本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED顯示面板及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示器，特別是有源矩陣有機發(fā)光(Active Matrix Organic Light Emitting Display，AMOLED)顯示器，具有更薄更輕、主動發(fā)光而不需要背光源、無視角問題、高清晰、高亮度、響應(yīng)快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、可實現(xiàn)柔軟顯示等特點，從而使得OLED顯示器而成為顯示行業(yè)的發(fā)展重點。相對于液晶顯示器(Thin Film Transistor liquid crystal display，TFT-LCD)而言，二者的差別在于：TFT-LCD是利用電壓控制實現(xiàn)液晶顯示，而AMOLED是電流控制的OLED元件發(fā)光。因此，維持穩(wěn)定的驅(qū)動電流是AMOLED顯示器正常工作的重要保障。

為了維持穩(wěn)定的驅(qū)動電流，AMOLED顯示器會在像素區(qū)內(nèi)設(shè)計電流補償電路，例如7T1C，6T1C，6T2C等多種補償電路。但是，這種結(jié)構(gòu)不利于制作高像素密度(Pixels Per Inch，PPI)顯示器，這是因為每一個像素都是由單獨的電流補償電路例如7T1C，6T1C，6T2C補償電路控制，多個開關(guān)元件和電容的并行排列將大幅增大每個像素的面積。為了獲得高PPI的目的，需要降低電流補償電路的面積，也即盡量減小TFT元件尺寸和金屬走線的線寬線距，這無疑是對陣列(ARRAY)工藝的挑戰(zhàn)。另外，受器件的電性可靠性要求和設(shè)備制程能力限制，也不可能無限縮小電流補償電路的尺寸。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種OLED顯示面板及其制造方法，能夠以相對簡單的結(jié)構(gòu)和制程來實現(xiàn)高PPI的顯示面板。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種OLED顯示面板，該顯示面板包括基板以及疊層設(shè)置于基板上的第一主動陣列層和第二主動陣列層，其中第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件，第二主動陣列層包括至少一第二開關(guān)元件，且第一開關(guān)元件與第二開關(guān)元件彼此電連接。

其中，第一主動陣列層進一步包括覆蓋第一開關(guān)元件的第一層間絕緣層，第二主動陣列層進一步包括覆蓋第二開關(guān)元件的第二層間絕緣層，其中第一層間絕緣層設(shè)置有第一接觸孔，第一開關(guān)元件通過第一接觸孔與第二開關(guān)元件電連接。

其中，第一開關(guān)元件包括第一半導(dǎo)體圖案、與第一半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸的第一源極/漏極圖案以及與第一半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第一柵極圖案，第二開關(guān)元件包括第二半導(dǎo)體圖案、與第二半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸的第二源極/漏極圖案以及與第二半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第二柵極圖案，其中第一源極/漏極圖案通過第一接觸孔與第二源極/漏極圖案電連接。

其中，第一開關(guān)元件進一步包括第一柵極絕緣層，第一柵極絕緣層覆蓋于第一半導(dǎo)體圖案上且設(shè)置有第二接觸孔，第一源極/漏極圖案通過第二接觸孔與第一半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸，第一柵極圖案設(shè)置于第一柵極絕緣層遠離第一半導(dǎo)體圖案的一側(cè)，第二開關(guān)元件進一步包括第二柵極絕緣層，第二柵極絕緣層覆蓋于第二半導(dǎo)體圖案上且設(shè)置有第三接觸孔，第二源極/漏極圖案通過第三接觸孔與第二半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸，第二柵極圖案設(shè)置于第二柵極絕緣層遠離第二半導(dǎo)體圖案的一側(cè)。

其中，第一主動陣列層包括第一電容圖案，第二主動陣列層進一步包括與第一電容圖案相對設(shè)置的第二電容圖案，進而構(gòu)成一電容元件。

其中，第一電容圖案與第一柵極圖案或第一源極/漏極圖案由同一導(dǎo)電層形成，第二電容圖案與第二柵極圖案或第二源極/漏極圖案由同一導(dǎo)電層形成。

其中，顯示面板進一步包括一發(fā)光層，第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元件和電容元件用于作為發(fā)光層的電流補償電路的至少一部分。

其中，第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件為a-Si TFT、氧化物TFT以及LTPS TFT中的至少一種。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種OLED顯示面板的制造方法，該制造方法包括：提供一基板；在基板上形成第一主動陣列層，其中第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件；在第一主動陣列上形成第二主動陣列層，其中第二主動陣列層包括與第一開關(guān)元件彼此電連接的至少一第二開關(guān)元件。

