本發(fā)明屬于液晶顯示器測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)，尤其涉及一種用于陣列基板的測(cè)試電路及制作方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器由于其輕薄化和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，是目前市場(chǎng)中的主流顯示裝置。在液晶顯示面板的生產(chǎn)過(guò)程中，其陣列基板所有工藝完成之后會(huì)有陣列測(cè)試過(guò)程來(lái)檢查面板的GOA及AA區(qū)的工作情況。

在陣列測(cè)試過(guò)程中，需要通過(guò)陣列測(cè)試焊盤(pán)對(duì)液晶面板施加外加信號(hào)。如果外加信號(hào)的電流過(guò)大會(huì)燒傷或者炸傷器件，引起液晶面板不良。雖然可以通過(guò)控制外加信號(hào)的大小來(lái)減少外加信號(hào)的電流，但在液晶面板設(shè)計(jì)中也會(huì)出現(xiàn)電流過(guò)大需要保護(hù)器件的期間，通常會(huì)在陣列測(cè)試焊盤(pán)之外設(shè)置一定阻值的繞線電阻。通常繞線電阻越大，對(duì)陣列測(cè)試的保護(hù)能力越強(qiáng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種用于陣列基板的測(cè)試電路及制作方法，可以充分利用三維空間，利用多層金屬的換線方式提升繞線電阻的阻值。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于陣列基板的測(cè)試電路，包括用于連接陣列測(cè)試焊盤(pán)和陣列靜電測(cè)試部的繞線電阻，其中，

所述繞線電阻由設(shè)置于基板上的位于兩個(gè)不同層的金屬繞線連接形成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，位于兩個(gè)不同層的金屬繞線連接于所述繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括：

設(shè)置于基底上的第一絕緣層；

設(shè)置于所述第一絕緣層上的第一金屬繞線；

設(shè)置于所述第一金屬繞線和裸露的第一絕緣層上的第二絕緣層；

設(shè)置于所述第二絕緣層上的第二金屬繞線，

其中，所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線通過(guò)貫通所述第二絕緣層的過(guò)孔連通，所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)位于所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線的連接處。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括：

設(shè)置于基底上的第一絕緣層；

設(shè)置于所述第一絕緣層上的第一金屬繞線；

設(shè)置于所述第一金屬繞線和裸露的第一絕緣層上的第二絕緣層；

設(shè)置于所述第二絕緣層上的第二金屬層，其中，所述第二金屬層與所述第一金屬繞線通過(guò)貫通所述第二絕緣層的第一過(guò)孔連通；

設(shè)置于所述第二金屬層和裸露的第二絕緣層上的第三絕緣層；

設(shè)置于所述第三絕緣層上的第二金屬繞線，其中，所述第二金屬繞線與所述第二金屬層通過(guò)貫通所述第三絕緣層的第二過(guò)孔連通，所述第二金屬層對(duì)應(yīng)所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線的連接處。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一金屬繞線連接陣列測(cè)試焊盤(pán)，所述第二金屬繞線連接陣列靜電測(cè)試部。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一金屬繞線連接陣列靜電測(cè)試部，所述第二金屬繞線連接陣列測(cè)試焊盤(pán)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于制作陣列基板的測(cè)試電路的方法，包括以下步驟：

在基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第一金屬繞線；

在所述第一金屬繞線和裸露的第一絕緣層上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層，并在預(yù)定位置蝕刻過(guò)孔；

在所述第二絕緣層上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第二金屬繞線，所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線通過(guò)所述過(guò)孔連通。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述預(yù)定位置設(shè)置在由所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線形成的繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。

根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，還提供了一種用于制作陣列基板的測(cè)試電路的方法，包括：

在基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第一金屬繞線；

在所述第一金屬繞線和裸露的第一絕緣層上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上的預(yù)定位置蝕刻第一過(guò)孔；

在所述第二絕緣層上的預(yù)定位置處形成第二金屬層，并通過(guò)所述第一過(guò)孔連通所述第二金屬層和所述第一金屬繞線；

在所述第二金屬層和裸露的第二絕緣層上形成第三絕緣層，并在對(duì)應(yīng)所述預(yù)定位置處蝕刻第二過(guò)孔；

在所述第三絕緣層上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第二金屬繞線，所述第二金屬繞線通過(guò)所述第二過(guò)孔連通所述第二金屬層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述預(yù)定位置設(shè)置在由所述第一金屬繞線和所述第二金屬繞線形成的繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。

