本發(fā)明涉及一種柵極驅(qū)動電路,具體涉及一種具有正反向掃描功能的柵極驅(qū)動電路。
背景技術(shù):
在一些特殊的應(yīng)用場合,液晶顯示器需要具備正向和反向掃描的功能,例如手機(jī)屏的顯示畫面可以正常放置顯示,也需要可以倒置顯示,那么這就要求柵極掃描驅(qū)動電路既可以進(jìn)行自上而下的掃描,也要可以進(jìn)行自下而上的掃描。
如圖1所示是目前產(chǎn)品設(shè)計(jì)采用的柵極掃描驅(qū)動電路設(shè)計(jì),該電路無法進(jìn)行反向掃描,主要有以下幾點(diǎn)原因:
一是上拉控制節(jié)點(diǎn)的維持模塊是利用前一個(gè)時(shí)鐘信號CKm-1進(jìn)行控制的,如果進(jìn)行反向掃描時(shí)上拉控制節(jié)點(diǎn)的電位無法進(jìn)行維持;
二是上拉控制節(jié)點(diǎn)的下拉清空模塊M9是由Gn+3信號控制,與預(yù)充模塊M1并不對稱,如果進(jìn)行反向掃描時(shí)電路無法正常操作。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
發(fā)明目的:針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明公開了一種具有正反向掃描功能的柵極驅(qū)動電路。
技術(shù)方案:一種正反向掃描柵極驅(qū)動電路,包含正向預(yù)充模塊(01)、反向預(yù)充模塊(02)、上拉模塊(03)、柵極掃描信號維持模塊(04)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)和自舉電容(C1);
其中正向預(yù)充模塊(01)、反向預(yù)充模塊(02)、上拉模塊(03)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)和自舉電容(C1)的連接點(diǎn)為上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);上拉模塊(03)、柵極掃描信號維持模塊(04)、和自舉電容(C1)的連接點(diǎn)為柵極掃描信號(Gn);柵極掃描信號維持模塊(04)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)還連接于一個(gè)恒壓低電位(VSS)。
正向預(yù)充模塊(01)在正向掃描時(shí)是預(yù)充模塊,反向掃描時(shí)充當(dāng)上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的下拉清空模塊;反向預(yù)充模塊(02)在反向掃描時(shí)是預(yù)充模塊,正向掃描時(shí)充當(dāng)上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的下拉清空模塊;上拉模塊(03),主要負(fù)責(zé)輸出柵極掃描信號Gn;柵極掃描信號維持模塊(04)主要負(fù)責(zé)維持柵極掃描信號Gn低電位;正向維持模塊(05)負(fù)責(zé)正向掃描時(shí)維持上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位;反向維持模塊(06)負(fù)責(zé)反向掃描時(shí)維持上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位;輔助維持模塊(07)是輔助正向維持模塊(05)和反向維持模塊(06)對上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位進(jìn)行維持;自舉電容(C1),主要是為了抬升netAn點(diǎn)的電位;U2D和D2U是正反向掃描的控制信號,正向掃描時(shí)U2D是正壓高電位,D2U是負(fù)壓低電位;反向掃描時(shí)U2D是負(fù)壓低電位,D2U是正壓高電位。
正反向掃描柵極驅(qū)動電路的具體連接方式為:正向預(yù)充模塊(01)包括第一薄膜晶體管(M1),第一薄膜晶體管(M1)的柵極連接前級的柵極掃描信號(Gn-2),源極連接正向掃描控制信號(U2D),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
反向預(yù)充模塊(02)包括第九薄膜晶體管(M9),第九薄膜晶體管(M9)的柵極連接后級的柵極掃描信號(Gn+2),源極連接反向掃描控制信號(D2U),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
上拉模塊(03)包括第十薄膜晶體管(M10),第十薄膜晶體管(M10)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),源極連接第m時(shí)鐘信號(CKm),漏極輸出柵極掃描信號(Gn);
柵極掃描信號維持模塊(04)包括第十一薄膜晶體管(M11),第十一薄膜晶體管(M11)的柵極連接第m+2時(shí)鐘信號(CKm+2),源極連接至柵極掃描信號(Gn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
