主動(dòng)元件陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種基板，且特別是有關(guān)于一種主動(dòng)元件陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示科技的日益進(jìn)步，人們借著顯示器的輔助可使生活更加便利，為求顯示器輕、薄的特性，促使平面的顯示面板(flat panel display，F(xiàn)PD)，成為目前的主流。一般而言，顯示面板的像素結(jié)構(gòu)至少包括主動(dòng)元件以及與主動(dòng)元件電性連接的像素電極。主動(dòng)元件用來作為顯示單元的開關(guān)元件。主動(dòng)元件包括與掃描線電性連接的柵極、與柵極重疊設(shè)置的半導(dǎo)體圖案層、與數(shù)據(jù)線以及半導(dǎo)體圖案層一端電性連接的源極以及與半導(dǎo)體圖案層另一端電性連接的漏極。為了減少主動(dòng)元件的漏電，一般而言，像素結(jié)構(gòu)更包括配置于半導(dǎo)體層下方的遮光圖案層，以減少半導(dǎo)體層的受光量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供多種主動(dòng)元件陣列基板，能改善串音(cross talk)現(xiàn)象。
[0004]本發(fā)明的一主動(dòng)元件陣列基板，包括第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一主動(dòng)元件、第一像素電極、第二主動(dòng)元件、第二像素電極以及第一遮蔽圖案層。第一主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第一柵極、與第一柵極重疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體圖案層、與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第一數(shù)據(jù)線電性連接的第一源極以及與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接的第一漏極。第一像素電極與第一主動(dòng)元件的第一漏極電性連接。第二主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第二柵極、與第二柵極重疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體圖案層、與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第二數(shù)據(jù)線電性連接的第二源極以及與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接的第二漏極。第二像素電極與第二主動(dòng)元件的第二漏極電性連接。第一遮蔽圖案層與第一半導(dǎo)體圖案層以及第二半導(dǎo)體圖案層重疊。第一遮蔽圖案層與第二數(shù)據(jù)線重疊且不與第一數(shù)據(jù)線重疊。
[0005]本發(fā)明的另一主動(dòng)元件陣列基板，包括第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一主動(dòng)元件、第一像素電極、第二主動(dòng)元件、第二像素電極以及遮蔽圖案層。第一主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第一柵極、與第一柵極重疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體圖案層、與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第一數(shù)據(jù)線電性連接的第一源極以及與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接的第一漏極。第一像素電極與第一主動(dòng)元件的第一漏極電性連接。第二主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第二柵極、與第二柵極重疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體圖案層、與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第二數(shù)據(jù)線電性連接的第二源極以及與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接的第二漏極。第二像素電極與第二主動(dòng)元件的第二漏極電性連接。遮蔽圖案層與第一半導(dǎo)體圖案層重疊。第二半導(dǎo)體圖案層不與任何遮蔽圖案層重疊。
[0006]本發(fā)明的又一主動(dòng)元件陣列基板，包括多個(gè)第一重復(fù)單元以及與第一重復(fù)單元搭配排列的多個(gè)第二重復(fù)單元。每一重復(fù)單元包括第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一主動(dòng)元件、第一像素電極、第二主動(dòng)元件、第二像素電極以及第一遮蔽圖案層。第一主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第一柵極、與第一柵極重疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體圖案層、與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第一數(shù)據(jù)線電性連接的第一源極以及與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接的第一漏極。第一像素電極與第一主動(dòng)元件的第一漏極電性連接。第二主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第二柵極、與第二柵極重疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體圖案層、與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第二數(shù)據(jù)線電性連接的第二源極以及與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接的第二漏極。第二像素電極與第二主動(dòng)元件的第二漏極電性連接。第一遮蔽圖案層與第一半導(dǎo)體圖案層以及第二半導(dǎo)體圖案層重疊。第一遮蔽圖案層與第二數(shù)據(jù)線重疊且不與第一數(shù)據(jù)線重疊。每一第二重復(fù)單元包括至少一掃描線、至少一數(shù)據(jù)線、與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接的至少一主動(dòng)元件、與至少一主動(dòng)元件電性連接的至少一像素電極以及對(duì)應(yīng)主動(dòng)元件設(shè)置的至少一遮光圖案層。
[0007]本發(fā)明的再一主動(dòng)元件陣列基板，包括多個(gè)第一重復(fù)單元以及與第一重復(fù)單元搭配排列的多個(gè)第二重復(fù)單元。每一第一重復(fù)單元包括第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一主動(dòng)元件、第一像素電極、第二主動(dòng)元件、第二像素電極以及遮蔽圖案層。第一主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第一柵極、與第一柵極重疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體圖案層、與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第一數(shù)據(jù)線電性連接的第一源極以及與第一半導(dǎo)體圖案層電性連接的第一漏極。第一像素電極與第一主動(dòng)元件的第一漏極電性連接。第二主動(dòng)元件包括與第一掃描線電性連接的第二柵極、與第二柵極重疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體圖案層、與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接且與第二數(shù)據(jù)線電性連接的第二源極以及與第二半導(dǎo)體圖案層電性連接的第二漏極。第二像素電極與第二主動(dòng)元件的第二漏極電性連接。遮蔽圖案層與第一半導(dǎo)體圖案層重疊。第二半導(dǎo)體圖案層不與任何遮蔽圖案層重疊。每一第二重復(fù)單元包括至少一掃描線、至少一數(shù)據(jù)線、與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接的至少一主動(dòng)元件、與至少一主動(dòng)元件電性連接的至少一像素電極以及對(duì)應(yīng)主動(dòng)元件設(shè)置的至少一遮光圖案層。
