本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種脈沖生成單元、陣列基板、顯示裝置、驅(qū)動(dòng)電路和方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置包括由多條數(shù)據(jù)線和多條柵線交叉限定的多個(gè)子像素單元，多個(gè)子像素單元呈矩陣分布，每個(gè)子像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，薄膜晶體管的源極連接于數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管的漏極連接于像素電極，薄膜晶體管的柵極連接于柵線，柵線連接于柵極驅(qū)動(dòng)電路，柵極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)柵線控制薄膜晶體管的導(dǎo)通和截止，當(dāng)薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)線通過(guò)該薄膜晶體管給相應(yīng)的像素電極提供數(shù)據(jù)電壓，以對(duì)該像素電極進(jìn)行充電。在顯示過(guò)程中，對(duì)于每個(gè)子像素單元，其第N幀和第N+1時(shí)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓的極性相反，例如，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一子像素單元在第N幀和第N+1幀時(shí)的時(shí)序示意圖，VGate為該子像素單元對(duì)應(yīng)的柵線電壓值，VData為該子像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電壓值，VPixel為該子像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極電壓值，柵線電壓值VGate為高電平時(shí)該子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管導(dǎo)通，此時(shí)子像素單元處于充電時(shí)間，在第N幀時(shí)，數(shù)據(jù)線電壓值VGate在充電時(shí)間Tc內(nèi)為正值，在充電時(shí)間Tc內(nèi)，像素電極電壓值VPixel逐漸升高，直到達(dá)到數(shù)據(jù)線電壓值VData，然后像素電極電壓值VPixel保持該電壓值直到下一次充電，在第N+1幀，由于像素極性反轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)線電壓值VDate為負(fù)值，在充電時(shí)間Tc內(nèi)，像素電極電壓值VPixel從上一幀的正值逐漸降低，直到達(dá)到數(shù)據(jù)線電壓值VDate。然而，隨著分辨率的不斷提升，薄膜晶體管的導(dǎo)通時(shí)間越來(lái)越短，可能導(dǎo)致在薄膜晶體管的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)像素電極電壓無(wú)法達(dá)到所需要的數(shù)據(jù)電壓，即容易產(chǎn)生像素電極充電不足的問(wèn)題，對(duì)顯示效果造成不良影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種脈沖生成單元、陣列基板、顯示裝置、驅(qū)動(dòng)電路和方法，能夠在一定程度上解決像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善顯示效果。

一方面，提供一種脈沖生成單元，包括：

第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端和脈沖輸出端；

復(fù)位模塊，用于響應(yīng)于所述第一輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出低電平，所述復(fù)位模塊還用于響應(yīng)于所述第二輸入端的低電平和所述第三輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出低電平；

脈沖生成模塊，用于響應(yīng)于所述第一輸入端的高電平、所述第二輸入端的高電平和所述第三輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出高電平，所述脈沖生成模塊還用于響應(yīng)于所述第一輸入端的高電平、所述第二輸入端的低電平和所述第三輸入端的高電平使所述脈沖輸出端輸出高電平。

另一方面，提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括：

第一時(shí)鐘信號(hào)端、第二時(shí)鐘信號(hào)端、脈沖生成單元和級(jí)聯(lián)的多級(jí)移位寄存器；

每級(jí)所述移位寄存器包括移位輸入端、輸出端、第一信號(hào)端、第二信號(hào)端和級(jí)聯(lián)信號(hào)端；

奇數(shù)級(jí)所述移位寄存器的第一信號(hào)端連接于所述第一時(shí)鐘信號(hào)端，奇數(shù)級(jí)所述移位寄存器的第二信號(hào)端連接于所述第二時(shí)鐘信號(hào)端；

偶數(shù)級(jí)所述移位寄存器的第一信號(hào)端連接于所述第二時(shí)鐘信號(hào)端，偶數(shù)級(jí)所述移位寄存器的第二信號(hào)端連接于所述第一時(shí)鐘信號(hào)端；

除第一級(jí)和第n級(jí)移位寄存器外，每級(jí)所述移位寄存器的移位輸入端連接于上一級(jí)所述移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端，所述n為大于2的整數(shù)；

所述脈沖生成單元包括：

第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端和脈沖輸出端；

復(fù)位模塊，用于響應(yīng)于所述第一輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出低電平，所述復(fù)位模塊還用于響應(yīng)于所述第二輸入端的低電平和所述第三輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出低電平；

脈沖生成模塊，用于響應(yīng)于所述第一輸入端的高電平、所述第二輸入端的高電平和所述第三輸入端的低電平使所述脈沖輸出端輸出高電平，所述脈沖生成模塊還用于響應(yīng)于所述第一輸入端的高電平、所述第二輸入端的低電平和所述第三輸入端的高電平使所述脈沖輸出端輸出高電平；

所述第二輸入端連接于第h級(jí)所述移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端，所述h為小于n-1的正整數(shù)，所述第三輸入端連接于第n-1級(jí)所述移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端，所述脈沖輸出端連接于第n級(jí)所述移位寄存器的移位輸入端，當(dāng)所述n為奇數(shù)時(shí)，所述第一輸入端連接于所述第一時(shí)鐘信號(hào)端，當(dāng)所述n為偶數(shù)時(shí)，所述第一輸入端連接于所述第二時(shí)鐘信號(hào)端。