正向維持模塊(05)包括正向維持第一薄膜晶體管(M5),正向維持第二薄膜晶體管(M6),正向維持第三薄膜晶體管(M6A),正向維持第四薄膜晶體管(M8);其中正向維持第一薄膜晶體管(M5)的柵極連接正向掃描控制信號(U2D),源極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極與正向維持第二薄膜晶體管(M6)的源極、正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的源極和正向維持第四薄膜晶體管(M8)的柵極連接;正向維持第二薄膜晶體管(M6)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的柵極連接至前級的柵極掃描信號(Gn-2),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第四薄膜晶體管(M8)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
反向維持模塊(06)包括反向維持第一薄膜晶體管(M5A),反向維持第二薄膜晶體管(M6C),反向維持第三薄膜晶體管(M6C),反向維持第四薄膜晶體管(M8B);其中反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的柵極連接反向掃描控制信號(D2U),源極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極與反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的源極、反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的源極和反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的柵極連接;反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的柵極連接至后級的柵極掃描信號(Gn+2),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
輔助維持模塊(07)包括正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)和反向輔助維持薄膜晶體管(M4B),正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)的柵極連接正向掃描啟動信號(GSP1),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);反向輔助維持薄膜晶體管(M4B)的柵極連接反向掃描啟動信號(GSP2),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);
自舉電容(C1)連接第十薄膜晶體管(M10)的柵極和漏極。
正反向掃描柵極驅(qū)動電路的另一種連接方式為:正向預(yù)充模塊(01)包括第一薄膜晶體管(M1),第一薄膜晶體管(M1)的柵極連接前級的柵極掃描信號(Gn-2),源極連接正向掃描控制信號(U2D),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
反向預(yù)充模塊(02)包括第九薄膜晶體管(M9),第九薄膜晶體管(M9)的柵極連接后級的柵極掃描信號(Gn+2),源極連接反向掃描控制信號(D2U),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
上拉模塊(03)包括第十薄膜晶體管(M10),第十薄膜晶體管(M10)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),源極連接第m時(shí)鐘信號(CKm),漏極輸出柵極掃描信號(Gn);
柵極掃描信號維持模塊(04)包括第十一薄膜晶體管(M11),第十一薄膜晶體管(M11)的柵極連接第m+2時(shí)鐘信號(CKm+2),源極連接至柵極掃描信號(Gn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
正向維持模塊(05)包括正向維持第一薄膜晶體管(M5),正向維持第二薄膜晶體管(M6),正向維持第三薄膜晶體管(M6A),正向維持第四薄膜晶體管(M8),正向維持放電薄膜晶體管(M7);其中正向維持第一薄膜晶體管(M5)的源極連接正向掃描控制信號(U2D),柵極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極與正向維持第二薄膜晶體管(M6)的源極、正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的源極、正向維持第四薄膜晶體管(M8)的柵極和正向維持放電薄膜晶體管(M7)的源極連接;正向維持第二薄膜晶體管(M6)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的柵極連接至前級的柵極掃描信號(Gn-2),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第四薄膜晶體管(M8)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS),正向維持放電薄膜晶體管(M7)的柵極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極連接恒壓低電位(VSS);