其中，在基板上形成第一主動陣列層的步驟進一步包括：在第一主動陣列層中形成一第一電容圖案；在第一主動陣列層上形成第二主動陣列層的步驟進一步包括：在第一主動陣列層中形成與第一電容圖案相對設(shè)置的第二電容圖案，以構(gòu)成一電容元件。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的OLED顯示面板及制造方法通過采用疊層設(shè)置的第一主動陣列層和第二主動陣列層，其中，第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件，第二主動陣列層包括至少一第二開關(guān)元件，且第一開關(guān)元件與第二開關(guān)元件彼此電連接。通過上述方式，本發(fā)明能夠有效地降低第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件組成的電流補償電路的面積，從而能夠以相對簡單的結(jié)構(gòu)及制程來實現(xiàn)高PPI的顯示面板。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例的OLED顯示面板的制造方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1是本發(fā)明實施例的AMOLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該顯示面板包括基板10、第一主動陣列層20、第二主動陣列層30和發(fā)光層40。

其中，第一主動陣列層20和第二主動陣列層30疊層設(shè)置在基板10上，也即第一主動陣列層20設(shè)置在基板10上，第二主動陣列層30設(shè)置在第一主動陣列層20上。進一步，發(fā)光層40設(shè)置在第二主動陣列層30上。

第一主動陣列層20包括至少一第一開關(guān)元件21、與第一開關(guān)元件21間隔設(shè)置的第一電容圖案22以及覆蓋第一開關(guān)元件21和第一電容圖案22的第一層間絕緣層23。其中，第一開關(guān)元件21包括第一半導(dǎo)體圖案211、與第一半導(dǎo)體圖案211兩側(cè)接觸的第一源極/漏極圖案212以及與第一半導(dǎo)體圖案211的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第一柵極圖案213。

第二主動陣列層30包括至少一第二開關(guān)元件31、與第二開關(guān)元件31間隔設(shè)置的第二電容圖案32以及覆蓋第二開關(guān)元件31和第二電容圖案32的第二層間絕緣層33。其中，第二開關(guān)元件31包括第二半導(dǎo)體圖案311、與第二半導(dǎo)體圖案311兩側(cè)接觸的第二源極/漏極圖案312以及與第二半導(dǎo)體圖案311的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第二柵極圖案313。

在本實施例中，第一層間絕緣層23設(shè)置有第一接觸孔231，第一開關(guān)元件21通過第一接觸孔231與第二開關(guān)元件31電連接。具體來說，第一開關(guān)元件21的第一源極/漏極圖案212通過第一接觸孔231與第二源極/漏極圖案312電連接。其中，第一接觸孔231的材料為與第一源極/漏極圖案212以及第二源極/漏極圖案312相同的金屬。

在本實施例中，第一電容圖案22和第二電容圖案32相對設(shè)置，進而構(gòu)成一電容元件41。其中，第一開關(guān)元件21、第二開關(guān)元件31和電容元件41用于作為發(fā)光層40的電流補償電路的至少一部分。優(yōu)選地，第一電容圖案22與第一柵極圖案213或第一源極/漏極圖案212由同一導(dǎo)電層形成，第二電容圖案32與第二柵極圖案313或第二源極/漏極圖案312由同一導(dǎo)電層形成。

在本實施例中，第一開關(guān)元件21和第二開關(guān)元件31為a-Si TFT、氧化物TFT以及LTPS TFT中的至少一種。優(yōu)選地，為了簡化主動陣列層的制作工藝或提高主動陣列層的綜合電學(xué)性能，可以采用工藝簡單的a-Si TFT，漏電流小的氧化物TFT和遷移率高的LTPS TFT等其中的二種或多種混合的工藝來制作第一主動陣列層和第二主動陣列層中的開關(guān)元件。也就是說，第一開關(guān)元件21和第二開關(guān)元件31可以采用不同的材料和不同的工藝制得，以提高主動陣列層的綜合電學(xué)性能。

優(yōu)選地，在本實施例中，第一開關(guān)元件21進一步包括第一柵極絕緣層214，第一柵極絕緣層214覆蓋于第一半導(dǎo)體圖案211上且設(shè)置有第二接觸孔(未圖示)，第一源極/漏極圖案212通過第二接觸孔與第一半導(dǎo)體圖案211兩側(cè)接觸，第一柵極圖案213設(shè)置于第一柵極絕緣層214遠離第一半導(dǎo)體圖案211的一側(cè)。第二開關(guān)元件31進一步包括第二柵極絕緣層314，第二柵極絕緣層314覆蓋于第二半導(dǎo)體圖案311上且設(shè)置有第三接觸孔(未圖示)，第二源極/漏極圖案312通過第三接觸孔與第二半導(dǎo)體圖案311兩側(cè)接觸，第二柵極圖案313設(shè)置于第二柵極絕緣層314遠離第二半導(dǎo)體圖案311的一側(cè)。