另一方面，提供一種陣列基板，包括上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

另一方面，提供一種驅(qū)動(dòng)方法，用于上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述方法包括：當(dāng)?shù)趇級(jí)移位寄存器輸出高電平時(shí)，第i+j級(jí)移位寄存器輸出高電平；

當(dāng)n為偶數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i的取值為h+1、h+2、h+3、…、m1，m1為大于n的整數(shù)；

當(dāng)n為偶數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i的取值為h、h+1、h+2、…、m2，m2為大于n的整數(shù)；

當(dāng)n為奇數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i取值為h、h+1、h+2…、m3，m3為大于n的整數(shù)；

當(dāng)n為奇數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i取值為h-1、h、h+1…、m4，m4為大于n的整數(shù)；

j為大于或等于2的整數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例中的脈沖生成單元、陣列基板、顯示裝置、驅(qū)動(dòng)電路和方法，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中，并不是在前一行的像素電極充電時(shí)對(duì)后一行的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，而是在第i行像素電極充電時(shí)，對(duì)第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，因此可以設(shè)置為第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，在第i行像素電極進(jìn)行充電的開始時(shí)刻，第i+j行像素電極同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，因此，第i行像素電極和第i+j行像素電極同時(shí)從一種極性反轉(zhuǎn)至另外一種極性，不會(huì)存在現(xiàn)有技術(shù)中在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)，兩個(gè)像素電極的極性會(huì)相互影響的情況，因此不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。即，本發(fā)明實(shí)施例中的脈沖生成單元、陣列基板、顯示裝置、驅(qū)動(dòng)電路和方法不管是對(duì)于行反轉(zhuǎn)方式、列反轉(zhuǎn)方式還是點(diǎn)反轉(zhuǎn)方式都能增加像素電極的充電時(shí)間。

【附圖說(shuō)明】

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種子像素單元在第N幀和第N+1幀時(shí)的時(shí)序示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中位于同一列且相鄰的兩個(gè)子像素單元在第N幀和第N+1幀時(shí)的時(shí)序示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中一種脈沖生成單元的結(jié)構(gòu)框圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖6為圖4的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖7為圖4的第一級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖8為圖4的第二級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖9為圖4的第三極移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖10為圖4的第四級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖12為圖5或圖11的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖15為圖13或圖14的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖；

圖16為本發(fā)明實(shí)施例中一種脈沖生成單元的電路圖；

圖17為本發(fā)明實(shí)施例中一種移位寄存器的電路圖；

圖18為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

為了解決像素電極充電不足的問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)中提供了一種采用預(yù)充電的方式對(duì)像素電極進(jìn)行充電的方法，如圖2所示，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中位于同一列且相鄰的兩個(gè)子像素單元在第N幀和第N+1幀時(shí)的時(shí)序示意圖，VGate1為第1行子像素單元對(duì)應(yīng)的柵線電壓值，VGate2為第2行子像素單元對(duì)應(yīng)的柵線電壓值，VData為數(shù)據(jù)線電壓值，在前一行子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管導(dǎo)通接近結(jié)束時(shí)，使后一行子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管同時(shí)導(dǎo)通，使得在前一行子像素單元充電的過(guò)程中，為后一行子像素單元進(jìn)行預(yù)充電，即后一行子像素單元提前從一種極性反轉(zhuǎn)至另一種極性，相當(dāng)于增加了后一行子像素單元從一種極性反轉(zhuǎn)至另一種極性所需要的時(shí)間，從而在一定程度上解決像素電極充電不足的問(wèn)題。然而，圖2中所示的預(yù)充電的方式，例如，在第N幀結(jié)束時(shí)，第一行和第二行子像素單元的像素電極均為正極性，在第N+1幀中，預(yù)充電時(shí)間t之前，第一行子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管導(dǎo)通，以第一列子像素單元舉例，第一列數(shù)據(jù)線與第一行第一列的子像素單元的像素電極導(dǎo)通，為該子像素單元充電，使該像素電極反轉(zhuǎn)為負(fù)極性并被充電至所需要的電壓，此時(shí)第二行子像素單元的像素電極為正極性；在預(yù)充電時(shí)間t開始時(shí)，第一行子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管和第二行子像素單元對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管均導(dǎo)通，即第一行第一列子像素單元的像素電極與第二行第一列子像素單元的像素電極電連接，而第二行子像素單元的像素電極與第一行像素電極在電連接之前具有相反的極性，因此，在兩者電連接時(shí)，即預(yù)充電時(shí)間t開始時(shí)，第一行第一列子像素單元的像素電極電壓會(huì)由于第二行第一列子像素單元的負(fù)電壓而被拉低，需要在預(yù)充電時(shí)間t內(nèi)再將電壓拉回到第一列數(shù)據(jù)線所提供的充電電壓。在顯示分別率較高時(shí)，每一行子像素單元的充電時(shí)間都會(huì)被壓縮，因此預(yù)充電時(shí)間t也會(huì)被壓縮至較短，可能造成第一行第一列子像素單元的像素電極電壓被拉低后在預(yù)充電時(shí)間t內(nèi)沒(méi)有足夠的時(shí)間恢復(fù)至所需要的電壓的情況，因此仍會(huì)導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題。即，現(xiàn)有技術(shù)中的預(yù)充電的方式對(duì)行反轉(zhuǎn)方式、點(diǎn)反轉(zhuǎn)方式不能解決充電不足的問(wèn)題。