反向維持模塊(06)包括反向維持第一薄膜晶體管(M5A),反向維持第二薄膜晶體管(M6C),反向維持第三薄膜晶體管(M6C),反向維持第四薄膜晶體管(M8B),反向維持放電薄膜晶體管(M7A);其中反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的源極連接反向掃描控制信號(D2U),柵極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極與反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的源極、反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的源極、反向維持放電薄膜晶體管(M7A)的源極和反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的柵極連接;反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的柵極連接至后級的柵極掃描信號(Gn+2),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS),反向維持放電薄膜晶體管(M7A)的柵極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極連接恒壓低電位(VSS);
輔助維持模塊(07)包括正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)和反向輔助維持薄膜晶體管(M4B),正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)的柵極連接正向掃描啟動信號(GSP1),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);反向輔助維持薄膜晶體管(M4B)的柵極連接反向掃描啟動信號(GSP2),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);
自舉電容(C1)連接第十薄膜晶體管(M10)的柵極和漏極。
為了在每幀結(jié)束以及開關(guān)機(jī)時(shí)對電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)進(jìn)行電荷清空,上述正反向掃描柵極驅(qū)動電路還包括清空重置模塊(08),清空重置模塊(08)由清空重置控制信號(CLR)控制,與上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn)、恒壓低電位(VSS)、正向維持模塊(05)和反向維持模塊(06)連接;清空重置模塊(08)包括第二薄膜晶體管(M2),第十二薄膜晶體管(M12),正向清空重置薄膜晶體管(M3)和反向清空重置薄膜晶體管(M3A);第二薄膜晶體管(M2),第十二薄膜晶體管(M12),正向清空重置薄膜晶體管(M3)和反向清空重置薄膜晶體管(M3A)的柵極均連接清空重置控制信號(CLR),漏極均連接至恒壓低電位(VSS);第二薄膜晶體管(M2)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),第十二薄膜晶體管(M12)的源極連接?xùn)艠O掃描信號(Gn),正向清空重置薄膜晶體管(M3)的源極連接正向維持第一薄膜晶體管(M5)的漏極,反向清空重置薄膜晶體管(M3A)的源極連接反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的漏極。
有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明公開的正反向掃描柵極驅(qū)動電路具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該電路預(yù)充模塊和下拉清空模塊對稱設(shè)計(jì),正向預(yù)充模塊可以作為反向掃描時(shí)上拉控制節(jié)點(diǎn)的下拉清空模塊,反向預(yù)充模塊可以作為正向掃描時(shí)上拉控制節(jié)點(diǎn)的下拉清空模塊,可以實(shí)現(xiàn)正反向掃描;2、單獨(dú)設(shè)計(jì)兩個(gè)上拉控制節(jié)點(diǎn)的維持模塊,一個(gè)在正向掃描時(shí)進(jìn)行維持,另一個(gè)在反向掃描時(shí)進(jìn)行維持,結(jié)合輔助維持模塊,可以很好地維持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電位。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有產(chǎn)品設(shè)計(jì)采用的柵極掃描驅(qū)動電路;
圖2是實(shí)施例1正反向掃描柵極驅(qū)動電路圖;
圖3是實(shí)施例1正反向掃描柵極驅(qū)動電路的正向掃描驅(qū)動波形示意圖;
圖4是實(shí)施例1正反向掃描柵極驅(qū)動電路的反向掃描驅(qū)動波形示意圖;
圖5是實(shí)施例2正反向掃描柵極驅(qū)動電路圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式,進(jìn)一步闡明本發(fā)明。
實(shí)施例1:
如圖2所示,一種正反向掃描柵極驅(qū)動電路,包含正向預(yù)充模塊(01)、反向預(yù)充模塊(02)、上拉模塊(03)、柵極掃描信號維持模塊(04)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)、清空重置模塊(08)和自舉電容(C1);其中正向預(yù)充模塊(01)、反向預(yù)充模塊(02)、上拉模塊(03)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)和自舉電容(C1)的連接點(diǎn)為上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);上拉模塊(03)、柵極掃描信號維持模塊(04)、和自舉電容(C1)的連接點(diǎn)為柵極掃描信號(Gn);柵極掃描信號維持模塊(04)、正向維持模塊(05)、反向維持模塊(06)、輔助維持模塊(07)還連接于一個(gè)恒壓低電位(VSS)。
