本發(fā)明涉及液晶顯示的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種液晶顯示裝置及其goa電路。

背景技術(shù)：

基于a-si的goa電路目前被廣泛應(yīng)用于大小尺寸的顯示器。goa技術(shù)有利于成本的降低，并且還有窄邊框的設(shè)計(jì)。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中常用的一種goa電路的結(jié)構(gòu)示意圖，其一級(jí)goa電路中就采用了17顆tft(薄膜晶體管)。然而，對(duì)于非晶硅goa電路來說，tft數(shù)量增加會(huì)增加邊框的尺寸，在目前窄邊框的發(fā)展趨勢(shì)下，現(xiàn)有技術(shù)中g(shù)oa電路結(jié)構(gòu)明顯不能滿足窄邊框顯示的設(shè)計(jì)要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示裝置及其goa電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于goa電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜而導(dǎo)致的顯示邊框不夠窄的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例一方面提供了一種goa電路，所述goa電路包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的goa單元，第n級(jí)所述goa單元包括上拉控制模塊、上拉模塊、下傳模塊、下拉模塊、下拉維持模塊以及自舉電容；所述上拉控制模塊分別與所述下傳模塊以及所述下拉維持模塊連接，所述自舉電容的一端分別與所述下傳模塊以及所述上拉模塊連接，所述下拉模塊分別與所述下傳模塊以及本級(jí)的掃描線連接，所述下拉維持模塊以及所述下拉模塊還分別與下拉信號(hào)線連接，上拉模塊分別與時(shí)鐘信號(hào)線以及本級(jí)的掃描線連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述上拉控制模塊包括第一薄膜晶體管t11，所述第一薄膜晶體管t11的柵極用于接收第n-2級(jí)goa單元的觸發(fā)信號(hào)，源極用于連接第n-2級(jí)goa單元的的掃描線信號(hào)，漏極用于分別與所述下傳模塊以及所述下拉維持模塊連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述下傳模塊包括第二薄膜晶體管t22，所述第二薄膜晶體管t22的柵極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，源極與所述時(shí)鐘信號(hào)線連接，漏極用于輸出本級(jí)goa單元的觸發(fā)信號(hào)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述上拉模塊包括第三薄膜晶體管t21，所述第三薄膜晶體管t21的柵極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，源極與所述時(shí)鐘信號(hào)線連接，漏極與本級(jí)的掃描線連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，自舉電容的一端分別與所述第二薄膜晶體管t22以及所述第三薄膜晶體管t21的柵極連接，另一端與本級(jí)的掃描線連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述下拉模塊包括第四薄膜晶體管t41以及第五薄膜晶體管t31，所述第四薄膜晶體管t41的柵極用于接收第n+2級(jí)的掃描線信號(hào)，源極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，漏極與所述下拉信號(hào)線連接；所述第五薄膜晶體管t31的柵極用于接收第n+2級(jí)的掃描線信號(hào)，源極與本級(jí)的掃描線連接，漏極與所述下拉信號(hào)線連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述下拉維持模塊包括第六薄膜晶體管t51、第七薄膜晶體管t53、第八薄膜晶體管t32、第九薄膜晶體管t42、第十薄膜晶體管t52以及第十一薄膜晶體管t54；所述第六薄膜晶體管t51的柵極與所述時(shí)鐘信號(hào)線連接，源極與所述第七薄膜晶體管t53的源極連接，所述第六薄膜晶體管t51的漏極分別與所述第七薄膜晶體管t53的柵極以及所述第十薄膜晶體管t52的源極連接，所述第七薄膜晶體管t53的漏極分別與所述第九薄膜晶體管t42的柵極以及所述第十一薄膜晶體管t54的源極連接，所述第八薄膜晶體管t32的柵極與所述時(shí)鐘信號(hào)線連接，源極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，所述第八薄膜晶體管t32的漏極分別與本級(jí)的掃描線以及所述第九薄膜晶體管t42的源極連接，所述第九薄膜晶體管t42的漏極連接所述下拉信號(hào)線連接，所述第十薄膜晶體管t52的柵極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，所述第十薄膜晶體管t52的漏極與所述下拉信號(hào)線連接，所述第十一薄膜晶體管t54的柵極與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接，所述第十一薄膜晶體管t54的漏極與所述下拉信號(hào)線連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第八薄膜晶體管t32的源極通過第一節(jié)點(diǎn)q(n)與所述第一薄膜晶體管t11的漏極連接。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第七薄膜晶體管t53的漏極、所述第九薄膜晶體管t42的柵極以及所述第十一薄膜晶體管t54的源極之間通過第二節(jié)點(diǎn)p(n)相互連接。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的goa電路。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的液晶顯示裝置及其goa電路，在保證完成液晶顯示驅(qū)動(dòng)要求的情況下，大大簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，一方面節(jié)省了電路的結(jié)構(gòu)成本，另一方面可以減小goa電路的結(jié)構(gòu)尺寸，使液晶顯示裝置可以有更窄邊框結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)空間。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中常用的一種goa電路的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2是本發(fā)明第n級(jí)goa單元一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)施例中g(shù)oa電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形圖；

