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      顯示裝置及增加該顯示裝置亮度均一性的方法與流程

      文檔序號(hào):12598510閱讀:320來源:國(guó)知局
      顯示裝置及增加該顯示裝置亮度均一性的方法與流程

      本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種顯示裝置及增加該顯示裝置亮度均一性的方法。



      背景技術(shù):

      隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步,作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對(duì)于現(xiàn)有的顯示裝置而言,有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種電流型發(fā)光器件,因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。OLED按驅(qū)動(dòng)方式可分為PMOLED(Passive Matrix Driving OLED,無源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)兩種,由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應(yīng)答速度、省電、可用于便攜式設(shè)備的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大等等優(yōu)點(diǎn)而可望成為取代LCD(liquid crystal display,液晶顯示器)的下一代新型平面顯示器。

      然而,現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于大尺寸的AMOLED顯示器而言,由于背板電源線存在一定的電阻,在OLED器件發(fā)光時(shí),所有像素的驅(qū)動(dòng)電流均是由掃描驅(qū)動(dòng)單元通過驅(qū)動(dòng)控制線ELVDD提供至各個(gè)像素單元的。因此,在上述發(fā)光階段,輸入靠近所述掃描驅(qū)動(dòng)單元位置處的像素單元的電壓相對(duì)于輸入距離掃描驅(qū)動(dòng)單元較遠(yuǎn)位置處的像素單元(例如最后一列像素單元)的電壓高。這種現(xiàn)象被稱作直流電壓降(IR Drop)。

      由于掃描驅(qū)動(dòng)單元輸入像素單元的電壓與流過每個(gè)像素單元的電流相關(guān),因此,IR Drop會(huì)導(dǎo)致不同位置的像素單元流經(jīng)的電流大小有所差異,使得AMOLED顯示器在顯示時(shí)產(chǎn)生亮度差異,例如,第一行像素全亮?xí)r,其顯示的亮度會(huì)從左到右依次變暗。上述亮度差異的現(xiàn)象即為云紋現(xiàn)象(mura)。這樣會(huì)導(dǎo)致顯示畫面的品質(zhì)降低,從而對(duì)顯示器的質(zhì)量和顯示效果造成不利的影響。

      因此,現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案還存在有待改進(jìn)之處。

      需要說明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本公開的目的在于提供一種顯示裝置及增加該顯示裝置亮度均一性的方法,進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問題。

      本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得清晰,或者部分地通過本公開的實(shí)踐而習(xí)得。

      根據(jù)本公開的一個(gè)方面,提供一種顯示裝置,包括顯示面板和處理裝置,其中所述顯示面板包括電源電壓檢測(cè)模塊,所述電源電壓檢測(cè)模塊用于檢測(cè)所述顯示面板的直流電壓降,并將所述直流電壓降輸入至所述處理裝置進(jìn)行處理;所述處理裝置根據(jù)所述直流電壓降輸出所述顯示面板相應(yīng)位置的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的補(bǔ)償電壓,通過所述補(bǔ)償電壓修正所述顯示面板的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述電源電壓檢測(cè)模塊包括第一電源電壓檢測(cè)線和第二電源電壓檢測(cè)線,分別用于檢測(cè)所述顯示面板的第一電源電壓和第二電源電壓,并將所述第一電源電壓和所述第二電源電壓輸入至所述處理裝置。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置還包括源極驅(qū)動(dòng)電路,其中,所述第一電源電壓檢測(cè)線設(shè)置于靠近所述源極驅(qū)動(dòng)電路的一端,所述第二電源電壓檢測(cè)線設(shè)置于遠(yuǎn)離所述源極驅(qū)動(dòng)電路的另一端。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置還包括柵極驅(qū)動(dòng)電路,其中,所述第二電源電壓檢測(cè)線的豎向走線通過所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的旁路走線連接至所述處理裝置。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述處理裝置為時(shí)序控制器。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述時(shí)序控制器包括模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器用于將模擬的所述直流電壓降轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述顯示面板包括網(wǎng)格狀的電源電壓走線,其中,所述顯示面板的電源電壓走線的長(zhǎng)度與所述顯示面板的電阻成正比。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置為OLED顯示裝置。

      根據(jù)本公開的一個(gè)方面,提供一種增加上述顯示裝置亮度均一性的方法,包括:

