本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示器件領(lǐng)域，尤其涉及到一種基于數(shù)字驅(qū)動(dòng)的微發(fā)光二極管半導(dǎo)體顯示器件。

背景技術(shù)：

基于非有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光二極管(led)顯示技術(shù)已經(jīng)廣泛用于各行各業(yè)?，F(xiàn)有l(wèi)ed多以藍(lán)寶石為基底，單像素間距為100微米以上，主要用于中大尺寸屏幕。在穿戴式近眼顯示和投影顯示領(lǐng)域，希望采用物理面積更小、集成度更高、分辨率更大的顯示器?，F(xiàn)有以單晶硅為基底的led微型顯示器仍處于實(shí)驗(yàn)階段，像素間距為30微米以上，不能很好滿足上述需求。進(jìn)一步地，現(xiàn)有硅基led驅(qū)動(dòng)技術(shù)沿用硅基液晶(lcos)或硅上有機(jī)發(fā)光(oledos)技術(shù)，通過(guò)集成于單晶硅基底中的驅(qū)動(dòng)電路，尤其是數(shù)模轉(zhuǎn)換器將顯示數(shù)據(jù)以電壓或電流的形式存儲(chǔ)于像素電路的電容上，顯示器的發(fā)光亮度與電容電壓大小成正比。像素面積進(jìn)一步減小，在有限面積約束下較難精確控制像素電壓或電流的精度以及顯示像素的均發(fā)光勻性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)已有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體顯示器件，解決了四個(gè)關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)：第一，本發(fā)明提供了一種采用數(shù)字脈寬調(diào)制方式驅(qū)動(dòng)的微發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，比現(xiàn)有采用以模擬電壓或電流方式驅(qū)動(dòng)的微發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路具有電路簡(jiǎn)單、速度快、刷新率高、精度高、衰減少等特點(diǎn)；第二，本發(fā)明針對(duì)于微發(fā)光二極管較液晶顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器電流更大的特點(diǎn)，提供一種雙電壓域的驅(qū)動(dòng)方案，使數(shù)字存儲(chǔ)單元工作于低電壓區(qū)，驅(qū)動(dòng)晶體管工作于高電壓區(qū)，大幅降低電路功耗，可減輕微發(fā)光二極管顯示器的由于功耗大引起的散熱問(wèn)題，減小系統(tǒng)成本。第三，針對(duì)本發(fā)明的數(shù)字驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，可以設(shè)計(jì)一種數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式的像素電路，可以大幅減少驅(qū)動(dòng)電路面積，在有限像素面積下相比對(duì)現(xiàn)有硅基液晶和硅基有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可提供更高電流，更容易達(dá)到高分辨率，且減少基板芯片電路面積成本。第四，采用低壓差分傳輸接口，增大了數(shù)據(jù)傳輸量，降低接口功耗，同時(shí)避免信號(hào)干擾問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用下述的技術(shù)方案：

一種數(shù)字驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體顯示器件，至少包含硅基底以及制作于硅基底上呈陣列排布的微發(fā)光二極管，且：(1)所述硅基底中集成了像素電路，用于驅(qū)動(dòng)所述微發(fā)光二極管，所述像素電路包含金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；(2)所述微發(fā)光二極管至少包含第一電極、多層非有機(jī)化合物和第二電極，所述非有機(jī)化合物由ga、as、in、al、se、zn、si、p、n或c元素構(gòu)成且可摻雜；(3)所述像素電路至少包含二值存儲(chǔ)單元和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為n型或p型金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，僅工作于開(kāi)通或關(guān)斷兩種狀態(tài)；(4)所述微發(fā)光二極管的一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或漏極，另一端連接至電源、地或負(fù)電源；(5)所述微發(fā)光二極管的發(fā)光亮度與所述驅(qū)動(dòng)晶體管在單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)通時(shí)間成正比，顯示器的灰度產(chǎn)生方式為數(shù)字脈寬調(diào)制，所述數(shù)字脈寬調(diào)制的方式為子場(chǎng)或子空間；(6)所述二值數(shù)字存儲(chǔ)單元位于第一電壓區(qū)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管位于第二電壓區(qū)；(7)所述硅基底中還集成了行驅(qū)動(dòng)電路和列驅(qū)動(dòng)電路，用于產(chǎn)生像素電路的數(shù)字脈寬信號(hào)；(8)所述硅基底中還集成了接口電路，用于接受輸入視頻信號(hào)。

