本實用新型涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED像素驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

相對于液晶顯示裝置，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示裝置具有可自發(fā)光、對比度高、反應(yīng)速度快、可視角廣等優(yōu)點。在現(xiàn)有工藝條件下，要使有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光亮度限定在某一規(guī)定范圍內(nèi)，則資料信號電壓Vdata也隨即被相應(yīng)的限定在了某一規(guī)定范圍內(nèi)。但是，現(xiàn)有技術(shù)中如CN101231821A專利中公開的7T1C像素電路，其資料信號電壓Vdata的電壓范圍較小，造成對電路中IC信號電壓精度要求非常高，不利于后期Gamma調(diào)節(jié)，如：將所述OLED的亮度等分成256灰階時，每個灰階對應(yīng)的Vdata差值大概估計為△Vdata＝(Max(Vdata)-Min(Vdata))/256，由于△Vdata越小，則對IC信號電壓精度要求越高。為了達(dá)到增大△Vdata的目的，現(xiàn)有技術(shù)中采取的方法是增大驅(qū)動晶體管(DTFT)的溝道長度，這種方法占用了較大的像素電路版圖空間，無法實現(xiàn)高PPI(Pixels Per Inch，表示每英寸所擁有的像素數(shù)目)，另一方面還增大了驅(qū)動DTFT在OLED發(fā)光期間額外功耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種OLED像素驅(qū)動電路，增大了資料信號電壓的電壓范圍，降低了對電路中IC信號電壓精度的要高。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為：本實用新型提供一種OLED像素驅(qū)動電路，一種OLED像素驅(qū)動電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、驅(qū)動晶體管、第一存儲電容、第二存儲電容、有機(jī)發(fā)光二極管、第一電壓源、第二電壓源、初始化電源、第一節(jié)點、第二節(jié)點、第三節(jié)點以及第四節(jié)點；并設(shè)置有資料信號輸入端、復(fù)位信號端、信號掃描端、發(fā)光控制信號端；

所述第一晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源，柵極連接所述復(fù)位信號端，第二源極/漏極連接所述第一節(jié)點；

所述第二晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源，柵極連接所述復(fù)位信號端，第二源極/漏極連接所述第四節(jié)點；

所述第三晶體管的第一源極/漏極連接所述第四節(jié)點，柵極連接所述信號掃描端，第二源極/漏極連接所述第二節(jié)點；

所述第四晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節(jié)點，柵極連接所述信號掃描端，第二源極/漏極連接所述資料信號輸入端；

所述第五晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節(jié)點，柵極連接所述發(fā)光控制信號端，第二源極/漏極連接所述第一電壓源；

所述第六晶體管的第一源極/漏極連接所述第一節(jié)點，柵極連接所述發(fā)光控制信號端，第二源極/漏極連接所述第二節(jié)點；

所述驅(qū)動晶體管的第一源極/漏極連接所述第二節(jié)點，柵極連接所述第四節(jié)點，第二源極/漏極連接所述第三節(jié)點；

所述第一存儲電容的兩端分別連接第一電壓源和所述第四節(jié)點；

所述第二存儲電容的兩端分別連接所述第三節(jié)點和所述第四節(jié)點；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的正極連接所述第一節(jié)點，負(fù)極連接第二電壓源。

具體地，所述第二電壓源提供的電壓大于所述初始化電源提供的電壓。

需要說明的是，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、驅(qū)動晶體管的第一源極/漏極和第二源極/漏極的制作工藝相同，名稱上可互換，其可根據(jù)電壓的方向在名稱上改變。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型提供的一種OLED像素驅(qū)動電路，通過調(diào)節(jié)第一存儲電容和第二存儲電容的大小增大資料信號的電壓范圍，一方面，降低了對IC信號電壓的精度要求，對后期Gamma調(diào)節(jié)提供方便；另一方面，由于無需增大驅(qū)動晶體管的溝道長度，實現(xiàn)了降低驅(qū)動晶體管功耗的同時減小了像素版圖空間，有利于制作更高PPI(Pixels Per Inch，表示每英寸所擁有的像素數(shù)目)的像素面板。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的一種OLED像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中一種OLED像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時序示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案進(jìn)行清楚的描述，所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。

本實用新型實施例提供一種OLED像素驅(qū)動電路，如圖1所示，一種OLED像素驅(qū)動電路，包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、驅(qū)動晶體管DTFT、第一存儲電容C1、第二存儲電容C2、有機(jī)發(fā)光二極管D1、第一電壓源VDD、第二電壓源VSS、初始化電源Vinit、第一節(jié)點a、第二節(jié)點d、第三節(jié)點s以及第四節(jié)點g；并設(shè)置有資料信號輸入端Vdata、復(fù)位信號端RESET、信號掃描端SCAN、發(fā)光控制信號端EM；

所述第一晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源Vinit，柵極連接所述復(fù)位信號端RESET，第二源極/漏極連接所述第一節(jié)點a；

所述第二晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源Vinit，柵極連接所述復(fù)位信號端RESET，第二源極/漏極連接所述第四節(jié)點g；

