本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(activematrixorganiclightemittingdiode,簡稱：amoled)的應(yīng)用越來越廣泛。amoled的像素顯示器件為有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,簡稱oled)，amoled能夠發(fā)光是通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基本的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的基本的像素電路采用2t1c電路，該2t1c電路包括兩個(gè)薄膜晶體管(開關(guān)管t0和驅(qū)動(dòng)晶體管dtft)和1個(gè)存儲(chǔ)電容c。

但是，由于在現(xiàn)有的低溫多晶硅工藝制程中，顯示基板上各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft之間的閾值電壓vth均勻性較差，而且在使用過程中還會(huì)發(fā)生漂移，這樣當(dāng)掃描線scan控制開關(guān)管t0導(dǎo)通以向驅(qū)動(dòng)晶體管dtft輸入相同數(shù)據(jù)電壓vdata時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)管dtft的閾值電壓不同而產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，從而導(dǎo)致oled亮度的均勻性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種像素電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電路，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光器件、閾值補(bǔ)償單元和發(fā)光控制單元；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極、第一極和第二極均與所述閾值補(bǔ)償單元連接；

所述閾值補(bǔ)償單元與數(shù)據(jù)線、第一電源端和所述發(fā)光控制單元均連接；

所述發(fā)光控制單元與所述發(fā)光器件的第一端連接；

所述發(fā)光器件的第二端與第二電源端連接；

所述閾值補(bǔ)償單元用于在重置階段時(shí)將重置電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述重置電壓等于所述第一電源端提供的第一電壓與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和；以及，在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)將控制電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述控制電壓與所述重置電壓和所述數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于在發(fā)光階段時(shí)根據(jù)所述控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；

所述發(fā)光控制單元用于在所述發(fā)光階段時(shí)將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

可選地，所述控制電壓等于所述數(shù)據(jù)線在所述數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)提供的第二數(shù)據(jù)電壓與在所述重置階段時(shí)提供的第一數(shù)據(jù)電壓的差與所述重置電壓的和。

可選地，所述閾值補(bǔ)償單元包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和電容；

所述第一晶體管的控制極與第一控制信號(hào)線連接，所述第一晶體管的第一極與所述第一電源端連接，所述第一晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；

所述第二晶體管的控制極與第二控制信號(hào)線連接，所述第二晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二晶體管的第二極與所述電容的第一端連接；

所述第三晶體管的控制極與所述第三控制信號(hào)線連接，所述第三晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述第三晶體管的第二極與所述電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接；

所述電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接。

可選地，所述第二控制信號(hào)線和所述第三控制信號(hào)線為同一控制信號(hào)線。

可選地，所述發(fā)光控制單元包括：第四晶體管；

所述第四晶體管的控制極與發(fā)光控制信號(hào)線連接，所述第四晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述第四晶體管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端連接。

可選地，所述像素電路中的各晶體管均為p型晶體管。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：像素電路，該像素電路采用上述的像素電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，所述像素驅(qū)動(dòng)方法基于像素電路，所述像素電路采用上述的像素電路，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

在重置階段，所述閾值補(bǔ)償單元將重置電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述重置電壓等于所述第一電源端提供的第一電壓與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和；

在數(shù)據(jù)寫入階段，所述閾值補(bǔ)償單元將控制電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述控制電壓與所述重置電壓和所述數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)；

在發(fā)光階段，所述驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，所述發(fā)光控制單元將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

可選地，所述閾值補(bǔ)償單元將重置電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的步驟具體包括：

所述第一晶體管在所述第一控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，所述第二晶體管在所述第二控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，所述第三晶體管在所述第三控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，所述驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，所述第一電源端依次通過所述第一晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第三晶體管以對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極進(jìn)行充電，直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓達(dá)到所述重置電壓。

可選地，當(dāng)所述像素電路采用上述權(quán)利要求3中所述的像素電路時(shí)，所述閾值補(bǔ)償單元將控制電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的步驟具體包括：

