本發(fā)明屬于顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，尤其涉及一種用于驅(qū)動(dòng)amoled像素電路的方法。

背景技術(shù)：

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種amoled(activematrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路結(jié)構(gòu)示意圖，該像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管t11、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12、控制薄膜晶體管t13、存儲(chǔ)電容c14和有機(jī)發(fā)光二極管oled15。其中，開關(guān)薄膜晶體管t11的柵極用于輸入掃描信號(hào)，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的柵極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的源極用于輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓ovdd，漏極連接控制薄膜晶體管t13的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管oled15的陽極?？刂票∧ぞw管t13的柵極用于輸入控制信號(hào)sen，源極用于輸入使能信號(hào)vcm_en。存儲(chǔ)電容c14的一端連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的柵極，另一端連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管oled15的陰極連接第二驅(qū)動(dòng)電壓ovss。

對(duì)于圖1所示的像素電路結(jié)構(gòu)，通過對(duì)各像素電路結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12柵極和漏極之間的閾值電壓vth和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k的差異性進(jìn)行補(bǔ)償來提高面板亮度均勻性。但是，有機(jī)發(fā)光二極管oled15的發(fā)光效率η的差異性也會(huì)導(dǎo)致面板亮度不均勻。現(xiàn)有像素電路可補(bǔ)償k、vth差異，但未能補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管oled15發(fā)光效率η的差異。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，用以補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，以提高面板的亮度均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法，所述像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、控制薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容和有機(jī)發(fā)光二極管，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極用于輸入掃描信號(hào)，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極用于輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓，漏極連接所述控制薄膜晶體管的漏極和所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極；所述控制薄膜晶體管的柵極用于輸入控制信號(hào)，源極用于輸入使能信號(hào)；所述存儲(chǔ)電容的第一端連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，第二端連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接第二驅(qū)動(dòng)電壓，

所述方法包括：

向所述像素電路施加掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)、控制信號(hào)、使能信號(hào)、第一驅(qū)動(dòng)電壓和第二驅(qū)動(dòng)電壓，并依次獲得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率；

根據(jù)獲得的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率，計(jì)算輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號(hào)，以對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，獲得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號(hào)、源極施加第一數(shù)據(jù)信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極達(dá)到第一預(yù)置初始電位，同時(shí)分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號(hào)、源極施加使能信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位；

停止向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號(hào)，在所述第一驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電至所述像素電路穩(wěn)定后，采集所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值；

根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電位值和漏極的電位值，計(jì)算得到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一預(yù)置初始電位、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和所述預(yù)定初始電位滿足以下條件：

vtholed＞vdata-vcm＞vth

其中，vtholed表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓，vdata表示所述第一預(yù)置初始電位，vcm表示所述預(yù)定初始電位，vth表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，計(jì)算得到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓進(jìn)一步包括通過計(jì)算所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和漏極之間的電位差得到所述實(shí)際閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，獲得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號(hào)、源極施加第二數(shù)據(jù)信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極達(dá)到第二預(yù)置初始電位，同時(shí)分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號(hào)、源極施加使能信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位，其中，所述第二預(yù)置初始電位等于所述第一預(yù)置初始電位與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓的和；

同時(shí)停止向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號(hào)和向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號(hào)，所述第一驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電；

對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極充電預(yù)定時(shí)間后，采集所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值；

根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對(duì)應(yīng)的漏極電位值，以及獲得的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值和所述預(yù)定初始電位計(jì)算所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，計(jì)算所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，包括：通過下式計(jì)算所述電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)：

k0/k＝(vs01-vcm)/(vs-vcm)

其中，k0表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，k表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，vs表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對(duì)應(yīng)的漏極的電位，vs01表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對(duì)應(yīng)的漏極的電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，獲得所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號(hào)、源極施加第三數(shù)據(jù)信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極達(dá)到第三預(yù)置初始電位，同時(shí)分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號(hào)、源極施加使能信號(hào)，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位，其中，通過所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一預(yù)置初始電位和實(shí)際閾值電壓、預(yù)定目標(biāo)閾值電壓、預(yù)定初始電位計(jì)算所述第三預(yù)置初始電位；

