柔性顯示器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開(kāi)涉及柔性顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管（TFT)已使用在各種領(lǐng)域中，包括在諸如液晶顯示器（IXD)、有機(jī)發(fā)光 二極管（OLED)顯示器、以及電泳顯示器的平板顯示設(shè)備中作為開(kāi)關(guān)與驅(qū)動(dòng)元件。
[0003] 薄膜晶體管通常包括與傳輸掃描信號(hào)的柵極線連接的柵極電極、與傳輸待施加至 像素電極的信號(hào)的數(shù)據(jù)線連接的源極電極、朝向源極電極的漏極電極、以及與源極電極和 漏極電極電連接的半導(dǎo)體。
[0004] 薄膜晶體管的半導(dǎo)體一般由非晶硅或晶體硅形成。非晶硅可在低溫進(jìn)行沉積以形 成薄膜，從而廣泛地用于主要使用具有低熔點(diǎn)的玻璃作為基底的顯示設(shè)備中，并且晶體硅 具有高場(chǎng)效應(yīng)迀移率、高頻操作特性以及低漏電流的電特性。
[0005] 為了在基底上形成薄膜晶體管，通常需要用于防止雜質(zhì)等進(jìn)入薄膜晶體管的緩沖 層。
[0006] 然而，在緩沖層包含大量氫氣的情況下，在用于使薄膜晶體管的半導(dǎo)體結(jié)晶的過(guò) 程期間產(chǎn)生了由于例如膜撕裂現(xiàn)象而導(dǎo)致的薄膜晶體管的故障。
[0007] 此外，根據(jù)基底的位置，氫氣呈現(xiàn)出不同的氫鈍化效應(yīng)，從而導(dǎo)致了不一致的元件 特性。
[0008] 另外，在如有機(jī)發(fā)光二極管顯示器那樣制造柔性顯示器的情況下，由于柔性顯示 器的特性，緩沖層可能由于重復(fù)彎曲而與基底分離。
[0009] 背景部分中公開(kāi)的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此其可以包括不 形成在該國(guó)中對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本公開(kāi)致力于提供一種柔性顯示器及其制造方法，在該柔性顯示器中不會(huì)產(chǎn)生由 于氫氣而導(dǎo)致的薄膜晶體管的故障。
[0011] 此外，本公開(kāi)致力于提供一種柔性顯示器及其制造方法，在該柔性顯示器中，即使 柔性顯示器重復(fù)地彎曲，薄膜也不會(huì)被分離。
[0012] 一個(gè)實(shí)施方式提供了一種制造柔性顯示器的方法，其包括：在柔性基底上形成第 一阻擋層；在第一阻擋層上形成第二阻擋層，其中第二阻擋層包括硅氮化物；釋放第二阻 擋層的應(yīng)力；在第二阻擋層上形成第一緩沖層，其中第一緩沖層包括硅氮化物；在第一緩 沖層上形成第二緩沖層；以及在第二緩沖層上形成薄膜晶體管。
[0013] 釋放應(yīng)力的步驟可包括將第二阻擋層暴露至空氣。
[0014] 柔性基底可包括具有聚酰亞胺的至少一個(gè)聚合材料層。
[0015] 柔性基底可包括：第一柔性基底；形成在第一柔性基底上的中間阻擋層；以及形 成在中間阻擋層上的第二柔性基底，其中中間阻擋層與第一阻擋層可包括相同的材料。
[0016] 該方法還可包括在第一柔性基底與第二柔性基底之間形成粘合層，并且粘合層可 包括其中摻雜有P型或N型導(dǎo)電雜質(zhì)的非晶硅或氫化的非晶硅中至少之一。
[0017] 中間阻擋層可形成為具有約1000 A至約6000 A的厚度。
[0018] 第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亞胺。
[0019] 第一柔性基底和第二柔性基底中的每個(gè)可形成為具有約8 μπι至約12 μπι的厚度。
[0020] 另一實(shí)施方式提供了一種柔性顯示器，其包括：第一柔性基底；定位在第一柔性 基底上并且包括硅氧化物的中間阻擋層；定位在中間阻擋層上并且包括其中摻雜有P型或 N型導(dǎo)電雜質(zhì)的非晶硅或氫化的非晶硅中至少之一的粘合層；定位在粘合層上的第二柔性 基底；定位在第二柔性基底上并且包括硅氧化物的第一阻擋層；定位在第一阻擋層上并且 包括硅氮化物的第二阻擋層；定位在第二阻擋層上并且包括硅氧化物的緩沖層；定位在緩 沖層上的薄膜晶體管；以及與薄膜晶體管相連接的有機(jī)發(fā)光元件。
[0021] 第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亞胺。
[0022] 第一柔性基底和第二柔性基底中的每個(gè)可形成為具有約8 μπι至約12 μπι的厚度。
[0023] 中間阻擋層的厚度可以是約1000 A至約6000 A。
[0024] 緩沖層可包括定位在第二阻擋層上的第一子緩沖層以及定位在第一子緩沖層上 的第二子緩沖層，并且第一子緩沖層可包括硅氮化物。
[0025] 第一阻擋層的厚度可以為約IGGO A至約6〇〇〇 Α,第二阻擋層的厚度可以為約 500 A至約2000 Α,第一子緩沖層的厚度可以為約500 A至約1000 Α,以及第二子緩 沖層的厚度可以為約1000 A至約3000 A。