進(jìn)一步地，所述微發(fā)光二極管為水平結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)。通過(guò)蒸發(fā)、濺射、剝離、刻蝕、cvd、鍵合、批量轉(zhuǎn)移或打印工藝制作于硅基底上。

進(jìn)一步地，所述微發(fā)光二極管之間的間距不大于20μm，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管處于開(kāi)通狀態(tài)時(shí)，流過(guò)單個(gè)微發(fā)光二極管的電流為0.1μa至30μa。

進(jìn)一步地，所述微發(fā)光二極管為一種單色器件或全彩器件。

進(jìn)一步地，所述微發(fā)光二極管具有至少一個(gè)公共電極，所述公共電極為陽(yáng)極或陰極。

進(jìn)一步地，所述二值數(shù)字存儲(chǔ)單元為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器或靜態(tài)存儲(chǔ)器，所述動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器包含電容和至少一個(gè)選通晶體管，所述靜態(tài)存儲(chǔ)器不包含寄生電容的電容且至少包含一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。

進(jìn)一步地，所述第一電壓區(qū)不高于3.3v，所述第二電壓區(qū)不高于5v。

進(jìn)一步地，所述行驅(qū)動(dòng)電路采用順序方式依次使各行的行選通信號(hào)有效，或采用隨機(jī)方式使任意行的行選通信號(hào)有效，所述隨機(jī)方式為一種符合分形規(guī)律的方式。

進(jìn)一步地，所述列驅(qū)動(dòng)電路采用移位寄存方式接受數(shù)據(jù)，位于像素陣列的單邊或雙邊。

進(jìn)一步地，所述接口為一種傳輸數(shù)字電平信號(hào)或低壓差分信號(hào)的電路，所述低壓差分信號(hào)為通過(guò)兩個(gè)引腳上的電壓差值來(lái)表示數(shù)據(jù)的信號(hào)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見(jiàn)的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn)：

(1)本發(fā)明比模擬驅(qū)動(dòng)方式具有電路簡(jiǎn)單、速度快、刷新率高、精度高、衰減少等特點(diǎn)；

(2)本發(fā)明針提供了一種雙電壓域的驅(qū)動(dòng)方案，大幅降低電路功耗，可減輕散熱問(wèn)題，減小系統(tǒng)成本。

(3)本發(fā)明的像素電路面積更小，更容易達(dá)到高分辨率，且減少基板芯片電路面積成本。

(4)本發(fā)明采用低壓差分傳輸接口，增大了數(shù)據(jù)傳輸量，降低接口功耗，同時(shí)避免信號(hào)干擾問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體顯示器結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的子場(chǎng)掃描法的波形；

圖3為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的分形掃描法的波形；

圖4為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的橫向結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體顯示器側(cè)向截面圖；

圖5為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體顯示器側(cè)向截面圖；

圖6為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的公共電極示意圖；

圖7為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的公共電極示意圖；

圖8為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的公共電極示意圖；

圖9為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的公共電極示意圖；

圖10為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的二值存儲(chǔ)單元的示意圖；

圖11為本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的二值存儲(chǔ)單元的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下參考說(shuō)明書(shū)附圖介紹本發(fā)明的多個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，使其技術(shù)內(nèi)容更加清楚和便于理解。本發(fā)明可以通過(guò)許多不同形式的實(shí)施例來(lái)得以體現(xiàn)，本發(fā)明的保護(hù)范圍并非僅限于文中提到的實(shí)施例。