所述第一晶體管在所述第一控制信號(hào)線的控制下截止，所述第二晶體管在所述第二控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，所述第三晶體管在所述第三控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種像素電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置，驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光器件、閾值補(bǔ)償單元和發(fā)光控制單元，其中，閾值補(bǔ)償單元用于在重置階段時(shí)將重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，重置電壓等于第一電源端提供的第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和；以及，在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)將控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，控制電壓與重置電壓和數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)；驅(qū)動(dòng)晶體管用于在發(fā)光階段時(shí)根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；發(fā)光控制單元用于在發(fā)光階段時(shí)將驅(qū)動(dòng)電流輸出至發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。本發(fā)明的技術(shù)方案通過在重置階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將大小等于第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和的重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以及在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將與控制電壓和數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，從而可避免流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，進(jìn)而有效的提高了流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流的均勻性。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基本的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4所示的像素電路的工作時(shí)序圖；

圖6為圖4所示的像素電路在重置階段的等效電路圖；

圖7為圖4所示的像素電路在數(shù)據(jù)寫入階段的等效電路圖；

圖8為圖4所示的像素電路在發(fā)光階段的等效電路圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的一種像素電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該像素電路包括：驅(qū)動(dòng)晶體管dtft、發(fā)光器件oled、閾值補(bǔ)償單元1和發(fā)光控制單元2。

其中，驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極、第一極和第二極均與閾值補(bǔ)償單元1連接；閾值補(bǔ)償單元1與數(shù)據(jù)線data、第一電源端和發(fā)光控制單元2均連接；發(fā)光控制單元2與發(fā)光器件oled的第一端連接；發(fā)光器件oled的第二端與第二電源端連接。

閾值補(bǔ)償單元1用于在重置階段時(shí)將重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極，重置電壓等于第一電源端提供的第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的和；以及，在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)將控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極，控制電壓與重置電壓和數(shù)據(jù)線data中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)。

驅(qū)動(dòng)晶體管dtft用于在發(fā)光階段時(shí)根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；發(fā)光控制單元2用于在發(fā)光階段時(shí)將驅(qū)動(dòng)電流輸出至發(fā)光器件oled，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件oled發(fā)光。

在本實(shí)施例中，第一電源端用于提供第一電壓vdd，第二電源端用于提供第二電壓vss。

需要說明的是，本實(shí)施例中的發(fā)光器件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括led(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)或oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)在內(nèi)的電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件，在本實(shí)施例中是以oled為例進(jìn)行的說明。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過在重置階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元1將大小等于第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的和的重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極，以及在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元1將與控制電壓和數(shù)據(jù)線data中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極，從而使得在顯示階段時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓無關(guān)，進(jìn)而消除了驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓偏移對(duì)發(fā)光器件oled的驅(qū)動(dòng)電流的影響，有效提升顯示裝置中各發(fā)光器件oled的亮度均勻性。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖3所示，該像素驅(qū)動(dòng)方法基于像素電路，該像素電路采用上述圖2所示的像素電路，該像素電路的具體結(jié)構(gòu)可參見前述內(nèi)容，此處不再贅述，該像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟s101、在重置階段，閾值補(bǔ)償單元將重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，重置電壓等于第一電源端提供的第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和。

步驟s102、在數(shù)據(jù)寫入階段，閾值補(bǔ)償單元將控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，控制電壓與重置電壓和數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)。

由于重置電壓等于第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的和，因此驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極處的控制電壓中必然也包含第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的和的部分，該部分可在后序發(fā)光階段時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft進(jìn)行閾值補(bǔ)償。

此外，控制電壓中數(shù)據(jù)線data中所輸入的數(shù)據(jù)電壓可對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft輸出的驅(qū)動(dòng)電流的大小進(jìn)行控制。

可選地，控制電壓等于數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)提供的第二數(shù)據(jù)電壓與在重置階段時(shí)提供的第一數(shù)據(jù)電壓的差與重置電壓的和。

步驟s103、在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，發(fā)光控制單元將驅(qū)動(dòng)電流輸出至發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。

本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種像素電路和像素驅(qū)動(dòng)方法，通過在重置階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將大小等于第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和的重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以及在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將與控制電壓和數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，從而可避免流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，進(jìn)而有效的提高了流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流的均勻性。

