本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種像素補償電路、驅動方法、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置。

背景技術：

有機電致發(fā)光顯示器(organiclightemittingdiode，oled)是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)相比，oled顯示器具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應速度快等優(yōu)點，目前，在手機、數(shù)碼相機等顯示領域，oled顯示器已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的lcd顯示器。其中，用于控制發(fā)光器件發(fā)光的像素補償電路設計是oled顯示器的核心技術內(nèi)容，具有重要的研究意義。然而，現(xiàn)有的oled顯示器的像素補償電路中包括的開關晶體管的個數(shù)較多且電路工作時序較復雜，導致工藝難度較大，生產(chǎn)成本增加，以及導致像素補償電路占用較大面積，從而不利于oled顯示器實現(xiàn)高的分辨率。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種像素補償電路、驅動方法、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中像素補償電路包括的開關晶體管的個數(shù)較多且電路工作時序較復雜，導致工藝難度較大，生產(chǎn)成本增加，以及導致像素補償電路占用較大面積，從而不利于oled顯示器實現(xiàn)高的分辨率。

因此，本發(fā)明實施例提供了一種像素補償電路，包括：閾值補償模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅動晶體管以及發(fā)光器件；其中，

所述閾值補償模塊分別與數(shù)據(jù)信號端、掃描信號端以及所述驅動晶體管的控制極相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將所述數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與所述驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述驅動晶體管的控制極；

所述存儲模塊分別與所述驅動晶體管的控制極以及第一電源端相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲所述驅動晶體管的控制極的電壓；

所述發(fā)光控制模塊分別與發(fā)光控制信號端、所述驅動晶體管的第二極以及所述發(fā)光器件相連，所述驅動晶體管的第一極與所述第一電源端相連；所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光階段導通所述驅動晶體管的第二極與所述發(fā)光器件，使所述驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，所述閾值補償模塊包括：補償子模塊與傳輸子模塊；其中，

所述補償子模塊分別與所述數(shù)據(jù)信號端以及所述傳輸子模塊相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段將所述數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與所述驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述傳輸子模塊；

所述傳輸子模塊還分別與所述掃描信號端以及所述驅動晶體管的控制極相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段將所述補償子模塊提供的電壓傳輸給所述驅動晶體管的控制極。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，所述補償子模塊包括：閾值補償晶體管；其中，所述閾值補償晶體管的閾值電壓與所述驅動晶體管的閾值電壓相等；并且所述閾值補償晶體管的控制極與其第一極均與所述數(shù)據(jù)信號端相連，所述閾值補償晶體管的第二極與所述傳輸子模塊相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，所述閾值補償晶體管與所述驅動晶體管均為p型晶體管或n型晶體管。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，所述傳輸子模塊包括：第一開關晶體管；其中，所述第一開關晶體管的控制極與所述掃描信號端相連，所述第一開關晶體管的第一極與所述補償子模塊相連，所述第一開關晶體管的第二極與所述驅動晶體管的控制極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，存儲模塊包括：電容；其中，所述電容的第一端與所述第一電源端相連，所述電容的第二端與所述驅動晶體管的控制極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，所述發(fā)光控制模塊包括：第二開關晶體管；其中，

所述第二開關晶體管的控制極與所述發(fā)光控制信號端相連，所述第二開關晶體管的第一極與所述驅動晶體管的第二極相連，所述第二開關晶體管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端相連，所述發(fā)光器件的第二端與第二電源端相連。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素補償電路。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述有機發(fā)光顯示面板。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素補償電路的驅動方法，包括：數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段；其中，

在所述數(shù)據(jù)寫入階段，所述閾值補償模塊將所述數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與所述驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述驅動晶體管的控制極；所述存儲模塊存儲所述驅動晶體管的控制極的電壓；

在所述發(fā)光階段，所述存儲模塊存儲所述驅動晶體管的控制極的電壓；所述發(fā)光控制模塊導通所述驅動晶體管的第二極與所述發(fā)光器件，使所述驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的像素補償電路、驅動方法、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：閾值補償模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅動晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅動晶體管的控制極；存儲模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲驅動晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導通驅動晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路，通過上述三個模塊的相互配合，可以通過簡單的結構與簡單的時序以及較少的信號線來實現(xiàn)對驅動晶體管的閾值電壓的補償，從而可以簡化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設計。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實施例提供的像素補償電路的結構示意圖之一；

