技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基板上形成了像素電路的電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，人們提出了各種使用了發(fā)光元件、液晶元件等電氣光學(xué)元件的電光學(xué)裝置。在該電光學(xué)裝置中，一般構(gòu)成為在玻璃基板上與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對(duì)應(yīng)地形成像素電路。在該像素電路中除了包括上述電氣光學(xué)元件之外，還包括晶體管。由于在玻璃基板形成像素電路，所以該晶體管一般由薄膜晶體管構(gòu)成。

另一方面，近年來(lái)，以顯示尺寸的小型化、顯示的高精細(xì)化等為目的，提出一種不將電光學(xué)裝置形成在玻璃基板而形成在以硅基板為代表的半導(dǎo)體基板上的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。

專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2007/0236440號(hào)說(shuō)明書(shū)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2009－152113號(hào)公報(bào)

然而，在半導(dǎo)體基板上形成像素電路時(shí)，與在玻璃基板上形成的情況相比較，會(huì)產(chǎn)生各種問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的之一在于提供一種考慮到在半導(dǎo)體基板上形成像素電路的情況下的諸多問(wèn)題的電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。

為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，是在半導(dǎo)體基板上形成了顯示部，其排列有多個(gè)像素電路；和驅(qū)動(dòng)電路，其在上述顯示部的外側(cè)以與上述顯示部分離的方式被配置，輸出用于驅(qū)動(dòng)上述多個(gè)像素電路的信號(hào)的電光學(xué)裝置，構(gòu)成上述顯示部的多個(gè)像素電路由單一的第1阱形成，上述多個(gè)像素電路的每一個(gè)具有1個(gè)或者多個(gè)晶體管，該晶體管形成于上述單一的第1阱內(nèi)，并且被供給相同的基板電位，上述驅(qū)動(dòng)電路具有多個(gè)晶體管，構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)電路的多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管形成在第2阱內(nèi)，上述第1阱的導(dǎo)電型與上述第2阱的導(dǎo)電型相同，俯視觀察時(shí)上述第1阱與上述第2阱相互分離。

在本發(fā)明中，顯示部中的單一的阱被極性與其不同的阱包圍。因此，根據(jù)本發(fā)明，伴隨驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)作而產(chǎn)生的噪聲難以傳播到顯示部，從而能夠?qū)?duì)顯示的影響抑制得較小。

在本發(fā)明中，上述像素電路可以構(gòu)成為包括開(kāi)關(guān)晶體管與電光學(xué)元件，上述開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)，供給與上述電氣光學(xué)元件的目標(biāo)亮度對(duì)應(yīng)的電壓。在該構(gòu)成中，優(yōu)選上述像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管，上述電光學(xué)元件是以與流過(guò)的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光的發(fā)光元件，在第1電源與第2電源之間串聯(lián)連接上述驅(qū)動(dòng)晶體管以及上述發(fā)光元件，上述驅(qū)動(dòng)晶體管向上述發(fā)光元件供給與上述開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)所供給的電壓對(duì)應(yīng)的電流。根據(jù)該方式，開(kāi)關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管成為相同的基板電位，并且，使顯示部中的單一溝道型的基板電位穩(wěn)定化，因此實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)晶體管流出電流的穩(wěn)定化。

此處，若使上述基板電位與上述第1電源的電位相等，則不設(shè)置另外的供電線即可，實(shí)現(xiàn)了構(gòu)成的簡(jiǎn)單化。另一方面，還可以使上述基板電位與上述第1電源不同。

在本發(fā)明中，可以構(gòu)成為，上述驅(qū)動(dòng)晶體管是由串聯(lián)連接?xùn)艠O被公共連接的2個(gè)以上的晶體管而成的，該2個(gè)以上的晶體管共用基板電位。根據(jù)該構(gòu)成，即使增高電源電壓，也可以不增高晶體管的耐壓。