同時(shí)停止向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號(hào)和向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號(hào)，使得所述第一驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管流過所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流恒定；

對(duì)所述有機(jī)發(fā)光二極管充電至其兩端跨壓穩(wěn)定后，采集所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值；

基于有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率與跨壓的反比例關(guān)系，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率及對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值、所述第二驅(qū)動(dòng)電壓，計(jì)算所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，計(jì)算所述第三預(yù)置初始電位，包括：通過下式計(jì)算所述第三預(yù)置初始電位：

其中，vg″表示所述第三預(yù)置初始電位，δvth表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)閾值電壓與實(shí)際閾值電壓的差值。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，計(jì)算所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，包括：通過下式計(jì)算所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率：

η0/η＝(vs-ovss)/(vs02-ovss)

其中，η0表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率，η表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率，vs02表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位，ovss表示所述第二驅(qū)動(dòng)電壓，vs表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，根據(jù)獲得的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，計(jì)算輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的數(shù)據(jù)信號(hào)，包括：

利用下式對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償：

其中，vg'表示對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位；

利用下式對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償；

vg″＝vg′+δvth

其中，vg″表示對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位值，δvth表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)閾值電壓與實(shí)際閾值電壓的差值；

根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位，確定輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號(hào)。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過預(yù)定順序獲得并補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率，可以提高面板的亮度均勻性。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種amoled像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a是現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)圖1所示像素電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)偵測(cè)順序的流程圖；

圖2b是現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)圖1所示像素電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)補(bǔ)償順序的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)像素電路的方法流程圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的amoled像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓偵測(cè)時(shí)各信號(hào)波形示意圖；

圖5b是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)偵測(cè)時(shí)各信號(hào)波形示意圖；

圖5c是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率偵測(cè)時(shí)各信號(hào)波形示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示的amoled像素電路結(jié)構(gòu)中，有機(jī)發(fā)光二極管oled15的亮度l與其電流ioled成正比：

l＝η*ioled(1)

其中，η表示有機(jī)發(fā)光二極管oled15的發(fā)光效率。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12工作在飽和區(qū)，通過其柵極的電壓控制其源漏極之間的電流ids：

ids＝k(vg-vg-vth)²(2)

其中，k表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，vg表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的柵極電位，vs表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的漏極電位，vth表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的實(shí)際閾值電壓。

由于有機(jī)發(fā)光二極管oled15與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12串聯(lián)，所以：

ids＝ioled(3)

對(duì)于顯示面板中的每個(gè)像素，由于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t12的vth、k差異性，以及有機(jī)發(fā)光二極管t12的發(fā)光效率η的差異性，會(huì)導(dǎo)致vth、k相同的情況下，像素間電流ids存在差異。

現(xiàn)有技術(shù)中采用圖2a所示的順序來獲得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，采用圖2b所示的順序來補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對(duì)柵極的電壓進(jìn)行補(bǔ)償：

其中，k表示當(dāng)前像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，k0表示預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，δvth表示當(dāng)前像素的實(shí)際閾值電壓與目標(biāo)閾值電壓的差異值。

將每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管柵極處的電位由vg″代替vg進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可補(bǔ)償像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的k、vth差異，但未能補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率η的差異。

因此，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)amoled像素電路的方法，如圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法流程圖，以下參考圖3來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

該方法用于驅(qū)動(dòng)圖4所示的amoled像素電路，該像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管t21、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22、控制薄膜晶體管t23、存儲(chǔ)電容c和有機(jī)發(fā)光二極管oled。該開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極用于輸入掃描信號(hào)scan，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號(hào)data，漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的源極用于輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓ovdd，漏極連接控制薄膜晶體管t23的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極。有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極連接第二驅(qū)動(dòng)電壓ovss，控制薄膜晶體管t23的柵極用于輸入控制信號(hào)sen，源極用于輸入使能信號(hào)vcm。存儲(chǔ)電容c的第一端連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極，第二端連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極。另外，為方便數(shù)據(jù)采集，在控制薄膜晶體管t23的漏極還設(shè)置有數(shù)據(jù)采集電路adc。