如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供一種脈沖生成單元，包括：第一輸入端IN1、第二輸入端IN2、第三輸入端IN3和脈沖輸出端WOUT；復(fù)位模塊1，用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平，復(fù)位模塊1還用于響應(yīng)于第二輸入端IN2的低電平和第三輸入端IN3的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平；脈沖生成模塊2，用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的高電平、第二輸入端IN2的高電平和第三輸入端IN3的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出高電平，脈沖生成模塊2還用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的高電平、第二輸入端IN2的低電平和第三輸入端IN3的高電平使脈沖輸出端WOUT輸出高電平。

如圖4和圖5所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例中一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，圖5為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，包括：第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1、第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2、脈沖生成單元10和級(jí)聯(lián)的多級(jí)移位寄存器20；每級(jí)移位寄存器20包括移位輸入端IN、輸出端OUT、第一信號(hào)端CLK1、第二信號(hào)端CLK2和級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT；奇數(shù)級(jí)移位寄存器20的第一信號(hào)端CLK1連接于第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1，奇數(shù)級(jí)移位寄存器20的第二信號(hào)端CLK2連接于第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2；偶數(shù)級(jí)移位寄存器20的第一信號(hào)端CLK1連接于第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2，偶數(shù)級(jí)移位寄存器20的第二信號(hào)端CLK2連接于第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1；除第一級(jí)和第n級(jí)移位寄存器20外，每級(jí)移位寄存器20的移位輸入端IN連接于上一級(jí)移位寄存器20的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，n為大于2的整數(shù)，結(jié)合圖3和圖4或者圖5所示，脈沖生成單元10包括：第一輸入端IN1、第二輸入端IN2、第三輸入端IN3和脈沖輸出端WOUT；復(fù)位模塊1，用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平，復(fù)位模塊1還用于響應(yīng)于第二輸入端IN2的低電平和第三輸入端IN3的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平；脈沖生成模塊2，用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的高電平、第二輸入端IN2的高電平和第三輸入端IN3的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出高電平，脈沖生成模塊2還用于響應(yīng)于第一輸入端IN1的高電平、第二輸入端IN2的低電平和第三輸入端IN3的高電平使脈沖輸出端WOUT輸出高電平；第一級(jí)移位寄存器20的移位輸入端IN連接于初始信號(hào)端STV。對(duì)于脈沖生成單元10，第二輸入端IN2連接于第h級(jí)移位寄存器20的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，h為小于n-1的正整數(shù)，第三輸入端IN3連接于第n-1級(jí)移位寄存器20的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，脈沖輸出端WOUT連接于第n級(jí)移位寄存器20的移位輸入端IN，如圖4所示，當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，第一輸入端IN1連接于第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1，如圖5所示，當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)，第一輸入端IN1連接于第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2。在圖4和圖5中，各移位寄存器20的輸出端OUT分別連接于第1-6行柵線Gate1-6，圖4中示意了h＝1，n＝3的結(jié)構(gòu)，圖5中示意了h＝1，n＝4的結(jié)構(gòu)。

以下以圖3和圖4為例具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的脈沖生成單元和柵極驅(qū)動(dòng)電路。如圖6所示，圖6為圖4的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖，第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1和第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2用于提供相反的時(shí)鐘信號(hào)，初始信號(hào)端STV用于在每一幀的開始時(shí)提供高電平，以觸發(fā)第一級(jí)移位寄存器20的移位功能。如圖7、圖8、圖9和圖10所示，圖7為圖4的第一級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖，第一級(jí)移位寄存器20中各端的信號(hào)時(shí)序不受脈沖生成單元10的影響，第一級(jí)位移寄存器20的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT輸出信號(hào)至脈沖生成單元10的第二輸入端IN2，圖8為圖4的第二級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖，第二級(jí)移位寄存器20中各端的信號(hào)時(shí)序不受脈沖生成單元10的影響，第二級(jí)移位寄存器20的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT輸出信號(hào)至脈沖生成單元10的第三輸入端IN3，圖9為圖4的第三極移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖，脈沖生成單元10的脈沖輸出端WOUT輸出信號(hào)至第三極移位寄存器20的移位輸入端IN，根據(jù)移位寄存器20的原理，移位寄存器會(huì)在移位輸入端為高電平的下一個(gè)時(shí)刻輸出高電平，因此，響應(yīng)于脈沖生成單元10的脈沖輸出端WOUT在第一時(shí)刻t1和第三時(shí)刻t3輸出的高電平，第三極移位寄存器20在第二時(shí)刻t2和第四時(shí)刻t4輸出高電平，實(shí)現(xiàn)移位寄存器。其中，第二時(shí)刻t2輸出的高電平用于使第3行柵線所對(duì)應(yīng)的子像素單元在第1行柵線所對(duì)應(yīng)的子像素單元進(jìn)行充電的同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，第四時(shí)刻t4輸出的高電平用于使第3行柵線所對(duì)應(yīng)的子像素單元進(jìn)行充電。圖10為圖4的第四級(jí)移位寄存器中各端的信號(hào)時(shí)序圖，第四級(jí)移位寄存器20對(duì)第三級(jí)移位寄存器20在輸出端OUT于第一信號(hào)端CLK1的高電平時(shí)段輸出的高電平進(jìn)行移位。每級(jí)移位寄存器20用于在移位輸入端IN輸入高電平之后的下一個(gè)時(shí)刻在輸出端OUT輸出高電平，并且在移位輸入端IN輸入高電平的當(dāng)前時(shí)刻和下一個(gè)時(shí)刻在級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT輸出高電平，實(shí)現(xiàn)移位功能。柵極驅(qū)動(dòng)電路工作過(guò)程中，包括周期性的多幀，每一幀包括多個(gè)時(shí)刻，以下通過(guò)一幀中連續(xù)的第一至第四時(shí)刻t1-t4時(shí)移位寄存器20和柵極驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程具體說(shuō)明本實(shí)施例：

