【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdisplay，oled)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，成為最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

傳統(tǒng)的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路通常為2t1c，即兩個(gè)薄膜晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。

如圖1所示，現(xiàn)有的2t1c結(jié)構(gòu)的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，包括第一薄膜晶體管t10、第二薄膜晶體管t20、電容c10及有機(jī)發(fā)光二極管d10，所述第一薄膜晶體管t10為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管t20為開關(guān)薄膜晶體管，所述電容c10為存儲電容。具體地，所述第二薄膜晶體管t20的柵極接入掃描信號gate，源極接入數(shù)據(jù)信號data，漏極電性連接第一薄膜晶體管t10的柵極；所述第一薄膜晶體管t10的源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管d10的陽極；有機(jī)發(fā)光二極管d10的陰極接入電源負(fù)電壓ovss。電容c10的一端電性連接第一薄膜晶體管t10的柵極，另一端電性連接第一薄膜晶體管t10的源極。該2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路在對amoled進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，流過有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流滿足：

i＝k×(vgs-vth)²；

其中，i為流過有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流，k為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的本征導(dǎo)電因子，vgs為第一薄膜晶體管t10柵極和源極間的電壓差，vth為第一薄膜晶體管t10的閾值電壓，可見流過有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓相關(guān)。

由于面板制程的不穩(wěn)定性等因素，使得面板內(nèi)每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生差別。即使將相等的數(shù)據(jù)電壓施加到各個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，也會使得流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流不一致，從而影響顯示圖像質(zhì)量的均一性。且隨著驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)時(shí)間的變長，薄膜晶體管的材料會出現(xiàn)老化、變異，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生漂移，且薄膜晶體管材料的老化程度不同，各驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓漂移量也不同，從而出現(xiàn)面板顯示不均的現(xiàn)象，同時(shí)會使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的開啟電壓上升，流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流降低，導(dǎo)致面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

因此，有必要提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，能夠提高面板顯示的均一性、面板的亮度以及發(fā)光效率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，其包括：

第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容以及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極接入電源正電壓；所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極與所述第五薄膜晶體管的源極電性連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極以及所述第四薄膜晶體管的源極電性連接；所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號；所述第四薄膜晶體管的漏極分別與所述第二電容的一端、所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述第一薄膜晶體管的源極電性連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，所述第三薄膜晶體管的源極接入數(shù)據(jù)電壓；

所述第二電容的另一端與所述第一電容的一端電性連接，所述第一電容的另一端接地；

所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二電容和所述第一電容之間的節(jié)點(diǎn)電性連接，所述第一薄膜晶體管的漏極分別與所述第二薄膜晶體管的源極以及所述第六薄膜晶體管的漏極電性連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二電容和所述第一電容之間的節(jié)點(diǎn)電性連接；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號，所述第六薄膜晶體管的源極接入電壓負(fù)電壓。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以及非晶硅薄膜晶體管中的一種。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一掃描信號、所述第二掃描信號以及所述第三掃描信號均通過外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管均為p型薄膜晶體管。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一掃描信號、所述第二掃描信號以及所述第三掃描信號相組合，先后對應(yīng)于初始化階段、閾值電壓存儲階段以及發(fā)光顯示階段；

在所述初始化階段，所述第一掃描信號和所述第三掃描信號都為低電位，所述第二掃描信號為高電位；

在所述閾值電壓存儲階段，所述第一掃描信號和所述第二掃描信號都為低電位，所述第三掃描信號為高電位；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號和所述第二掃描信號都為高電位，所述第三掃描信號為低電位。

本發(fā)明還提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，其包括如下步驟：

提供amoled像素驅(qū)動(dòng)電路；

進(jìn)入初始化階段；

進(jìn)入閾值電壓存儲階段；以及

進(jìn)入發(fā)光顯示階段；

其中所述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括：

第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容以及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極接入電源正電壓；所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極與所述第五薄膜晶體管的源極電性連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極以及所述第四薄膜晶體管的源極電性連接；所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號；所述第四薄膜晶體管的漏極分別與所述第二電容的一端、所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述第一薄膜晶體管的源極電性連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，所述第三薄膜晶體管的源極接入數(shù)據(jù)電壓，

