本技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示模組、顯示屏和一種電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在迷你發(fā)光二極管(mini-led)和微型發(fā)光二極管(micro-led)領(lǐng)域，為了實(shí)現(xiàn)全彩顯示，通常采用巨量轉(zhuǎn)移的方式將不同顏色的像素單元鍵合在同一驅(qū)動背板上。不同顏色的像素單元分別經(jīng)不同的外延結(jié)構(gòu)制作得到，需要至少三次巨量轉(zhuǎn)移才能將不同顏色的像素單元全部轉(zhuǎn)移到驅(qū)動背板上。整個過程的工藝相對復(fù)雜、精度要求較高，導(dǎo)致良品率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種工藝相對簡單、且良品率較高的顯示模組。同時，本技術(shù)還涉及一種裝配該顯示模組的顯示屏和一種電子設(shè)備。

2、第一方面，本技術(shù)涉及一種顯示模組，包括驅(qū)動背板，驅(qū)動背板上設(shè)置多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括第一像素單元和第二像素單元，第一像素單元與第二像素單元的材料相同；其中：第一像素單元的發(fā)光面用于發(fā)出第一波長的光線，第一像素單元的發(fā)光面呈凹槽型，第二像素單元的發(fā)光面用于發(fā)出第二波長的光線，第一波長與第二波長不同。

3、本技術(shù)顯示模組中各個像素區(qū)域用于發(fā)光顯示，其中每個像素區(qū)域內(nèi)的第一像素單元和第二像素單元采用相同材質(zhì)制作，使得第一像素單元和第二像素單元可以同步制作完成。其中，第一像素單元的發(fā)光面呈凹槽型，第一像素單元經(jīng)凹槽型的發(fā)光面可以發(fā)出第一波長的光線。該第一波長的光線顏色可以區(qū)別于第二像素單元發(fā)出的第二波長的光線顏色，即第一像素單元和第二像素單元的發(fā)光顏色不同，有利于實(shí)現(xiàn)顯示模組中各個像素區(qū)域的全彩顯示功能。

4、本技術(shù)顯示模組因?yàn)榭梢酝街谱鞯谝幌袼貑卧偷诙袼貑卧?，因此可以在同一外延結(jié)構(gòu)上同時生成第一像素單元和第二像素單元的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，還可以按第一像素單元和第二像素單元在像素區(qū)域中的排布方式制作第一像素單元和第二像素單元，再將同時包括第一像素單元和第二像素單元的外延結(jié)構(gòu)同步轉(zhuǎn)移至驅(qū)動背板上。也即，本技術(shù)顯示模組可以同步實(shí)現(xiàn)兩種不同顏色像素單元的制作和轉(zhuǎn)移操作，省去了多色像素單元逐色轉(zhuǎn)移的繁瑣步驟，工藝相對簡單。因?yàn)榈谝幌袼貑卧偷诙袼貑卧g的相對位置得以保證，提升了顯示模組在外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移過程中的精度，保證顯示模組的良品率。

5、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第一像素單元和第二像素單元的材料為氮化鎵(gan)、砷化鎵(gaas)、銦鎵氮(ingan)或摻鋁銦鎵氮(alingan)中的一種。

6、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素單元的發(fā)光面為平面，第一像素單元與第二像素單元的高度相等。

7、在本實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素單元的發(fā)光面為平面，使得第二像素單元發(fā)出光線的第二波長區(qū)別于第一像素單元發(fā)出光線的第一波長。第二像素單元的平面結(jié)構(gòu)易于制作。而第一像素單元和第二像素單元齊平，則進(jìn)一步保證了第一像素單元和第二像素單元在同步制作過程中的工藝一致性，還有利于對第一像素單元和第二像素單元的封裝。