另外，在本發(fā)明中，可以構(gòu)成為俯視觀察時(shí)，在設(shè)置有上述驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)部中的、與上述顯示部對(duì)置的一側(cè)，形成與上述顯示部相同極性的阱。根據(jù)該構(gòu)成，伴隨驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)作而產(chǎn)生的噪聲等更加難以傳播到顯示部。

此外，本發(fā)明除了涉及電光學(xué)裝置之外，還涉及電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法、和具有該電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。電子設(shè)備典型而言，列舉了頭戴式可視設(shè)備、電子取景器等顯示裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的立體圖。

圖2是表示電光學(xué)裝置中的各部的配置的俯視圖。

圖3是表示電光學(xué)裝置的電氣構(gòu)成的框圖。

圖4是表示電光學(xué)裝置中的阱的區(qū)域的圖。

圖5是表示電光學(xué)裝置的主要部分剖視圖。

圖6是表示電光學(xué)裝置中的像素電路的圖。

圖7是表示電光學(xué)裝置的動(dòng)作的圖。

圖8是表示應(yīng)用例及變形例所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的圖。

圖9是表示使用了實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的HMD的立體圖。

圖10是表示HMD的光學(xué)構(gòu)成的圖。

具體實(shí)施方式

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置1的立體圖。

該圖所示的電光學(xué)裝置1包括例如適用于頭戴式可視設(shè)備(HMD)，顯示圖像的微型顯示器10。微型顯示器10是在以硅為代表的半導(dǎo)體基板上形成多個(gè)像素電路、驅(qū)動(dòng)該像素電路的驅(qū)動(dòng)電路等的有機(jī)EL裝置，在像素電路中包括作為發(fā)光元件的一個(gè)例子的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，以下稱為“OLED“)。此外，在以下的記載中，作為本發(fā)明優(yōu)選的半導(dǎo)體基板，以硅基板為例進(jìn)行說(shuō)明，但由其他公知的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體基板也同樣能夠適用于本發(fā)明。

微型顯示器10被收容于在顯示部開(kāi)口的框狀的外殼12，并且連接FPC(Flexible Printed Circuits：柔性電路基板)基板14的一端。在FPC基板14的另一端設(shè)置多個(gè)端子16，與被省略圖示的電路模塊連接。與端子16連接的電路模塊兼具微型顯示器10的電源電路以及控制電路，除了經(jīng)由FPC基板14供給各種電位之外，還供給數(shù)據(jù)信號(hào)、控制信號(hào)等。

圖2是表示微型顯示器10中的各部的配置的俯視圖，圖3是表示微型顯示器10中的電氣構(gòu)成的框圖。此外，為了便于說(shuō)明，圖2為將圖1中的外殼12取下的狀態(tài)。

在圖2中，顯示部100呈俯視時(shí)例如對(duì)角為1英寸左右、且左右方向橫向較長(zhǎng)的長(zhǎng)方形的形狀。參照?qǐng)D3對(duì)詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明，在顯示部100中，在圖中沿著左右方向設(shè)置m行掃描線112，沿著上下方向、且以與各掃描線112相互保持電絕緣的方式設(shè)置n列數(shù)據(jù)線114。因此，在顯示部100中，像素電路110與m行掃描線112和n列數(shù)據(jù)線114的各交叉對(duì)應(yīng)，排列成矩陣狀。

m、n均是自然數(shù)。另外，存在為了便于區(qū)別掃描線112以及像素電路110的矩陣中的行，在圖3中從上開(kāi)始依次稱為1、2、3、…、(m－1)、m行的情況。同樣地還存在為了便于區(qū)別數(shù)據(jù)線114以及像素電路110的矩陣的列，在圖3中從左開(kāi)始依次稱為1、2、3、…、(n－1)、n列的情況。