圖4是圖2實(shí)施例中g(shù)oa單元前兩級(jí)的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明goa電路中最后兩級(jí)goa單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明液晶顯示裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意簡(jiǎn)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指出的是，以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，但不對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。同樣的，以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例首先提供goa電路，該goa電路包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的goa單元，關(guān)于多個(gè)級(jí)聯(lián)的goa單元的連接及控制關(guān)系在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述，下面對(duì)第n級(jí)goa單元的結(jié)構(gòu)做詳細(xì)介紹。

請(qǐng)參閱圖2，圖2是本發(fā)明第n級(jí)goa單元一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖，該第n級(jí)goa單元包括上拉控制模塊100、上拉模塊200、下傳模塊300、下拉模塊400、下拉維持模塊500以及自舉電容600。

具體而言，該上拉控制模塊100分別與下傳模塊300以及下拉維持模塊500連接，自舉電容600的一端分別與下傳模塊300以及上拉模塊200連接，下拉模塊400分別與下傳模塊300以及本級(jí)的掃描線700連接，下拉維持模塊500以及下拉模塊400還分別與下拉信號(hào)線800連接，上拉模塊200分別與時(shí)鐘信號(hào)線900以及本級(jí)的掃描線700連接。

其中，該上拉控制模塊100包括第一薄膜晶體管t11，該第一薄膜晶體管t11的柵極用于接收第n-2級(jí)goa單元的觸發(fā)信號(hào)st(n-2)，源極用于連接第n-2級(jí)goa單元的的掃描線信號(hào)g(n-2)，漏極用于分別與下傳模塊300以及下拉維持模塊500連接。

該下傳模塊300則包括第二薄膜晶體管t22，第二薄膜晶體管t22的柵極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，源極與時(shí)鐘信號(hào)線900連接，漏極用于輸出本級(jí)goa單元的觸發(fā)信號(hào)st(n)。

而該上拉模塊200包括第三薄膜晶體管t21，該第三薄膜晶體管t21的柵極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，源極與時(shí)鐘信號(hào)線900連接，漏極與本級(jí)的掃描線700連接。

自舉電容600的一端分別與第二薄膜晶體管t22以及第三薄膜晶體管t21的柵極連接，另一端與本級(jí)的掃描線700連接。

下拉模塊400包括第四薄膜晶體管t41以及第五薄膜晶體管t31，該第四薄膜晶體管t41的柵極用于接收第n+2級(jí)的掃描線信號(hào)g(n+2)，源極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，漏極與下拉信號(hào)線800連接；該第五薄膜晶體管t31的柵極用于接收第n+2級(jí)的掃描線信號(hào)g(n+2)，源極與本級(jí)的掃描線700連接，漏極與下拉信號(hào)線800連接。

下拉維持模塊500包括第六薄膜晶體管t51、第七薄膜晶體管t53、第八薄膜晶體管t32、第九薄膜晶體管t42、第十薄膜晶體管t52以及第十一薄膜晶體管t54；該第六薄膜晶體管t51的柵極與時(shí)鐘信號(hào)線900連接，源極與第七薄膜晶體管t53的源極連接，第六薄膜晶體管t51的漏極分別與第七薄膜晶體管t53的柵極以及第十薄膜晶體管t52的源極連接，第七薄膜晶體管t53的漏極分別與第九薄膜晶體管t42的柵極以及第十一薄膜晶體管t54的源極連接，第八薄膜晶體管t32的柵極與時(shí)鐘信號(hào)線900連接，源極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，第八薄膜晶體管t32的漏極分別與本級(jí)的掃描線700以及第九薄膜晶體管t42的源極連接，第九薄膜晶體管t42的漏極連接下拉信號(hào)線800連接，第十薄膜晶體管t52的柵極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，第十薄膜晶體管t52的漏極與下拉信號(hào)線800連接，第十一薄膜晶體管t54的柵極與第一薄膜晶體管t11的漏極連接，第十一薄膜晶體管t54的漏極與下拉信號(hào)線800連接。