圖1b為本發(fā)明實施例提供的像素補償電路的結構示意圖之二；

圖2a為本發(fā)明實施例提供的像素補償電路的結構示意圖之三；

圖2b為本發(fā)明實施例提供的像素補償電路的結構示意圖之四；

圖3a為圖2a所示的像素補償電路的具體結構示意圖之一；

圖3b為圖2a所示的像素補償電路的具體結構示意圖之二；

圖4a為圖2b所示的像素補償電路的具體結構示意圖之一；

圖4b為圖2b所示的像素補償電路的具體結構示意圖之二；

圖5a為圖3a所示的像素補償電路的時序圖；

圖5b為圖4a所示的像素補償電路的時序圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的驅動方法的流程圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的像素補償電路、驅動方法、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。應當理解，下面所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

本發(fā)明實施例提供了一種像素補償電路，如圖1a與圖1b所示，包括：閾值補償模塊10、存儲模塊20、發(fā)光控制模塊30、驅動晶體管dt1以及發(fā)光器件l；其中，

閾值補償模塊10分別與數(shù)據(jù)信號端data、掃描信號端scan以及驅動晶體管dt1的控制極g相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號端data的電壓以及與驅動晶體管dt1的閾值電壓相等的電壓提供給驅動晶體管dt1的控制極g；

存儲模塊20分別與驅動晶體管dt1的控制極g以及第一電源端vdd相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲驅動晶體管dt1的控制極g的電壓；

發(fā)光控制模塊30分別與發(fā)光控制信號端em、驅動晶體管dt1的第二極m2以及發(fā)光器件l相連，驅動晶體管d的第一極m1與第一電源端vdd相連；發(fā)光控制模塊30用于在發(fā)光階段導通驅動晶體管dt1的第二極m2與發(fā)光器件l，使驅動晶體管dt1驅動連接的發(fā)光器件l發(fā)光。

本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路，包括：閾值補償模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅動晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅動晶體管的控制極；存儲模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲驅動晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導通驅動晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路，通過上述三個模塊的相互配合，可以通過簡單的結構與簡單的時序以及較少的信號線來實現(xiàn)對驅動晶體管的閾值電壓的補償，從而可以簡化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設計。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖1a所示，驅動晶體管dt1可以為p型晶體管。該p型晶體管的柵極為驅動晶體管dt1的控制極g，該p型晶體管的源極為驅動晶體管dt1的第一極m1，該p型晶體管的漏極為驅動晶體管dt1的第二極m2。此時驅動發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流由p型晶體管的源極流向其漏極。

或者，如圖1b所示，驅動晶體管dt1可以為n型晶體管。該n型晶體管的柵極為驅動晶體管dt1的控制極g，該n型晶體管的漏極為驅動晶體管dt1的第一極m1，該n型晶體管的源極為驅動晶體管dt1的第二極m2。此時驅動發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流由n型晶體管的漏極流向其源極。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖2a和圖2b所示，閾值補償模塊10具體可以包括：補償子模塊11與傳輸子模塊12；其中，

補償子模塊11分別與數(shù)據(jù)信號端data以及傳輸子模塊12相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號端data的電壓以及與驅動晶體管dt1的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊12；

傳輸子模塊12還分別與掃描信號端scan以及驅動晶體管dt1的控制極g相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將補償子模塊11提供的電壓傳輸給驅動晶體管dt1的控制極g。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，數(shù)據(jù)信號端的電壓vdata與驅動晶體管的閾值電壓vth(dt1)滿足公式：vdata＞|vth(dt1)|。

下面結合具體實施例，對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是，本實施例中是為了更好的解釋本發(fā)明，但不限制本發(fā)明。