本發(fā)明的有益效果；

本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)新型的陣列測(cè)試?yán)@線電阻走線方式，充分利用三維空間，利用多層金屬的換線方式提升繞線電阻的阻值，從而大大提升器件的穩(wěn)定性，降低因測(cè)量過(guò)程的不穩(wěn)定引發(fā)的液晶面板良率損失等問(wèn)題。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列測(cè)試單元的布線示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的測(cè)試電路剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2的俯視示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的測(cè)試電路剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列測(cè)試單元的布線示意圖，其中，陣列靜電測(cè)試部11和陣列測(cè)試焊盤(pán)12之間通過(guò)金屬繞線13連接，金屬繞線13形成繞線電阻區(qū)域。陣列測(cè)試焊盤(pán)12是液晶顯示面板在陣列測(cè)試時(shí)用于外部信號(hào)輸入的端口。金屬繞線13使用的是電阻值比較大的金屬走線，用以增加陣列測(cè)試的抗靜電能力。但是，圖1所示的金屬繞線13不能充分利用陣列靜電測(cè)試部11和陣列測(cè)試焊盤(pán)12之間的三維空間。

因此，本發(fā)明提供了一種用于陣列基板的測(cè)試電路，該測(cè)試電路包括用于連接陣列測(cè)試焊盤(pán)22和陣列靜電測(cè)試部21的繞線電阻23，該繞線電阻23由設(shè)置于基板上的位于兩個(gè)不同層的金屬繞線連接形成。也就是說(shuō)，該繞線電阻23由兩條金屬繞線連接型成，這兩條金屬繞線位于基板上的不同層。這樣，不同層的金屬繞線就可以在其所在層任意繞線，從而增加金屬繞線的長(zhǎng)度，進(jìn)而增加金屬繞線的阻值，提升器件的穩(wěn)定性，降低因測(cè)量過(guò)程的不穩(wěn)定引發(fā)的液晶面板良率損失等問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，位于兩個(gè)不同層的金屬繞線連接于繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。這樣設(shè)置可以盡可能的增加金屬繞線的長(zhǎng)度及阻值。當(dāng)然，位于兩個(gè)不同層的金屬繞線也可以連接于繞線電阻所在區(qū)域的其他位置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該測(cè)試電路包括：設(shè)置于基底2311上的第一絕緣層2312；設(shè)置于第一絕緣層2312上的第一金屬繞線2313；設(shè)置于第一金屬線2313和裸露的第一絕緣層2312上的第二絕緣層2314；設(shè)置于第二絕緣層2314上的第二金屬繞線2315，其中，第一金屬繞線2313和第二金屬繞線2315通過(guò)貫通第二絕緣層2314的過(guò)孔2316連通，該過(guò)孔對(duì)應(yīng)位于第一金屬繞線2313和第二金屬繞線2315的連接處。該測(cè)試電路對(duì)應(yīng)的剖面圖如圖2所示，俯視圖如圖3所示。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該測(cè)試電路包括：設(shè)置于基底2321上的第一絕緣層2322；設(shè)置于第一絕緣層2322上的第一金屬繞線2323；設(shè)置于第一金屬繞線2323上和裸露的第一絕緣層2322上的第二絕緣層2324；設(shè)置于第二絕緣層2324上的第二金屬層2326，其中，第二金屬層2326與第一金屬繞線2323通過(guò)貫通第二絕緣層2324的第一過(guò)孔2328連通；設(shè)置于第二金屬層2326和裸露的第二絕緣層2324上的第三絕緣層2327；設(shè)置于第三絕緣層2327上的第二金屬繞線2325，第二金屬繞線2325與第二金屬層2326通過(guò)貫通第三絕緣層2327的第二過(guò)孔2329連通，第二金屬層2326對(duì)應(yīng)兩個(gè)不同層的金屬繞線的連接處。該測(cè)試電路對(duì)應(yīng)的剖面圖如圖4所示，俯視圖如圖5所示。此處，如果第三絕緣層2327為由一種絕緣材料構(gòu)成的單一絕緣層時(shí)，可以通過(guò)一次蝕刻形成第二過(guò)孔2329。但是，如果第三絕緣層2327為由至少兩種絕緣材料構(gòu)成的具有多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合絕緣層時(shí)，例如具有介質(zhì)層PLN和有機(jī)介質(zhì)層TPIN構(gòu)成的兩層絕緣結(jié)構(gòu)時(shí)，由于各層絕緣結(jié)構(gòu)的絕緣材料不同，蝕刻過(guò)孔所需的條件不同，所以?xún)?yōu)選地對(duì)各層分別蝕刻來(lái)形成過(guò)孔，并將各層過(guò)孔重合設(shè)置以形成所需的第二過(guò)孔2329。