所述第二電容的另一端與所述第一電容的一端電性連接，所述第一電容的另一端接地；

所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二電容和所述第一電容之間的節(jié)點(diǎn)電性連接，所述第一薄膜晶體管的漏極分別與所述第二薄膜晶體管的源極以及所述第六薄膜晶體管的漏極電性連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二電容和所述第一電容之間的節(jié)點(diǎn)電性連接；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號，所述第六薄膜晶體管的源極接入電壓負(fù)電壓；

在所述初始化階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二、第五薄膜晶體管打開；所述第二掃描信號提供高電位，所述第三薄膜晶體管關(guān)閉；所述第三掃描信號提供低電位，所述第四、第六薄膜晶體管打開；所述第一薄膜晶體管的源極的電壓等于所述電源正電壓，所述第一薄膜晶體管的柵極的電壓等于所述電源負(fù)電壓；

在閾值電壓存儲階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二、第五薄膜晶體管打開；所述第二掃描信號提供低電位，所述第三薄膜晶體管打開；所述第三掃描信號提供高電位，所述第四、第六薄膜晶體管關(guān)閉；所述第一薄膜晶體管的源極的電壓等于所述數(shù)據(jù)電壓，所述第一薄膜晶體管的柵極的電壓變化至vdata-vth，其中vdata為數(shù)據(jù)電壓，vth為所述第一薄膜晶體管的閾值電壓；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號提供高電位，所述第二、第五薄膜晶體管關(guān)閉；所述第二掃描信號提供高電位，所述第三薄膜晶體管關(guān)閉；所述第三掃描信號提供低電位，所述第四、第六薄膜晶體管打開；所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流與所述第一薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，在所述發(fā)光顯示階段，所述第一薄膜晶體管的源極的電壓變化至設(shè)定電壓，其中所述設(shè)定電壓為所述電源正電壓與所述有機(jī)發(fā)光二極管的電壓之間的差值，所述第一薄膜晶體管的柵極的電壓變化至vdata-vth+δv，以使流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流與所述第一薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)，其中δv為所述第一薄膜晶體管的源極的電壓由數(shù)據(jù)電壓變化至所述設(shè)定電壓后對所述第一薄膜晶體管的柵極的電壓產(chǎn)生的影響。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以及非晶硅薄膜晶體管中的一種。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一掃描信號、所述第二掃描信號及所述第三掃描信號均通過外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

在本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法中，所述第一薄膜晶體管為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管為開關(guān)薄膜晶體管。

本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，通過對現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn)，從而消除了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對有機(jī)發(fā)光二極管的影響，提高了面板顯示均勻性，此外還避免了面板隨oled器件的老化而出現(xiàn)的亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有用于amoled的2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖2為現(xiàn)有用于amoled的8t2c像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖3為現(xiàn)有用于amoled的8t1c像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖4為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖5為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖；

圖6為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟2的示意圖；

圖7為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟3的示意圖；

圖8為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟4的示意圖。

【具體實(shí)施方式】

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

針對驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管閾值電壓漂移的問題，現(xiàn)有技術(shù)中一般會對amoled像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn)，增加薄膜晶體管及相應(yīng)的控制信號，以對驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，使有機(jī)發(fā)光二極管在發(fā)光時(shí)，流過其的電流與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)。請參閱圖2，現(xiàn)有的一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路采用8t2c的結(jié)構(gòu)，也即八個(gè)薄膜晶體管加兩個(gè)電容的結(jié)構(gòu)，包括第一薄膜晶體管t21、第二薄膜晶體管t22、第三薄膜晶體管t23、第四薄膜晶體管t24、第五薄膜晶體管t25、第六薄膜晶體管t26、第七薄膜晶體管t27、第八薄膜晶體管t28、第一電容c20、第二電容c21及有機(jī)發(fā)光二極管d20，具體各元件的連接方式為：第一薄膜晶體管t21的柵極接入掃描信號sn，源極接入數(shù)據(jù)信號dl，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)a。第二薄膜晶體管t22的柵極接入掃描信號sn-1，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)a以及第一電容c20的一端，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)b，有機(jī)發(fā)光二極管d20的陽極電性連接第二節(jié)點(diǎn)b，陰極接入公共接地電壓vss。