      在純色畫面下,選取所述顯示面板上至少一點(diǎn)作為目標(biāo)點(diǎn);

      測(cè)試在不同數(shù)據(jù)信號(hào)電壓下,所述目標(biāo)點(diǎn)的亮度與所述直流電壓降之間的關(guān)系曲線;

      在同一組數(shù)據(jù)信號(hào)電壓下,測(cè)量所述顯示面板的亮度與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系曲線;

      根據(jù)所述顯示面板的亮度與所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓之間的關(guān)系式,得到所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系式;

      根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系式,獲得所述顯示面板相應(yīng)位置的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的補(bǔ)償電壓;

      根據(jù)所述補(bǔ)償電壓修正所述顯示面板的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

      在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述目標(biāo)點(diǎn)位于所述顯示面板的中間位置。

      本公開的一種實(shí)施例的顯示裝置中,通過檢測(cè)IR Drop獲取相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的補(bǔ)償電壓,并根據(jù)該補(bǔ)償電壓修正顯示面板相應(yīng)位置的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓,從而使得顯示面板亮度顯示更均一。

      應(yīng)當(dāng)理解的是,以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本公開。

      附圖說明

      此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分,示出了符合本公開的實(shí)施例,并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中ELVDD走線的示意圖。

      圖2示出本公開示例性實(shí)施例中一種顯示裝置的示意圖。

      圖3示出本公開示例性實(shí)施例中另一種顯示裝置的示意圖。

      圖4示出本公開示例性實(shí)施例中一種增加顯示裝置亮度均一性的方法的流程圖。

      圖5-圖6示出本公開示例性實(shí)施例中一種增加顯示裝置亮度均一性的方法的示意圖。

      具體實(shí)施方式

      現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而,示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施,且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例;所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中,提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開的實(shí)施方式的充分理解。然而,本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到,可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多,或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。

      需要指出的是,在附圖中,為了圖示的清晰可能會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解,當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí),它可以直接在其他元件上,或者可以存在中間的層。另外,可以理解,當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印跋隆睍r(shí),它可以直接在其他元件下,或者可以存在一個(gè)以上的中間的層或元件。另外,還可以理解,當(dāng)層或元件被稱為在兩層或兩個(gè)元件“之間”時(shí),它可以為兩層或兩個(gè)元件之間唯一的層,或還可以存在一個(gè)以上的中間層或元件。通篇相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。

      圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中ELVDD走線的示意圖。

      目前發(fā)光(英文全稱:Electroluminescent,簡(jiǎn)稱:EL)器件的發(fā)光效率比較低,為了使顯示面板的發(fā)光亮度增加,需要驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(英文全稱:Driving Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱:Driving TFT)輸出一個(gè)較大的直流源,而這需要給Driving TFT一個(gè)較大的數(shù)據(jù)電壓;當(dāng)AMOLED顯示器件在正常工作時(shí),為了使顯示面板的發(fā)光亮度增加,使得Driving TFT一直工作在飽和區(qū),而這需要驅(qū)動(dòng)器集成電路供應(yīng)一個(gè)很高的驅(qū)動(dòng)電壓(Electroluminescent Voltage Device,簡(jiǎn)稱:ELVDD);考慮到Driving TFT的臨界電壓與數(shù)據(jù)電壓都比較大,為到達(dá)滿足最大的數(shù)據(jù)電壓的要求,目前ELVDD是根據(jù)最大的數(shù)據(jù)電壓來提供的,并不考慮其他較低電平的數(shù)據(jù)電壓,因此驅(qū)動(dòng)器集成電路供應(yīng)驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示器件每一幀畫面的ELVDD均是以最大ELVDD來供應(yīng)的。

      隨著時(shí)代及技術(shù)的進(jìn)步,大尺寸、高分辨率的AMOLED顯示器件逐漸發(fā)展起來,相應(yīng)的,大尺寸AMOLED顯示器也需要較大尺寸的面板及較多數(shù)量的像素,面板導(dǎo)線長(zhǎng)度越來越長(zhǎng),導(dǎo)線電阻也越大,因此的,電源電壓不可避免地會(huì)在導(dǎo)線上產(chǎn)生電壓降(IR Drop),并且,每個(gè)像素電路的電壓降不同,因而造成每個(gè)像素電路獲得的電源電壓不同,從而在相同的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓輸入下,不同的像素電路會(huì)有不同的電流、亮度輸出,進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)面板的顯示亮度不均勻,并且畫面不同,像素的IR Drop也會(huì)跟著不同。

