像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)為自發(fā)光材料，不需用到背光板，同時(shí)視角廣、畫質(zhì)均勻、反應(yīng)速度快、較易彩色化、用簡單驅(qū)動電路即可達(dá)到發(fā)光、制程簡單、可制作成撓曲式面板，符合輕薄短小的原則，因此OLED的應(yīng)用范圍涵蓋各尺寸面板。
[0003]OLED的壽命一直是各大廠商關(guān)注的重點(diǎn)，OLED本身在發(fā)光過程中發(fā)生老化，導(dǎo)致亮度降低，其中老化機(jī)理有OLED器件中的缺陷，OLED自身材料劣化等多種，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)OLED發(fā)光后，再次加載反向壓差，可以起到延長OLED壽命的效果?，F(xiàn)有的AMOLED(Active-matrix organic light emitting d1de，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)像素驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中，少有針對OLED器件本身老化進(jìn)行優(yōu)化的像素驅(qū)動電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中不存在針對OLED器件本身老化進(jìn)行優(yōu)化的像素驅(qū)動電路從而導(dǎo)致OLED器件壽命短的問題。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動發(fā)光二極管0LED，包括驅(qū)動晶體管、存儲電容和數(shù)據(jù)寫入單元；所述驅(qū)動晶體管，柵極通過所述數(shù)據(jù)寫入單元接入數(shù)據(jù)電壓，第一極與所述OLED的陰極連接，第二極接地；所述存儲電容連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述驅(qū)動晶體管的第一極之間；所述OLED的陽極接入驅(qū)動電壓；所述數(shù)據(jù)寫入單元接入第η行掃描信號，用于在所述第η行掃描信號有效時(shí)將所述數(shù)據(jù)電壓寫入所述驅(qū)動晶體管的柵極；
[0006]所述像素驅(qū)動電路還包括:
[0007]反向控制單元，接入第η-2行掃描信號，并與所述OLED的陰極連接，用于在所述第η-2行掃描信號有效時(shí)，控制所述OLED的陰極接入所述第η_2行掃描信號；所述第η_2行掃描信號的電壓大于所述驅(qū)動電壓，η為大于2的整數(shù)。
[0008]實(shí)施時(shí)，所述反向控制單元包括:反向控制晶體管，柵極和第一極接入所述第η-2行掃描信號，第二極與所述OLED的陰極連接。
[0009]實(shí)施時(shí)，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路還包括:
[0010]關(guān)斷控制單元，接入第η-1行掃描信號，并分別與所述OLED的陽極和所述OLED的陰極連接，用于在所述第η-1行掃描信號有效時(shí)控制導(dǎo)通所述OLED的陽極與所述OLED的陰極之間的連接。
[0011]實(shí)施時(shí)，所述關(guān)斷控制單元包括:
[0012]關(guān)斷控制晶體管，柵極接入所述第η-1行掃描信號，第一極與所述OLED的陽極連接，第二極與所述OLED的陰極連接。
[0013]本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，用于驅(qū)動上述的像素驅(qū)動電路，所述驅(qū)動方法包括:
[0014]當(dāng)所述第η-2行掃描信號有效時(shí)，控制OLED的陰極接入所述第η_2行掃描信號；所述第η-2行掃描信號的電壓大于所述驅(qū)動電壓，η為大于2的整數(shù)；
[0015]當(dāng)所述第η行掃描信號有效時(shí)，數(shù)據(jù)電壓寫入單元控制將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動晶體管的柵極。
[0016]實(shí)施時(shí)，本發(fā)明所述的驅(qū)動方法還包括:
[0017]當(dāng)?shù)讦?1行掃描信號有效時(shí)，關(guān)斷控制單元控制導(dǎo)通所述OLED的陽極與所述OLED的陰極之間的連接。
[0018]本發(fā)明還提供了一種移位寄存器，包括N級上述的像素驅(qū)動電路，N為大于2的整數(shù)；
[0019]第η級像素驅(qū)動電路分別接入第η行掃描信號和第η-2行掃描信號，η為大于2而小于或等于N的整數(shù)。
[0020]實(shí)施時(shí)，第η級像素驅(qū)動電路還接入第η-1行掃描信號。
[0021]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述的移位寄存器。
[0022]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置，在一幀畫面顯示的最后時(shí)刻在OLED兩端加載反向壓差，可以防止OLED器件的老化，起到延長OLED壽命的效果。