正向預(yù)充模塊(01)在正向掃描時(shí)是預(yù)充模塊,反向掃描時(shí)充當(dāng)上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的下拉清空模塊;反向預(yù)充模塊(02)在反向掃描時(shí)是預(yù)充模塊,正向掃描時(shí)充當(dāng)上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的下拉清空模塊;上拉模塊(03),主要負(fù)責(zé)輸出柵極掃描信號Gn;柵極掃描信號維持模塊(04)主要負(fù)責(zé)維持柵極掃描信號Gn低電位;正向維持模塊(05)負(fù)責(zé)正向掃描時(shí)維持上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位;反向維持模塊(06)負(fù)責(zé)反向掃描時(shí)維持上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位;輔助維持模塊(07)是輔助正向維持模塊(05)和反向維持模塊(06)對上拉控制節(jié)點(diǎn)netAn的電位進(jìn)行維持;自舉電容(C1),主要是為了抬升netAn點(diǎn)的電位;U2D和D2U是正反向掃描的控制信號,正向掃描時(shí)U2D是正壓高電位,D2U是負(fù)壓低電位,01模塊是預(yù)充模塊,02模塊是下拉清空模塊,05模塊正常工作,06模塊關(guān)閉;反向掃描時(shí)U2D是負(fù)壓低電位,D2U是正壓高電位,01模塊是下拉清空模塊,02模塊是預(yù)充模塊,05模塊關(guān)閉,06模塊正常工作;清空重置模塊(08)在每幀結(jié)束以及開關(guān)機(jī)時(shí)對電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)進(jìn)行電荷清空,由清空重置控制信號(CLR)控制,與上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn)、恒壓低電位(VSS)、正向維持模塊(05)和反向維持模塊(06)連接;VSS是恒壓低電位,主要負(fù)責(zé)提供柵極掃描信號Gn的低電位。
實(shí)施例1中電路的具體連接方式為:正向預(yù)充模塊(01)包括第一薄膜晶體管(M1),第一薄膜晶體管(M1)的柵極連接前級的柵極掃描信號(Gn-2),源極連接正向掃描控制信號(U2D),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
反向預(yù)充模塊(02)包括第九薄膜晶體管(M9),第九薄膜晶體管(M9)的柵極連接后級的柵極掃描信號(Gn+2),源極連接反向掃描控制信號(D2U),漏極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn);
上拉模塊(03)包括第十薄膜晶體管(M10),第十薄膜晶體管(M10)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),源極連接第m時(shí)鐘信號(CKm),漏極輸出柵極掃描信號(Gn);
柵極掃描信號維持模塊(04)包括第十一薄膜晶體管(M11),第十一薄膜晶體管(M11)的柵極連接第m+2時(shí)鐘信號(CKm+2),源極連接至柵極掃描信號(Gn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
正向維持模塊(05)包括正向維持第一薄膜晶體管(M5),正向維持第二薄膜晶體管(M6),正向維持第三薄膜晶體管(M6A),正向維持第四薄膜晶體管(M8);其中正向維持第一薄膜晶體管(M5)的柵極連接正向掃描控制信號(U2D),源極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極與正向維持第二薄膜晶體管(M6)的源極、正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的源極和正向維持第四薄膜晶體管(M8)的柵極連接,連接點(diǎn)為netBn;正向維持第二薄膜晶體管(M6)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的柵極連接至前級的柵極掃描信號(Gn-2),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第四薄膜晶體管(M8)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
反向維持模塊(06)包括反向維持第一薄膜晶體管(M5A),反向維持第二薄膜晶體管(M6C),反向維持第三薄膜晶體管(M6C),反向維持第四薄膜晶體管(M8B);其中反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的柵極連接反向掃描控制信號(D2U),源極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極與反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的源極、反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的源極和反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的柵極連接,連接點(diǎn)為netCn;反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的柵極連接至后級的柵極掃描信號(Gn+2),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);