另外，實(shí)際上，與同一行的掃描線112和相互相鄰的3列數(shù)據(jù)線114的交叉對(duì)應(yīng)的3個(gè)像素電路110分別對(duì)應(yīng)R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))像素，來(lái)表現(xiàn)這些3個(gè)像素應(yīng)顯示的彩色圖像的1個(gè)點(diǎn)。換言之，本實(shí)施方式成為通過(guò)RGB的3個(gè)像素電路110的發(fā)光元件的加色混合來(lái)表現(xiàn)1個(gè)點(diǎn)的色彩的構(gòu)成。

在顯示部100的外圍設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)像素電路110的驅(qū)動(dòng)電路(外圍電路)。在本實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)電路的例子是掃描線驅(qū)動(dòng)電路140與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150，其中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路140分別在顯示部100的左右兩側(cè)與顯示部100分離而設(shè)置。詳細(xì)如圖3所示，2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路140成為分別從兩側(cè)驅(qū)動(dòng)m行掃描線112的每一個(gè)的構(gòu)成。各個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路140被上述電路模塊供給相同的控制信號(hào)Ctry，分別向第1、2、3、…、(m－1)、m行的掃描線112供給相同的掃描信號(hào)Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。

此外，在進(jìn)行該供給時(shí)，如果掃描信號(hào)的延遲不成問(wèn)題，則可以是只在單側(cè)設(shè)置一個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的構(gòu)成。

如圖2所示，在FPC基板14的連接處與顯示部100之間，與顯示部100分離地設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150。如圖3所示，從上述電路模塊向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150供給圖像信號(hào)Vd和控制信號(hào)Ctrx。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150根據(jù)控制信號(hào)Ctrx向第1、2、3、…、(n－1)、n列的數(shù)據(jù)線114供給圖像信號(hào)Vd為數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)、Vd(2)、Vd(3)、…、Vd(n-1)、Vd(n)。

另外，在本實(shí)施方式中，從上述電路模塊經(jīng)由FPC基板14遍及各像素電路110地向顯示部100供給電位V1、V2。

像素電路110、掃描線驅(qū)動(dòng)電路140以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150形成在共用的硅基板上。其中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路140輸出的掃描信號(hào)Gwr(1)～Gwr(m)是以H或者L電平規(guī)定的邏輯信號(hào)。因此，掃描線驅(qū)動(dòng)電路140成為根據(jù)控制信號(hào)Ctry動(dòng)作的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯電路的集合體。另外，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140中，將電源的高位側(cè)設(shè)為電位Vdd，將低位側(cè)設(shè)為電位Vss。因此，在掃描信號(hào)Gwr(1)～Gwr(m)中，H電平與電位Vdd相當(dāng)，L電平與電位Vss相當(dāng)。

另外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)～Vd(n)是模擬信號(hào)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150成為根據(jù)控制信號(hào)Ctrx依次將從上述電路模塊供給的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd供給至1～n列的數(shù)據(jù)線114的構(gòu)成。因此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150也具有CMOS邏輯電路。另一方面，如后述那樣，像素電路110具有多個(gè)晶體管，但在本實(shí)施方式中統(tǒng)一為P溝道型。

因此，如下那樣，在由硅基板形成的微型顯示器10中形成阱區(qū)。

圖4是表示微型顯示器10中的阱區(qū)的概略配置的圖，圖5是微型顯示器10中的包括顯示部100與掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的邊界部分的主要部分剖視圖。

作為基板，例如在使用P型半導(dǎo)體基板的情況下，如下那樣地形成N型的阱區(qū)(以下，簡(jiǎn)稱為“N阱“)。

即、如圖4所示，第1，遍及與顯示部100對(duì)應(yīng)的區(qū)域，連續(xù)地形成N阱104。第2，在與驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)的區(qū)域、即與驅(qū)動(dòng)部(外圍部)中的、掃描線驅(qū)動(dòng)電路140對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，以附隨多個(gè)橫向延伸的帶狀的開(kāi)口部分、且包圍邊緣的方式連續(xù)地形成N阱105、106。第3，在遍及與驅(qū)動(dòng)部中的、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150對(duì)應(yīng)的區(qū)域的、圖4的上側(cè)，即、遍及與顯示部100對(duì)置的一側(cè)的上區(qū)域連續(xù)地形成N阱108。