如圖6所示，在第一時(shí)刻t1，第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2為低電平，初始信號(hào)端STV為高電平，第一級(jí)移位寄存器20輸出至第一柵線Gate1的電平為低電平，脈沖生成單元10的第二輸入端IN2為高電平，脈沖生成單元10的第三輸入端IN3為低電平，脈沖輸出端WOUT輸出高電平，第2-6行柵線Gate2-6均為低電平；在第二時(shí)刻t2，第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2為高電平，初始信號(hào)端STV為低電平，第一級(jí)移位寄存器20輸出至第一行柵線Gate1的電平為高電平，此時(shí)第一行柵線Gate1所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電，第二行柵線Gate2為低電平，第二輸入端IN2為高電平，第三輸入端IN3為高電平，根據(jù)脈沖生成單元10的原理，響應(yīng)于第一輸入端IN1(即第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1)的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平，由于脈沖輸出端WOUT連接于第三級(jí)移位寄存器30的移位輸入端IN，因此第三級(jí)移位寄存器30輸出高電平至第三行柵線Gate3，此時(shí)第三行柵線Gate3所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，第3-6行柵線Gate3為低電平；在第三時(shí)刻t3，第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2為低電平，初始信號(hào)端STV為低電平，第一行柵線Gate1為低電平，第二輸入端IN2為低電平，第三輸入端IN3為高電平，第二行柵線Gate2為高電平，此時(shí)第二行柵線Gate2所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電，第三行柵線Gate3為低電平，第四行柵線Gate4為高電平，此時(shí)第四行柵線Gate4所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，第五行柵線Gate5和第六行柵線Gate6為低電平；在第四時(shí)刻t4，第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)端CKV2為高電平，初始信號(hào)端STV為低電平，第一行柵線Gate1、第二輸入端IN2、第三輸入端IN3和第二行柵線Gate2為低電平，響應(yīng)于第一輸入端IN1(即第一時(shí)鐘信號(hào)端CKV1)的低電平使脈沖輸出端WOUT輸出低電平，第三行柵線Gate3為高電平，此時(shí)第三行柵線Gate3所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電，同時(shí)第五行柵線Gate5為高電平，第五行柵線Gate5所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，第四行柵線Gate4和第六行柵線Gate6為低電平?？芍?，當(dāng)?shù)谝恍袞啪€Gate1所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第三行柵線Gate3所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電；第二行柵線Gate2所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第四行柵線Gate4所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電；依次類推，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+j行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)n為偶數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i的取值為h+1、h+2、h+3、…、m1，m1為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為偶數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i的取值為h、h+1、h+2、…、m2，m2為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為奇數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i取值為h、h+1、h+2…、m3，m3為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為奇數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i取值為h-1、h、h+1…、m4，m4為大于n的整數(shù)；j為大于或等于2的整數(shù)，在本實(shí)施例中，僅以j＝2進(jìn)行舉例。

可以理解的是，在圖4中，僅示意了h＝1，n＝3的結(jié)構(gòu)，即脈沖生成單元10的第二輸入端IN2連接于第一級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，脈沖生成單元10的脈沖輸出端WOUT連接于第三級(jí)移位寄存器20的移位輸入端IN，且以上僅以h＝1，n＝3的結(jié)構(gòu)為例具體說(shuō)明了上述脈沖生成單元10和柵極驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，在其他可實(shí)現(xiàn)的方式中，第二輸入端IN2可以連接于第h級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，脈沖輸出端WOUT可以連接除第h級(jí)和第h+1級(jí)移位寄存器20之外的任意一級(jí)移位寄存器20的移位輸入端IN，脈沖生成單元10和柵極驅(qū)動(dòng)電路的工作原理類似，均能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)?shù)趇級(jí)移位寄存器輸出高電平時(shí)，第i+2級(jí)移位寄存器輸出高電平，即第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。需要說(shuō)明的是，第n級(jí)移位寄存器通過(guò)脈沖生成單元10的控制輸出一次額外的高電平(預(yù)充電脈沖信號(hào))，并在第n-1級(jí)移位寄存器輸出高電平的下一個(gè)時(shí)刻輸出高電平(正常充電脈沖信號(hào))，其余各級(jí)移位寄存器輸出至柵線的電壓仍按照移位寄存器本身的功能進(jìn)行輸出，即，從第一行柵線開始，在第i行柵線為高電平的下一個(gè)時(shí)刻，第i+1行柵線為高電平。