位于兩個(gè)不同層的金屬繞線雖然可以在其所在層任意繞線排布，但為減少兩條金屬繞線之間的干擾以及產(chǎn)生的寄生電容，兩條不同層的金屬繞線盡可能地不要重合設(shè)置，如圖3和圖5所示。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第一金屬繞線連接陣列測(cè)試焊盤(pán)，第二金屬繞線連接陣列靜電測(cè)試部。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，第一金屬繞線連接陣列靜電測(cè)試部，第二金屬繞線連接陣列測(cè)試焊盤(pán)。第一金屬繞線和第二金屬繞線與陣列靜電測(cè)試部和陣列靜電測(cè)試部的具體連接關(guān)系，可以結(jié)合陣列靜電測(cè)試部和陣列靜電測(cè)試部制作工藝設(shè)置。這是因?yàn)椋嚵徐o電測(cè)試部和陣列靜電測(cè)試部也具有金屬布線，可以和第一金屬繞線或第二金屬繞線在相同的工藝制程中完成。

本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)新型的陣列測(cè)試?yán)@線電阻走線方式，充分利用三維空間，利用多層金屬的換線方式提升繞線電阻的阻值，從而大大提升器件的穩(wěn)定性，降低因測(cè)量過(guò)程的不穩(wěn)定引發(fā)的液晶面板良率損失等問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于制作陣列基板的測(cè)試電路的方法，包括以下幾個(gè)步驟。

首先，在基底2311上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層2312。

然后，在第一絕緣層2312上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第一金屬繞線2313。具體的，在第一絕緣層2312上沉積金屬層，并對(duì)該金屬層進(jìn)行蝕刻處理來(lái)形成第一金屬繞線2313。

然后，在第一金屬繞線2313和裸露的第一絕緣層2312上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層2314，并在預(yù)定位置蝕刻過(guò)孔2316。

最后，在第二絕緣層2314上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第二金屬繞線2315，第一金屬繞線2313和第二金屬繞線2315通過(guò)過(guò)孔2316連通。該預(yù)定位置可設(shè)置在第一金屬繞線和所第二金屬繞線形成的繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了另一種用于制作陣列基板的測(cè)試電路的方法，包括以下幾個(gè)步驟。

首先，在基底2321上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層2322。

接著，在第一絕緣層2322上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第一金屬繞線2323。具體的，在第一絕緣層2322上沉積金屬層，并對(duì)該金屬層進(jìn)行蝕刻處理來(lái)形成第一金屬繞線2323。

接著，在第一金屬繞線2323和裸露的第一絕緣層2322上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層2324，并在第二絕緣層2324上的預(yù)定位置蝕刻第一過(guò)孔2328。

接著，在第二絕緣層2324上的預(yù)定位置處沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第二金屬層2326，通過(guò)第一過(guò)孔2328連通第二金屬層2326和第一金屬繞線2323。接著，在第二金屬層2326和裸露的第二絕緣層2324上形成第三絕緣層2327，并在對(duì)應(yīng)預(yù)定位置處蝕刻第二過(guò)孔2329。該第三絕緣層2327可為一層絕緣層，也可以為多層絕緣層構(gòu)成的復(fù)合絕緣層(如介質(zhì)層PLN和有機(jī)介質(zhì)層TPIL)。如果第三絕緣層2327為由一種絕緣材料構(gòu)成的單一絕緣層時(shí)，可以通過(guò)一次蝕刻形成第二過(guò)孔2329。但是，如果第三絕緣層2327為由至少兩種絕緣材料構(gòu)成的具有多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合絕緣層時(shí)，例如具有介質(zhì)層PLN和有機(jī)介質(zhì)層TPIN構(gòu)成的兩層絕緣結(jié)構(gòu)時(shí)，由于各層絕緣結(jié)構(gòu)的絕緣材料不同，蝕刻過(guò)孔所需的條件不同，所以?xún)?yōu)選地依次對(duì)各層分別蝕刻來(lái)形成過(guò)孔，并將各層過(guò)孔重合設(shè)置以形成所需的第二過(guò)孔2329。

最后，在第三絕緣層2327上沉積金屬材料并進(jìn)行處理以形成第二金屬繞線2325，第二金屬繞線2325通過(guò)第二過(guò)孔2329與第二金屬層2326連通。這樣，第一金屬繞線2323和第二金屬繞線2325就可以通過(guò)第二金屬層2326連通。

該預(yù)定位置可設(shè)置在第一金屬繞線和所第二金屬繞線形成的繞線電阻所在區(qū)域的中間位置。

在通常的顯示面板制作過(guò)程中，結(jié)合陣列靜電測(cè)試部和陣列靜電測(cè)試部制作過(guò)程及各層金屬的厚度要求，圖2中所示第二金屬繞線的厚度大于圖3中第二金屬繞線的厚度，所以圖3中形成的第二金屬繞線的阻值較大。

雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。