      圖2示出本公開示例性實(shí)施例中一種顯示裝置的示意圖。

      如圖2所示,該顯示裝置10包括顯示面板100和處理裝置200,其中所述顯示面板100包括電源電壓檢測(cè)模塊101,所述電源電壓檢測(cè)模塊101用于檢測(cè)所述顯示面板100的直流電壓降(IR Drop),并將所述直流電壓降輸入至所述處理裝置200進(jìn)行處理;所述處理裝置200根據(jù)所述直流電壓降輸出所述顯示面板100相應(yīng)位置的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓Data的補(bǔ)償電壓ΔData,通過所述補(bǔ)償電壓ΔData修正所述顯示面板100的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

      本發(fā)明實(shí)施例中,顯示面板100包括像素單元,電源電壓檢測(cè)模塊101用于采集像素單元的電源節(jié)點(diǎn)的電壓,并將該電壓發(fā)送至處理裝置200,所謂電源節(jié)點(diǎn)是指預(yù)設(shè)的用于與電源連接的節(jié)點(diǎn);處理裝置200用于根據(jù)電源節(jié)點(diǎn)的電壓確定電源節(jié)點(diǎn)的電壓變化量,并基于該電壓變化量確定顯示面板100的直流電壓降,并根據(jù)該直流電壓降修改對(duì)應(yīng)的像素單元的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓來補(bǔ)償該電壓變化量。

      現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管(Organic light emitting diode,OLED)顯示裝置在顯示過程中,顯示面板(Panel)亮度由于IR drop的影響會(huì)從Source IN端到Source END端呈遞減趨勢(shì),這樣Panel的亮度均一性將會(huì)有所降低。而本公開實(shí)施例通過檢測(cè)直流電壓降來獲得相應(yīng)像素單元的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的補(bǔ)償電壓,能夠提高顯示器件的亮度均一性。

      圖3示出本公開示例性實(shí)施例中另一種顯示裝置的示意圖。

      其中,顯示面板用于顯示畫面,包括ELVDD總線、由多個(gè)像素單元以矩陣形式構(gòu)成的像素單元陣列,ELVDD引線、扇出(Fanout)區(qū)、軟性印刷電路(FPC)、以及有源區(qū)四周的行驅(qū)動(dòng)電路(GOA)和靜電防護(hù)(ESD)電路等。其中,有源區(qū)又稱為像素區(qū),是ELVDD總線和像素單元陣列所在的區(qū)域,構(gòu)成像素單元陣列的多個(gè)像素單元均與ELVDD總線相連接,ELVDD總線是外部電源提供的電壓在顯示面板內(nèi)部的走線,ELVDD總線通過ELVDD引線連接于驅(qū)動(dòng)IC,有源區(qū)與驅(qū)動(dòng)IC之間通過Fanout區(qū)連接,F(xiàn)anout區(qū)是驅(qū)動(dòng)IC與有源區(qū)的ELVDD總線之間的引線所在的區(qū)域。

      在圖3所示的實(shí)施例中,電源電壓檢測(cè)模塊101包括第一電源電壓檢測(cè)線(ELVDD1)和第二電源電壓檢測(cè)線(ELVDD2),分別用于檢測(cè)所述顯示面板的第一電源電壓和第二電源電壓,并將所述第一電源電壓和所述第二電源電壓輸入至所述處理裝置。

      在圖3所示的實(shí)施例中,所述顯示裝置還包括源極驅(qū)動(dòng)電路(Source Driver),其中,所述第一電源電壓檢測(cè)線(ELVDD1)設(shè)置于靠近所述源極驅(qū)動(dòng)電路的一端(例如最下端),所述第二電源電壓檢測(cè)線(ELVDD2)設(shè)置于遠(yuǎn)離所述源極驅(qū)動(dòng)電路的另一端(例如最上端)。