在附圖中，結(jié)構(gòu)相同的部件以相同數(shù)字標(biāo)號(hào)表示，各處結(jié)構(gòu)或功能相似的組件以相似數(shù)字標(biāo)號(hào)表示。附圖所示的每一組件的尺寸和厚度是任意示出的，本發(fā)明并沒(méi)有限定每個(gè)組件的尺寸和厚度。為了使圖示更清晰，附圖中有些地方適當(dāng)夸大了部件的厚度。

實(shí)施例一：

本實(shí)施例公開(kāi)了一種數(shù)字驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體顯示器件，如圖1所示，包含了硅基底10以及制做于硅基底10上呈陣列排布的微發(fā)光二極管11，硅基底10中集成了像素電路12，用于驅(qū)動(dòng)微發(fā)光二極管11，所述像素電路12包含金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；像素電路12和微發(fā)光二極管11呈現(xiàn)一一對(duì)應(yīng)關(guān)系；硅基底10優(yōu)選為單晶硅晶圓或切割后的單晶硅芯片。

所述微發(fā)光二極管11包含第一電極、多層非有機(jī)化合物和第二電極，所述非有機(jī)化合物由ga、as、in、al、se、zn、si、p、n或c元素構(gòu)成且可摻雜，化合物優(yōu)選為gaas、gaasp、algaas、algainp、gainn、algap、algan、gap:zno、ingan、gan、gap、znse、al2o3、zno、sic、ann，摻雜優(yōu)選為si、mg、zn、as、in、c離子摻雜。

所述像素電路12至少包含二值存儲(chǔ)單元13和驅(qū)動(dòng)晶體管14，所述驅(qū)動(dòng)晶體管14為n型或p型金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，僅工作于開(kāi)通或關(guān)斷兩種狀態(tài)。

所述微發(fā)光二極管11的一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的源極或漏極，另一端連接至電源、地或負(fù)電源；

所述微發(fā)光二極管11的發(fā)光亮度與所述驅(qū)動(dòng)晶體管14在單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)通時(shí)間成正比，顯示器的灰度產(chǎn)生方式為數(shù)字脈寬調(diào)制，所述數(shù)字脈寬調(diào)制的方式為子場(chǎng)或子空間。特別地，所述子場(chǎng)為一幀數(shù)據(jù)中擁有相同比特位數(shù)據(jù)的位平面，按子場(chǎng)掃描的方法可降低數(shù)據(jù)重復(fù)傳送的次數(shù)，提高幀率和分辨率。所述子空間為若干行數(shù)據(jù)中擁有相同比特位數(shù)據(jù)的位平面，按子空間掃描的法可支持分形掃描、植入掃描、原子掃描等技術(shù)，可最大限度地利用傳輸時(shí)間間隔，使傳輸效率達(dá)到100％。圖2示意了子場(chǎng)掃描技術(shù)的數(shù)字脈寬調(diào)制波形，橫坐標(biāo)為行掃描時(shí)間，縱坐標(biāo)為行，子場(chǎng)數(shù)為4，順序?yàn)?-4-2-1，灰度為16級(jí)，子場(chǎng)數(shù)和順序可以根據(jù)具體應(yīng)用調(diào)整，灰度為子場(chǎng)數(shù)的2次冪。圖3示意了分形掃描技術(shù)的數(shù)字脈寬調(diào)制波形。橫坐標(biāo)為行掃描時(shí)間，縱坐標(biāo)為子空間，灰度為16級(jí)。分形掃描采用了和子場(chǎng)不同序列，使等待時(shí)間完全消除。

所述二值數(shù)字存儲(chǔ)單元13位于第一電壓區(qū)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管14位于第二電壓區(qū)。

