本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板測試電路及其制作方法。

背景技術(shù)：

LTPS(Low temperature Poly Silicon，低溫多晶硅)TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)近年來在手機上得到廣泛應(yīng)用，其高電路整合特性與低成本的優(yōu)勢，在中小尺寸顯示面板的應(yīng)用中有著絕對的優(yōu)勢。LTPS TFT LCD具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點，通過將外圍驅(qū)動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統(tǒng)整合的目標(biāo)、節(jié)省空間及驅(qū)動芯片的成本。

LTPS TFT LCD中的陣列制程是在一塊很大的玻璃基板上均勻有序排布形成一個個陣列電路，所述玻璃基板在經(jīng)過陣列測試項目并達標(biāo)后，將在后續(xù)成盒制程的切割段被切割成一批小片的顯示單元，每個顯示單元都有一個獨立的陣列電路，用于控制最終成品LCD面板的顯示。

LTPS TFT LCD面板在其中一種陣列線路結(jié)構(gòu)設(shè)計中，對于單個顯示單元來說(如圖1及圖2所示)，通過幾根貫穿于顯示區(qū)域左右兩側(cè)的縱向金屬走線(統(tǒng)稱為陣列基板測試走線)，將位于顯示區(qū)域上方的陣列測試電路相關(guān)信號連接到位于顯示區(qū)域下方的成盒測試電路中，以借用成盒測試電路的部分線路來驅(qū)動縱向的顯示信號的輸出，從而完成陣列測試項目。這幾根縱向的陣列基板測試走線與顯示區(qū)域邊緣的橫向金屬走線始終呈垂直交錯的位置關(guān)系，在成盒測試項目中，這種交錯的位置關(guān)系使橫向的顯示信號受到耦合影響，引起顯示面板左右兩側(cè)的顯示差異；另外交錯位置也可能發(fā)生漏電，甚至?xí)a(chǎn)生炸傷等異常問題，使顯示面板的良率受到影響。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板測試電路及其方法，避免陣列基板測試走線與顯示區(qū)域邊緣的金屬走線產(chǎn)生交錯，減少耦合、漏電及炸傷問題的發(fā)生，從而達到提升顯示面板生產(chǎn)良率的目的。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板測試電路，所述陣列基板測試電路設(shè)置于基板上，所述基板包括至少兩個顯示單元，所述至少兩個顯示單元包括第一顯示單元及與所述第一顯示單元相鄰設(shè)置的第二顯示單元，所述第一及第二顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)及成盒測試電極區(qū)，所述陣列測試電極區(qū)包括若干陣列測試電極，所述成盒測試電極區(qū)包括若干成盒測試電極，所述第二顯示單元的若干陣列測試電極通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干成盒測試電極，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)驅(qū)動顯示信號的輸出。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板測試電路的制作方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上設(shè)置至少兩個顯示單元，所述至少兩個顯示單元包括第一顯示單元及與所述第一顯示單元相鄰設(shè)置的第二顯示單元；

所述第一及第二顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)及成盒測試電極區(qū)，所述陣列測試電極區(qū)包括若干陣列測試電極，所述成盒測試電極區(qū)包括若干成盒測試電極；及

將所述第二顯示單元的若干陣列測試電極通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干成盒測試電極，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)驅(qū)動顯示信號的輸出。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板測試電路的制作方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上設(shè)置至少兩個顯示單元，所述至少兩個顯示單元包括第一顯示單元、第二顯示單元及第三顯示單元，所述第二顯示單元位于所述第一與第三顯示單元之間；

所述第一至第三顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)及成盒測試電極區(qū)，所述陣列測試電極區(qū)包括若干第一陣列測試電極及若干第二陣列測試電極，所述成盒測試電極區(qū)包括若干第一成盒測試電極及若干第二陣列測試電極；及

將所述第二顯示單元的若干第一陣列測試電極通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第一成盒測試電極，將所述第二顯示單元的若干第二陣列測試電極通過所述第三顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第二成盒測試電極，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)驅(qū)動顯示信號的輸出。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的所述陣列基板測試電路將第二顯示單元的陣列測試電極通過第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的成盒測試電極，或者將第二顯示單元的第一陣列測試電極通過第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的第一成盒測試電極，并將第二顯示單元的第二陣列測試電極通過第三顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的第二成盒測試電極，以避免縱向的陣列測試走線與顯示區(qū)域邊緣的橫向金屬走線產(chǎn)生交錯的位置關(guān)系，以此通過第二顯示單元的成盒測試電極控制顯示信號的輸出，從而完成對第二顯示單元的陣列測試項目，減少耦合、漏電及炸傷問題的發(fā)生，從而達到提升顯示面板生產(chǎn)良率的目的。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一個顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的陣列基板測試電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的陣列基板測試電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的陣列基板測試電路的制作方法的第一實施例的流程示意圖；

