本發(fā)明涉及液晶顯示器的技術領域，具體是涉及一種液晶顯示面板及其像素電路結(jié)構(gòu)。

背景技術：

高分辨率，高PPI(Pixel per Inch)的面板顯示畫面精細和細膩，從而達到超高清顯示，是顯示科技發(fā)展的一個方向，對應的像素尺寸也隨著分辨率和PPI的提高而減小，像素尺寸減小，單位面積的金屬面積增加，相應開口率降低，對應的穿透率會降低，因此穿透率的是高分辨率高PPI像素設計一個重點考量因素。VA(Vertical Alignment)模式基于大視角的考慮，一般都會有大視角補償?shù)脑O計，即有放電電容(Cdown)，現(xiàn)有設計方案中，一般將放電電容設置在Com(公共電極)線上，這種設計會犧牲像素的開口率，進而降低產(chǎn)品穿透率。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示面板及其像素電路結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術中液晶顯示面板由于像素開口率低而導致穿透率低的技術問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例一方面提供了一種具有高穿透率的像素電路結(jié)構(gòu)，所述像素電路結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線以及第二掃描線，其中所述第一掃描線分別與主像素電極以及副像素電極的柵極連接，所述第二掃描線與分配電極的柵極連接，所述主像素電極和所述副像素電極的源極分別與所述數(shù)據(jù)線連接，漏極分別連接等效液晶電容；所述分配電極的源極與所述副像素電極的漏極連接，源極與所述第一掃描線之間設有第一放電電容。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第一放電電容與所述分配電極分別設于不同的掃描線上。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第一放電電容設于所述第一掃描線上。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述分配電極設于所述第二掃描線上。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述主像素電極和所述分配電極的漏極之間設有第二放電電容。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第二放電電容設于所述第一掃描線或者所述第二掃描線上。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第二放電電容設于所述第一掃描線上。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述等效液晶電容的一端與分別與所述主像素電極和所述副像素電極的漏極連接，另一端分別與彩膜基板的公共電極連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述主像素電極和所述副像素電極的漏極分別與保持電容的一端連接，所述保持電容的另一端與公共電極連接。

為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例另一方面提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括上述實施例中任一項所述的像素電路結(jié)構(gòu)。

相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明提供的液晶顯示面板及其像素電路結(jié)構(gòu)，在不改變大視角效果前提下，優(yōu)化放電電容的設計位置，將其設計在掃描線(Gate)上，不占用面內(nèi)開口區(qū)，可以大幅度提升開口率，進而提高液晶面板的穿透率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明具有高穿透率的像素電路結(jié)構(gòu)第一實施例的電路圖；

圖2是圖1實施例中像素電路結(jié)構(gòu)的布線圖；

圖3是本發(fā)明具有高穿透率的像素電路結(jié)構(gòu)第二實施例的電路圖；

圖4是圖3實施例中像素電路結(jié)構(gòu)的布線圖；

圖5是像素電路結(jié)構(gòu)的電路控制波形圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細描述。特別指出的是，以下實施例僅用于說明本發(fā)明，但不對本發(fā)明的范圍進行限定。同樣的，以下實施例僅為本發(fā)明的部分實施例而非全部實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

像素電路結(jié)構(gòu)實施例1

請一并參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明具有高穿透率的像素電路結(jié)構(gòu)第一實施例的電路圖，圖2是圖1實施例中像素電路結(jié)構(gòu)的布線圖；該像素電路結(jié)構(gòu)包括第一掃描線101、第二掃描線102以及數(shù)據(jù)線103。

具體而言，該第一掃描線101分別與主像素電極104以及副像素電極105開關的柵極連接，第一掃描線101用于控制主像素電極104(Main)和副像素電極105(Sub TFT)的開關；而第二掃描線102與分配電極106的柵極連接，第二掃描線102用于控制分配電極106(Sharing TFT)的開關，給Sub PE(Pixel electrode)放電。