8、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，像素區(qū)域包括第三像素單元和色轉(zhuǎn)材料，色轉(zhuǎn)材料設(shè)置于第三像素單元的發(fā)光面，第三像素單元與第一像素單元和第二像素單元的材料相同；第三像素單元通過色轉(zhuǎn)材料發(fā)出第三波長的光線，第三波長與第一波長和第二波長均不同。

9、在本實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谌袼貑卧牟牧吓c第一像素單元、第二像素單元均相同時，本技術(shù)顯示模組可以在同一外延結(jié)構(gòu)上同時生成第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元的結(jié)構(gòu)。也即在采用三色像素單元實(shí)現(xiàn)全彩顯示的實(shí)現(xiàn)方式中，顯示模組中全部像素單元可于同一外延結(jié)構(gòu)上制作完成，進(jìn)一步簡化了像素單元的制作工藝。因?yàn)樵谥谱鬟^程中第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元之間的相對位置得以保證，也提升了顯示模組的像素單元在轉(zhuǎn)移過程中的相對位置精度，保證顯示模組的良品率。

10、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，色轉(zhuǎn)材料的材料為量子點(diǎn)、有機(jī)色轉(zhuǎn)材料或鈣態(tài)礦。

11、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元的發(fā)光面呈凹槽型，色轉(zhuǎn)材料填充于第三像素單元的凹槽內(nèi)；

12、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元的發(fā)光面為平面，色轉(zhuǎn)材料覆蓋于第三像素單元的發(fā)光面上。

13、在上述兩種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元的結(jié)構(gòu)可以與第一像素單元相同，二者的發(fā)光面均呈凹槽型。通過在第三像素單元的凹槽中填充色轉(zhuǎn)材料，實(shí)現(xiàn)第三像素單元經(jīng)色轉(zhuǎn)材料發(fā)出的第三光線的波長與第一像素單元所發(fā)出的光線波長不同的效果。第一像素單元所發(fā)出光線的波長更短，對色轉(zhuǎn)材料的激發(fā)效果更好，有利于提升第三像素單元的亮度；

14、而設(shè)置第三像素單元的發(fā)光面為平面時，第三像素單元更易于制作，配合色轉(zhuǎn)材料的覆蓋也能形成較好的發(fā)光效果。同時第三像素單元的形狀可以與第二像素單元相同，保證了第三像素單元和第二像素單元在同步制作過程中的工藝一致性。

15、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元的發(fā)光面呈凹槽型，第三像素單元的發(fā)光面形狀與第一像素單元的發(fā)光面形狀相同。

16、在本實(shí)現(xiàn)方式中，設(shè)置第三像素單元的發(fā)光面形狀與第一像素單元的發(fā)光面形狀相同，也保證了第三像素單元和第一像素單元在同步制作過程中的工藝一致性。

17、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元在像素區(qū)域中的數(shù)量大于或等于第一像素單元和第二像素單元的數(shù)量；

18、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元在驅(qū)動背板上的投影面積大于或等于第一像素單元在驅(qū)動背板上的投影面積，并同時大于或等于第二像素單元在驅(qū)動背板上的投影面積。

19、在上述兩種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元經(jīng)色轉(zhuǎn)材料所發(fā)出的第三波長相對較長，發(fā)光效率相應(yīng)降低。適當(dāng)增加第三像素單元的數(shù)量或面積，可以提升第三像素單元發(fā)出光線的亮度，進(jìn)而保證顯示模組的顏色顯示均勻。

20、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第三像素單元與第一像素單元和第二像素單元的高度相等。

21、在本實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谌袼貑卧陌l(fā)光面呈凹槽型時，色轉(zhuǎn)材料填充于第三像素單元的凹槽內(nèi)，可以設(shè)置色轉(zhuǎn)單元不超出第三像素單元的凹槽高度，并使得第三像素單元與第一像素單元、第二像素單元平齊設(shè)置，有利于第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元的封裝；當(dāng)?shù)谌袼貑卧陌l(fā)光面為平面時，可以設(shè)置第三像素單元的高度與第一像素單元和第二像素單元齊平，保證了第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元在同步制作過程中的工藝一致性。