實(shí)施例二

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，該像素電路基于圖2所示的像素電路?？蛇x地，閾值補(bǔ)償單元1包括：第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和電容c。

其中，第一晶體管t1的控制極與第一控制信號(hào)線scan1連接，第一晶體管t1的第一極與第一電源端連接，第一晶體管t1的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的第一極連接。

第二晶體管t2的控制極與第二控制信號(hào)線scan2連接，第二晶體管t2的第一極與數(shù)據(jù)線data連接，第二晶體管t2的第二極與電容c的第一端連接。

第三晶體管t3的控制極與第三控制信號(hào)線scan3連接，第三晶體管t3的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的第二極連接，第三晶體管t3的第二極與電容c的第二端和驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極連接。

電容c的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極連接。

優(yōu)選地，第二控制信號(hào)線scan2和第三控制信號(hào)線scan3為同一控制信號(hào)線。第二晶體管t2的控制極和第三晶體管t3的控制極采用同一控制信號(hào)線控制，可在實(shí)現(xiàn)像素驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，有效減小像素電路中信號(hào)走線的布置數(shù)量，有利于像素開口率的提升。需要說明的是，上述第二控制信號(hào)線scan2和第三控制信號(hào)線scan3為同一控制信號(hào)線的情況僅為本發(fā)明中的優(yōu)選方案，其不會(huì)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。

可選地，發(fā)光控制單元2包括：第四晶體管t4，第四晶體管t4的控制極與發(fā)光控制信號(hào)線em連接，第四晶體管t4的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的第二極連接，第四晶體管t4的第二極與發(fā)光器件oled的第一端連接。

需要說明的是，在本實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)晶體管dtft、第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和第四晶體管t4分別獨(dú)立選自多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管以及有機(jī)薄膜晶體管中的一種。其中，第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和第四晶體管t4作為開關(guān)管來使用，驅(qū)動(dòng)晶體管dtft作為驅(qū)動(dòng)管來使用。

在本實(shí)施例中涉及到的“控制極”具體是指晶體管的柵極，“第一極”具體是指晶體管的源極，相應(yīng)的“第二極”具體是指晶體管的漏極。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，該“第一極”與“第二極”可進(jìn)行互換。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，像素電路中的各晶體管均為p型薄膜晶體管，此時(shí)可采用的相同的制備工藝以同時(shí)制備出上述，進(jìn)而縮短像素電路的生產(chǎn)周期。

此外，發(fā)光器件oled的“第一端”和“第二端”分別為發(fā)光器件oled的陽極端和陰極端。

為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)施例提供的像素電路的工作過程進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面描述中，以像素電路中的各晶體管均為p型晶體管，第二控制信號(hào)線scan2和第三控制信號(hào)線scan3為同一控制信號(hào)線為例進(jìn)行描述。

此外，第一電源端提供第一電壓的大小為vdd，第二電源端提供第二電壓的大小為vss。驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的大小為vth(p型晶體管的閾值電壓一般小于0，即本實(shí)施例中的vth取負(fù)值)。

圖5為圖4所示的像素電路的工作時(shí)序圖，如圖4所示，該像素電路的工作過程包括三個(gè)階段：重置階段、數(shù)據(jù)寫入階段和發(fā)光階段。

在重置階段，第一控制信號(hào)線scan1輸入低電平信號(hào)，第二控制信號(hào)線scan2(第三控制信號(hào)線scan3)輸入低電平信號(hào)，發(fā)光控制信號(hào)線em輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第一晶體管t1、第二晶體管t2和第三晶體管t3均導(dǎo)通，第四晶體管t4截止。

圖6為圖4所示的像素電路在重置階段的等效電路圖，如圖6所示，由于第二晶體管t2導(dǎo)通，則數(shù)據(jù)線data中的第一數(shù)據(jù)電壓可通過第二晶體管t2寫入至電容c的第一端。本實(shí)施例中，假定第一數(shù)據(jù)電壓的大小為vdata’，即此時(shí)點(diǎn)a的電壓為vdata’。