主像素電極104和副像素電極105的源極分別與數(shù)據(jù)線103連接，漏極分別連接等效液晶電容107。

分配電極的開關106的源極與副像素電極105開關的漏極連接，源極與第一掃描線101之間設有第一放電電容108。等效液晶電容107的一端與分別與主像素電極104和副像素電極105開關的漏極連接，另一端分別與彩膜基板的公共電極(圖中未示)連接。

主像素電極104和副像素電極105開關的漏極分別與保持電容109的一端連接，保持電容109的另一端則與公共電極110連接。

優(yōu)選地，本實施例中第一放電電容108與分配電極106分別設于不同的掃描線(101或者102)上。當然，在其他實施例中，第一放電電容108與分配電極106也可以設于同一掃描線上。

進一步優(yōu)選地，本實施例中第一放電電容108設于第一掃描線101上，而分配電極106則設于第二掃描線102上，需要說明的是，本發(fā)明的主要發(fā)明點在于第一放電電容108和分配電極106設于掃描線上，而至于第一放電電容108和分配電極106具體設置在哪一條掃描線上，在本領技術人員的理解范圍內(nèi)，此處不再一一列舉。

一個像素對應設計兩根Gate(掃描)線(101、102)。Pixel(m，n)即對應Gate(m)和Data(n)的Pixel，其對應Gate1(m)和Gate2(m)，Gate1(m)控制主像素電極104和副像素電極105的開關，Gate2(m)僅用來控制分配電極106(Sharing TFT)的開關，且一幀畫面時，Gate2(m)比Gate1(m)晚打開，因此Gate1(m)開時，Data線對Sub(副像素電極105)和Main PE(主像素電極104)都充電，至飽和，然后Gate1(m)關閉，此時Sub和Main PE的電位相當，當Gate2(m)打開時，Sharing TFT開，會對Sub PE放電至Cdown電容(第一放電電容108)，從而保證Sub PE電位低于Main PE，從而達到視角補償?shù)男Ч?/p>

如圖2所示，Gate線為不透光金屬材料；而Sub和Main PE則是ITO透明電極。傳統(tǒng)大視角補償設計，Cdown設計在com(公共)電極上，com電極面積增大，會占用像素開口區(qū)，相比較而言，本實施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)，通過將第一放電電容Cdown的一端設計在Gate2(m)線上，不占用com的面積，因而可以有效增加像素開口區(qū)域，提升穿透率。

像素電路結(jié)構(gòu)實施例2

請一并參閱圖3和圖4，圖3是本發(fā)明具有高穿透率的像素電路結(jié)構(gòu)第二實施例的電路圖，圖4是圖3實施例中像素電路結(jié)構(gòu)的布線圖；該像素電路結(jié)構(gòu)同樣包括第一掃描線101、第二掃描線102以及數(shù)據(jù)線103。

具體而言，該第一掃描線101分別與主像素電極104以及副像素電極105開關的柵極連接，第一掃描線101用于控制主像素電極104(Main)和副像素電極105(Sub TFT)的開關；而第二掃描線102與分配電極106的柵極連接，第二掃描線102用于控制分配電極106(Sharing TFT)的開關，給Sub PE(Pixel electrode)放電。

主像素電極104和副像素電極105的源極分別與數(shù)據(jù)線103連接，漏極分別連接等效液晶電容107。

分配電極的開關106的源極與副像素電極105開關的漏極連接，源極與第一掃描線101之間設有第一放電電容108。等效液晶電容107的一端與分別與主像素電極104和副像素電極105開關的漏極連接，另一端分別與彩膜基板的公共電極(圖中未示)連接。

主像素電極104和副像素電極105開關的漏極分別與保持電容109的一端連接，保持電容109的另一端則與公共電極110連接。

優(yōu)選地，本實施例中第一放電電容108與分配電極106分別設于不同的掃描線(101或者102)上。當然，在其他實施例中，第一放電電容108與分配電極106也可以設于同一掃描線上。