因此，結(jié)果如圖4所示，從俯視面看來(lái)，在驅(qū)動(dòng)電路與顯示部100分離的部分留下具備與顯示部100的N阱不同的導(dǎo)電型的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102，該P(yáng)型半導(dǎo)體基板區(qū)域102在驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)側(cè)且包圍顯示部100。

另外，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域中的開(kāi)口部分分別留下P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107。因此，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的邊緣部分，N阱105呈框狀地配置，在邊緣部分的內(nèi)側(cè)，N阱106與P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107在圖中遍及上下方向交替地配置。另外，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150的區(qū)域中的、圖中的下方區(qū)域留下P型半導(dǎo)體基板區(qū)域109。

因此，顯示部100的N阱104除了與驅(qū)動(dòng)部中的N阱105、106、108被P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102分離以外，還與驅(qū)動(dòng)部中的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107被P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102以及N阱105分離。

還可以對(duì)通過(guò)形成N阱104、105、106、108而留下的部分、即P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102、107、109注入P型的雜質(zhì)來(lái)形成P阱。

此外，如后述那樣，形成于顯示部100的P溝道型的晶體管形成于N阱104。在構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的CMOS邏輯電路中的、P溝道型的晶體管形成于N阱105、106，N溝道型的晶體管形成于P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107。在構(gòu)成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150的CMOS邏輯電路中的、P溝道型的晶體管形成于N阱108，N溝道型的晶體管形成于P型半導(dǎo)體基板區(qū)域109。

另外，在圖4中，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的各區(qū)域中配置有7行P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107，但在本實(shí)施方式中，例如相互鄰接的N阱106與P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107相當(dāng)于1行，所以實(shí)際上，配置像素電路110的行數(shù)亦即m行。另外，對(duì)于圖中未劃陰影線的空白部分而言，在硅基板使用了P型半導(dǎo)體基板的情況下成為P型半導(dǎo)體基板區(qū)域，但其與本發(fā)明沒(méi)有關(guān)系。因此，表示為空白。

圖6是像素電路110的電路圖。在該圖中，示出了與第i行以及在下側(cè)與該第i行相鄰的第(i+1)行的掃描線112、和第j列以及在右側(cè)與該第j列相鄰的第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114的交叉對(duì)應(yīng)的2×2共計(jì)4個(gè)像素的像素電路110。此處，i、(i+1)是通常表示像素電路110排列的行的情況下的符號(hào)，它們是1以上m以下的整數(shù)。同樣地，j、(j+1)是通常表示像素電路110排列的列的情況下的符號(hào)，它們是1以上n以下的整數(shù)。

如圖6所示，各像素電路110包括P溝道MOS的晶體管122、124、126、電容元件128和OLED130。從電學(xué)角度來(lái)看，各像素電路110是相互相同的構(gòu)成，故以位于i行j列的像素電路為代表進(jìn)行說(shuō)明。

i行j列的像素電路110的晶體管122作為開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用。在晶體管122中，柵極節(jié)點(diǎn)與第i行掃描線112連接，其漏極或者源極節(jié)點(diǎn)的一方與第j列數(shù)據(jù)線114連接，其源極或者漏極節(jié)點(diǎn)的另一方分別與電容元件128的一端、晶體管124、126的共用柵極節(jié)點(diǎn)連接。

晶體管124的源極節(jié)點(diǎn)和電容元件128的另一端一起與供給電源的高位側(cè)的電位V1的供電線116連接，其漏極節(jié)點(diǎn)與晶體管126的源極節(jié)點(diǎn)連接。另外，晶體管126的漏極節(jié)點(diǎn)與OLED130的陽(yáng)極連接。