具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a至圖4b所示，補償子模塊11具體可以包括：閾值補償晶體管dt2；其中，閾值補償晶體管dt2的閾值電壓與驅動晶體管dt1的閾值電壓相等；并且閾值補償晶體管dt2的控制極與其第一極均與數(shù)據(jù)信號端data相連，閾值補償晶體管dt2的第二極與傳輸子模塊12相連。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a和圖3b所示，閾值補償晶體管dt2可以為p型晶體管。該p型晶體管的柵極為閾值補償晶體管dt2的控制極，該p型晶體管的源極為閾值補償晶體管dt2的第一極，該p型晶體管的漏極為閾值補償晶體管dt2的第二極。此時數(shù)據(jù)信號端data的信號的電流由p型晶體管的源極流向其漏極?；蛘?，如圖4a與圖4b所示，閾值補償晶體管dt2可以為n型晶體管。該n型晶體管的柵極為閾值補償晶體管dt2的控制極，該n型晶體管的源極為閾值補償晶體管dt2的第二極，該n型晶體管的漏極為閾值補償晶體管dt2的第一極。此時數(shù)據(jù)信號端data的信號的電流由p型晶體管的漏極流向其源極。在具體實施時，在誤差允許的范圍內(nèi)使閾值補償晶體管dt2與驅動晶體管dt1的晶體管特性相同，例如其閾值電壓相同，尺寸相同。在實際工藝制備時，可以將閾值補償晶體管dt2與驅動晶體管dt1設計的布居位置較近，以保證在誤差允許的范圍內(nèi)其晶體管特性相同。并且，在實際應用中，閾值補償晶體管dt2與驅動晶體管dt1的特性需要根據(jù)實際應用環(huán)境來設計確定，在此不作限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，由于閾值補償晶體管的控制極與其第一極均與數(shù)據(jù)信號端相連，使其形成二極管連接方式，因此，在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)信號端有用于顯示的數(shù)據(jù)電壓vtada時，閾值補償晶體管導通并向傳輸子模塊輸入信號，直至閾值補償晶體管的第二極的電壓變?yōu)椋簐data-|vth(dt2)|時截止；其中，vth(dt2)為閾值補償晶體管的閾值電壓。由于vth(dt2)與驅動晶體管的閾值電壓vth(dt1)相等，因此閾值補償晶體管可以將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊。

具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a至圖4b所示，傳輸子模塊12具體可以包括：第一開關晶體管m1；其中，

第一開關晶體管m1的控制極與掃描信號端scan相連，第一開關晶體管m1的第一極與補償子模塊11相連，第一開關晶體管m1的第二極與驅動晶體管dt1的控制極g相連。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a與圖4b所示，第一開關晶體管m1可以為p型晶體管。或者，如圖3b與圖4a所示，第一開關晶體管m1可以為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，第一開關晶體管在掃描信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，可以將其第一極的電壓，即補償子模塊輸出的電壓提供給驅動晶體管的控制極。

具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a至圖4b所示，發(fā)光控制模塊30具體可以包括：第二開關晶體管m2；其中，

第二開關晶體管m2的控制極與發(fā)光控制信號端em相連，第二開關晶體管m2的第一極與驅動晶體管dt1的第二極m2相連，第二開關晶體管m2的第二極與發(fā)光器件l的第一端相連，發(fā)光器件l的第二端與第二電源端vss相連。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a與圖4b所示，第二開關晶體管可以為p型晶體管；或者，如圖3b與圖4a所示，第二開關晶體管可以為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，第二開關晶體管在發(fā)光控制信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，將驅動晶體管的第二極與發(fā)光器件的第一端導通，從而將驅動晶體管的第二極輸出的電流提供給發(fā)光器件，以驅動發(fā)光器件發(fā)光。

具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a至圖4b所示，存儲模塊20具體可以包括：電容c；其中，電容c的第一端與第一電源端vdd相連，電容c的第二端與驅動晶體管dt1的控制極g相連。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，電容可以在第一電源端與驅動晶體管的控制極的控制下進行充電，并且由于電容的自舉作用，在驅動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時，可以保持其兩端的電壓差穩(wěn)定，從而存儲充入的電壓。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，第一電源端的電壓vdd大于第二電源端的電壓vss。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，發(fā)光器件一般為有機電致發(fā)光二極管，其在驅動晶體管處于飽和狀態(tài)時的電流的作用下實現(xiàn)發(fā)光。并且有機電致發(fā)光二極管的陽極為發(fā)光器件的第一端，陰極為發(fā)光器件的第二端。

以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的像素補償電路中各模塊的具體結構，在具體實施時，上述各模塊的具體結構不限于本發(fā)明實施例提供的上述結構，還可以是本領域技術人員可知的其他結構，在此不作限定。