所述第三晶體管的第一源極/漏極連接所述第四節(jié)點g，柵極連接所述信號掃描端SCAN，第二源極/漏極連接所述第二節(jié)點d；

所述第四晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節(jié)點s，柵極連接所述信號掃描端SCAN，第二源極/漏極連接所述資料信號輸入端Vdata；

所述第五晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節(jié)點s，柵極連接所述發(fā)光控制信號端EM，第二源極/漏極連接所述第一電壓源VDD；

所述第六晶體管的第一源極/漏極連接所述第一節(jié)點a，柵極連接所述發(fā)光控制信號端EM，第二源極/漏極連接所述第二節(jié)點d；

所述驅(qū)動晶體管的第一源極/漏極連接所述第二節(jié)點d，柵極連接所述第四節(jié)點g，第二源極/漏極連接所述第三節(jié)點s；

所述第一存儲電容的兩端分別連接第一電壓源VDD和所述第四節(jié)點g；所述第二存儲電容的兩端分別連接所述第三節(jié)點s和所述第四節(jié)點g；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的正極連接所述第一節(jié)點a，負(fù)極連接第二電壓源VSS。

具體地，所述第二電壓源提供的電壓大于所述初始化電源提供的電壓。

如圖2所示，為本實用新型實施例提供的一種OLED像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時序示意圖，包括復(fù)位信號端RESET、信號掃描端SCAN、發(fā)光控制信號端EM的輸入信號波形圖。

本實施例的OLED像素驅(qū)動電路的工作原理說明如下：

初始化階段X1：復(fù)位信號端RESET為低電平，信號掃描端SCAN為高電平，發(fā)光控制信號端EM為高電平，第一晶體管T1和第二晶體管T2導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管反向偏置，消除積累電荷，同時，第四節(jié)點g電位放電至Vinit；

數(shù)據(jù)寫入階段X2：復(fù)位信號端RESET為高電平，信號掃描端SCAN為低電平，發(fā)光控制信號端EM為高電平，第三晶體管T3和第四晶體管T4導(dǎo)通，此時第三節(jié)點s電位Vs＝Vdata，驅(qū)動晶體管DTFT柵極和第一源極/漏極短接，形成二極管結(jié)構(gòu)，第四節(jié)點g電位Vg＝Vdata-Vth，其中Vth為驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓；

發(fā)光階段X3：復(fù)位信號端RESET為高電平，信號掃描端SCAN為高電平，發(fā)光控制信號端EM為低電平，第五晶體管T5和第六晶體管T6導(dǎo)通，此時第三節(jié)點s電位Vs＝VDD，由于第一存儲電容C1、第二存儲電容C2的耦合效應(yīng)，此時第四節(jié)點g電位由此形成由第一電壓源VDD經(jīng)由第五晶體管T5、驅(qū)動晶體管DTFT、第六晶體管T6和有機(jī)發(fā)光二極管D1到第二電壓源VSS的電流回路，有機(jī)發(fā)光二極管此時發(fā)光，驅(qū)動晶體管DTFT工作在飽和區(qū)，驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流I_OLED滿足：

將上式轉(zhuǎn)換為以Vdata為因變量的式子:

其中，μ為溝道的電子遷移率，Cox為驅(qū)動管單位面積的溝道電容，W為驅(qū)動晶體管DTFT溝道寬度，L為驅(qū)動晶體管DTFT溝道長度。

在保證μ、Cox工藝水平、W大小一致的情況下，現(xiàn)有技術(shù)中像素驅(qū)動電路的存儲電容值C為固定值，且C＝Cst，只能通過增大驅(qū)動晶體管DTFT溝道長度L的大小來增大Vdata范圍；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過設(shè)置第一存儲電容C1和第二存儲電容C2，并使得C1+C2＝Cst，C1<Cst，(C1+C2)/C1>1，實現(xiàn)不增大驅(qū)動晶體管DTFT溝道長度L，只需通過調(diào)節(jié)第一存儲電容C1和第二存儲電容C2的大小即可增大Vdata的范圍。

綜上，本實用新型通過設(shè)置第一存儲電容C1和第二存儲電容C2并通過調(diào)節(jié)第一存儲電容C1和第二存儲電容C2的大小，增大了資料信號Vdata的電壓范圍，降低了對IC信號電壓的精度要求，對后期Gamma調(diào)節(jié)提供方便；并且由于無需增大驅(qū)動晶體管的溝道長度，使得驅(qū)動晶體管功耗降低的同時減小了像素版圖空間，有利于制作更高的PPI(Pixels Per Inch，表示每英寸所擁有的像素數(shù)目)面板。

需要說明的是，本實用新型在現(xiàn)有像素驅(qū)動電路的基礎(chǔ)上，將電路中的存儲電容一分為二，實現(xiàn)資料信號Vdata電壓范圍增大，在其他像素驅(qū)動電路中，如6T1C的像素驅(qū)動電路，將存儲電容一分為二或一分為多實現(xiàn)資料信號Vdata電壓范圍增大的技術(shù)方案，也應(yīng)該在本專利的保護(hù)范圍內(nèi)。

如上述實施例為本實用新型較佳的實施方式，但本實用新型的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本實用新型的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。