由于晶體管124、126被串聯(lián)連接，并且共用柵極節(jié)點(diǎn)，所以可視為一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管。更詳細(xì)而言，作為驅(qū)動(dòng)晶體管來(lái)看時(shí)，晶體管124、126的共用柵極節(jié)點(diǎn)為柵極，晶體管124的源極節(jié)點(diǎn)為源極，晶體管126的漏極節(jié)點(diǎn)為漏極。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管使與由電容元件128保持的保持電壓，即、柵極與源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流流過(guò)OLED130。

另外，OLED130的陽(yáng)極是按每個(gè)像素電路110獨(dú)立設(shè)置的像素電極。另一方面，OLED130的陰極是遍及全部像素電路110的共用電極117，其被供給電源的低位側(cè)的電位V2。OLED130是在硅基板中利用相互對(duì)置的陽(yáng)極和具有透明性的陰極夾持由有機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層而構(gòu)成的元件，其以與從陽(yáng)極流向陰極的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。

此外，在圖6中，Gwr(i)、Gwr(i+1)分別表示向第i、(i+1)行的掃描線112供給的掃描信號(hào)，另外，Vd(j)、Vd(j+1)分別表示向第j、(j+1)列的數(shù)據(jù)線114供給的數(shù)據(jù)信號(hào)。

另外，為了方便，在i行j列的像素電路110中，將晶體管124、126的共用柵極節(jié)點(diǎn)表記為g(i，j)。

另一方面，對(duì)于電容元件128，還存在能夠使用寄生于晶體管124、126的柵極節(jié)點(diǎn)的電容的情況。

此處，如圖5所示，晶體管122是具有經(jīng)由絕緣膜41形成于N阱104上的柵極節(jié)點(diǎn)42、和將該柵極節(jié)點(diǎn)42作為掩膜導(dǎo)入離子而形成的2個(gè)P型擴(kuò)散層(P+)的構(gòu)成。而且，各個(gè)擴(kuò)散層被引出而成為源極節(jié)點(diǎn)、漏極節(jié)點(diǎn)。

晶體管124是具有經(jīng)由絕緣膜43形成于N阱104的柵極節(jié)點(diǎn)44、和將該柵極節(jié)點(diǎn)44作為掩膜導(dǎo)入離子而形成的2個(gè)P型擴(kuò)散層(P+)的構(gòu)成。晶體管126雖然省略圖示，但其也具有相同的構(gòu)成。

此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)于晶體管122、124、126而言，經(jīng)由N型擴(kuò)散層(N+)46向共用的N阱104供給電位V1。因此，晶體管122、124、126的基板電位成為電位V1。

另外，晶體管142是在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140中構(gòu)成CMOS邏輯電路的P溝道型的晶體管。晶體管142具有經(jīng)由絕緣膜形成于掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域中的N阱106的柵極節(jié)點(diǎn)、和將該柵極節(jié)點(diǎn)作為掩膜導(dǎo)入離子而形成的2個(gè)P型擴(kuò)散層(P+)，各個(gè)擴(kuò)散層被引出而成為源極節(jié)點(diǎn)、漏極節(jié)點(diǎn)。經(jīng)由N型擴(kuò)散層(N+)51向N阱106供給電位Vdd。因此，晶體管142的基板電位成為電位Vdd。

此外，電位Vdd可以與電位V1相等。另外，雖然在圖5中未表示，但其還可以與電位Vss和電位V2也可以相等。

圖7是表示微型顯示器10的顯示動(dòng)作的圖，表示掃描信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)的波形的一個(gè)例子。

如該圖所示，掃描信號(hào)Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)在各幀中按照每個(gè)水平掃描期間(H)為單位依次被掃描線驅(qū)動(dòng)電路140選擇，而排他地成為L(zhǎng)電平。

此外，在本說(shuō)明中，所謂幀是指使微型顯示器10顯示1個(gè)鏡頭(畫(huà)面)的圖像所需的期間，如果垂直掃描頻率為60Hz，則指其1個(gè)周期16.67毫秒的期間。