又由于第一晶體管t1和第三晶體管t3導(dǎo)通，則第一電源端依次通過第一晶體管t1、驅(qū)動(dòng)晶體管dtft和第三晶體管t3以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極進(jìn)行充電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極的電壓上升至vdd+vth，驅(qū)動(dòng)晶體管dtft截止，充電結(jié)束。此時(shí)，點(diǎn)b的電壓為重置電壓，且大小為vdd+vth。

需要說明的是，由于此時(shí)第四晶體管t4處于截止?fàn)顟B(tài)，則驅(qū)動(dòng)電流無法流過第四晶體管t4，此時(shí)發(fā)光器件oled不會(huì)發(fā)光。

在數(shù)據(jù)寫入階段，第一控制信號(hào)線scan1輸入高電平信號(hào)，第二控制信號(hào)線scan2(第三控制信號(hào)線scan3)輸入低電平信號(hào)，發(fā)光控制信號(hào)線em輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第二晶體管t2和第三晶體管t3均導(dǎo)通，第一晶體管t1和第四晶體管t4均截止。

圖7為圖4所示的像素電路在數(shù)據(jù)寫入階段的等效電路圖，如圖7所示，數(shù)據(jù)線data中提供第二數(shù)據(jù)電壓，且第二數(shù)據(jù)電壓小于第一數(shù)據(jù)電壓。由于第二晶體管t2導(dǎo)通，則數(shù)據(jù)線data中的第二數(shù)據(jù)電壓可通過第二晶體管t2寫入至電容c的第一端，本實(shí)施例中，假定第二數(shù)據(jù)電壓的大小為vdata，即此時(shí)點(diǎn)a的電壓為vdata，其中vdata＝vdata’+△v，△v為第二數(shù)據(jù)電壓與第一數(shù)據(jù)電壓的差，△v為負(fù)值。

由于第一晶體管t1和第四晶體管t4均截止，則點(diǎn)b處于浮接(floating)狀態(tài)。相較于前一階段，電容c的第一端(點(diǎn)a)的電壓發(fā)生了變化，為保證其自身兩端電壓差不變，則會(huì)產(chǎn)生自舉作用，以使得其第二端(點(diǎn)b)的電壓發(fā)生等量跳變，此時(shí)電容c的第二端的電壓變?yōu)関dd+vth+△v，即輸入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極的控制電壓的大小等于數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)提供的第二數(shù)據(jù)電壓與在重置階段時(shí)提供的第一數(shù)據(jù)電壓的差與重置電壓的和。

在發(fā)光階段，第一控制信號(hào)線scan1輸入低電平信號(hào)，第二控制信號(hào)線scan2(第三控制信號(hào)線scan3)輸入高電平信號(hào)，發(fā)光控制信號(hào)線em輸入低電平信號(hào)。此時(shí)，第一晶體管t1和第四晶體管t4均導(dǎo)通，第二晶體管t2和第三晶體管t3均截止。

圖8為圖4所示的像素電路在發(fā)光階段的等效電路圖，如圖8所示，由于第一晶體管t1導(dǎo)通，則第一電源端提供的第一電壓通過第一晶體管t1寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的第一極，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft再次導(dǎo)通，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的飽和驅(qū)動(dòng)電流公式可得：

i＝k*(vgs-vth)²

＝k*(vdd+vth+△v-vdd-vth)²

＝k*(△v)²

其中，k為一個(gè)常量，vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的柵源電壓。通過上式可知，驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的驅(qū)動(dòng)電流與數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段的跳變電壓(第二數(shù)據(jù)電壓與第一數(shù)據(jù)電壓的差)相關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓無關(guān)，因而可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓補(bǔ)償。

此外，通過控制數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段的跳變電壓，可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft輸出的驅(qū)動(dòng)電流的大小進(jìn)行控制。