進一步地，為了簡化制備工藝，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，如圖3a所示，驅動晶體管dt1為p型晶體管，閾值補償晶體管dt2為p型晶體管，并且所有的開關晶體管均為p型晶體管。或者，如圖4a所示，驅動晶體管dt1為n型晶體管，閾值補償晶體管dt2為n型晶體管，并且所有的開關晶體管均為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，p型開關晶體管在高電位作用下截止，在低電位作用下導通；n型開關晶體管在高電位作用下導通，在低電位作用下截止。

需要說明的是，在本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路中，驅動晶體管和開關晶體管可以是薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，也可以是金屬氧化物半導體場效應管(mos，metaloxidescmiconductor)，在此不作限定。在具體實施時，這些開關晶體管的控制極為柵極，并且可以根據(jù)開關晶體管類型以及信號端的信號的不同將其第一極作為源極或漏極，以及將其第二極作為漏極或源極，在此不作限定。在描述具體實施例時，均是以驅動晶體管和開關晶體管為mos管為例進行說明的。

下面以圖3a和圖4a所示的像素補償電路為例，結合電路時序圖對本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路的工作過程作以描述。下述描述中以1表示高電位，0表示低電位。需要說明的是，1和0是邏輯電位，其僅是為了更好的解釋本發(fā)明實施例的具體工作過程，而不是在具體實施時施加在各開關晶體管的柵極上的電位。

實施例一、

如圖3a所示，驅動晶體管dt1與閾值補償晶體管dt2以及所有開關晶體管均為p型晶體管；對應的輸入時序圖如圖5a所示。具體地，選取如圖5a所示的輸入時序圖中的t1和t2二個階段。

在t1階段，scan＝0，em＝1。由于scan＝0，因此第一開關晶體管m1導通。由于em＝1，因此第二開關晶體管m2截止。

由于閾值補償晶體管dt2的柵極與其源極均與數(shù)據(jù)信號端data相連形成二極管連接結構，閾值補償晶體管dt2在數(shù)據(jù)信號端data的數(shù)據(jù)電壓vdata的作用下導通，直至閾值補償晶體管dt2的漏極的電壓變?yōu)関data-|vth(dt2)|時截止。導通的第一開關晶體管m1將閾值補償晶體管dt2的漏極的電壓vdata-|vth(dt2)|提供給驅動晶體管dt1的柵極g，從而使驅動晶體管dt1的柵極g的電壓為vdata-|vth(dt2)|，電容c充電，使電容c兩端的電壓差為vdd-vdata+|vth(dt2)|。

在t2階段，scan＝1，em＝0。由于scan＝1，因此第一開關晶體管m1截止。由于em＝0，因此第二開關晶體管m2導通。

導通的第二開關晶體管m2使驅動晶體管dt1的漏極d與發(fā)光器件l導通，將驅動晶體管dt1的漏極的電流提供給發(fā)光器件l。驅動晶體管dt1的漏極的電流il為其處于飽和狀態(tài)時的電流，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，電流il滿足公式：il＝k(vgs-|vth(dt0)|)²＝k(vdd-vdata+vth(dt2)-|vth(dt0)|)＝k(vdd-vdata)；其中，μ為驅動晶體管dt1的遷移率、cox為單位面積柵氧化層電容，為驅動晶體管的寬長比，vgs為驅動晶體管dt1的柵極與其源極之間的電壓差，并且vth(dt2)＝vth(dt1)。因此，驅動晶體dt1驅動發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流il僅與數(shù)據(jù)信號端data的電壓vdata以及第一電源端vdd的電壓vdd有關，而與驅動晶體管dt1的閾值電壓vth(dt1)無關，可以解決由于驅動晶體管dt1的工藝制程以及長時間的操作造成的閾值電壓vth(dt1)漂移對驅動發(fā)光器件l的工作電流的影響，從而使發(fā)光器件l的工作電流保持穩(wěn)定，進而保證了發(fā)光器件l的正常工作。

實施例二

如圖4a所示，驅動晶體管dt1與閾值補償晶體管dt2以及所有開關晶體管均為n型晶體管；對應的輸入時序圖如圖5b所示。具體地，選取如圖5a所示的輸入時序圖中的t1和t2二個階段。