另外，第i行的掃描線112被選擇，其掃描信號(hào)Gwr(i)從H變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)，由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150對(duì)第j列的數(shù)據(jù)線114供給與i行j列的目標(biāo)亮度對(duì)應(yīng)的電位，換言之，與應(yīng)流向OLED130的電流對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)。

在i行j列的像素電路110中，由于若掃描信號(hào)Gwr(i)變?yōu)長(zhǎng)電平，則晶體管122導(dǎo)通，所以成為柵極節(jié)點(diǎn)g(i，j)與第j列的數(shù)據(jù)線114電連接的狀態(tài)。因此，柵極節(jié)點(diǎn)g(i，j)的電位如圖7中的朝上箭頭所示，成為數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)的電位。此時(shí)，晶體管124、126使與柵極節(jié)點(diǎn)g(i，j)和源極節(jié)點(diǎn)的電位差，即、以驅(qū)動(dòng)晶體管來(lái)看時(shí)的柵極與源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流流過(guò)OLED130。此時(shí)，電容元件128保持該柵極與源極間的電壓。

在第i行的掃描線112的選擇結(jié)束，掃描信號(hào)Gwr(i)成為H電平時(shí)，晶體管122從導(dǎo)通切換為截止。即使晶體管122切換為截止，該晶體管122導(dǎo)通時(shí)的晶體管124、126的共用柵極節(jié)點(diǎn)的電位也被電容元件128保持。因此，即使晶體管122截止，晶體管124、126也使與由電容元件128保持的保持電壓對(duì)應(yīng)的電流持續(xù)流過(guò)OLED130，直至下次再次選擇第i行的掃描線112。因此，在i行j列的像素電路110中，OLED130以與選擇第i行時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)的電位對(duì)應(yīng)的亮度，在與1個(gè)幀相當(dāng)?shù)钠陂g持續(xù)發(fā)光。

此外，在第i行中，第j列以外的像素電路110也以與向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線114供給的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。另外，此處，雖然對(duì)與第i行的掃描線112對(duì)應(yīng)的像素電路110進(jìn)行了說(shuō)明，但以第1、2、3、…、(m－1)、m行這樣的順序選擇掃描線112的結(jié)果為，各個(gè)像素電路110分別以與目標(biāo)值對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。這樣的動(dòng)作按每個(gè)幀為單位被反復(fù)進(jìn)行。

另外，在圖7中，與作為邏輯信號(hào)的掃描信號(hào)的電位尺度相比，為方便起見(jiàn)，放大數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)、和柵極節(jié)點(diǎn)g(i，j)的電位尺度。

在本實(shí)施方式中，顯示部100中的N阱104與驅(qū)動(dòng)電路中的N阱105、106、108被包圍N阱104的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102分離。換句話說(shuō)，形成有構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的晶體管的阱中的、離顯示部100最近的阱、即N阱105與顯示部的N阱104分離。

另外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路140中的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107被N阱105、106包圍，另一方面，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路150中的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域109位于顯示部100非對(duì)置側(cè)。因此，顯示部100中的N阱104與驅(qū)動(dòng)電路中的P型半導(dǎo)體基板區(qū)域107、109，除了被P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102分離以外，還被N阱105、106、108分離。

驅(qū)動(dòng)電路由于時(shí)鐘等不斷地進(jìn)行邏輯動(dòng)作，所以可以說(shuō)是噪聲等的產(chǎn)生源。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102被設(shè)置成俯視時(shí)在圖4中包圍顯示部100。因此，在驅(qū)動(dòng)電路中產(chǎn)生的噪聲等被P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102吸收或者阻止，從而抑制了由于噪聲等導(dǎo)致顯示質(zhì)量的降低。例如如圖5所示，即使在形成在掃描線驅(qū)動(dòng)電路140的N阱106的晶體管142中產(chǎn)生噪聲，該噪聲也會(huì)被P型半導(dǎo)體基板區(qū)域102吸收或者阻止。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，由于顯示部100在不易受到來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路的干擾的狀態(tài)下動(dòng)作，所以能夠抑制顯示質(zhì)量的降低。

