS12相同。

連接TFT Tcn可與第一遮光層LS31和第二遮光層LS32之一交疊。

圖18是圖解根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

圖18中所示的第十實(shí)施方式的每一級(jí)包括通過(guò)將TFT部劃分為施加不同電壓的兩部分與TFT部交疊的第一遮光層LS41和第二遮光層LS42。然而，其他部件與上述實(shí)施方式的部件相同。

第一遮光層LS41與圖16中所示的第一遮光層LS21相同。

第二遮光層LS42可與置位部1、復(fù)位部2和7、噪聲清除器3、逆變器4、輸出部5的下拉TFT Td、第二輸出部6的第二下拉TFT Td2交疊，并且可向其施加低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2之一。

連接TFT Tcn可與第一遮光層LS41和第二遮光層LS42之一交疊。

根據(jù)包括兩個(gè)遮光層的本發(fā)明的實(shí)施方式，第一遮光層可以與上拉晶體管TFT Tu、第二上拉晶體管TFT Tu2、置位部1和在逆變器4中連接至逆變器4的高電壓的晶體管交疊，并且與連接TFT Tcn交疊或非交疊，并且第二遮光層在每一級(jí)中可與除了與第一遮光層交疊的晶體管之外的其它晶體管交疊。或者，第一遮光層可以與上拉晶體管TFT Tu和第二上拉晶體管TFT Tu2交疊，并且與連接TFT Tcn交疊或非交疊，并且第二遮光層在每一級(jí)中可與除了與第一遮光層交疊的晶體管之外的其它晶體管交疊?；蛘撸谝徽诠鈱涌梢耘c上拉晶體管TFT Tu交疊，并且與連接TFT Tcn交疊或非交疊，并且第二遮光層在每一級(jí)中可與除了上拉晶體管TFT Tu之外的其它晶體管交疊。

圖19和圖20是分別圖解根據(jù)本發(fā)明第十一和第十二實(shí)施方式的移位寄存器中每一級(jí)的基本構(gòu)造的電路圖。

與上面所述的實(shí)施方式相比，不同之處在于圖19和圖20中所示的第十一和第十二實(shí)施方式的每一級(jí)包括通過(guò)將TFT部劃分為施加不同電壓的四個(gè)部分與TFT部交疊的第一至第四遮光層LS51、LS52、LS53和LS54，并且置位部1A和復(fù)位部2A共用噪聲清除器的第三TFT Tc，因此，這種級(jí)具有TTO結(jié)構(gòu)。

此外，與上述實(shí)施方式相同，圖19中所示的第十一實(shí)施方式的級(jí)將與輸出部5相同的低電壓VSS1提供至復(fù)位部2A。然而，圖20中所示的第十二實(shí)施方式的級(jí)將與第二輸出部6和噪聲清除器3相同的低電壓VSS2提供至復(fù)位部2A。

其他部件與上述實(shí)施方式的部件相同。

置位部1A包括彼此串聯(lián)連接的一對(duì)置位TFT Ts11和Ts12。復(fù)位部2A包括彼此串聯(lián)連接的一對(duì)復(fù)位TFT Tr11和Tr12。置位TFT Ts11和Ts12之間的連接節(jié)點(diǎn)P2與復(fù)位TFT Tr11和Tr12之間的連接節(jié)點(diǎn)P3電連接至噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb之間的連接節(jié)點(diǎn)P1。結(jié)果，置位部1A和復(fù)位部2A共用噪聲清除器3的用于提供偏移電壓的第三TFT Tc。

因此，當(dāng)響應(yīng)于Q節(jié)點(diǎn)的高電平，高偏移電壓VA被施加至所示的連接節(jié)點(diǎn)P1、P2和P3的每一個(gè)時(shí)，噪聲清除器3的第一TFT Ta、置位部1A的置位TFT Ts11和復(fù)位部2A的復(fù)位TFT Tr11的每一個(gè)的柵極和源極之間的電壓Vgs低于閾值電壓，從而被完全截止。結(jié)果，可減少或防止通過(guò)噪聲清除器3、置位部1A和復(fù)位部2A的Q節(jié)點(diǎn)的漏電流。

連接TFT Tcn的柵極連接至Q節(jié)點(diǎn)。連接TFT Tcn的源極連接至用于產(chǎn)生進(jìn)位輸出CR的進(jìn)位輸出節(jié)點(diǎn)。連接TFT Tcn的漏極連接至與上拉TFT Tu交疊的第一遮光層LS51。

第三遮光層LS53與第二輸出部6的第二上拉TFT Tu2和逆變器4中的充電TFT交疊，并且當(dāng)前級(jí)的掃描輸出OUT或進(jìn)位輸出CR被施加至第三遮光層LS53。

第二遮光層LS52與復(fù)位部2A、噪聲清除器3的第一TFT Ta和第二TFT Tb、逆變器4的放電TFT、輸出部5的下拉TFT Td以及第二輸出部6的第二下拉TFT Td2交疊，低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2之一被施加至第二遮光層LS52。

第四遮光層LS54與置位部1A的置位TFT Ts11和Ts12交疊。當(dāng)前級(jí)的進(jìn)位輸出CR或掃描輸出OUT、包括在在前輸出PRE中的在前進(jìn)位或在前掃描輸出、或低電壓VSS1、VSS2、VL1和VL2的其中之一可被施加至第四遮光層LS54。在當(dāng)前級(jí)的進(jìn)位輸出CR或掃描輸出OUT被提供至第四遮光層LS54時(shí)，第四遮光層LS54可通過(guò)直接連接或間接連接而電連接至如上所述的第三遮光層LS53。當(dāng)?shù)碗妷篤SS1、VSS2、VL1和VL2之一被提供至第四遮光層LS54時(shí)，第四遮光層LS54可通過(guò)直接連接或間接連接而電連接至如上所述的第二遮光層LS52。

連接TFT Tcn可與第一至第四遮光層LS51、LS52、LS53和LS54之一交疊。

在逆變器4中，連接至高電壓VH的第一TFT Ti1和第三TFT Ti3可與第二遮光層LS52交疊，連接至低電壓VL1和VL2的第二TFT Ti2和第四TFT Ti4可與第三遮光層LS53交疊，或者整個(gè)逆變器4可與第二遮光層LS52和第三遮光層LS53之一交疊。

從上述描述中顯而易見(jiàn)的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式可具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

首先，通過(guò)在每一級(jí)中與TFT部交疊的遮光層，能夠減少或防止光劣化，由此，可改善TFT的操作范圍和輸出穩(wěn)定性。

第二，在每一級(jí)中與輸出TFT交疊的遮光層通過(guò)連接TFT選擇性地浮置，由此，可減小因遮光層導(dǎo)致的時(shí)鐘負(fù)載，并且可通過(guò)周期性地施加電壓實(shí)現(xiàn)的浮置來(lái)減少或防止電壓損耗。結(jié)果，可改善輸出特性。

第三，在每一級(jí)中遮光層根據(jù)TFT功能而被劃分為多個(gè)區(qū)域，且不同的電壓被施加至所劃分的區(qū)域，由此，可根據(jù)區(qū)域控制TFT的特性。此外，可通過(guò)遮光層的場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制閾值電壓，由此，可提高輸出穩(wěn)定性并且可擴(kuò)展正常操作范圍。

對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，上述的本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式和附圖，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可設(shè)計(jì)出各種替代、修改和變更。