其中，該第八薄膜晶體管t32的源極通過第一節(jié)點(diǎn)q(n)與第一薄膜晶體管t11的漏極連接；而第七薄膜晶體管t53的漏極、第九薄膜晶體管t42的柵極以及第十一薄膜晶體管t54的源極之間通過第二節(jié)點(diǎn)p(n)相互連接。

請(qǐng)參閱圖3，圖3是本實(shí)施例中g(shù)oa電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形圖。本實(shí)施例中的goa電路采用4個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，ck1、ck2、ck3、以及ck4高頻交流電源。時(shí)鐘信號(hào)之間的overlap的時(shí)間取名叫做h。時(shí)鐘信號(hào)的脈寬2h，占空比50％。時(shí)鐘信號(hào)的高電位可以為28v(可調(diào))，時(shí)鐘信號(hào)的低電位可以為-8v(也可調(diào))。stv是觸發(fā)信號(hào)，為高頻交流電源，脈寬為2h、stv每frame開啟一次，高電位為28v，低電位為-8v；stv跟ck1的overlap為h；vssdc直流電源,為-6v(可調(diào))。q(n)、g(n)、st(n-2)、st(n)以及p(n)是電路中重要節(jié)點(diǎn)。

下面用第n級(jí)的goa電路作為例子，進(jìn)行原理性的說明。進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖4和圖5，圖4是圖2實(shí)施例中g(shù)oa單元的前兩級(jí)的電路結(jié)構(gòu)示意圖，而圖5是本發(fā)明goa電路中最后兩級(jí)goa單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4中g(shù)oa單元上拉控制模塊的t11采用stv控制gate和drain，而圖5中g(shù)oa單元下拉單元?jiǎng)t采用stv控制。

根據(jù)圖3中的波形可知，g(n)由ck3控制，那么g(n-2)由ck1控制，g(n+2)則由ck1控制。

g(n-2)工作時(shí)：當(dāng)g(n-2)、st(n-2)為高電位的時(shí)候，g(n-2)的高電位輸入到q(n)，t21打開，此時(shí)ck(n)＝ck3，為低電位，g(n)輸出低電位。

g(n)工作時(shí)：當(dāng)ck3變?yōu)楦唠娢粫r(shí)，g(n)輸出高電位，q(n)由于電容耦合效應(yīng)，會(huì)產(chǎn)生更高的電位，并且此時(shí)的g(n-2)、st(n-2)為低電位，不會(huì)影響q點(diǎn)高電位；當(dāng)g(n+2)工作時(shí)：g(n+2)為高電位，此時(shí)t31，t41打開，q(n)、g(n)被拉到低電位。

后續(xù)ck3會(huì)周期性的為高電位，那么p(n)為高電位，t42會(huì)周期性的打開，g(n)會(huì)被很好的低電位；同時(shí)，t32因受到ck(n)的控制，也會(huì)周期的打開，所以q(n)被很好的維持了低電位。

本專利不但tft少，有利于窄邊框的制作，而且因?yàn)閠32、t42采用串聯(lián)的方式，電阻變大，降低了由于tft漏電，q(n)高電位被拉到低電位的風(fēng)險(xiǎn)，保證了q(n)的正常波形，確保g(n)正常的打開。

本發(fā)明提供的goa電路，在保證完成液晶顯示驅(qū)動(dòng)要求的情況下，大大簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，一方面節(jié)省了電路的結(jié)構(gòu)成本，另一方面可以減小goa電路的結(jié)構(gòu)尺寸，使液晶顯示裝置可以有更窄邊框結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)空間。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，請(qǐng)參閱圖6，圖6是本發(fā)明液晶顯示裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意簡(jiǎn)圖，該液晶顯示裝置包括液晶面板1以及goa電路2，其中該goa電路2可以為上述任一實(shí)施例中的goa電路。而關(guān)于液晶顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)特征，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效裝置或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。