如圖11和圖12所示，圖11為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，圖12為圖5或圖11的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖，當(dāng)h＝1且n＝4，或者h(yuǎn)＝2且n＝4時(shí)，從第二行柵線Gate2開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。即，當(dāng)n為偶數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，從第h+1行開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電；當(dāng)n為偶數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，從第h行柵線開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。

如圖13、圖14和圖15所示，圖13為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，圖14為本發(fā)明實(shí)施例中另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，圖15為圖13或圖14的柵極驅(qū)動(dòng)電路中各端的信號(hào)時(shí)序圖，當(dāng)h＝3且n＝5，或者h(yuǎn)＝4且n＝5時(shí)，從第三行柵線Gate3開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。即，當(dāng)n為奇數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，從第h行柵線開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電；當(dāng)n為奇數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，從第h-1行柵線開始，第i行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行充電時(shí)，第i+2行柵線所對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行預(yù)充電。

本發(fā)明實(shí)施例中的脈沖生成單元和柵極驅(qū)動(dòng)電路，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中，并不是在前一行的像素電極充電時(shí)對(duì)后一行的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，而是在第i行像素電極充電時(shí)，對(duì)第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，因此可以設(shè)置為第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，在第i行像素電極進(jìn)行充電的開始時(shí)刻，第i+j行像素電極同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，因此，第i行像素電極和第i+j行像素電極同時(shí)從一種極性反轉(zhuǎn)至另外一種極性，不會(huì)存在現(xiàn)有技術(shù)中在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)，兩個(gè)像素電極的極性會(huì)相互影響的情況，因此不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。

可選地，在上述脈沖生成單元和柵極驅(qū)動(dòng)電路中，如圖16所示，圖16為本發(fā)明實(shí)施例中一種脈沖生成單元的電路圖，脈沖生成單元還包括高電平端VGH、低電平端VGL和第一反相器M1；復(fù)位模塊1包括：第一晶體管T1，其控制端連接于第一輸入端IN1，其第一端連接于高電平端VGH，其第二端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1；第二晶體管T2，其控制端連接于第二輸入端IN2，其第一端連接于高電平端VGH；第三晶體管T3，其控制端連接于第三輸入端IN3，其第一端連接于第二晶體管T2的第二端，其第二端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1；脈沖生成模塊2包括：第四晶體管T4，其控制端連接于第一輸入端IN1，其第一端連接于第二節(jié)點(diǎn)P2，其第二端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1；第五晶體管T5，其控制端連接于第二輸入端IN2，其第一端連接于低電平端VGL，其第二端連接于第二節(jié)點(diǎn)P2；第六晶體管T6，其控制端連接于第三輸入端IN3，其第一端連接于低電平端VGL，其第二端連接于第二節(jié)點(diǎn)P2；第一反相器M1的輸入端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1，第一反相器M1的輸出端連接于脈沖輸出端WOUT；第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3為P型晶體管，第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6為N型晶體管。

可選地，在上述脈沖生成單元和柵極驅(qū)動(dòng)電路中，第一反相器M1包括：第七晶體管T7，其控制端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1，其第一端連接于高電平端VGH，其第二端連接于脈沖輸出端WOUT；第八晶體管T8，其控制端連接于第一節(jié)點(diǎn)P1，其第一端連接于低電平端VGL，其第二端連接于脈沖輸出端WOUT；第七晶體管T7為P型晶體管，第八晶體管T8為N型晶體管。

以下結(jié)合圖6中的時(shí)序具體介紹圖16中所示的脈沖生成單元的原理和工作過(guò)程：

如圖6所示，在第一時(shí)刻t1，第一輸入端IN1為高電平，使第一晶體管T1截止、第四晶體管T4導(dǎo)通，第二輸入端IN2為高電平，使第二晶體管T2截止、第五晶體管T5導(dǎo)通，從而使低電平端VGL的低電平通過(guò)第四晶體管T4和第五晶體管T5傳輸至第一節(jié)點(diǎn)P1，第一節(jié)點(diǎn)P1處的低電平通過(guò)第一反相器M1的作用使脈沖輸出端WOUT輸出高電平，第三輸入端IN3為低電平，使第三晶體管T3導(dǎo)通、第六晶體管T6截止；在第二時(shí)刻t2，第一輸入端IN1為低電平，使第一晶體管T1導(dǎo)通、第四晶體管T4截止，高電平端VGH的高電平通過(guò)第一晶體管T1傳輸至第一節(jié)點(diǎn)P1，第一節(jié)點(diǎn)P1處的高電平通過(guò)第一反向器M1的作用使脈沖輸出端WOUT輸出低電平，第二輸入端IN2為高電平，使第二晶體管T2截止、第五晶體管T5導(dǎo)通，第三輸入端IN3為高電平，使第三晶體管T3截止、第六晶體管T6導(dǎo)通；在第三時(shí)刻t3，第一輸入端IN1為高電平，使第一晶體管T1截止、第四晶體管T4導(dǎo)通，第二輸入端IN2為低電平，使第二晶體管T2導(dǎo)通、第五晶體管T5截止，第三輸入端IN3為高電平，使第三晶體管T3截止、第六晶體管T6導(dǎo)通，低電平端VGL的低電平通過(guò)第六晶體管T6和第四晶體管T4傳輸至第一節(jié)點(diǎn)P1，第一節(jié)點(diǎn)P1處的低電平通過(guò)第一反向器M1的作用使脈沖輸出端WOUT輸出高電平；在第四時(shí)刻t4，第一輸入端IN1為低電平，使第一晶體管T1導(dǎo)通、第四晶體管T4截止，第二輸入端IN2為低電平，使第二晶體管T2導(dǎo)通、第五晶體管T5截止，第三輸入端IN3為低電平，使第三晶體管T3導(dǎo)通、第六晶體管T6截止，高電平端VGH的高電平通過(guò)第一晶體管T1傳輸至第一節(jié)點(diǎn)P1，或者高電平端VGH的高電平通過(guò)第二晶體管T2和第三晶體管T3傳輸至第一節(jié)點(diǎn)P1，第一節(jié)點(diǎn)P1的高電平通過(guò)第一反相器M1的作用使脈沖輸出端WOUT輸出低電平。