需要說明的是，上述像素電路中的各晶體管均為p型薄膜晶體管僅為本實(shí)施例的一種優(yōu)選方案，這并不會(huì)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，通過就上述像素電路中的至少部分晶體管的類型進(jìn)行改變(將p型薄膜晶體管變?yōu)閚型薄膜晶體管)，且控制信號(hào)線中輸入信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)改變(導(dǎo)通信號(hào)由低電平變?yōu)榈碗娖?，用于實(shí)現(xiàn)上述像素驅(qū)動(dòng)過程的像素電路，其均勻?qū)儆诒景l(fā)明的保護(hù)范圍。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖9所示，像素驅(qū)動(dòng)方法基于像素電路，該像素電路采用上述圖4所示的像素電路，該像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟s201、在重置階段，第一晶體管在第一控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第二晶體管在第二控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第三晶體管在第三控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第四晶體管在發(fā)光控制信號(hào)線的控制下截止。

在步驟s201中，第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3和驅(qū)動(dòng)晶體管dtft均導(dǎo)通。第一電源端依次通過第一晶體管t1、驅(qū)動(dòng)晶體管dtft和第三晶體管t3以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極進(jìn)行充電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極的電壓達(dá)到重置電壓，重置電壓的大小等于第一電源端提供的第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓的和。

與此同時(shí)，數(shù)據(jù)線data中的第一數(shù)據(jù)電壓通過第二晶體管t2寫入至電容c的第一端。

步驟s202、在數(shù)據(jù)寫入階段，第一晶體管在第一控制信號(hào)線的控制下截止，第二晶體管在第二控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第三晶體管在第三控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第四晶體管在發(fā)光控制信號(hào)線的控制下截止。

在步驟s202中，第一晶體管t1和第四晶體管t4均截止，電容c的第二端處于floating狀態(tài)。第二晶體管t2導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線data中的第一數(shù)據(jù)電壓通過第二晶體管t2寫入至電容c的第一端，電容c的第二端通過自舉作用調(diào)變至控制電壓，該控制電壓的大小等于數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)提供的第二數(shù)據(jù)電壓與在重置階段時(shí)提供的第一數(shù)據(jù)電壓的差與重置電壓的和。

需要說明的是，在數(shù)據(jù)寫入階段中，由于第一晶體管t1和第四晶體管t4均處于截止?fàn)顟B(tài)，因此無論第三晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài)還是截止?fàn)顟B(tài)，其均不會(huì)影響電容c的第二端處于floating狀態(tài)。因此，作為本實(shí)施例中的一種可選方案，第三晶體管t3還可在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)在第三控制信號(hào)線scan3的控制下截止，具體情況此處不進(jìn)行詳細(xì)描述。

步驟s203、在發(fā)光階段，第一晶體管在第一控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通，第二晶體管在第二控制信號(hào)線的控制下截止，第三晶體管在第三控制信號(hào)線的控制下截止，第四晶體管在發(fā)光控制信號(hào)線的控制下導(dǎo)通。

在步驟s203中，第一晶體管t1導(dǎo)通，則第一電源端提供的第一電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的第一極，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft導(dǎo)通，并輸出驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流的大小由驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的控制極的控制電壓決定。

根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的飽和驅(qū)動(dòng)電流公式可得：

i＝k*(vgs-vth)²

＝k*(vdd+vth+△v-vdd-vth)²

＝k*(△v)²

其中，k為一個(gè)常量，vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的柵源電壓。通過上式可知，驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的驅(qū)動(dòng)電流與數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段的跳變電壓(第二數(shù)據(jù)電壓與第一數(shù)據(jù)電壓的差)相關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓無關(guān)，因而可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft的閾值電壓補(bǔ)償。

此外，通過控制數(shù)據(jù)線data在數(shù)據(jù)寫入階段的跳變電壓，可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管dtft輸出的驅(qū)動(dòng)電流的大小進(jìn)行控制。

本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種像素電路和像素驅(qū)動(dòng)方法，通過在重置階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將大小等于第一電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的和的重置電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以及在數(shù)據(jù)寫入階段時(shí)利用閾值補(bǔ)償單元將與控制電壓和數(shù)據(jù)線中所輸入的數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，從而可避免流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，進(jìn)而有效的提高了流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流的均勻性。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：像素電路，該像素電路采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├刑峁┑南袼仉娐?，具體描述可參見上述實(shí)施例一和實(shí)施例二中的內(nèi)容，此處不再贅述。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。