電光裝置、電子設(shè)備和驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電光裝置以及電子設(shè)備。詳細(xì)而言，涉及電光裝置中的靜電對(duì)策。進(jìn) 一步地，涉及驅(qū)動(dòng)電路等。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為電光裝置，已知具有實(shí)施了制造期間以及使用期間的靜電破壞防止對(duì)策的電 路基板的電光裝置（專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 上述專利文獻(xiàn)1記載的電路基板具備形成于基板上的多個(gè)端子、和形成于彼此相 鄰的端子間的電阻，多個(gè)端子中連接于模擬端子的電阻是示出了比連接于數(shù)字端子的電阻 高的電阻值的構(gòu)成。由此，既能夠?qū)λ卸俗又\求通過電阻進(jìn)行的靜電保護(hù)、又能夠排除模 擬端子中的串?dāng)_的產(chǎn)生。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2004-152901號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的問題
[0008] 然而，若要導(dǎo)入靜電對(duì)策用的電阻，則需要修正以往的布線圖案。若以往的布線圖 案復(fù)雜或高精細(xì)化，則存在布線圖案的修正困難這樣課題。
[0009] 用于解決問題的手段
[0010] 本發(fā)明是用于解決上述問題的至少一部分而做出的，能夠以以下的實(shí)施方式或應(yīng) 用例實(shí)現(xiàn)。
[0011] [應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的電光裝置的特征在于，具備像素電路和對(duì)所述像素電路進(jìn) 行驅(qū)動(dòng)控制的周邊電路，所述周邊電路具有附加于所述周邊電路中的初級(jí)電路以及最終級(jí) 電路中至少一方的電路所包含的晶體管的電阻。
[0012] 在對(duì)像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的周邊電路，在布線布局的關(guān)系中，連接有面積比像 素電路大的布線（例如，電源布線、定電位布線等），因此，該布線成為天線而容易招引靜 電。即，周邊電路容易發(fā)生靜電破壞。
[0013] 根據(jù)本應(yīng)用例，具有附加于周邊電路中的初級(jí)電路以及最終級(jí)電路中至少一方的 電路所包含的晶體管的電阻，因此，即使靜電進(jìn)入周邊電路，也能夠利用該電阻消耗靜電。 即，能夠提供具備對(duì)靜電耐受性強(qiáng)的周邊電路的電光裝置。
[0014] [應(yīng)用例2]也可以是，在上述應(yīng)用例的電光裝置中，所述電阻串聯(lián)地附加于所述 晶體管的柵極與柵極布線之間、所述晶體管的源極與源極布線之間、和所述晶體管的漏極 與漏極布線之間中至少一方。
[0015] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠減少靜電對(duì)周邊電路的晶體管的破壞。
[0016] [應(yīng)用例3]也可以是，在上述應(yīng)用例的電光裝置中，所述電阻為設(shè)置于所述晶體 管的柵極與柵極布線之間、所述晶體管的源極與源極布線之間、和所述晶體管的漏極與漏 極布線之間中至少一方的接觸部，所述接觸部的大小比所述周邊電路中的除了初級(jí)電路以 及最終級(jí)電路以外的電路所包含的晶體管的接觸部的大小小。
[0017][應(yīng)用例4]也可以是，在上述應(yīng)用例的電光裝置中，所述電阻為設(shè)置于所述晶體 管的柵極與柵極布線之間、所述晶體管的源極與源極布線之間、和所述晶體管的漏極與漏 極布線之間中至少一方的接觸部，所述接觸部的數(shù)量比所述周邊電路中的除了初級(jí)電路以 及最終級(jí)電路以外的電路所包含的晶體管的接觸部的數(shù)量少。
[0018] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠減少靜電對(duì)周邊電路的晶體管的破壞。另外，由于通過改變 接觸部的大小、數(shù)量來設(shè)置靜電對(duì)策用的電阻，因此，即便不新附加靜電對(duì)策用的電阻也可 以，周邊電路中的布線圖案無需變復(fù)雜。