可選地，在上述柵極驅(qū)動(dòng)電路中，如圖17所示，圖17為本發(fā)明實(shí)施例中一種移位寄存器的電路圖，每級(jí)移位寄存器包括：第二反相器M2，其輸入端連接于本級(jí)移位寄存器的第一信號(hào)端CLK1；第九晶體管T9，其控制端連接于第二反相器M2的輸出端，其第一端連接于高電平端VGH；第十晶體管T10，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的移位輸入端IN，其第一端連接于第九晶體管T9的第二端，其第二端連接于第三節(jié)點(diǎn)P3；第十一晶體管T11，其控制端連接于第一信號(hào)端CLK1，其第一端連接于低電平端VGL；第十二晶體管T12，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的移位輸入端IN，其第一端連接于第十一晶體管T11的第二端，其第二端連接于第三節(jié)點(diǎn)P3；第三反相器M3，其輸入端連接于第三節(jié)點(diǎn)P3，其輸出端連接于本級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT；第十三晶體管T13，其控制端連接于第一信號(hào)端CLK1，其第一端連接于高電平端VGH；第十四晶體管T14，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，其第一端連接于第十三晶體管T13的第二端，其第二端連接于第三節(jié)點(diǎn)P3；第十五晶體管T15，其控制端連接于第二反相器M2的輸出端，其第一端連接于低電平端VGL；第十六晶體管T16，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，其第一端連接于第十五晶體管T15的第二端，其第二端連接于第三節(jié)點(diǎn)P3；第十七晶體管T17，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，其第一端連接于高電平端VGH，其第二端連接于第四節(jié)點(diǎn)P4；第十八晶體管T18，其控制端連接于第二信號(hào)端CLK2，其第一端連接于高電平端VGH，其第二端連接于第四節(jié)點(diǎn)P4；第十九晶體管T19，其控制端連接于本級(jí)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT，其第一端連接于低電平端VGL；第二十晶體管T20，其控制端連接于第二信號(hào)端CLK2，其第一端連接于第十九晶體管T19的第二端，其第二端連接于第四節(jié)點(diǎn)P4；第四節(jié)點(diǎn)P4通過(guò)相互串聯(lián)的第四反相器M4、第五反相器M5和第六反相器M6連接于本級(jí)移位寄存器的輸出端OUT；第九晶體管T9、第十晶體管T10、第十三晶體管T13、第十四晶體管T14、第十七晶體管T17和第十八晶體管T18為P型晶體管，第十一晶體管T11、第十二晶體管T12、第十五晶體管T15、第十六晶體管T16、第十九晶體管T19和第二十晶體管T20為N型晶體管。

可選地，第二反相器M2、第三反相器M3、第四反相器M4、第五反相器M5和第六反相器M6中；每個(gè)反相器均包括：上拉晶體管T U，其控制端連接于本反相器的輸入端，其第一端連接于高電平端VGH，其第二端連接于本反相器的輸出端；下拉晶體管PD，其控制端連接于本反相器的輸入端，其第一端連接于低電平端VGL，其第二端連接于本反相器的輸出端；上拉晶體管PU為P型晶體管，下拉晶體管PD為N型晶體管。

可選地，h的值越小，則能夠進(jìn)行預(yù)充電的行數(shù)越多，更有利于改善顯示效果，因此，可以設(shè)置為h＝1。

可選地，n與h之間的差值越小，則在同一行子像素單元中，預(yù)充電脈沖與充電脈沖間隔的時(shí)間越短，子像素單元可以更快地從上一幀的電壓充電至當(dāng)前幀所需要的電壓值，更有利于改善顯示效果，因此，當(dāng)h＝1時(shí)，可以設(shè)置為n＝3。

