一種多輸出元件、柵極驅(qū)動電路及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種多輸出元件、包含該多輸出元件的柵極驅(qū)動電路以及包含該柵極驅(qū)動電路的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD, Liquid Crystal Display)、有機發(fā)光顯示裝置(OLED，Organic Light Emitting D1de Display)等顯示裝置的TFT陣列基板通常包括柵極驅(qū)動電路，柵極驅(qū)動電路提供TFT陣列基板的柵極驅(qū)動信號。柵極驅(qū)動電路包括多級移位寄存器，在柵極驅(qū)動器外具有向多級移位寄存器提供驅(qū)動信號的信號線，該柵極驅(qū)動電路以及多條信號線通常位于TFT陣列基板的邊框區(qū)域。通常移位寄存器包含多個電子元件，為了保證信號強度，這些電子元件往往占有較大的面積，如何減小移位寄存器的面積，進一步窄化邊框成為當(dāng)今研發(fā)關(guān)注目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種多輸出元件、包含該多輸出元件的柵極驅(qū)動電路以及包含該柵極驅(qū)動電路的顯示裝置。
[0004]本發(fā)明提供了一種多輸出元件，包括:多個輸出端，所述多個輸出端輸出相同的信號。
[0005]本發(fā)明還提供了一種柵極驅(qū)動電路，包括級級聯(lián)的移位寄存器單元，其中M為大于O的偶數(shù)；多輸出端元件，所述多輸出端元件包括多個輸出端，所述多個輸出端輸出相同的信號。
[0006]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述柵極驅(qū)動電路。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下突出的優(yōu)點之一:
[0008]本發(fā)明實施例提供的多輸出元件、柵極驅(qū)動電路及顯示裝置，多輸出元件輸出相同的信號，采用一個多輸出元件替代多個輸入輸出信號相同的電子元件，減少了柵極驅(qū)動電路中電子元件的數(shù)量，節(jié)省了柵極驅(qū)動電路的排版面積，進一步窄化了顯示裝置的邊框。
【附圖說明】
[0009]圖1a是本發(fā)明實施例提供的一種多輸出元件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖1b是圖1a中沿AA’截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2a是本發(fā)明實施例提供的另一種多輸出元件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2b是圖2a中沿BB’截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路級聯(lián)圖；
[0014]圖4為圖3中多輸出元件10的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5是本發(fā)明實施例提供的另一種柵極驅(qū)動電路級聯(lián)圖；
[0016]圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種柵極驅(qū)動電路級聯(lián)圖；
[0017]圖7是本發(fā)明實施例提供的另一種柵極驅(qū)動電路級聯(lián)圖；
[0018]圖8是本發(fā)明實施例提供的一種液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。
[0020]需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0021]實施例一
[0022]請參考圖1a和圖lb，圖1a是本發(fā)明實施例一提供的一種多輸出元件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b是圖1a中沿AA’截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的多輸出元件具有多個輸出端，該多個輸出端輸出相同的信號。具體地，在本實施例中，該多輸出元件為一個多漏極薄膜晶體管。
[0023]具體地，請結(jié)合參考圖1a和圖lb，該多漏極薄膜晶體管為雙漏極薄膜晶體管，包括柵極121、半導(dǎo)體層131、源極141和兩個漏極，該兩個漏極為第一漏極151和第二漏極152。更具體地，柵極121位于透明基板100上，在透明基板100上依次設(shè)置柵極121、第一絕緣層111、半導(dǎo)體層131。本實施例中，該半導(dǎo)體層131為非晶硅半導(dǎo)體材料。源極141和第一漏極151、第二漏極152直接設(shè)置在半導(dǎo)體層131上，并且與半導(dǎo)體層131直接接觸。其中源極141分別與第一漏極151、第二漏極152分開設(shè)置，且第一漏極151和第二漏極152分別位于元件141的不同側(cè)。并且，在本實施例中第一漏極151、第二漏極152、源極141由同一層金屬層制備。