該方法包括以下兩個(gè)步驟。在步驟s110中，向像素電路施加對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)、控制信號(hào)、使能信號(hào)、第一驅(qū)動(dòng)電壓和第二驅(qū)動(dòng)電壓，并依次獲得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率。在步驟s120中，根據(jù)獲得的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的實(shí)際閾值電壓和實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)際發(fā)光效率計(jì)算輸入至開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號(hào)，以對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償。

在步驟s110中，首先獲得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的閾值電壓vth。具體的，參見圖5a，先分別向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號(hào)scan、源極施加第一數(shù)據(jù)信號(hào)data1，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極達(dá)到第一預(yù)置初始電位vdata，同時(shí)分別向控制薄膜晶體管t23的柵極施加控制信號(hào)sen、源極施加使能信號(hào)vcm_en，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。

然后，停止向控制薄膜晶體管t23的源極施加使能信號(hào)vcm_en，第一驅(qū)動(dòng)電壓ovdd對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電，待像素電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后，采集驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極的電位值vs。待像素電路穩(wěn)定后，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極會(huì)充電至vdata-vth，該處的電位值可通過數(shù)據(jù)采集電路adc讀取。

最后，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極的電位值和漏極的電位值計(jì)算得到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際閾值電壓vth。實(shí)際閾值電壓vth通過求取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和漏極之間的電位差得到，即：

vth＝vg-vs(5)。

由式(5)可知，為保證驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管管的漏極會(huì)充電至vdata-vth，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22需打開，使得第一驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管管的漏極充電，需滿足vdata-vcm＞vth；但不需要點(diǎn)亮有機(jī)發(fā)光二極管oled，需滿足vtholed＞vdata-vcm＞vth，vtholed表示有機(jī)發(fā)光二極管oled的閾值電壓。

接著，獲得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k。具體的，參見圖5b，先向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號(hào)scan、源極施加第二數(shù)據(jù)信號(hào)data2，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極處達(dá)到第二預(yù)置初始電位vdata+vth。同時(shí)分別向控制薄膜晶體管t23的柵極施加控制信號(hào)sen、源極施加使能信號(hào)vcm_en，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。其中，第二預(yù)置初始電位等于第一預(yù)置初始電位與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的和。該過程對(duì)應(yīng)圖5b中的t41時(shí)間段。

然后，同時(shí)停止向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號(hào)和向控制薄膜晶體管t22的源極施加使能信號(hào)，第一驅(qū)動(dòng)電壓ovdd對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極進(jìn)行充電。同時(shí)斷開驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極和控制薄膜晶體管t23的源極的電源供應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的柵極和漏極之間的壓差vgs恒定并且大于其實(shí)際閾值電壓vth，則驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22打開，有一固定電流ids對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極充電。此時(shí)，ids已經(jīng)消除驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際閾值電壓的影響，該固定電流ids表示為：

ids＝k(vgs-vth)²＝k(vdata-vcm)²(6)

其中，k表示當(dāng)前像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。

然后，對(duì)該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極充電預(yù)定時(shí)間后，采集驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管22的漏極的電位值。具體的，對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管22的漏極充電預(yù)定時(shí)間t42(例如可選取斷開驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管22的柵極和漏極的電源供應(yīng)后漏極點(diǎn)電位值變化過程中的某一段時(shí)間，否則漏極點(diǎn)位穩(wěn)定后電路中無電流流動(dòng)，無法監(jiān)測(cè)電流的流量)后，再對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管22的漏極進(jìn)行采樣，此時(shí)，漏極的電位為vcm+ids*t42/c,c表示存儲(chǔ)電容c的電容值，并且vcm+ids*t41/c＜vtholed，則：

ids＝(vs-vcm)*c/t41(7)

最后，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對(duì)應(yīng)的漏極電位值，以及獲得的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極的電位值和預(yù)定初始電位計(jì)算驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。具體的，選取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對(duì)應(yīng)的漏極的電位值，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的漏極的電位值和使能信號(hào)(可以得到預(yù)定初始電位vcm)計(jì)算驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t22的實(shí)際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。具體的，選取一預(yù)定目標(biāo)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k0，并且該k0對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位vs01已知(可通過統(tǒng)計(jì)方法求取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的多個(gè)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)的平均值得到k0，對(duì)應(yīng)的漏極電位值的平均值得到vs01)，則通過下式可計(jì)算得到k：

k0/k＝(vs01-vcm)/(vs-vcm)(8)