以下以圖4中的第三級(jí)移位寄存器為例，結(jié)合圖9中的信號(hào)時(shí)序，具體介紹圖17中所示的移位寄存器的原理和工作過(guò)程：

如圖9和圖17所示，在第一時(shí)刻t1，第一信號(hào)端CLK1為高電平，第二信號(hào)端CLK2為低電平，移位輸入端IN為高電平，第十一晶體管T11和第十二晶體管T12導(dǎo)通，低電平端VGL的低電平通過(guò)第十一晶體管T11和第十二晶體管T12輸出至第三節(jié)點(diǎn)P3，第三節(jié)點(diǎn)P3的低電平通過(guò)第三反相器M3的作用使級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT為高電平，第十八晶體管T18導(dǎo)通，高電平端VGH的高電平通過(guò)第十八晶體管T18傳輸至第四節(jié)點(diǎn)P4，第四節(jié)點(diǎn)P4的高電平通過(guò)相互串聯(lián)的第四反相器M4、第五反相器M5和第六反相器M6的作用，使該級(jí)移位寄存器的輸出端OUT輸出低電平；在第二時(shí)刻t2，第一信號(hào)端CLK1為低電平，第二信號(hào)端CLK2為高電平，移位輸入端IN為低電平，第二反相器M2輸出高電平，第九晶體管T9截止，第十晶體管T10導(dǎo)通，第十一晶體管T11截止，第十二晶體管T12截止，因此第三節(jié)點(diǎn)P3不會(huì)獲得新的電壓，仍保持上一時(shí)刻的低電平，第三節(jié)點(diǎn)P3的低電平通過(guò)第三反相器M3的作用使級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT為高電平，由于第十五晶體管T15和第十六晶體管T16導(dǎo)通，因此低電平端VGL的低電平通過(guò)第十五晶體管T15和第十六晶體管T16傳輸至第三節(jié)點(diǎn)P3，進(jìn)一步補(bǔ)充第三節(jié)點(diǎn)P3處的低電平，第十九晶體管T19和第二十晶體管T20導(dǎo)通，低電平端VGL的低電平通過(guò)第十九晶體管T19和第二十晶體管T20傳輸至第四節(jié)點(diǎn)P4，第四節(jié)點(diǎn)P4的低電平通過(guò)相互串聯(lián)的第四反相器M4、第五反相器M5和第六反相器M6的作用，使該級(jí)移位寄存器的輸出端OUT輸出高電平；在第三時(shí)刻t3，第一信號(hào)端CLK1為高電平，第二信號(hào)端CLK2為低電平，移位輸入端IN為高電平，與第一時(shí)刻t1的原理相同，級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT為高電平，該級(jí)移位寄存器的輸出端OUT輸出低電平；在第四時(shí)刻t4，第一信號(hào)端CLK1為低電平，第二信號(hào)端CLK2為高電平，移位輸入端IN為低電平，與第二時(shí)刻t2的原理相同，級(jí)聯(lián)信號(hào)端NXT為高電平，該級(jí)移位寄存器的輸出端OUT輸出高電平。

需要說(shuō)明的是，其他級(jí)移位寄存器的原理與第三極移位寄存器的原理相同，區(qū)別在于不同級(jí)移位寄存器對(duì)應(yīng)的各端的時(shí)序信號(hào)不同，因此對(duì)于其他級(jí)移位寄存器的工作過(guò)程不再贅述。另外，為了為圖4中的第一級(jí)移位寄存器20提供初始信號(hào)，上述柵極驅(qū)動(dòng)電路還可以包括虛設(shè)移位寄存器(圖中未示出)，虛設(shè)移位寄存器的級(jí)聯(lián)信號(hào)端作為初始信號(hào)端STV，虛設(shè)移位寄存器不起移位作用，僅用于為第一級(jí)移位寄存器20提供初始信號(hào)。另外，本發(fā)明實(shí)施例中的各晶體管上，控制端為晶體管的柵極，第一端可以為晶體管的源極，第二端可以為晶體管的漏極；但需要說(shuō)明的是，在薄膜晶體管中，晶體管的源極和漏極并不進(jìn)行嚴(yán)格區(qū)分，因此也可能是第一端為晶體管的漏極，第二端為晶體管的源極。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。陣列基板包括由多條數(shù)據(jù)線和多條柵線交叉限定的多個(gè)子像素單元，多個(gè)子像素單元呈矩陣分布，每個(gè)子像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，薄膜晶體管的源極連接于數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管的漏極連接于像素電極，薄膜晶體管的柵極連接于柵線。上述柵極驅(qū)動(dòng)電路中，多級(jí)移位寄存器的輸出端OUT分別連接于多行柵線。柵線用于傳輸薄膜晶體管的控制信號(hào)，數(shù)據(jù)線用于傳輸像素電極所需的像素電壓信號(hào)，陣列基板工作時(shí)，在對(duì)應(yīng)柵線的控制下，源極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線通過(guò)薄膜晶體管向漏極對(duì)應(yīng)的像素電極實(shí)施充放電，像素電極與公共電極之間形成電場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)顯示功能。

其中，柵極驅(qū)動(dòng)電路的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，因此第i行像素電極的電壓被拉低后有較長(zhǎng)的時(shí)間被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值，不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。

如圖18所示，圖18為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板300，與陣列基板300相對(duì)設(shè)置的彩膜基板400，位于陣列基板300和彩膜基板400之間的液晶層500。顯示面板在顯示時(shí)，陣列基板300上的像素電極與公共電極之間形成電場(chǎng)，以控制液晶層500中液晶分子的旋轉(zhuǎn)，而達(dá)到顯示功能。