【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0027]圖4是本發(fā)明再一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖5是本發(fā)明一具體實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0030]本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中第一極可以為源極或漏極，第二極可以為漏極或源極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為η型晶體管或P型晶體管。在本發(fā)明實(shí)施例提供的驅(qū)動電路中，所有晶體管均是以η型晶體管為例進(jìn)行的說明，可以想到的是在采用P型晶體管實(shí)現(xiàn)時(shí)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明的實(shí)施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0031]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動發(fā)光二極管OLED，包括驅(qū)動晶體管M1、存儲電容Cs和數(shù)據(jù)寫入單元10 ;
[0032]所述驅(qū)動晶體管Ml，柵極通過所述數(shù)據(jù)寫入單元10接入數(shù)據(jù)電壓Vdata，第一極與所述OLED的陰極連接，第二極與地端GND連接；
[0033]所述存儲電容Cs連接于所述驅(qū)動晶體管Ml的柵極與所述驅(qū)動晶體管Ml的第一極之間；
[0034]所述OLED的陽極接入驅(qū)動電壓Vdd ；
[0035]所述數(shù)據(jù)寫入單元10接入第η行掃描信號Vscan (η)，用于在所述第η行掃描信號Vscan (η)有效時(shí)將所述數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入所述驅(qū)動晶體管Ml的柵極；
[0036]所述像素驅(qū)動電路還包括:
[0037]反向控制單元11，接入第η-2行掃描信號Vscan (η-2)，并與所述OLED的陰極連接，用于在所述第η-2行掃描信號Vscan(η-2)有效時(shí)，控制所述OLED的陰極接入所述第η-2行掃描信號Vscan(η-2)，使得所述OLED兩端加載反向壓差；所述第η_2行掃描信號Vscan (η-2)的電壓大于所述驅(qū)動電壓Vdd，η為大于2的整數(shù)。
[0038]在如圖1所示的像素驅(qū)動電路的實(shí)施例中，所述驅(qū)動晶體管Ml為η型TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶體管)，在實(shí)際操作時(shí)，所述驅(qū)動晶體管Ml也可以替換為p型TFT，晶體管的類型更換為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述。
[0039]本發(fā)明如圖1所示的實(shí)施例所述的像素驅(qū)動電路通過采用反向控制單元，以控制在一幀畫面顯示的最后時(shí)刻在OLED兩端加載反向壓差，同時(shí)OLED關(guān)斷不發(fā)光，可以在利用現(xiàn)有的掃描信號，無需增加新的控制信號的前提下對OLED器件本身的老化進(jìn)行優(yōu)化，延緩OLED亮度衰減，起到延長OLED壽命的效果。
[0040]具體的，如圖2所示，所述反向控制單元11可以包括:反向控制晶體管M2，柵極和第一極接入所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2)，第二極與所述OLED的陰極連接；
[0041]在如圖2所示的實(shí)施例中，所述反向控制晶體管M2為η型TFT，在實(shí)際操作時(shí)，所述反向控制晶體管M2也可以替換為P型TFT，只需相應(yīng)的第η-2行掃描信號Vscan (η-2)的極性變化即可，晶體管的類型更換為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述；
[0042]當(dāng)所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2)有效時(shí)，即所述第η_2行掃描信號Vscan(η-2)為高電平時(shí)，所述反向控制晶體管M2導(dǎo)通，使得所述OLED的陰極接入所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2)，由于所述第η_2行掃描信號Vscan (η-2)的電壓大于所述驅(qū)動電壓Vdd，所以此時(shí)所述OLED兩端加載反向壓差，同時(shí)OLED關(guān)斷不發(fā)光，以對OLED的老化進(jìn)行優(yōu)化，延緩OLED亮度衰減，延長OLED的壽命。
[0043]在具體實(shí)施時(shí)，如圖3所示，所述數(shù)據(jù)寫入單元10可以包括數(shù)據(jù)寫