[0026] 粘合層的厚度可等于或小于約丨00 Α。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，當(dāng)阻擋層和緩沖層如上文所述那樣形成時(shí)，可通過(guò)使元件 由于氫氣而導(dǎo)致的故障最小化而提供高質(zhì)量的柔性顯示器。
[0028] 此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，不會(huì)生成由于薄膜的應(yīng)力而導(dǎo)致的裂縫，從而可提供 使其中的薄膜分離現(xiàn)象最小化的柔性顯示器。
【附圖說(shuō)明】
[0029] 圖1是示出了包括在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素電路 的電路圖；
[0030] 圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的剖視圖；
[0031] 圖3至圖7是示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的剖視 圖；以及
[0032] 圖8是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 在以下詳細(xì)說(shuō)明中，僅簡(jiǎn)單地通過(guò)例示示出和描述了本發(fā)明的某些實(shí)施方式。如 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的，本文中描述的實(shí)施方式可以以多種方式進(jìn)行修改，而不背離 本發(fā)明的精神或范圍。
[0034] 在描述本公開(kāi)時(shí)，將省略與描述無(wú)關(guān)的部分。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記通 常指示相同的元件。
[0035] 另外，為了便于更好地理解和描述方便起見(jiàn)，隨意地示出了附圖中所示的每個(gè)元 件的尺寸和厚度，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0036] 在附圖中，為了清晰起見(jiàn)并且為了更好地理解和便于描述，可能放大了層、膜、板、 區(qū)域等的厚度。應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)元件如層、膜、區(qū)域、或襯底被稱為"位于另一元件上"時(shí)，其可 以直接位于另一元件上或者還可以存在插入的元件。
[0037] 另外，除非明確地相反地說(shuō)明，用語(yǔ)"包括（comprise)"及其變型如"包括 (comprises) "或"包括（comprising) "應(yīng)理解為是指包括所述元件而非排除任何其他元件。 此外，在說(shuō)明書中，用語(yǔ)"位于…上"指位于對(duì)象部分之上或位于對(duì)象部分之下，而并非必須 指基于重力方向位于該對(duì)象部分的上側(cè)。
[0038] 下面將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性顯示器及其制造方法。
[0039] 根據(jù)實(shí)施方式的柔性顯示器可以是包括有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器。
[0040] 圖1是示出了包括在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素電路 的電路圖。
[0041] 該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)信號(hào)線121、171和172,以及與該多個(gè)信號(hào)線 121、171和172相連接的像素 PX。
[0042] 信號(hào)線包括用于傳輸柵極信號(hào)（或掃描信號(hào)）的柵極線121、用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的 數(shù)據(jù)線171、以及用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓線172。柵極線121大致在行方向延伸并且 幾乎彼此平行，以及數(shù)據(jù)線171大致在列方向延伸并且?guī)缀醣舜似叫?。示出了大致在列?向延伸的驅(qū)動(dòng)電壓線172,但是其可在行方向或列方向延伸或可形成為呈網(wǎng)格狀。
[0043] 一個(gè)像素 PX包括開(kāi)關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動(dòng)晶體管QcU存儲(chǔ)電容器Cst、以及有機(jī)發(fā)光元 件70。
[0044] 開(kāi)關(guān)晶體管Qs具有控制端子、輸入端子、以及輸出端子?？刂贫俗舆B接至柵極線