其中，陣列基板300的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中，并不是在前一行的像素電極充電時(shí)對(duì)后一行的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，而是在第i行像素電極充電時(shí)，對(duì)第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，因此可以設(shè)置為第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，在第i行像素電極進(jìn)行充電的開始時(shí)刻，第i+j行像素電極同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，因此，第i行像素電極和第i+j行像素電極同時(shí)從一種極性反轉(zhuǎn)至另外一種極性，不會(huì)存在現(xiàn)有技術(shù)中在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)，兩個(gè)像素電極的極性會(huì)相互影響的情況，因此不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。

如圖19所示，圖19為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板600，顯示面板600包括上述的陣列基板300。

其中，顯示面板600的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。顯示裝置可以是例如觸摸顯示屏、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電紙書或電視機(jī)等任何具有顯示功能的電子設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中，并不是在前一行的像素電極充電時(shí)對(duì)后一行的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，而是在第i行像素電極充電時(shí)，對(duì)第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，因此可以設(shè)置為第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，在第i行像素電極進(jìn)行充電的開始時(shí)刻，第i+j行像素電極同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，因此，第i行像素電極和第i+j行像素電極同時(shí)從一種極性反轉(zhuǎn)至另外一種極性，不會(huì)存在現(xiàn)有技術(shù)中在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)，兩個(gè)像素電極的極性會(huì)相互影響的情況，因此不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種驅(qū)動(dòng)方法，用于上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，該方法包括：當(dāng)?shù)趇級(jí)移位寄存器輸出高電平時(shí)，第i+j級(jí)移位寄存器輸出高電平；當(dāng)n為偶數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i的取值為h+1、h+2、h+3、…、m1，m1為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為偶數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i的取值為h、h+1、h+2、…、m2，m2為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為奇數(shù)，且h為奇數(shù)時(shí)，i取值為h、h+1、h+2…、m3，m3為大于n的整數(shù)；當(dāng)n為奇數(shù)，且h為偶數(shù)時(shí)，i取值為h-1、h、h+1…、m4，m4為大于n的整數(shù)；j為大于或等于2的整數(shù)。

該驅(qū)動(dòng)方法的具體原理在敘述上述柵極驅(qū)動(dòng)電路原理的過(guò)程中已有詳細(xì)說(shuō)明，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)方法，能夠使第i行像素電極進(jìn)行充電的同時(shí)，使第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，即使第i+j行像素電極在預(yù)充電時(shí)間時(shí)使用第i行像素電極電壓進(jìn)行充電，之后在第i+j行像素電極的充電時(shí)間使用第i+j行像素電極電壓進(jìn)行充電，j為大于或等于2的整數(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了像素電極的充電時(shí)間，在一定程度上解決了像素電極充電不足的問(wèn)題，從而改善了顯示效果。另外，在現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)充電方式中，后一行的預(yù)充電時(shí)間小于前一行的充電時(shí)間，因此前一行的像素電極電壓被拉低后被拉回至數(shù)據(jù)線電壓值的時(shí)間較短，容易導(dǎo)致像素電極充電不足的問(wèn)題，而本發(fā)明實(shí)施例中，并不是在前一行的像素電極充電時(shí)對(duì)后一行的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，而是在第i行像素電極充電時(shí)，對(duì)第i+j行像素電極進(jìn)行預(yù)充電，因此可以設(shè)置為第i+j行像素電極的預(yù)充電時(shí)間等于第i行像素電極的充電時(shí)間，在第i行像素電極進(jìn)行充電的開始時(shí)刻，第i+j行像素電極同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，因此，第i行像素電極和第i+j行像素電極同時(shí)從一種極性反轉(zhuǎn)至另外一種極性，不會(huì)存在現(xiàn)有技術(shù)中在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)，兩個(gè)像素電極的極性會(huì)相互影響的情況，因此不容易出現(xiàn)像素電極充電不足的問(wèn)題。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例提供的脈沖生成單元、陣列基板、顯示面板和裝置、驅(qū)動(dòng)電路和方法能適用于任何一種反轉(zhuǎn)方式。具體地，對(duì)于列反轉(zhuǎn)方式而言，由于同一列中的子像素極性相同，因此，在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)能使子像素往預(yù)設(shè)方向進(jìn)行充電，例如，當(dāng)?shù)?行子像素進(jìn)行充電使該行子像素從-5v變?yōu)?5V時(shí)，第3行子像素進(jìn)行預(yù)充電期間也能使該行子像素從-5v變?yōu)?5V的方向進(jìn)行充電；對(duì)于行反轉(zhuǎn)方式而言，由于相鄰兩行極性相反，奇數(shù)行極性相同，偶數(shù)行極性相同，因此，可以調(diào)節(jié)h和n使得第1行子像素在充電時(shí)，極性與第1行子像素相同的某一行子像素進(jìn)行預(yù)充電；同樣，對(duì)于點(diǎn)反轉(zhuǎn)方式，可以調(diào)節(jié)h和n使得第1行子像素在充電時(shí)，極性與第1行子像素相同的某一行子像素進(jìn)行預(yù)充電。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。