在本實施例中，OLED顯示面板由疊層設(shè)置的第一主動陣列層20和第二主動陣列層30控制發(fā)光層40發(fā)光。其中，OLED顯示面板中的每個像素由多個第一開關(guān)元件21、多個第二開關(guān)元件31和電容元件41共同控制。具體來說，第一開關(guān)元件21和第二開關(guān)元件31分布在不同的主動陣列層也即第一開關(guān)元件21分布在第一主動陣列層20，第二開關(guān)元件31分布在第二主動陣列層30，同時，第一開關(guān)元件21和第二開關(guān)元件31通過第一接觸孔231相互電連接。另外，第一電容圖案22分布在第一主動陣列層20，第二電容圖案32分布在第二主動陣列層30，相對設(shè)置的第一電容圖案22和第二電容圖案32構(gòu)成電容元件41。由于OLED顯示面板采用疊層設(shè)置的第一主動陣列層20和第二主動陣列層30也即構(gòu)成電流補償電路的開關(guān)元件和電容的上下極板疊層設(shè)置，因此可以大比例縮小每個像素的電流補償電路的面積，從而能夠制作具有高PPI的OLED顯示器(500PPI～1000PPI)。換個角度來說，為實現(xiàn)與現(xiàn)有技術(shù)相同PPI的OLED顯示器，第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件的尺寸可以適當(dāng)增大，進而可以提高器件的可靠性，降低OLED顯示面板的制程的難度。

圖2是本發(fā)明實施例的OLED顯示面板的制造方法的流程圖。如圖2所示，該方法包括如下步驟：

步驟S101：提供一基板。

步驟S102：在基板上形成第一主動陣列層，其中第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件。

在步驟S102中，在基板上形成第一主動陣列層的步驟進一步包括：在第一主動陣列層中形成一第一電容圖案。

具體來說，第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件、與第一開關(guān)元件間隔設(shè)置的第一電容圖案以及覆蓋第一開關(guān)元件和第一電容圖案的第一層間絕緣層。其中，第一開關(guān)元件包括第一半導(dǎo)體圖案、與第一半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸的第一源極/漏極圖案、覆蓋第一半導(dǎo)體圖案的第一柵極絕緣層、以及與第一半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第一柵極圖案。

在本實施例中，形成第一主動陣列層的工藝流程是：首先在基板上形成第一半導(dǎo)體圖案以及位于第一半導(dǎo)體圖案兩側(cè)的第一源極/漏極圖案；接著形成覆蓋第一半導(dǎo)體圖案的第一柵極絕緣層，其中，第一柵極絕緣層設(shè)置有第二接觸孔，第一源極/漏極圖案通過第二接觸孔與第一半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸；接著，在第一柵極絕緣層上形成第一柵極金屬層，其中，第一柵極金屬層與第一半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；接著，在第一柵極金屬層上形成覆蓋整個基板的第一層間絕緣層，其中，第一層間絕緣層設(shè)置有第一接觸孔，第一接觸孔的一端與第一源極/漏極圖案接觸。

其中，第一電容圖案與第一柵極圖案或第一電容圖案與第一源極/漏極圖案由同一道工藝形成。

步驟S103：在第一主動陣列上形成第二主動陣列層，其中第二主動陣列層包括與第一開關(guān)元件彼此電連接的至少一第二開關(guān)元件。

在步驟S103中，在第一主動陣列層上形成第二主動陣列層的步驟進一步包括：在第一主動陣列層中形成與第一電容圖案相對設(shè)置的第二電容圖案，以構(gòu)成一電容元件。

具體來說，第二主動陣列層包括至少一第二開關(guān)元件、與第二開關(guān)元件間隔設(shè)置的第二電容圖案以及覆蓋第二開關(guān)元件和第二電容圖案的第二層間絕緣層。其中，第二開關(guān)元件包括第二半導(dǎo)體圖案、與第二半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸的第二源極/漏極圖案、覆蓋第二半導(dǎo)體圖案的第二柵極絕緣層、以及與第二半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的第二柵極圖案。

在本實施例中，形成第二主動陣列層的工藝流程是：首先在第一層間絕緣層上形成第二半導(dǎo)體圖案以及位于第二半導(dǎo)體圖案兩側(cè)的第一源極/漏極圖案，其中，步驟S102中第一主動陣列層的第一接觸孔的另一端與第二源極/漏極圖案接觸以實現(xiàn)第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件的電連接；接著形成覆蓋第二半導(dǎo)體圖案的第二柵極絕緣層，其中，第二柵極絕緣層設(shè)置有第三接觸孔，第二源極/漏極圖案通過第三接觸孔與第二半導(dǎo)體圖案兩側(cè)接觸；接著，在第二柵極絕緣層上形成第二柵極金屬層，其中，第二柵極金屬層與第二半導(dǎo)體圖案的中間區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。

其中，第二電容圖案與第二柵極圖案或第而電容圖案與第二源極/漏極圖案由同一道工藝形成。

在本實施例中，第二電容圖案與第一電容圖案相對設(shè)置以構(gòu)成一電容元件。

步驟S104：在第二主動陣列層上形成發(fā)光層。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的OLED顯示面板及制造方法通過采用疊層設(shè)置的第一主動陣列層和第二主動陣列層，其中，第一主動陣列層包括至少一第一開關(guān)元件，第二主動陣列層包括至少一第二開關(guān)元件，且第一開關(guān)元件與第二開關(guān)元件彼此電連接。通過上述方式，本發(fā)明能夠有效地降低第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件組成的電流補償電路的面積，從而能夠以相對簡單的方式實現(xiàn)高PPI的顯示面板。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。