所述硅基底10中還集成了行驅(qū)動(dòng)電路21和列驅(qū)動(dòng)電路22，用于產(chǎn)生像素電路的數(shù)字脈寬信號(hào)。所述行驅(qū)動(dòng)電路21用于產(chǎn)生像素電路的選通信號(hào)31，所述列驅(qū)動(dòng)電路22用于產(chǎn)生像素電路的數(shù)據(jù)信號(hào)32，當(dāng)選通信號(hào)31有效時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)32的信息被寫(xiě)入二值數(shù)字存儲(chǔ)單元13。

所述硅基底10中還集成了接口電路23，用于接受輸入視頻信號(hào)33。

實(shí)施例二：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11為水平結(jié)構(gòu)，其特征為微發(fā)光二極管11的兩個(gè)電極(第一電極43和第二電極42)在多層非有機(jī)化合物層41(發(fā)光層)同側(cè)，如圖4所示，第一電極43通過(guò)通孔44連接至像素電路12，第二電極42通過(guò)通孔45連接至像素電路12，所述第一電極43和第二電極42為導(dǎo)電金屬。

進(jìn)一步地，多層非有機(jī)化合物層41優(yōu)選為至少包含自下而上(或自上而下)的n型摻雜層(例如n-gan)、mqw層(多重量子阱)、p型摻雜層(例如p-gan)，或者包含更多層以優(yōu)化性能。更進(jìn)一步地，微發(fā)光二極管11通過(guò)蒸發(fā)、濺射、剝離、刻蝕(包含濕法或icp等工藝)、cvd(包含lpcvd、pecvd、mocvd等工藝)、鍵合、批量轉(zhuǎn)移或打印工藝制作于包含有像素電路12的半導(dǎo)體硅基底10上。

進(jìn)一步地，所述通孔44和通孔45的橫向截面積為0.04至4μm²，優(yōu)選為1μm²。

進(jìn)一步地，第一電極43和第二電極42其中一個(gè)連接至像素電路12中驅(qū)動(dòng)晶體管14的源極或漏極，另一個(gè)連接公共電極，所述公共電極通過(guò)引線引至像素電路12外部。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11為垂直結(jié)構(gòu)，其特征為微發(fā)光二極管11的兩個(gè)電極(第一電極43和第二電極42)在多層非有機(jī)化合物層41(發(fā)光層)兩側(cè)，如圖5所示，第一電極43通過(guò)通孔44連接至像素電路12，第二電極42位于多層非有機(jī)化合物層41的頂部，所述第一電極43與第二電極42為導(dǎo)電金屬。

進(jìn)一步地，多層非有機(jī)化合物層41優(yōu)選為至少包含自下而上(或自上而下)的n型摻雜層(例如n-gan)、mqw層(多重量子阱)、p型摻雜層(例如p-gan)，或者包含更多層以優(yōu)化性能。更進(jìn)一步地，微發(fā)光二極管11通過(guò)蒸發(fā)、濺射、剝離、刻蝕(包含濕法或icp等工藝)、cvd(包含lpcvd、pecvd、mocvd等工藝)、鍵合、批量轉(zhuǎn)移或打印工藝制作于包含有像素電路12的半導(dǎo)體硅基底10上。

進(jìn)一步地，所述通孔44的橫向截面積為0.04至4μm²，優(yōu)選為1μm²。

進(jìn)一步地，第一電極43和第二電極42其中一個(gè)連接至像素電路12中驅(qū)動(dòng)晶體管14的源極或漏極，另一個(gè)連接公共電極，所述公共電極通過(guò)引線引至像素電路12外部。

實(shí)施例三：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11之間的間距不大于20μm，優(yōu)選為5～10μm，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管14處于開(kāi)通狀態(tài)時(shí)，流過(guò)單個(gè)微發(fā)光二極管11的電流為0.1μa至30μa，優(yōu)選為1～5μa。

