有機(jī)發(fā)光顯示器和補(bǔ)償其遷移率的方法
【專利說(shuō)明】
[0001] 本申請(qǐng)要求2013年11月6日在韓國(guó)提交的專利申請(qǐng)No. 10-2013-0134256的權(quán) 益，該專利申請(qǐng)出于所有目的以引用方式并入本文，好像完全在本文中闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器，更特別地，涉及有機(jī)發(fā)光顯示 器和補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光顯示器的遷移率的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器包括能夠自身發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管（下文中，縮寫為 "0LED"）并且具有快速響應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、高亮度、廣視角等優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 用作自發(fā)光元件的OLED包括陽(yáng)極、陰極、形成在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)化合物 層。有機(jī)化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL、電子 注入層EIL。當(dāng)向陽(yáng)極和陰極施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，穿過(guò)空穴傳輸層HTL的空穴和穿過(guò)電子傳輸 層ETL的電子移動(dòng)到發(fā)光層EML并且形成激子。結(jié)果，發(fā)光層EML產(chǎn)生可見(jiàn)光。
[0005] 有機(jī)發(fā)光顯示器將均包括OLED的像素布置成矩陣形式并且根據(jù)視頻數(shù)據(jù)的灰階 調(diào)節(jié)像素的亮度。各像素包括用于控制流入OLED的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管（TFT)。優(yōu) 選地，在所有像素中，相同地設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)TFT的電特性（包括閾值電壓、遷移率等）。然而，實(shí) 際上，由于各種原因，導(dǎo)致像素的驅(qū)動(dòng)TFT的電特性不均勻。驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的偏差 導(dǎo)致像素之間的亮度偏差。
[0006] 已知補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的偏差的各種補(bǔ)償方法。補(bǔ)償方法被分類為內(nèi)部 補(bǔ)償方法和外部補(bǔ)償方法。內(nèi)部補(bǔ)償方法自動(dòng)地補(bǔ)償像素的電路內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電 壓之間的偏差。必須在不顧及驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的情況下確定流入OLED的驅(qū)動(dòng)電流，以 執(zhí)行內(nèi)部補(bǔ)償方法。因此，像素電路的構(gòu)造非常復(fù)雜。此外，內(nèi)部補(bǔ)償方法不適于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng) TFT的遷移率之間的偏差。
[0007] 外部補(bǔ)償方法測(cè)量與驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓（或遷移率）對(duì)應(yīng)的感測(cè)電壓并且基于 感測(cè)電壓通過(guò)外部電路調(diào)制視頻數(shù)據(jù)，從而補(bǔ)償閾值電壓（或遷移率）之間的偏差。在外 部補(bǔ)償方法中，一般來(lái)說(shuō)，在補(bǔ)償了閾值電壓之間的偏差之后，補(bǔ)償遷移率之間的偏差。然 而，近來(lái)，隨著顯示面板的分辨率逐漸增大，提高處理能力和批量產(chǎn)率等正變成問(wèn)題。出于 這些原因，期望的是更簡(jiǎn)單構(gòu)造的像素電路。因此，應(yīng)用外部補(bǔ)償方法的像素電路的構(gòu)造需 要更簡(jiǎn)單。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器和補(bǔ)償該有機(jī)發(fā)光顯示器的遷移 率的方法，其能夠使用利用具有更簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的像素電路的外部補(bǔ)償方法來(lái)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管（TFT)的電特性之間的偏差。
[0009] 本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種能夠提高補(bǔ)償能力的有機(jī)發(fā)光顯示器和補(bǔ)償該 有機(jī)發(fā)光顯不器的遷移率的方法。
[0010] 在一個(gè)方面，存在一種有機(jī)發(fā)光顯示器，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括：顯示面板，其包 括多個(gè)像素，每個(gè)像素使用源跟隨方式，在所述源跟隨方式中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管（TFT)的源 電壓根據(jù)在驅(qū)動(dòng)TFT的漏極和源極之間流動(dòng)的電流而改變；選通驅(qū)動(dòng)電路，其被構(gòu)造成產(chǎn) 生以所述源跟隨方式操作像素的遷移率感測(cè)選通脈沖；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，其被構(gòu)造成響應(yīng)于 所述遷移率感測(cè)選通脈沖在像素中檢測(cè)與所述驅(qū)動(dòng)TFT的遷移率對(duì)應(yīng)的感測(cè)電壓；定時(shí)控 制器，其被構(gòu)造成在所述驅(qū)動(dòng)TFT的柵-源電壓大于所述驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的時(shí)段中，設(shè) 置用于檢測(cè)所述感測(cè)電壓的遷移率感測(cè)時(shí)段，其中，所述遷移率感測(cè)時(shí)段被包括在產(chǎn)生處 于導(dǎo)通電平的所述遷移率感測(cè)選通脈沖的時(shí)段中，其中，在范圍從所述遷移率感測(cè)選通脈 沖的導(dǎo)通電平的起始時(shí)間點(diǎn)至與一幀時(shí)段的一部分對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)的預(yù)定時(shí)段中，檢測(cè)感測(cè) 電壓。