      需要說明的是,雖然在圖3中,以ELVDD1設(shè)置于源極驅(qū)動(dòng)電路的最下端、ELVDD2設(shè)置于該源極驅(qū)動(dòng)電路的最上端為例進(jìn)行說明,但在其他實(shí)施例中,只要ELVDD1設(shè)置于靠近源極驅(qū)動(dòng)電路的一端、ELVDD2設(shè)置于遠(yuǎn)離該源極驅(qū)動(dòng)電路的另一端即可。

      在示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置還包括柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver),其中,所述第二電源電壓檢測(cè)線(ELVDD2)的豎向走線可以通過所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的旁路走線(Pass line)連接至所述處理裝置。由于ELVDD2位于遠(yuǎn)離源極驅(qū)動(dòng)電路的另一端,其如果不通過柵極驅(qū)動(dòng)電路的旁路走線連接至該處理裝置,會(huì)影響顯示面板的邊框的寬窄,由于ELVDD2只有電壓,沒有形成回路,沒有電流流過,其走線可以很細(xì),因此其可以通過柵極驅(qū)動(dòng)電路的旁路走線連接至該處理裝置,從而不會(huì)影響顯示面板的邊框?qū)捳?/p>

      在圖3所示的實(shí)施例中,所述處理裝置為時(shí)序控制器(TCON)。但本公開并不限定于此,其可以是任何能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的外部或者內(nèi)部數(shù)據(jù)處理器。

      在圖3所示的實(shí)施例中,所述時(shí)序控制器(TCON)包括模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC),所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)用于將模擬的所述直流電壓降轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。

      超窄邊框顯示裝置以其卓越的視覺體驗(yàn)受到用戶的追捧。目前,采用COF(Chip On Film,覆晶薄膜)技術(shù)以實(shí)現(xiàn)超窄邊框。COF技術(shù)是將驅(qū)動(dòng)IC(Integrated Circuit,集成電路)固定于柔性線路板上的晶粒軟膜構(gòu)裝技術(shù)。將該技術(shù)引入到顯示裝置,可以減小顯示裝置的電路區(qū)域(也稱PAD區(qū)域)的大小,從而實(shí)現(xiàn)超窄邊框。

      本發(fā)明實(shí)施例通過在Panel內(nèi)部增加2條ELVDD檢測(cè)線(ELVDD1和ELVDD2),一條位于Source IN端(ELVDD1),一條位于Source END端(ELVDD2),Source END端的ELVDD2通過Gate COF的Pass line來連接至PCB上,最終連接至TCON上的ADC模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器上。由于該ELVDD2不走電流,所以可以從COF上連接走線。

      在圖3所示的實(shí)施例中,所述顯示面板包括網(wǎng)格狀的電源電壓走線,其中,所述顯示面板的電源電壓走線的長(zhǎng)度與所述顯示面板的電阻成正比。其中,一般默認(rèn)為網(wǎng)格狀ELVDD走線,可以使顯示面板內(nèi)的電阻R比較均一,這樣,Panel的ELVDD線的長(zhǎng)度S與電阻R成正比關(guān)系。但本公開并不限定于此,在其他實(shí)施例中,也可以是其他形狀的電源電壓走線,只要其是全面板平均鋪設(shè)的即可。

      在示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置為OLED顯示裝置。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)成為國(guó)內(nèi)外非常熱門的新興平面顯示器產(chǎn)品,這是因?yàn)镺LED顯示器具有自發(fā)光、廣視角、短反應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓、面板薄、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡(jiǎn)單等特性,而且它還具有低成本的潛力。

      本公開實(shí)施方式是通過監(jiān)測(cè)Panel的IR Drop來控制Data的輸出,使Panel在顯示時(shí)亮度能夠更均一,增加亮度均一性。其中,對(duì)于網(wǎng)格狀的ELVDD設(shè)計(jì),通過增加Panel最低端和最頂端的ELVDD檢測(cè)線,檢測(cè)線的豎向走線通過Gate COF的Pass line來減少阻抗,最終2條檢測(cè)線上的ELVDD會(huì)被TCON采集,進(jìn)行數(shù)據(jù)處理后,通過改變輸出的不同位置的Data來實(shí)現(xiàn)增加Panel的亮度均一性。