薄膜晶體管M5和M5A可以正向充電,也可以反向放電,使得netBn和netCn點(diǎn)不會一直處于高電位。
輔助維持模塊(07)包括正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)和反向輔助維持薄膜晶體管(M4B),正向輔助維持薄膜晶體管(M4A)的柵極連接正向掃描啟動信號(GSP1),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);反向輔助維持薄膜晶體管(M4B)的柵極連接反向掃描啟動信號(GSP2),源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接至恒壓低電位(VSS);
清空重置模塊(08)包括第二薄膜晶體管(M2),第十二薄膜晶體管(M12),正向清空重置薄膜晶體管(M3)和反向清空重置薄膜晶體管(M3A);第二薄膜晶體管(M2),第十二薄膜晶體管(M12),正向清空重置薄膜晶體管(M3)和反向清空重置薄膜晶體管(M3A)的柵極均連接清空重置控制信號(CLR),漏極均連接至恒壓低電位(VSS);第二薄膜晶體管(M2)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),第十二薄膜晶體管(M12)的源極連接?xùn)艠O掃描信號(Gn),正向清空重置薄膜晶體管(M3)的源極連接正向維持第一薄膜晶體管(M5)的漏極,反向清空重置薄膜晶體管(M3A)的源極連接反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的漏極;
自舉電容(C1)連接第十薄膜晶體管(M10)的柵極和漏極。
如圖3所示,為本實(shí)施例電路在正向掃描時(shí)的驅(qū)動波形示意圖。圖中CK1、CK2、CK3、CK4是時(shí)鐘控制信號,正向掃描時(shí)依序輸出,控制時(shí)鐘信號CKm-1、CKm、CKm+1和CKm+2;正向掃描時(shí)柵極掃描信號Gn-2、Gn、Gn+2從小到大依序輸出。
如圖4所示,為本實(shí)施例電路在反向掃描時(shí)的驅(qū)動波形示意圖。圖中CK1、CK2、CK3、CK4是時(shí)鐘控制信號,反向掃描時(shí)倒序輸出,即按CK4、CK3、CK2、CK1的輸出順序控制時(shí)鐘信號CKm-1、CKm、CKm+1和CKm+2;反向掃描時(shí)柵極掃描信號Gn+2、Gn、Gn-2從大到小倒序輸出。
實(shí)施例2:
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于正向維持模塊(05)和反向維持模塊(06)的具體電路不同。如圖5所示,本實(shí)施例中,正向維持模塊(05)包括正向維持第一薄膜晶體管(M5),正向維持第二薄膜晶體管(M6),正向維持第三薄膜晶體管(M6A),正向維持第四薄膜晶體管(M8),正向維持放電薄膜晶體管(M7);其中正向維持第一薄膜晶體管(M5)的源極連接正向掃描控制信號(U2D),柵極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極與正向維持第二薄膜晶體管(M6)的源極、正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的源極、正向維持第四薄膜晶體管(M8)的柵極和正向維持放電薄膜晶體管(M7)的源極連接,連接點(diǎn)為netBn;正向維持第二薄膜晶體管(M6)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第三薄膜晶體管(M6A)的柵極連接至前級的柵極掃描信號(Gn-2),漏極連接恒壓低電位(VSS);正向維持第四薄膜晶體管(M8)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS),正向維持放電薄膜晶體管(M7)的柵極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極連接恒壓低電位(VSS);
反向維持模塊(06)包括反向維持第一薄膜晶體管(M5A),反向維持第二薄膜晶體管(M6C),反向維持第三薄膜晶體管(M6C),反向維持第四薄膜晶體管(M8B),反向維持放電薄膜晶體管(M7A);其中反向維持第一薄膜晶體管(M5A)的源極連接反向掃描控制信號(D2U),柵極連接第m+1時(shí)鐘信號(CKm+1),漏極與反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的源極、反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的源極、反向維持放電薄膜晶體管(M7A)的源極和反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的柵極連接,連接點(diǎn)為netCn;反向維持第二薄膜晶體管(M6C)的柵極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第三薄膜晶體管(M6B)的柵極連接至后級的柵極掃描信號(Gn+2),漏極連接恒壓低電位(VSS);反向維持第四薄膜晶體管(M8B)的源極連接至上拉控制節(jié)點(diǎn)(netAn),漏極連接恒壓低電位(VSS),反向維持放電薄膜晶體管(M7A)的柵極連接第m-1時(shí)鐘信號(CKm-1),漏極連接恒壓低電位(VSS)。
其中薄膜晶體管M5和M5A正向充電,M7和M7A進(jìn)行反向放電,使得netBn和netCn點(diǎn)不會一直處于高電位。