[0019][應(yīng)用例5]也可以是，在上述應(yīng)用例的電光裝置中，所述晶體管具備半導(dǎo)體層，該 半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域和與所述溝道區(qū)域相接的LDD區(qū)域即輕摻雜漏極區(qū)域，所述電阻為 所述LDD區(qū)域，所述LDD區(qū)域的LDD長(zhǎng)度比所述周邊電路的除了初級(jí)電路以及最終級(jí)電路 以外的電路所包含的晶體管的LDD區(qū)域的LDD長(zhǎng)度大。
[0020] [應(yīng)用例6]也可以是，在上述應(yīng)用例的電光裝置中，所述晶體管具備半導(dǎo)體層，該 半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域和與所述溝道區(qū)域相接的LDD區(qū)域即輕摻雜漏極區(qū)域，所述電阻為 所述LDD區(qū)域，所述LDD區(qū)域的雜質(zhì)離子的劑量（doseamount)比所述周邊電路的除了初 級(jí)電路以及最終級(jí)電路以外的電路所包含的晶體管的LDD區(qū)域的雜質(zhì)離子的劑量小。
[0021] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過增大LDD區(qū)域的長(zhǎng)度、或減小LDD區(qū)域中的雜質(zhì)離子的劑量， 從而該LDD區(qū)域作為靜電對(duì)策用的電阻發(fā)揮作用，因此，能夠減少靜電對(duì)周邊電路的晶體 管的破壞。另外，由于將LDD區(qū)域設(shè)為靜電對(duì)策用的電阻，因此，即便不新附加靜電對(duì)策用 的電阻也可以，周邊電路中的布線圖案無需變復(fù)雜。
[0022] [應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例記載的電光裝置。
[0023] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于具備針對(duì)制造中或使用中的靜電采取了對(duì)策的電光裝置，因 此，能夠提供性價(jià)比（CostPerformance)優(yōu)異、與以往相比對(duì)于靜電耐受性強(qiáng)的電子設(shè)備。
【附圖說明】
[0024] 圖1(a)是表示液晶裝置的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖，圖1 (b)是沿著圖1(a)所示的液晶 裝置的H-H'線的概略剖視圖。
[0025] 圖2是表示液晶裝置的電結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。
[0026] 圖3是數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路中的邏輯電路圖。
[0027] 圖4是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的一例的電路圖。
[0028] 圖5(a)是表示實(shí)施例1的初級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖，圖5 (b)是表 示實(shí)施例1的第2級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0029] 圖6 (a)是表示實(shí)施例2的初級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖，圖6 (b)是表 示實(shí)施例2的第2級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0030] 圖7 (a)是表示實(shí)施例3的初級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖，圖7 (b)是表 示實(shí)施例3的第2級(jí)電路的晶體管的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0031] 圖8是表示投影型顯示裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 以下，依照【附圖說明】將本發(fā)明具體化了的實(shí)施方式。此外，為了說明的部分成為能 夠識(shí)別的狀態(tài)，使用的附圖通過適當(dāng)放大或縮小而進(jìn)行表示。
[0033] 此外，在以下的實(shí)施方式中，例如在記載為"在基板上"的情況下，表示：以接觸于 基板上的方式配置的情況、或隔著其他構(gòu)成物配置于基板上的情況、或一部分接觸于基板 上且一部分隔著其他構(gòu)成物配置于基板上的情況等。