第三薄膜晶體管t23的柵極接入掃描信號s2，源極電性連接電源高電壓vddh，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)c。第八薄膜晶體管t28的柵極第一節(jié)點(diǎn)a，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)c，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)b。第四薄膜晶體管t24的柵極接入掃描信號sn-1，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)c，漏極電性連接第五節(jié)點(diǎn)e。

第一電容c20的另一端電性連接第四節(jié)點(diǎn)d。第五薄膜晶體管t25的柵極接入掃描信號s2，源極電性連接第四節(jié)點(diǎn)d，漏極接入公共接地電壓vss。

第二電容c21的一端連接第四節(jié)點(diǎn)d，另一端電性連接第五節(jié)點(diǎn)e。

第六薄膜晶體管t26的柵極接入掃描信號s2，源極接入發(fā)光亮度調(diào)節(jié)電壓vr，漏極電性連接第五節(jié)點(diǎn)e。第七薄膜晶體管t27的柵極接入掃描信號sn-2，源極接入電壓低電壓vddl，漏極電性連接第五節(jié)點(diǎn)e。

上述8t2c的架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動(dòng)tft的vth，但所用tft的數(shù)量較多，會降低面板的開口率，從而降低顯示亮度，且較多的tft也會產(chǎn)生寄生電容等問題。另一方面，該架構(gòu)需要額外電源vr，導(dǎo)致硬件結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。

如圖3所示，現(xiàn)有的另一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路采用8t1c的結(jié)構(gòu)，也即八個(gè)薄膜晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)，包括第一薄膜晶體管t31、第二薄膜晶體管t32、第三薄膜晶體管t33、第四薄膜晶體管t34、第五薄膜晶體管t35、第六薄膜晶體管t36、第七薄膜晶體管t37、第八薄膜晶體管t38、電容c30及有機(jī)發(fā)光二極管d30，具體各元件的連接方式為：第一薄膜晶體管t31的柵極接入掃描信號s2，源極接入?yún)⒖茧妷簐ref，漏極電性連接電容c30的一端以及第七薄膜晶體管t37的源極，電容c30的另一端與第三薄膜晶體管t33的源極以及第五薄膜晶體管t35的柵極連接，第三薄膜晶體管t33的漏極連接第四薄膜晶體管t34的源極以及第二薄膜晶體管t32的漏極，第三薄膜晶體管t33和第四薄膜晶體管t34的柵極接入掃描信號s2。第二薄膜晶體管t32的柵極接入掃描信號s1，第二薄膜晶體管t32的源極接入電壓vini。

第四薄膜晶體管t34的漏極連接第五薄膜晶體管t35的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管d30的陽極，有機(jī)發(fā)光二極管d30的陰極接入電源負(fù)電壓vss，第五薄膜晶體管t35的源極連接第八薄膜晶體管t38的漏極以及第七薄膜晶體管t37的漏極，第七薄膜晶體管t37的源極與第六薄膜晶體管t36的漏極連接，第六薄膜晶體管t36的源極接入電源正電壓vdd，第六薄膜晶體管t36的柵極和第七薄膜晶體管t37的柵極都接入掃描信號s3，第八薄膜晶體管t38的柵極接入掃描信號s2，第八薄膜晶體管t38的源極接入數(shù)據(jù)電壓vdata。

上述8t1c的架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動(dòng)tft的vth，但所用tft的數(shù)量較多，會降低面板的開口率，從而降低顯示亮度，且較多的tft也會產(chǎn)生寄生電容等問題。另一方面，該架構(gòu)需要兩個(gè)額外電源vref和vini，因此輸入信號源較多。