22、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，在垂直于驅(qū)動背板的任意截面中，第一像素單元的發(fā)光面形狀均為v字形。

23、在本實(shí)現(xiàn)方式中，基于制作第一像素單元和第二像素單元的材料特性，形成v字形的凹槽結(jié)構(gòu)才能保證第一像素單元發(fā)出光線的波長為第一波長。

24、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第一像素單元由多個晶型為六方晶系的晶粒組成，第一像素單元的凹槽型發(fā)光面由晶粒的半極性晶面構(gòu)成，半極性晶面在六方晶系中包括a向和c向兩種向量。

25、在本實(shí)現(xiàn)方式中，基于制作第一像素單元和第二像素單元的材料特性，第一像素單元和第二像素單元均由晶型為六方晶系的晶粒組成。其中凹槽型的發(fā)光面則由晶粒的半極性晶面構(gòu)成。控制到晶粒的半極性晶面在六方晶系中同時含有a向和c向兩種向量，以保證半極性晶面組成的凹槽型發(fā)光面可以發(fā)出第一波長的光線。

26、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，半極性晶面的晶面指數(shù)包括{20-2-1}、{30-31}、{20-21}、{10-11}或{11-22}中的一種。

27、在本實(shí)現(xiàn)方式中，控制晶粒的半極性晶面的晶面指數(shù)為上述形式，可以保證到晶粒的半極性晶面同時含有a向和c向兩種向量。

28、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，第二波長的范圍介于495nm-578nm之間。

29、在本實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素單元可以用于顯示綠色。第一像素單元可用于顯示藍(lán)色，第三像素單元則可用于顯示紅色。

30、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，各個像素區(qū)域中的第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元按照三角形、矩形或平行四邊形的形狀排布。

31、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，各個像素區(qū)域中的第一像素單元(b)、第二像素單元(g)和第三像素單元(r)的排布形式為rgb、rrgb、或中的一種。

32、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，像素單元均為垂直結(jié)構(gòu)芯片。

33、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，像素單元的尺寸介于1μm-200μm之間。

34、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，顯示模組包括擋墻，擋墻設(shè)于各個像素單元之間，擋墻用于間隔各個像素單元并防止光線串?dāng)_。

35、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，擋墻具有絕緣性。

36、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，擋墻采用反光材料制作。

37、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，擋墻的厚度大于或等于100nm。

38、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，顯示模組包括鍵合層，鍵合層設(shè)于各個像素單元與驅(qū)動背板之間，鍵合層用于導(dǎo)通各個像素單元。

39、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，鍵合層采用反光材料制作，或鍵合層的頂面設(shè)有反光層。

40、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，鍵合層的材料為鈦(ti)、鋁(al)、銀(ag)、鉑金(pt)或鈀(pd)。

41、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，顯示模組包括封裝層，封裝層用于覆蓋并保護(hù)各個像素單元。

42、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，封裝層的材料包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)或氮化鈦(tin)。

43、第二方面，本技術(shù)提供一種顯示屏，顯示屏包括殼體和如上述方面任一實(shí)現(xiàn)方式的顯示模組，顯示模組安裝于殼體，用于顯示畫面。

44、第三方面，本技術(shù)提供一種電子設(shè)備，電子設(shè)備包括主體和第二方面所提供的顯示屏，顯示屏安裝于主體。

45、可以理解的，本技術(shù)第二方面所提供的顯示屏和第三方面所提供的電子設(shè)備，都因?yàn)榘吮炯夹g(shù)第一方面所提供的顯示模組，而同樣具備了工藝相對簡單且良品率高的特點(diǎn)。

46、在一種實(shí)現(xiàn)方式中，電子設(shè)備為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)眼鏡(augmented?reality，ar)、虛擬現(xiàn)實(shí)眼鏡(virtual?reality，vr)或近眼顯示器(near-eye?display，ned)。