      利用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,通過實(shí)時(shí)檢測(cè)顯示面板最低端和最頂端的ELVDD引線上的電源電壓,并根據(jù)該最低端和最頂端的電源電壓的變化量ΔELVDD來調(diào)整數(shù)據(jù)信號(hào)電壓反饋給顯示面板ELVDD引線的補(bǔ)償電壓,使得不論顯示顯示面板有源區(qū)顯示什么內(nèi)容,反饋給顯示面板ELVDD引線的補(bǔ)償電壓均能夠隨顯示畫面的變化而改變,實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板有源區(qū)IR drop進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償,從而使顯示面板有源區(qū)具有統(tǒng)一和穩(wěn)定的ELVDD電壓,進(jìn)而有效地改善了顯示裝置的顯示畫質(zhì)。

      此外,在本公開的其他示例性實(shí)施例中,所述顯示裝置中還可以包括其他部件。因此,增加更多的結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案同樣屬于本公開的保護(hù)范圍。

      圖4示出本公開示例性實(shí)施例中一種增加顯示裝置亮度均一性的方法的流程圖。

      如圖4所示,該增加顯示裝置亮度均一性的方法,可以包括以下步驟。

      在步驟S100中,在純色畫面下,選取所述顯示面板上至少一點(diǎn)作為目標(biāo)點(diǎn)。

      這里所謂的純色畫面,是指整個(gè)顯示面板顯示的畫面是一致的,例如全為白色或者黑色等等。

      在示例性實(shí)施例中,所述目標(biāo)點(diǎn)位于所述顯示面板的中間位置。需要說明的是,這里所謂的中間位置可以不那么精確,大致位于該顯示面板的中間位置即可,因?yàn)槿搜垡曈X對(duì)面板的亮度的變化并沒有那么敏感。

      在步驟S110中,測(cè)試在不同數(shù)據(jù)信號(hào)電壓下,所述目標(biāo)點(diǎn)的亮度與所述直流電壓降之間的關(guān)系曲線。

      在步驟S120中,在同一組數(shù)據(jù)信號(hào)電壓下,測(cè)量所述顯示面板的亮度與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系曲線。

      由于顯示面板一般為長(zhǎng)方形,具有兩短邊和兩長(zhǎng)邊。本發(fā)明實(shí)施例中,所述第一邊是指顯示面板的短邊,但本公開對(duì)此不作限定。

      在步驟S130中,根據(jù)所述顯示面板的亮度與所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓之間的關(guān)系式,得到所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系式。

      在步驟S140中,根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與所述顯示面板第一邊的長(zhǎng)度之間的關(guān)系式,獲得所述顯示面板相應(yīng)位置的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的補(bǔ)償電壓。

      在步驟S150中,根據(jù)所述補(bǔ)償電壓修正所述顯示面板的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

      圖5-圖6示出本公開示例性實(shí)施例中一種增加顯示裝置亮度均一性的方法的示意圖。

      首先,如圖5,在純色畫面下,選取面板上中間一點(diǎn)作為目標(biāo)點(diǎn),測(cè)試出不同Data下,該點(diǎn)亮度L與△ELVDD之間的關(guān)系曲線;然后,如圖6,在同一組Data下,量測(cè)面板的亮度L與面板短邊的長(zhǎng)度S的關(guān)系曲線;而面板的亮度L與Data存在一定的關(guān)系式,此時(shí)可以得到Data與面板短邊長(zhǎng)度S之間的關(guān)系式,即可使TCON輸出Data+△Data,從而使得面板亮度顯示更均一,增加亮度均一性。

      本公開實(shí)施方式提供的增加顯示裝置亮度均一性的方法,通過增加ELVDD檢測(cè)線,補(bǔ)償IR Drop,增加面板亮度均一性。

      此外,上述增加顯示裝置亮度均一性的方法中各步驟的具體細(xì)節(jié)已經(jīng)在對(duì)應(yīng)的顯示裝置中進(jìn)行了詳細(xì)的描述,因此此處不再贅述。而且,盡管在附圖中以特定順序描述了本公開中方法的各個(gè)步驟,但是,這并非要求或者暗示必須按照該特定順序來執(zhí)行這些步驟,或是必須執(zhí)行全部所示的步驟才能實(shí)現(xiàn)期望的結(jié)果。附加的或備選的,可以省略某些步驟,將多個(gè)步驟合并為一個(gè)步驟執(zhí)行,以及/或者將一個(gè)步驟分解為多個(gè)步驟執(zhí)行等。

      本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后,將容易想到本公開的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化,這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的,本公開的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。

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