請參照圖4，圖4為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。

如圖4所示，本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、第一電容c1、第二電容c2以及有機(jī)發(fā)光二極管d1。其中所述第一薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管t5為開關(guān)薄膜晶體管。

具體各元件的連接方式如下：所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽極接入電源正電壓ovdd；所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽極與所述第五薄膜晶體管t5的源極電性連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極分別與所述第五薄膜晶體管t5的漏極以及所述第四薄膜晶體管t4的源極電性連接；所述第五薄膜晶體管t5的柵極接入第一掃描信號scan1。

所述第四薄膜晶體管t4的柵極接入第三掃描信號scan3；所述第四薄膜晶體管t4的漏極分別與所述第二電容c2的一端、所述第三薄膜晶體管t3的漏極以及所述第一薄膜晶體管t2的源極電性連接。

所述第三薄膜晶體管t3的柵極接入第二掃描信號scan2，所述第三薄膜晶體管t3的源極接入數(shù)據(jù)電壓vdata。

所述第二電容c2的另一端與所述第一電容c1的一端電性連接，所述第一電容c1的另一端接地。

所述第一薄膜晶體管t1的柵極與所述第二電容c2和所述第一電容c1之間的節(jié)點(diǎn)電性連接，所述第一薄膜晶體管t1的漏極分別與所述第二薄膜晶體管t2的源極以及所述第六薄膜晶體管t6的漏極電性連接。

所述第二薄膜晶體管t2的柵極接入第一掃描信號scan1，所述第二薄膜晶體管t2的漏極與所述第二電容c2和所述第一電容c1之間的節(jié)點(diǎn)電性連接。

所述第六薄膜晶體管t6的柵極接入第三掃描信號scan3，所述第六薄膜晶體管t6的源極接入電壓負(fù)電壓ovss。

所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5以及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以及非晶硅薄膜晶體管中的一種。

所述第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2以及第三掃描信號scan3均通過外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5以及第六薄膜晶體管t6均為p型薄膜晶體管。

所述第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2、及第三掃描信號scan3相組合，先后對應(yīng)于一初始化階段、一閾值電壓存儲階段、及一發(fā)光顯示階段；

基于上述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明還提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟：

s101、提供一amoled像素驅(qū)動(dòng)電路。

具體請參閱圖4和上文。

s102、進(jìn)入初始化階段。

結(jié)合圖5和6，在所述初始化階段也即t0-t1時(shí)段，所述第一掃描信號scan1和所述第三掃描信號scan3都為低電位，所述第二掃描信號scan2為高電位。

所述第一掃描信號scan1提供低電位，所述第二、第五薄膜晶體管t2、t5打開；所述第二掃描信號scan2提供高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉；所述第三掃描信號scan3提供低電位，所述第四、第六薄膜晶體管t4、t6打開。由于第五薄膜晶體管t5、第四薄膜晶體管t4開啟，第三薄膜晶體管t3關(guān)閉，ovdd通過第五薄膜晶體管t5、第四薄膜晶體管t4對第一薄膜晶體管的源極(s點(diǎn))進(jìn)行充電，使得所述第一薄膜晶體管t1的源極的電壓vs等于電源正電壓ovdd。由于第六薄膜晶體管t6、第二薄膜晶體管t2開啟，使得ovss通過第六薄膜晶體管t6、第二薄膜晶體管t2對所述第一薄膜晶體管t1的柵極(g點(diǎn))進(jìn)行充電，也即所述第一薄膜晶體管的柵極的電壓vg等于電源負(fù)電壓ovss。

由于第五薄膜晶體管t5開啟，因此有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光，此階段完成對g點(diǎn)和s點(diǎn)電位的初始化。

s103、進(jìn)入閾值電壓存儲階段。

結(jié)合圖5和7，在該閾值電壓存儲階段也即t1-t2時(shí)段，所述第一掃描信號scan1和所述第二掃描信號scan2都為低電位，所述第三掃描信號scan3為高電位。