如果從使電流由晶體管124、126構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管中穩(wěn)定流動(dòng)的觀點(diǎn)來(lái)看，可以說(shuō)優(yōu)選使晶體管124、126的基板電位穩(wěn)定化。在本實(shí)施方式中，顯示部100中的像素電路110的晶體管122、124、126全部被統(tǒng)一成P溝道型，并形成在共用的N阱104。即、由于共用的N阱104遍及顯示部100連續(xù)地形成，所以驅(qū)動(dòng)晶體管能夠穩(wěn)定流過(guò)電流。

另外，在本實(shí)施方式中，供給顯示部100的電源包括基板電位在內(nèi)為電位V1、電位V2這2個(gè)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)成的簡(jiǎn)單化。

然而，為了使OLED130以某一程度的亮度發(fā)光，需要使電位V1、V2的差、即電源電壓盡可能高。另一方面，在顯示低灰度的情況下，流過(guò)OLED130的電流變少，OLED130的陽(yáng)極與電位V2之間的電壓緩緩變低，從而相應(yīng)地，向驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與漏極之間施加的電壓緩緩變高。最終，在OLED130的亮度為零的狀態(tài)下，向驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與漏極之間施加的電壓成為最大。

此處，為了增大能夠向形成于硅基板的晶體管的源極與漏極之間施加的電壓(耐壓)，需要增大晶體管的尺寸來(lái)緩和電場(chǎng)密度。然而，在要求顯示部100的小尺寸化、顯示的高精細(xì)化的情況下，形成的晶體管的尺寸也必然變小，耐壓降低。因此，在驅(qū)動(dòng)晶體管為一個(gè)的構(gòu)成中，在使OLED130以低亮度發(fā)光時(shí)，存在向源極與漏極之間施加的電壓超過(guò)晶體管的耐壓，導(dǎo)致晶體管損壞的可能性。

即、可以說(shuō)以往增高電源電壓來(lái)使OLED130以較高的亮度發(fā)光與顯示尺寸的小型化及顯示的高精細(xì)化處于折衷的關(guān)系。

與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管使成為通過(guò)2個(gè)晶體管124、126串聯(lián)連接的構(gòu)成。在該構(gòu)成中，在電流不流過(guò)OLED130時(shí)，晶體管124、126截止，所以晶體管124的漏極節(jié)點(diǎn)與晶體管126的源極節(jié)點(diǎn)成為浮置(floating)狀態(tài)。因此，不向晶體管124、126的源極與漏極之間施加電壓。另外，在流向OLED130的電流較少時(shí)，雖然向晶體管124的源極節(jié)點(diǎn)與晶體管126的漏極節(jié)點(diǎn)之間施加比較高的電壓，但如果從晶體管124、126的單體來(lái)看，由于被分壓，所以并不會(huì)被施加較高的電壓。

因此，即使晶體管124、126的各個(gè)單體中的耐壓較低也沒(méi)有問(wèn)題。

由此，在本實(shí)施方式中，能夠兼得使OLED130以較高的亮度發(fā)光、與顯示尺寸的小型化及顯示的高精細(xì)化。

此外，在只要求使OLED130以較高的亮度發(fā)光、或者顯示尺寸的小型化及顯示的高精細(xì)化的任一的情況下，可以由一個(gè)晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管。

應(yīng)用例及變形例

本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，例如能夠進(jìn)行如下所述的各種應(yīng)用及變形。另外，還能夠?qū)⑷我膺x擇出的一或者多個(gè)適當(dāng)?shù)亟M合成如下所述的應(yīng)用及變形的方式。

基板電位與電源的分離

在實(shí)施方式中，由于使晶體管122、124、126的基板電位與電源的高位側(cè)相同，所以為電位V1，但如圖8所示，還可以為經(jīng)由另外設(shè)置的供電線118供給的電位V3而從電源分離的構(gòu)成?？梢允闺娢籚3為與電位V1不同的電位。