[0008]基于上述，在本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板中，第一遮蔽圖案層同時(shí)與相鄰的第一半導(dǎo)體圖案層以及第二半導(dǎo)體圖案層重疊。藉此，第二半導(dǎo)體圖案層與第二遮蔽圖案層之間的電容能夠補(bǔ)償?shù)谝话雽?dǎo)體圖案層與第一遮蔽圖案層之間的電容與對(duì)第一像素電極位準(zhǔn)的影響，進(jìn)而改善串音問題。
[0009]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0011]圖2為根據(jù)圖1的剖線A-A’及B-B’所繪的第一重復(fù)單元的剖面示意圖。
[0012]圖3為圖1的第一重復(fù)單元100的等效電路示意圖。
[0013]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0014]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0015]圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0016]圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0017]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的第二重復(fù)單元的上視示意圖。
[0018]圖9為本發(fā)明再一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0019]圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0020]圖11為本發(fā)明另一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0021]圖12為本發(fā)明又一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0022]圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0023]圖14為本發(fā)明又一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的上視示意圖。
[0024]圖15為本發(fā)明再一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0025]圖16為本發(fā)明一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0026]圖17為本發(fā)明另一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。
[0027]10、30:基底
[0028]100、100A、300、300A、300B、300C:第一重復(fù)單元
[0029]110、120、120A、210、310、320、310A、320A、320B、330:半導(dǎo)體圖案層
[0030]110c、120c、310c、320c:中心部
[0031]112a、112b、122a、122b、212a、212b、312a、312b、322a、322b:通道區(qū)
[0032]113a、113b、115a、115b、123a、123b、125a、125b、213a、213b、215a、215b、313a、313b、315a、315b、323a、323b、325a、325b、332a、332b、333a、333b、335a、335b:淺摻雜區(qū)
[0033]114、124、214、314、324、334:連接區(qū)
[0034]116、126、216、316、326、336:源極區(qū)
[0035]118、128、218、318、328、338:漏極區(qū)
[0036]200:第二重復(fù)單元
[0037]1000、1000A?1000G:主動(dòng)元件陣列基板
[0038]A-A\ B-B?:剖線
[0039]Cl ?C5、C1，?C5，:電容
[0040]CFl?CF3:濾光圖案層
[0041]DL1、DL2、DL3、DL:數(shù)據(jù)線
[0042]D1、D2、D3、D:漏極
[0043]G1、G2、G3、G:柵極
[0044]Gll、G12、G21、G22、G31、G32、gl、g2:柵極區(qū)
[0045]GI1、GI2、GI3、GI4:絕緣層
[0046]Gila、Glib、GI2a、GI2b、GI2c、GI2d、GI3a、GI3b、GI3c、GI3d:開口
[0047]PE1、PE2、PE3、PE:像素電極
[0048]S1、S2、S3、S:源極
[0049]SLl、SL:掃描線
[0050]SM1、SM2、SM3、SM:遮蔽圖案層
[0051]T1、T2、T3、T:主動(dòng)元件
[0052]x、y:方向
【具體實(shí)施方式】
[0053]遮光圖案層的設(shè)置使得耦合電容過高，進(jìn)而造成串音(cross talk)、負(fù)載過高等問題，且不利于顯示面板的開口率。
[0054]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的第一重復(fù)單元的上視示意圖。圖2為根據(jù)圖1的剖線A-A’及B-B’所繪的第一重復(fù)單元的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，第一重復(fù)單元100搭載于基底10?；?0可為透光基板、或不透光/反光基板。透光基板的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物或其它可適用的材料。不透光/反光基板的材質(zhì)可為導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料。
[0055]每一第一重復(fù)單元100包括第一掃描線SLl (標(biāo)示于圖1)、第一數(shù)據(jù)線DLl (標(biāo)示于圖1)、第二數(shù)據(jù)線DL2 (標(biāo)示于圖1)、第一主動(dòng)元件Tl、第一像素電極PEl、第二主動(dòng)元件T2、第二像素電極PE2以及第一遮蔽圖案層SMl。如圖1所示，第一掃描線SLl與第一、二數(shù)據(jù)線DL1、DL2交錯(cuò)。舉例而言，在本實(shí)施例中，第一、二數(shù)據(jù)線DL1、DL2可相平行，而第一掃描線SLl與第一數(shù)據(jù)線DLl可相垂直，但本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，第一掃描線SLl與第一、二數(shù)據(jù)線DLl、DL2亦可以其他適當(dāng)方式配置。第一、二數(shù)據(jù)線DLl、DL2 ;例如為依序且相鄰設(shè)置，換句話說，第一、二數(shù)據(jù)線DL1、DL2之間例如為不設(shè)置與其他主動(dòng)元件連接的數(shù)據(jù)線?；趯?dǎo)電性的考慮，第一掃描線SLl與第一、二數(shù)據(jù)線DL1、DL2 —般是使用金屬材料，但本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，第一掃描線SLl與第一、二數(shù)據(jù)線DL1、DL2亦可以使用其他導(dǎo)電材料，例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。
[0056]第一主動(dòng)元件Tl包括與第一掃描線SLl (標(biāo)示于圖1)電性連接的第一柵極G1、與第一柵極Gl重疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體圖案層110、與第一半導(dǎo)體圖案層110和第一數(shù)據(jù)線DLl電性連接的第一源極SI以及與第一半導(dǎo)體圖案層110電性連接的第一漏極D1。第一像素電極PEl與第一主動(dòng)元件Tl的第一漏極Dl電性連接。詳言之，本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板更包括絕緣層GIl (標(biāo)示于圖2)。絕緣層GIl覆蓋第一漏極Dl且具有暴露出第一漏極Dl的開口 Gila。第一像素電極PEl配置于絕緣層GIl上，且填入絕緣層GIl的開口 Glla，以和