在t1階段，scan＝1，em＝0。由于scan＝1，因此第一開關晶體管m1導通。由于em＝0，因此第二開關晶體管m2截止。

由于閾值補償晶體管dt2的柵極與其漏極均與數(shù)據(jù)信號端data相連形成二極管連接結構，閾值補償晶體管dt2在數(shù)據(jù)信號端data的數(shù)據(jù)電壓vdata的作用下導通，直至閾值補償晶體管dt2的源極的電壓變?yōu)関data-|vth(dt2)|時截止。導通的第一開關晶體管m1將閾值補償晶體管dt2的源極的電壓vdata-|vth(dt2)|提供給驅動晶體管dt1的柵極g，從而使驅動晶體管dt1的柵極g的電壓為vdata-|vth(dt2)|，電容c充電，使電容c兩端的電壓差為vdd-vdata+|vth(dt2)|。

在t2階段，scan＝0，em＝1。由于scan＝0，因此第一開關晶體管m1截止。由于em＝1，因此第二開關晶體管m2導通。

導通的第二開關晶體管m2使驅動晶體管dt1的源極d與發(fā)光器件l導通，將驅動晶體管dt1的源極的電流提供給發(fā)光器件l。驅動晶體管dt1的源極的電流il為其處于飽和狀態(tài)時的電流，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，電流il滿足公式：il＝k(vgs-|vth(dt0)|)²＝k(vdd-vdata+vth(dt2)-|vth(dt0)|)＝k(vdd-vdata)；其中，μ為驅動晶體管dt1的遷移率、cox為單位面積柵氧化層電容，為驅動晶體管的寬長比，vgs為驅動晶體管dt1的柵極與其漏極之間的電壓差，并且vth(dt2)＝vth(dt1)。因此，驅動晶體dt1驅動發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流il僅與數(shù)據(jù)信號端data的電壓vdata以及第一電源端vdd的電壓vdd有關，而與驅動晶體管dt1的閾值電壓vth(dt1)無關，可以解決由于驅動晶體管dt1的工藝制程以及長時間的操作造成的閾值電壓vth(dt1)漂移對驅動發(fā)光器件l的工作電流的影響，從而使發(fā)光器件l的工作電流保持穩(wěn)定，進而保證了發(fā)光器件l的正常工作。

本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路，通過簡單的結構，即僅通過兩個開關晶體管、一個電容以及閾值電壓與驅動晶體管的閾值電壓相同的閾值補償晶體管，以及簡單的時序即可以實現(xiàn)對驅動晶體管的閾值電壓的補償功能，可以簡化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，從而有利于高分辨率的oled顯示面板的設計。并且與現(xiàn)有的像素補償電路相比，本申請的像素補償電路不用額外設置用于為驅動晶體管的柵極進行初始化的開關晶體管以及信號端，從而可以降低對驅動ic(例如驅動掃描電路)的驅動能力要求，從而可以降低驅動ic中的晶體管的尺寸，降低驅動ic占用空間，進而可以將顯示面板的邊框做的更窄。并且，由于本申請中的像素補償電路至少還可以減少用于輸入初始化信號的信號線，因此可以提高顯示面板的分辨率。

基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素補償電路的驅動方法，如圖6所示，包括：數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段；其中，

s601、在數(shù)據(jù)寫入階段，閾值補償模塊將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅動晶體管的控制極；存儲模塊存儲驅動晶體管的控制極的電壓；

s602、在發(fā)光階段，存儲模塊存儲驅動晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊導通驅動晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。

本發(fā)明實施例提供的上述驅動方法，可以通過簡單的時序即可實現(xiàn)對驅動晶體管的閾值電壓的補償功能。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述驅動方法中，在數(shù)據(jù)寫入階段，具體包括：補償子模塊將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊；傳輸子模塊將補償子模塊提供的電壓傳輸給驅動晶體管的控制極。

基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素補償電路。該有機發(fā)光顯示面板解決問題的原理與前述像素補償電路相似，因此該有機發(fā)光顯示面板的具體實施可以參見前述像素補償電路的實施，重復之處在此不再贅述。

基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述有機發(fā)光顯示面板。該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述像素補償電路的實施例，重復之處不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的像素補償電路、驅動方法、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：閾值補償模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅動晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號端的電壓以及與驅動晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅動晶體管的控制極；存儲模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲驅動晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導通驅動晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅動晶體管驅動連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實施例提供的上述像素補償電路，通過上述三個模塊的相互配合，可以通過簡單的結構與簡單的時序以及較少的信號線來實現(xiàn)對驅動晶體管的閾值電壓的補償，從而可以簡化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設計。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。