圖6是本發(fā)明的陣列基板測試電路的制作方法的第二實施例的流程示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1及圖2，是現(xiàn)有技術(shù)中顯示單元的陣列基板測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1中位于每個顯示單元的顯示區(qū)域上方的若干陣列測試電極，如四個陣列測試電極1分別經(jīng)由貫穿于顯示區(qū)域左右兩側(cè)的縱向金屬走線3分別連接到位于同一顯示單元的顯示區(qū)域下方的四個成盒測試電極2，這四根金屬線3(即陣列基板測試走線)都與顯示區(qū)域邊緣的橫向的金屬走線(未示出)呈垂直交錯的位置關(guān)系，在成盒測試項目中，這種交錯的位置關(guān)系使橫向的顯示信號受到耦合影響，引起顯示面板左右兩側(cè)的顯示差異，另外交錯位置也可能發(fā)生漏電，甚至?xí)a(chǎn)生炸傷等異常問題，使顯示面板的良率受到影響。

請參考圖3，是本發(fā)明的陣列基板測試電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述陣列基板測試電路設(shè)置于基板20上，所述基板20包括至少兩個顯示單元10，所述至少兩個顯示單元10包括第一顯示單元及與所述第一顯示單元相鄰設(shè)置的第二顯示單元，所述第一及第二顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)11及成盒測試電極區(qū)12，所述陣列測試電極區(qū)11包括若干陣列測試電極111，所述成盒測試電極區(qū)12包括若干成盒測試電極121，所述第二顯示單元的若干陣列測試電極111通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干成盒測試電極121，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)12驅(qū)動顯示信號的輸出。

具體地，所述至少兩個顯示單元10均包括顯示區(qū)域13及位于所述顯示區(qū)域13左右兩側(cè)的掃描驅(qū)動電路，所述陣列測試電極區(qū)11位于所述顯示區(qū)域13的上方，所述成盒測試電極區(qū)12位于所述顯示區(qū)域13的下方。

其中，所述第一顯示單元的外圍是所述第一顯示單元遠(yuǎn)離所述左側(cè)掃描驅(qū)動電路且靠近所述第二顯示單元的區(qū)域。

其中，在本發(fā)明所有實施例中，顯示區(qū)域13是指陣列基板在成盒時處于密封膠內(nèi)側(cè)的區(qū)域，此區(qū)域用于填充液晶以顯示圖像。所述第一及第二顯示單元的其他元件及功能與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。

其中，在本發(fā)明的所有實施例中，所述陣列測試電極區(qū)11包括四個陣列測試電極111，所述成盒電極區(qū)12包括四個成盒測試電極121，在其他實施例中，所述陣列測試電極111及成盒測試電極121的數(shù)量可以根據(jù)需要進行設(shè)置。

在本實施例中，所述第二顯示單元位于所述第一顯示單元的右側(cè)。在其他實施例中，所述第二顯示單元也可位于所述第一顯示單元的左側(cè)，其連接關(guān)系及工作原理與上述實施例相同，在此不再贅述。

將所述第二顯示單元的陣列測試電極111通過陣列測試走線14及所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至所述第二顯示單元的成盒測試電極121，所述陣列測試走線14在切割制程中被全部切斷，以保證陣列測試項目正常完成的前提下，不僅能避免縱向的陣列測試走線14對于顯示區(qū)域邊緣橫向的顯示信號的影響(包括漏電及交錯位置發(fā)生炸傷的問題)，而且能有效地消除后續(xù)切割過程中陣列測試區(qū)域產(chǎn)生的靜電擊傷對于成盒測試項目造成的影響。

所述陣列基板測試電路將所述第二顯示單元的陣列測試電極通過陣列測試走線及所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至所述第二顯示單元的成盒測試電極，以避免縱向的陣列測試走線與顯示區(qū)域邊緣的橫向金屬走線產(chǎn)生交錯的位置關(guān)系，以此通過所述第二顯示單元的成盒測試電極控制顯示信號的輸出，從而完成對所述第二顯單元的陣列測試項目，減少耦合、漏電及炸傷問題的發(fā)生，從而達到提升顯示面板生產(chǎn)良率的目的。

請參閱圖4，是本發(fā)明的陣列基板測試電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述陣列基板測試電路的第二實施例與上述第一實施例的區(qū)別之處在于：所述至少兩個顯示單元10包括第一至第三顯示單元，所述第二顯示單元位于所述第一與第三顯示單元之間，所述第一至第三顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)11及成盒測試電極區(qū)12，所述陣列測試電極區(qū)11包括若干第一陣列測試電極111及若干第二陣列測試電極112，所述成盒測試電極區(qū)12包括若干第一成盒測試電極121及若干第二陣列測試電極122，所述第二顯示單元的若干第一陣列測試電極111通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第一成盒測試電極121，所述第二顯示單元的若干第二陣列測試電極112通過所述第三顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第二成盒測試電極122，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)12驅(qū)動顯示信號的輸出。