【附圖說(shuō)明】
[0011] 附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入且構(gòu)成本說(shuō)明書的部分，附圖示 出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中：
[0012] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖；
[0013] 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的像素陣列；
[0014] 圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的定時(shí)控制器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路和像素的連接結(jié)構(gòu) 連同外部補(bǔ)償像素的詳細(xì)構(gòu)造；
[0015] 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的當(dāng)感測(cè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管（TFT)的電特性時(shí)TFT 的柵電壓和源電壓的電勢(shì)變化；
[0016] 圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的遷移率感測(cè)選通脈沖、遷移率感測(cè)時(shí)段、閾值 電壓感測(cè)選通脈沖和閾值電壓感測(cè)時(shí)段之間的比較；
[0017] 圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖像顯示時(shí)段和在圖像顯示時(shí)段之前和之后 的非顯示時(shí)段；
[0018] 圖7和圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的提供另外改善補(bǔ)償能力及其結(jié)果的方 法；以及
[0019] 圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于圖像顯示驅(qū)動(dòng)的圖像顯示選通脈沖、數(shù)據(jù) 電壓等的定時(shí)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 現(xiàn)在，將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中示出實(shí)施方式的示例。在任何可能 的地方，在附圖中將始終使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同或類似的部件。應(yīng)該注意，如果確定 已知技術(shù)會(huì)誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，則將省略對(duì)已知技術(shù)的詳細(xì)描述。
[0021] 將參照?qǐng)D1至圖9描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖。圖2示出顯示面 板的像素陣列。
[0023] 如圖1和圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器包括顯示面板10、 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12、選通驅(qū)動(dòng)電路13和定時(shí)控制器11。
[0024] 顯示面板10包括：多條數(shù)據(jù)線14和感測(cè)線15 ;多條選通線16,其與數(shù)據(jù)線14和 感測(cè)線15交叉；多個(gè)像素 P，以矩陣形式分別布置在數(shù)據(jù)線14、感測(cè)線15和選通線16的交 叉處。
[0025] 各像素 P連接到數(shù)據(jù)線141至14m中的一條、感測(cè)線151至15m中的一條和選通 線161至16η中的一條。各像素 P通過(guò)數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，通過(guò)選通線接收選通脈沖，通 過(guò)感測(cè)線輸出感測(cè)電壓。即，在圖2中示出的像素陣列中，像素 P響應(yīng)于選通脈沖基于水平 行U1至L#n中的每條順序進(jìn)行操作，選通脈沖是以行順序方式從選通線 161至16η接收 的。啟動(dòng)操作的同一水平行上的像素 P從數(shù)據(jù)線141至14m接收數(shù)據(jù)電壓并且將感測(cè)電壓 輸出到感測(cè)線151至15m。
[0026] 各像素從發(fā)電機(jī)（未示出）接收高電勢(shì)驅(qū)動(dòng)電壓EVDD和低電勢(shì)驅(qū)動(dòng)電壓EVSS。 各像素 P包括有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管（TFT)、第一開關(guān)TFT和第二開關(guān) TFT、用于進(jìn)行外部補(bǔ)償?shù)拇鎯?chǔ)電容器。各像素 P的特征在于，第一開關(guān)TFT和第二開關(guān)TFT 響應(yīng)于相同的選通脈沖同時(shí)導(dǎo)通，從而減少信號(hào)線的數(shù)量。構(gòu)成像素 P的TFT可被實(shí)現(xiàn)為 P型或η型。另外，構(gòu)成像素 P的TFT的半導(dǎo)體層可包含非晶硅、多晶硅、或氧化物。
[0027] 在用于感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT的電特性（包括閾值電壓、遷移率等）的感測(cè)驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12將通過(guò)感測(cè)線15從顯示面板10接收的感測(cè)電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字值并且將數(shù)字 感測(cè)電壓供應(yīng)到定時(shí)控制器11。在用于進(jìn)行圖像顯示的圖像顯示驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電 路12基于數(shù)據(jù)控制信號(hào)DDC將從定時(shí)控制器11接收的數(shù)字補(bǔ)償數(shù)據(jù)MDATA轉(zhuǎn)換成模擬數(shù) 據(jù)電壓并且將模擬數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)到數(shù)據(jù)線14。
[0028] 選通驅(qū)動(dòng)電路13基于選通控制信號(hào)⑶C產(chǎn)生選通脈沖。選通脈沖包括均具有不 同寬度的閾值電壓感測(cè)選通脈沖、遷移率感測(cè)選通脈沖和圖像顯示選通脈沖。遷移率感測(cè) 選通脈沖的寬度可比閾值電壓感測(cè)選通脈沖的寬度小得多。在閾值電壓的感測(cè)驅(qū)動(dòng)過(guò)程 中，選通驅(qū)動(dòng)電路13可