進一步優(yōu)選地，本實施例中第一放電電容108設于第一掃描線101上，而分配電極106則設于第二掃描線102上，需要說明的是，本發(fā)明的主要發(fā)明點在于第一放電電容108和分配電極106設于掃描線上，而至于第一放電電容108和分配電極106具體設置在哪一條掃描線上，在本領技術人員的理解范圍內(nèi)，此處不再一一列舉。

與上一實施例不同的是，本實施例中的像素電路結(jié)構(gòu)還包括第二放電電容111，該第二放電電容111設于主像素電極104和分配電極106的漏極之間，第二放電電容111的作用為：在副像素電極105(Sub PE)電位變化時會對主像素電極104(Main PE)產(chǎn)生一定的影響，由于第二放電電容111的存在，仍然可保證Main PE和Sub PE電位的不同。

優(yōu)選地，該第二放電電容111可以設于第一掃描線101或者第二掃描線102上，在本實施例中，第二放電電容111設于第一掃描線101上，當然，在其他實施例中，第二放電電容111也可以設于第二掃描線102上。

請參閱圖5，圖5是像素電路結(jié)構(gòu)的電路控制波形圖。本實施例的電路中以60HZ，F(xiàn)HD(1920*1080)的分辨率為例。其中，Gate開關電壓分別為27V，-6V，255灰階Data信號正極性為14.2V，com電位為7V，255灰階負極性電壓可根據(jù)實際情況來設定(負極性和Com電位可根據(jù)實際情況進行調(diào)節(jié)，保證正負幀的對稱性)，則一幀中Gate可開啟的時間為14.8us(1s/60/1080＝15.4us，扣除blinking時間約為14.8us)即圖5中t＝14.8us。

電路中一個像素對應設計兩根Gate線。Pixel(m，n)即對應Gate(m)和Data(n)的Pixel，其對應Gate1(m)和Gate2(m)，Gate1(m)控制Main和Sub TFT的開關，Gate2(m)僅用來控制Sharing TFT的開關，且一幀畫面時，Gate2(m)比Gate1(m)晚打開，在此設定為Gate2(m)在Gate1(m)后相繼打開，因此Gate1(m)開時，Data(14.2V)對Sub和Main PE都充電，假定充電率為96％則Main和Sub PE電位分別為13.6V和13.4V(因TFT參數(shù)不同電位會有差別)，Gate1(m)開啟14.8us后關閉，當Gate2(m)相繼打開，Sharing TFT開，會對Sub PE放電至Cdown電容(第一放電電容108)，Cdown飽和后Sub PE保持9V電壓(假定Vsub/Vmain＝72％，該參數(shù)可以通過調(diào)整Cdown電容大小調(diào)節(jié))，從而達到視角補償?shù)男Ч?/p>

當下一幀Gate1(m)開時，Cdown電容一端電位(Gate1(m)電位)從-6V變?yōu)?7V，ΔV＝33V，電容耦合效應Sub PE電位上升約為33V，則約為42V。隨后Gate1(m)關閉時，ΔV＝-33V，Sub PE下降至9V。Sub PE電位為42V的時間約為14.8us，而液晶的偏轉(zhuǎn)響應時間為ms量級，該處的電容耦合效應不會影響液晶的偏轉(zhuǎn)，不會出現(xiàn)顯示異常。

相對于現(xiàn)有技術，本實施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)，在不改變大視角效果前提下，優(yōu)化第一放電電容的設計位置，將其設計在掃描線(Gate)上，不占用面內(nèi)開口區(qū)，可以大幅度提升開口率，進而提高液晶面板的穿透率，另外，還通過在主像素電極和分配電極的漏極之間設置第二放電電容，可以在副像素電極電位變化時，保證Main PE和Sub PE電位的不同，進而使液晶顯示面板可以正常顯示。

進一步地，本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括液晶面板、背光板以及上述實施例中的像素電路結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)，其中，像素電路結(jié)構(gòu)的詳細技術特征請參閱上述實施例中的具體描述，而關于液晶顯示面板其他部分的結(jié)構(gòu)特征，在本領域技術人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的部分實施例，并非因此限制本發(fā)明的保護范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效裝置或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。