所述第一掃描信號scan1提供低電位，所述第二、第五薄膜晶體管t2、t5打開；所述第二掃描信號scan2提供低電位，所述第三薄膜晶體管t3打開；所述第三掃描信號scan3提供高電位，所述第四、第六薄膜晶體管t4、t6關(guān)閉。

由于第四薄膜晶體管t4關(guān)閉，第三薄膜晶體管t3開啟，vdata通過第三薄膜晶體管t3對第一薄膜晶體管的源極(s點(diǎn))進(jìn)行充電，使得s點(diǎn)的電位vs等于數(shù)據(jù)電壓vdata；也即所述第一薄膜晶體管t1的源極的電壓等于所述數(shù)據(jù)電壓。第六薄膜晶體管t6關(guān)閉，第二薄膜晶體管t2開啟，g點(diǎn)電位通過t2、t1、t3進(jìn)行充電，直到s點(diǎn)與g點(diǎn)的之間的夾壓為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(t1)的閾值電壓vth時(shí)截止，

由于vs與vg之間滿足下式：

vs-vg＝vth；

其中vs＝vdata；

則有vg為：

vg＝vdata-vth；

也即，所述第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓變化至vdata-vth，其中vdata為數(shù)據(jù)電壓，vth為所述第一薄膜晶體管t1的閾值電壓。

由于第五薄膜晶體管t5開啟，因此有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光，此階段完成對閾值電壓的存儲。

s104、進(jìn)入發(fā)光顯示階段。

結(jié)合圖5和8，在發(fā)光顯示階段也即t2-t3時(shí)段，所述第一掃描信號scan1和所述第二掃描信號scan2都為高電位，所述第三掃描信號scan3為低電位。

所述第一掃描信號scan1提供高電位，所述第二、第五薄膜晶體管t2、t5關(guān)閉；所述第二掃描信號scan2提供高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉；所述第三掃描信號scan3提供低電位，所述第四、第六薄膜晶體管t4、t6打開；由于第五薄膜晶體管t5關(guān)閉，有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光，且流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流與所述第一薄膜晶體管t1的閾值電壓無關(guān)。

具體地，由于第三、五薄膜晶體管t3、t5關(guān)閉，第四薄膜晶體管t4打開，使得s點(diǎn)電位vs變?yōu)槿缦拢?/p>

vs＝ovdd–voled；

其中voled為所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的電壓，也即所述第一薄膜晶體管t1的源極的電壓變化至設(shè)定電壓，該設(shè)定電壓為所述電源正電壓ovdd與所述有機(jī)發(fā)光二極管的電壓voled之間的差值。

由于第二薄膜晶體管t2關(guān)閉，由電容耦合定理可得g點(diǎn)電位vg如下：

vg＝vdata-vth+δv；

其中δv如下：

δv＝(ovdd–voled–vdata)*c2/(c1+c2)；

其中δv為所述第一薄膜晶體管t1的源極的電壓由數(shù)據(jù)電壓變化至所述設(shè)定電壓后對所述第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓產(chǎn)生的影響，c1為第一電容的電容值，c2為第二電容的電容值。

s點(diǎn)與g點(diǎn)之間的夾壓vsg，此時(shí)變?yōu)槿缦拢?/p>

vsg＝vs–vg＝ovdd–voled–(vdata–vth+δv)；

此時(shí)，流過有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流滿足：

i＝k(vsg–vth)²＝k(ovdd–voled–vdata–δv)²

結(jié)合上面的公式，得到最終流過有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流為：

i＝k[(ovdd–voled–vdata)*c1/(c1+c2)]²

可知，有機(jī)發(fā)光二極管的電流與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(t1)的閾值電壓vth無關(guān)，消除了閾值電壓vth對有機(jī)發(fā)光二極管的影響，從而提高了面板顯示的均勻性和發(fā)光效率。

本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，通過對現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn)，從而消除了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對有機(jī)發(fā)光二極管的影響，提高了面板顯示均勻性，此外還避免了面板隨oled器件的老化而出現(xiàn)的亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。