或者，由式(6)可推知：

k＝ids/(vdata-vcm)²(9)

則根據(jù)式(7)計(jì)算得到的ids，通過式(9)計(jì)算得到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k。式(8)可通過式(7)和式(9)推導(dǎo)得出，可避免引入存儲(chǔ)電容c的電容值和時(shí)間t41。

接下來，獲得有機(jī)發(fā)光二極管oled的實(shí)際發(fā)光效率η。具體的，先分別向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號(hào)scan、源極施加第三數(shù)據(jù)信號(hào)data3，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t23的柵極達(dá)到第三預(yù)置初始電位：

其中，δvth表示當(dāng)前像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t23的實(shí)際閾值電壓與預(yù)定目標(biāo)閾值電壓的差異值。第三預(yù)置初始電位根據(jù)第一預(yù)置初始電位vdata和閾值電壓vth、預(yù)定目標(biāo)閾值電壓、第一預(yù)定初始電位vcm計(jì)算得到，向控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號(hào)、源極施加使能信號(hào)vcm_en，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。

然后，同時(shí)停止向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號(hào)和向控制薄膜晶體管t23的源極施加使能信號(hào)vcm_en，使得第一驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流恒定。同時(shí)斷開驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和漏極的電源供應(yīng)后，兩者之間壓差vgs恒定，且能保證流過有機(jī)發(fā)光二極管oled的電流恒定，此時(shí)：

ids＝k(vg″-vcm)²＝k0(vdata-vcm)²(11)

然后，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管oled充電至其兩端跨壓穩(wěn)定后，采集驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t23的漏極的電位值。如圖5c所示，有機(jī)發(fā)光二極管oled充電一段時(shí)間后，其陽極和陰極跨壓達(dá)到穩(wěn)定后，數(shù)據(jù)采集電路adc讀取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t23的漏極處的電壓，可以獲得有機(jī)發(fā)光二極管oled在相同電流驅(qū)動(dòng)下的不同跨壓。

最后，基于有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率與跨壓的反比例關(guān)系，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率及對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的電位值、第二驅(qū)動(dòng)電壓ovss計(jì)算有機(jī)發(fā)光二極管oled的發(fā)光效率。相同電流下，有機(jī)發(fā)光二極管oled發(fā)光效率η與跨壓成反比，選取一目標(biāo)發(fā)光效率η0對(duì)該像素的oled的發(fā)光效率η進(jìn)行補(bǔ)償。有機(jī)發(fā)光二極管oled的實(shí)際發(fā)光效率η與目標(biāo)發(fā)光效率η0的關(guān)系表示為：

η0/η＝(vs-ovss)/(vs02-ovss)(12)

其中，vs02表示有機(jī)發(fā)光二極管oled為目標(biāo)發(fā)光效率η0時(shí)的vs電壓((可通過統(tǒng)計(jì)方法求取多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管oled發(fā)光效率的平均值得到η0，對(duì)應(yīng)的漏極電位值的平均值得到vs02)。

接下來，在步驟s120中，在顯示時(shí)，先進(jìn)行η、k補(bǔ)償，向開關(guān)薄膜晶體管t21的源極施加第四數(shù)據(jù)信號(hào)，該第四數(shù)據(jù)信號(hào)使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電位為：

然后補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，補(bǔ)償后使得柵極的電位為：

vg″＝vg'+δvth(14)

經(jīng)過補(bǔ)償后的有機(jī)發(fā)光二極管oled的發(fā)光亮度計(jì)算公式為：

l＝η0*k0(vg-vs-vth0)²(15)

其中，vth0表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定閾值電壓，δvth為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的預(yù)定閾值電壓與偵測(cè)得到的實(shí)際閾值電壓的差值。

由式(15)可以看出，本發(fā)明提供的方法可以補(bǔ)償amoled顯示面板驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的vth、k，及有機(jī)發(fā)光二極管oled的η。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。