實(shí)施例四：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11為一種單色器件或全彩器件。單色器件指陣列中所有的微發(fā)光二極管11發(fā)出相同波長(zhǎng)光的器件，全彩器件指陣列中若干相鄰微發(fā)光二極管11形成像素，所述像素包含2至4個(gè)微發(fā)光二極管11并形成rg/rb/gb/rgb/rgbw組合(r：紅色、g：綠色、b：藍(lán)色、w：白色)，像素中的每個(gè)微發(fā)光二極管可發(fā)出不同波長(zhǎng)的單色光(紅色、綠色、藍(lán)色)，或發(fā)出相同波長(zhǎng)的白色并通過(guò)rgb濾色片形成彩色像素。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，包含了像素分辨率為640×480以上的硅基微發(fā)光二極管顯示器，尤其是800×600、1024×768、1280×1024、1280×768、1366×768、1920×1080、1920×1200、2560×1440、3840×2560、1600×1600、2048×2048等分辨率的硅基微發(fā)光二極管顯示器，所述像素為單色或彩色像素。

實(shí)施例五：

本實(shí)施例與實(shí)施例一或四基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11具有至少一個(gè)公共電極。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一或四基本相同，不同之處在于，所述公共電極為陰極并連接至共陰極51，微發(fā)光二極管11的陽(yáng)極接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的源端(或漏端)，驅(qū)動(dòng)晶體管14的漏端(或源端)直接(或間接)連接至第二電壓區(qū)電源52，如圖6所示。所述陰極51連接至0v或可調(diào)節(jié)的負(fù)電壓。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一或四基本相同，不同之處在于，所述公共電極為陽(yáng)極并連接至第二電壓區(qū)電源53，微發(fā)光二極管11的陰極接至驅(qū)動(dòng)晶體管的漏端(或源端)，驅(qū)動(dòng)晶體管14的源端(或漏端)直接(或間接)連接至公共陰極54，如圖7所示。所述公共陰極54連接至0v或可調(diào)節(jié)的負(fù)電壓。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一或四基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11為全彩器件，紅色微發(fā)光二極管、綠色微發(fā)光二極管、藍(lán)色微發(fā)光二極管具有各自獨(dú)立的公共電極，所述公共電極為陰極，分別連接至紅色陰極60，綠色陰極61和藍(lán)色陰極62，微發(fā)光二極管11的陽(yáng)極接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的源端(或漏端)，驅(qū)動(dòng)晶體管14的漏端(或源端)直接(或間接)連接至電源52，如圖8所示。所述紅色陰極60或綠色陰極61或藍(lán)色陰極62連接至0v或可調(diào)節(jié)的負(fù)電壓。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一或四基本相同，不同之處在于，所述微發(fā)光二極管11為全彩器件，紅色微發(fā)光二極管、綠色微發(fā)光二極管、藍(lán)色微發(fā)光二極管具有各自獨(dú)立的公共電極，所述公共電極為陽(yáng)極，分別連接至紅色陽(yáng)極63，綠色陽(yáng)極64和藍(lán)色陽(yáng)極65，微發(fā)光二極管11的陰極接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的漏端(或源端)，驅(qū)動(dòng)晶體管14的源端(或漏端)直接(或間接)連接至公共陰極54，如圖9所示。所述公共陰極54連接至0v或可調(diào)節(jié)的負(fù)電壓。