具體地，所述至少兩顯示單元10均包括顯示區(qū)域13及位于所述顯示區(qū)域13左右兩側(cè)的掃描驅(qū)動電路，所述陣列測試電極區(qū)11位于所述顯示區(qū)域13的上方，所述成盒測試電極區(qū)12位于所述顯示區(qū)域13的下方，所述若干第一陣列測試電極111及所述若干第一成盒測試電極121均位于左側(cè)，所述若干第二陣列測試電極112及所述若干第二成盒測試電極122均位于右側(cè)。

所述第一顯示單元的外圍是所述第一顯示單元遠(yuǎn)離所述左側(cè)掃描驅(qū)動電路且靠近所述第二顯示單元的區(qū)域，所述第三顯示單元的外圍是所述第三顯示單元遠(yuǎn)離所述右側(cè)掃描驅(qū)動電路且靠近所述第二顯示單元的區(qū)域。

在其他實施例中根據(jù)所述第一至第三顯示單元中陣列測試電極111及成盒測試電極121設(shè)置位置的不同，所述第一至第三顯示單元的具體位置將發(fā)生變化，具體以所述陣列測試走線14為最短、且在后續(xù)成盒測試項目中能將所述陣列測試走線14切斷為最佳，因此所述第一至第三顯示單元的具體位置關(guān)系并不限定于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體需要進行變更和設(shè)置。

請參閱圖5，是本發(fā)明的陣列基板測試電路的制作方法的第一實施例的流程示意圖。所述方法包括：

步驟S1：提供一基板20。

具體地，所述基板20為玻璃基板，所述基板上的其他器件及功能與現(xiàn)有技術(shù)的基板相同，在此不再贅述。

步驟S2：在所述基板20上設(shè)置至少兩個顯示單元10，所述至少兩個顯示單元10包括第一顯示單元及與所述第一顯示單元相鄰設(shè)置的第二顯示單元。

步驟S3：所述第一及第二顯示單元10均包括陣列測試電極區(qū)11及成盒測試電極區(qū)12，所述陣列測試電極區(qū)11包括若干陣列測試電極111，所述成盒測試電極區(qū)12包括若干成盒測試電極121；及

步驟S4：將所述第二顯示單元的若干陣列測試電極111通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干成盒測試電極121，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)12驅(qū)動顯示信號的輸出。

請參閱圖6，是本發(fā)明的陣列基板測試電路的制作方法的第二實施例的流程示意圖。所述方法包括：

步驟S1：提供一基板20。

具體地，所述基板20為玻璃基板，所述基板上的其他器件及功能與現(xiàn)有技術(shù)的基板相同，在此不再贅述。

步驟S2：在所述基板20上設(shè)置至少兩個顯示單元10，所述至少兩個顯示單元10包括第一顯示單元、第二顯示單元及第三顯示單元，所述第二顯示單元位于所述第一與第三顯示單元之間。

步驟S3：所述第一至第三顯示單元均包括陣列測試電極區(qū)11及成盒測試電極區(qū)12，所述陣列測試電極區(qū)11包括若干第一陣列測試電極111及若干第二陣列測試電極112，所述成盒測試電極區(qū)12包括若干第一成盒測試電極121及若干第二陣列測試電極122。

步驟S4：將所述第二顯示單元的若干第一陣列測試電極111通過所述第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第一成盒測試電極121，將所述第二顯示單元的若干第二陣列測試電極112通過所述第三顯示單元的外圍一一對應(yīng)電性連接所述第二顯示單元的若干第二成盒測試電極122，以通過所述第二顯示單元的成盒測試電極區(qū)12驅(qū)動顯示信號的輸出。

所述陣列基板測試電路將第二顯示單元的陣列測試電極通過第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的成盒測試電極，或者將第二顯示單元的第一陣列測試電極通過第一顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的第一成盒測試電極，并將第二顯示單元的第二陣列測試電極通過第三顯示單元的外圍一一對應(yīng)連接至第二顯示單元的第二成盒測試電極，以避免縱向的陣列測試走線與顯示區(qū)域邊緣的橫向金屬走線產(chǎn)生交錯的位置關(guān)系，以此通過第二顯示單元的成盒測試電極控制顯示信號的輸出，從而完成對第二顯示單元的陣列測試項目，減少耦合、漏電及炸傷問題的發(fā)生，從而達到提升顯示面板生產(chǎn)良率的目的。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。