晶體管的溝道型等

在實(shí)施方式中，雖然將晶體管122、124、126設(shè)為P溝道，但還可以相反地設(shè)為N溝道。在設(shè)為N溝道的情況下，各阱反轉(zhuǎn)。

另外，在串聯(lián)連接驅(qū)動(dòng)晶體管的情況下，還可以是三個(gè)以上。

電光學(xué)元件

在實(shí)施方式中，作為電氣光學(xué)元件，例示了作為發(fā)光元件的OLED，但還可以是例如無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、LED(Light Emitting Diode：發(fā)光二極管)。另外，作為電光學(xué)元件除了發(fā)光元件以外，還可以使用利用像素電極與共用電極夾持液晶層的液晶元件。

此外，由于液晶元件是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以不需要驅(qū)動(dòng)晶體管。即、由于成為對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管連接像素電極的構(gòu)成，所以不需要驅(qū)動(dòng)晶體管。在該構(gòu)成中，經(jīng)由數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，即、與目標(biāo)亮度對(duì)應(yīng)的電壓，在開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)被施加給像素電極并被保持。而且，液晶層成為與被施加并保持的電壓對(duì)應(yīng)的取向狀態(tài)，所以從液晶元件來(lái)看時(shí)，成為與該電壓對(duì)應(yīng)的透過(guò)率(或者反射率)。

電子設(shè)備

接下來(lái)，對(duì)應(yīng)用了實(shí)施方式所涉及的微型顯示器10的頭戴式可視設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。

圖9是表示頭戴式可視設(shè)備的外觀的圖，圖10是表示其光學(xué)構(gòu)成的圖。

首先，如圖9所示，頭戴式可視設(shè)備300在外觀上與一般眼鏡相同，具有眼鏡腿31、鼻架32和鏡片301L、301R。另外，頭戴式可視設(shè)備300如圖10所示，在鼻架32附近且在鏡片301L、301R的里側(cè)(圖中的下側(cè))設(shè)置有左眼用微型顯示器10L和右眼用微型顯示器10R。

微型顯示器10L的圖像顯示面在圖10中被配置在左側(cè)。由此，微型顯示器10L的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302L在圖中向9點(diǎn)鐘方向射出。半透半反鏡303L使微型顯示器10L的顯示圖像向6點(diǎn)鐘方向反射，使從12點(diǎn)鐘方向入射的光透過(guò)。

微型顯示器10R的圖像顯示面被配置在與微型顯示器10L相反的右側(cè)。由此，微型顯示器10R的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302R在圖中向3點(diǎn)鐘方向射出。半透半反鏡303R使微型顯示器10R的顯示圖像向6點(diǎn)鐘方向反射，使從12點(diǎn)鐘方向入射的光透過(guò)。

在該構(gòu)成中，頭戴式可視設(shè)備300的佩戴者能夠以與外面的樣子重合的透過(guò)狀態(tài)觀察微型顯示器10L、10R的顯示圖像。

另外，在該頭戴式可視設(shè)備300中，若使伴有視差的兩眼圖像中的、左眼用圖像顯示于微型顯示器10L，使右眼用圖像顯示于微型顯示器10R，則能夠使佩戴者感覺(jué)顯示的圖像猶如具有縱深感、立體感(3D顯示)。

此外，微型顯示器10除了能夠應(yīng)用于頭戴式可視設(shè)備300以外，還能夠應(yīng)用于攝像機(jī)、透鏡交換式的數(shù)碼相機(jī)等中的電子式取景器。

符號(hào)說(shuō)明

1…電光學(xué)裝置，10…微型顯示器，100…顯示部，102、107、109…P型半導(dǎo)體基板區(qū)域，104、106、108…N阱，110…像素電路，112…掃描線，114…數(shù)據(jù)線，116、118…供電線，117…共用電極，122、124、126…晶體管，128…電容元件，130…OLED，140…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，150…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，300…頭戴式可視設(shè)備。