[0034] (第1實(shí)施方式）
[0035] 在本實(shí)施方式中，例舉具備薄膜晶體管（ThinFilmTransistor;TFT)作為像素的 開關(guān)元件的有源矩陣型的液晶裝置而進(jìn)行說明。該液晶裝置例如能夠適宜地用作后述的投 影型顯示裝置（液晶投影機(jī)）的光調(diào)制元件（液晶光閥）。
[0036]〈液晶裝置〉
[0037] 首先，參照?qǐng)D1以及圖2說明作為本實(shí)施方式的電光裝置的液晶裝置。圖1(a)是 表示液晶裝置的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖，圖1(b)是沿著圖1(a)所示的液晶裝置的H-H'線的概 略剖視圖。圖2是表示液晶裝置的電結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。
[0038] 如圖1(a)以及（b)所示，作為本實(shí)施方式的電光裝置的液晶裝置100具有：相對(duì) 向配置的元件基板10以及對(duì)向基板20,和由該一對(duì)基板夾持的液晶層50。元件基板10的 基材l〇s以及對(duì)向基板20的基材20s均使用透明的基板，例如石英基板、玻璃基板。
[0039] 元件基板10比對(duì)向基板20大，兩基板經(jīng)由沿對(duì)向基板20的外緣配置的密封材料 40而隔有間隔地貼合，在該間隔封入具有正或負(fù)的電介質(zhì)各向異性的液晶而構(gòu)成液晶層 50。密封材料40例如采用熱固化性或紫外線固化性的環(huán)氧樹脂等粘接劑。在密封材料40 中混入有用于將一對(duì)基板的上述間隔保持為一定的間隔件（省略圖示）。
[0040] 在密封材料40的內(nèi)側(cè)設(shè)置有包括排列為矩陣狀的多個(gè)像素P的像素區(qū)域E。另 外，在密封材料40與像素區(qū)域E之間以包圍像素區(qū)域E的方式設(shè)置有劃分部21。劃分部 21例如由遮光性的金屬或金屬氧化物等構(gòu)成。此外，像素區(qū)域E除了包括有助于顯示的多 個(gè)像素P之外，還可以包括以圍繞多個(gè)像素P的方式配置的虛設(shè)像素。另外，雖在圖1中省 略圖示，在對(duì)向基板20,在像素區(qū)域E中設(shè)置有俯視看將多個(gè)像素P的各自劃分的遮光部 (黑矩陣；BM)。
[0041] 在元件基板10設(shè)置有排列有多個(gè)外部連接端子104的端子部。在沿著該端子部 的第1邊部與密封材料40之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101。另外，在沿著與第1邊部相對(duì) 向的第2邊部的密封材料40和像素區(qū)域E之間設(shè)置有檢查電路103。而且，在沿著與第1 邊部正交且彼此相對(duì)向的第3以及第4邊部的密封材料40與像素區(qū)域E之間設(shè)置有掃描 線驅(qū)動(dòng)電路102。在第2邊部的密封材料40與檢查電路103之間設(shè)置有將2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng) 電路102相連的多個(gè)布線105。
[0042] 與上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路102相連的布線連接于沿著第1邊部 排列的多個(gè)外部連接端子104。以后，將沿著第1邊部的方向設(shè)為X方向，將沿著第3邊部 的方向設(shè)為Y方向進(jìn)行說明。此外，檢查電路103的配置不限于此，也可以設(shè)置于沿著數(shù)據(jù) 線驅(qū)動(dòng)電路101與像素區(qū)域E之間的密封材料40的內(nèi)側(cè)的位置。
[0043] 如圖1 (b)所示，在元件基板10的液晶層50側(cè)的表面形成有按各個(gè)像素P設(shè)置的 透光性的像素電極15以及作為開關(guān)元件的薄膜晶體管（以后，稱作TFT)30、信號(hào)布線、和 覆蓋上述像素電極15、薄膜晶體管30以及信號(hào)布線的取向膜18。另外，采用防止光入射到 TFT30中的半導(dǎo)體層而導(dǎo)致開關(guān)動(dòng)作不穩(wěn)定的遮光構(gòu)造。元件基板10包括基材10s、和形 成于基材l〇s上的像素電極15、TFT30、信號(hào)布線、取向膜18。
[0044] 與元件基板10相對(duì)向配置的對(duì)向基板20包括基材20s、形成于基材20s上的劃分 部21、以覆蓋該劃分部的方式成膜而成的平坦化層22、覆蓋平坦化層22、至少遍及像素區(qū) 域E設(shè)置的共用電極23、以及覆蓋共用電極23的取向膜24。