實(shí)施例六：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述二值數(shù)字存儲(chǔ)單元為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，所述動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器包含電容和至少一個(gè)選通晶體管m1，結(jié)構(gòu)如圖10所示，m1的柵極連接至行選通信號(hào)31，m1的漏極(或源極)連接至數(shù)據(jù)信號(hào)32，m1的源極(或漏極)作為輸出vout，連接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵極，并連接至電容的一端，電容的另一端連接至電源或地，所述電容類型為pip(多晶硅-絕緣層-多晶硅)、mim(金屬-絕緣層-金屬)、mom(金屬-氧化物-金屬)、深溝道電容、堆疊電容或mos寄生電容。其他具有電容存儲(chǔ)特性的電路也可以作為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的實(shí)施例，其特征在于，顯示數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于電容中。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述二值數(shù)字存儲(chǔ)單元為靜態(tài)存儲(chǔ)器，所述靜態(tài)存儲(chǔ)器不包含電容且至少包含一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。特別的，如圖11所示，所述靜態(tài)存儲(chǔ)器包含6個(gè)晶體管，輸入管m5和m6的柵極連接至行選通信號(hào)31，m5和m6的源極(或漏極)連接至數(shù)據(jù)信號(hào)32，m1/m4或m3/m4的柵極作為輸出vout，連接至驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵極。其他具有雙穩(wěn)態(tài)特性的電路也可以作為靜態(tài)存儲(chǔ)器的實(shí)施例，包括具有4至8個(gè)晶體管的靜態(tài)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，顯示數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于雙穩(wěn)態(tài)電路中。

實(shí)施例七：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述第一電壓區(qū)不高于3.3v，優(yōu)選為1.1v～1.8v，所述第二電壓區(qū)不高于5v，優(yōu)選為2.5～3.5v，且第二電壓區(qū)中的驅(qū)動(dòng)晶體管14位于高壓阱(n阱或p阱)中。

實(shí)施例八：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述行驅(qū)動(dòng)電路采用順序方式依次使各行的行選通信號(hào)有效，實(shí)現(xiàn)方式為具有一個(gè)輸出有效位的移位寄存器。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，采用隨機(jī)方式使任意行的行選通信號(hào)31有效，所述隨機(jī)方式為一種符合分形規(guī)律的方式。進(jìn)一步地，行驅(qū)動(dòng)電路還包含了行暫存器和行譯碼器，所述行暫存器用于鎖存視頻信號(hào)33中的行數(shù)據(jù)，所述譯碼器將行暫存器鎖存的行數(shù)據(jù)譯碼為具體的某一行，使該行有效，從而完成行的隨機(jī)選定。

實(shí)施例九：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述列驅(qū)動(dòng)電路采用移位寄存方式接受數(shù)據(jù)，所述列驅(qū)動(dòng)電路位于像素陣列的上、下、左、右的一邊。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述列驅(qū)動(dòng)電路采用移位寄存方式接受數(shù)據(jù)，所述列驅(qū)動(dòng)電路位于像素陣列的上邊和下邊(或左邊和右邊)，分為對(duì)應(yīng)了奇數(shù)列驅(qū)動(dòng)電路和偶數(shù)列驅(qū)動(dòng)電路，所述奇數(shù)列驅(qū)動(dòng)電路用于產(chǎn)生奇數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)，所述偶數(shù)列驅(qū)動(dòng)電路用于產(chǎn)生偶數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)。

實(shí)施例十：

本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述接口為一種傳輸數(shù)字電平信號(hào)的電路。

在另一個(gè)優(yōu)選例中，與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于，所述接口為一種傳輸?shù)蛪翰罘中盘?hào)的電路，所述低壓差分信號(hào)為通過(guò)兩個(gè)引腳上的電壓差值來(lái)表示數(shù)據(jù)的信號(hào)，低壓差分信號(hào)電壓不高于1.8v，每個(gè)時(shí)鐘周期接受至少1個(gè)像素的數(shù)據(jù)，優(yōu)選為接受4～8個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)以加快傳輸速度，每對(duì)低壓差分信號(hào)的傳輸速度不小于500mbps。

在其它實(shí)施例中，已以相對(duì)高層次描述了公知的方法、過(guò)程、系統(tǒng)、部件和/或電路，而沒(méi)有細(xì)節(jié)，以避免不必要地模糊本公開(kāi)的各方面。上述實(shí)施例闡述了許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，但這僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)，或沒(méi)有這些細(xì)節(jié)也可實(shí)踐本公開(kāi)，這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。