[0024]當(dāng)該雙漏極薄膜晶體管工作時，柵極121施加高電壓，該晶體管打開，施加到源極141上的信號，通過半導(dǎo)體層131被同時傳輸?shù)降谝宦O151和第二漏極152，第一漏極151和第二漏極152同時輸出相同的信號。即采用本實施例提供的雙漏極薄膜晶體管，可以同時輸出兩個相同的信號，當(dāng)電子設(shè)備如柵極驅(qū)動電路或者顯示裝置，當(dāng)兩個晶體管的輸入端與輸出端相同時，可以采用雙漏極薄膜晶體管替代兩個晶體管，減少了柵極驅(qū)動電路中電子元件的數(shù)量，節(jié)省了柵極驅(qū)動電路的排版面積，進一步窄化了顯示裝置的邊框。
[0025]需要說明的是，本實施例中，是以雙漏極薄膜晶體管為例進行說明的，在本發(fā)明的其他實施例中，還可以采用多個漏極的薄膜晶體管，例如可以有兩個、三個、四個等多個漏極，同時輸出多個信號，米用一個多輸出元件替代多個輸入輸出信號相同的電子元件，減少了柵極驅(qū)動電路中電子元件的數(shù)量，節(jié)省了柵極驅(qū)動電路的排版面積，進一步窄化了顯示裝置的邊框。并且，本實施例中是以雙漏極薄膜晶體管為例來進行說明的，在本發(fā)明的其他實施例中，該多輸出元件可以是多漏極MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，多發(fā)射極BJT管(bipolar junct1ntransistor,雙極性結(jié)型晶體管)等其他多輸出元件。
[0026]實施例二
[0027]請參考圖2a圖2b，圖2a是本發(fā)明實施例二
[0028]提供的另一種多輸出元件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b是圖2a中沿BB’截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的多輸出元件具有多個輸出端，該多個輸出端輸出相同的信號。具體地，在本實施例中，該多輸出元件為一個多漏極薄膜晶體管。
[0029]具體地，請結(jié)合參考圖2a和圖2b，該多漏極薄膜晶體管為雙漏極薄膜晶體管，包括兩個柵極、半導(dǎo)體層131、源極141和兩個漏極，其中，兩個柵極包括第一柵極121和第二柵極122，兩個漏極為第一漏極151和第二漏極152。更具體地，在透明基板100上依次設(shè)置第一絕緣層111，半導(dǎo)體層131和柵極121，其中，第一絕緣層111作為緩沖層，起緩沖作用。本實施例中，該半導(dǎo)體層131為多晶硅半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體層131上，設(shè)置有第二絕緣層112，第一柵極121和第二柵極122位于第二絕緣層上，并且第一柵極121和第二柵極122電連接設(shè)置，即第一柵極121與第二柵極122是同一電極的不同部分。在柵極上設(shè)置有第三絕緣層113。源極141和第一漏極151、第二漏極152直接設(shè)置在第三絕緣層113上，并分別通過第一過孔V1、第二過孔V2和第三過孔V3與半導(dǎo)體層131電連接。其中源極141分別與第一漏極151、第二漏極152分開設(shè)置，且第一漏極151和第二漏極152分別位于元件141的不同側(cè)。并且，在本實施例中第一漏極151、第二漏極152、源極141由同一層金屬層制備。
[0030]當(dāng)該雙漏極薄膜晶體管工作時，第一柵極121和第二柵極122同時施加低電壓，該晶體管打開，施加到源極141上的信號，通過半導(dǎo)體層131被同時傳輸?shù)降谝宦O151和第二漏極152，第一漏極151和第二漏極152同時輸出相同的信號。即采用本實施例提供的雙漏極薄膜晶體管，可以同時輸出兩個相同的信號，當(dāng)電子設(shè)備如柵極驅(qū)動電路或者顯示裝置的兩個晶體管的輸入端與輸出端相同時，可以采用雙漏極薄膜晶體管替代兩個晶體管，減少了柵極驅(qū)動電路中電子元件的數(shù)量，節(jié)省了柵極驅(qū)動電路的排版面積，進一步窄化了顯示裝置的邊框。
[0031]需要說明的是，本實施例中，是以雙漏極薄膜晶體管為例進行說明的，在本發(fā)明的其他實施例中，還可以采用多個漏極的薄膜晶體管，例如可以有兩個、三個、四個等多個漏極，同時輸出多個信號，米用一個多輸出元件替代多個輸入輸出信號相同的電子元件，減少了柵極驅(qū)動電路中電子元件的數(shù)量，節(jié)省了柵極驅(qū)動電路的排版面積，進一步窄化了顯示裝置的邊框。并且，本實施例中是以雙漏極薄膜晶體管為例來進行說明的，在本發(fā)明的其他實施例中，該多輸出元件可以是多漏極MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，多發(fā)射極BJT管(bipolar junct1ntransistor,雙極性結(jié)型晶體管)等其他多輸出元件。
[0032]實施例三
[0033]請參考圖3，圖3是本發(fā)明實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路級聯(lián)圖，本實施例提供的柵極驅(qū)動電路包括M級級聯(lián)的移位寄存器單元，其中M為大于O的偶數(shù)。圖中用SRl?SRM表示級聯(lián)的移位寄存器，SRm表示第m級移位寄存器，m為大于I小于M的自然數(shù)。
[0034]如圖3中所示，本實施例提供的柵極驅(qū)動電路中，每一級