第二有源層114的第二漏區(qū)114D的側(cè)面。這里，第二漏接觸孔164D穿過存儲絕緣膜126、柵絕緣膜112、第二漏區(qū)114D以及第一層間絕緣膜128和第二層間絕緣膜116，并且暴露第二漏區(qū)114D的側(cè)面。
[0036]在柵絕緣膜112上形成第二有源層114以使其設(shè)置在第二柵極106上方。這種第二有源層114包括第二溝道區(qū)114C、彼此相對設(shè)置并且第二溝道區(qū)114C插置在其間的第二源區(qū)114S和第二漏區(qū)114D。第二溝道區(qū)114C形成在柵絕緣膜112上，并且與第二柵極106交疊，柵絕緣膜112插置在第二溝道區(qū)114C與第二柵極106之間。η型或ρ型雜質(zhì)被注入到第二源區(qū)114S，第二源區(qū)114S的側(cè)面通過第二源接觸孔142S暴露并且連接到電力線PL。η型或ρ型雜質(zhì)被注入到第二漏區(qū)114D，第二漏區(qū)114D通過第二漏接觸孔164D暴露并且連接到第二漏極110。
[0037]當(dāng)向第2n(這里，η為自然數(shù))掃描線SL(例如，SL2)提供掃描脈沖時，第二開關(guān)晶體管ST2導(dǎo)通，并且利用通過基準電壓線RL提供的基準電壓Vref來將第二節(jié)點n2初始化，如圖3和圖4所示。
[0038]為了這個目的，第二開關(guān)晶體管ST2包括與第2n (這里，η為自然數(shù))掃描線SL連接的第三柵極172、被包括在基準電壓線RL中的第三源極、與第三源極104相對設(shè)置的第二漏極110以及在第三源極和第二漏極110之間形成溝道部分的第三有源層176。
[0039]第三源極被包括在基準電壓線RL中并且通過暴露第三源區(qū)176S的側(cè)面的第三源接觸孔174S連接到第三有源層176的第三源區(qū)176S的側(cè)面。這里，按照與第一源接觸孔124S相同的方式，第三源接觸孔174S穿過存儲絕緣膜126、柵絕緣膜112、第三源區(qū)176S以及第一層間絕緣膜128和第二層間絕緣膜116，并且暴露第三源區(qū)176S的側(cè)面。
[0040]第三有源層176從第二有源層114延伸并且形成在柵絕緣膜112上，使得被設(shè)置在第三柵極172上方。這種第三有源層176包括與第二漏區(qū)114D連接的第三溝道區(qū)176C以及與第二漏區(qū)114D相對設(shè)置并且第三溝道區(qū)176C插置在其間的第三源區(qū)176S。
[0041]第三溝道區(qū)176C與第三柵極172交疊，并且柵絕緣膜112插置在第三溝道區(qū)176C與第三柵極172之間。η型或ρ型雜質(zhì)被注入到第三源區(qū)176S，第三源區(qū)176S通過第三源接觸孔152S暴露并且連接到基準電壓線RL。
[0042]在有機發(fā)光二極管0LED中，當(dāng)電壓施加到陽極132與陰極136之間時，來自第一電極132的空穴和來自第二電極136的電子在光發(fā)射層中復(fù)合，生成激子，并且當(dāng)激子返回到基態(tài)時，發(fā)射光。為了這一目的，有機發(fā)光二極管0LED包括與驅(qū)動晶體管DT的第二漏極110連接的陽極132、形成在陽極132上的有機公共層134以及形成在有機公共層134上的陰極136。
[0043]陽極132是透明電極，陰極136是反射電極。在這種情形下，圖3和圖4所示的有機發(fā)光顯示器通過其底面(即，基板101)發(fā)射光。根據(jù)陽極132和陰極136的材料，圖3和圖4所示的有機發(fā)光顯示器可以通過其頂面(S卩，陰極136)發(fā)射光，或者通過其頂面和底面這二者發(fā)射光。因此，陽極132和陰極136的材料不限于此。
[0044]有機公共層134包括按照順序或相反的順序在陽極132上層疊的空穴相關(guān)層、光發(fā)射層和電子相關(guān)層，它們通過由堤絕緣膜130形成的堤孔暴露。這里，堤絕緣膜130通過同一個工藝與間隔體138—體形成，以維持單元間隙。因而，一個微間隔體138和堤絕緣膜130同時形成，進而，減少了所使用的掩模的數(shù)量并且降低了工藝時間和成本。
[0045]存儲電容器Cst包括與第一節(jié)點nl連接的第一電極以及與第二節(jié)點n2連接的第二電極，如圖2中所示，并且存儲了第一節(jié)點nl與第二節(jié)點n2之間的電壓差。通過存儲在存儲電容器Cst中的電壓，即使開關(guān)晶體管ST1截止，驅(qū)動晶體管DT提供均勻的電流直到提供下一幀的數(shù)據(jù)信號為止，并且維持有機發(fā)光二極管0LED的光發(fā)射。
[0046]因此，存儲電容器Cst是通過與第二電極(即，形成在基板101上的存儲電極140)和第一電極(即，驅(qū)動晶體管DT的第二柵極106)交疊而形成的，并且存儲絕緣膜126插置在其間，如圖4和圖5所示。存儲電極140通過第二源接觸孔164D暴露并且連接到驅(qū)動晶體管DT的第二漏極110。存儲電極140是通過沉積低電阻金屬(例如，鋁(A1)、諸如鋁-釹(AINd)的鋁合金、銅(Cu)、銅合金、鉬(Mo)和鉬-鈦(Mo-Ti)中的一種或至少兩種)而形成的。驅(qū)動晶體管DT的第二柵極106通過第一漏接觸孔124D暴露并且連接到第一開關(guān)晶體管ST1的第一漏極108。
[0047]如上所述，在本發(fā)明的實施方式中，在無需任何附加的摻雜工藝的情況下由低電阻金屬形成的存儲電極140以及第二柵極106被設(shè)置在第二有源層114的下方，以便與第二有源層114交疊，進而能夠使存儲電容器Cst的面積最大并且實現(xiàn)高分辨率。
[0048]進一步地，在本發(fā)明的該實施方式中，由于第二柵極106被設(shè)置在第二有源層114下方，如圖5所示，可以防止第二有源層114的結(jié)晶工藝期間生成的第二有源層114的突起與第二柵極106之間的電短路，進而可以改進可靠性。此外，由于第一柵極156和第三柵極172位于第一有源層154和第三有源層176下方，可以防止第一有源層154和第三有源層176的突起與第一柵極156和第三柵極172之間的電短路，進而可以改進可靠性。
[0049]進一步地，在本發(fā)明的該實施方式中，由于諸如從由柔性材料(諸如聚酰亞胺)形成的基板101引入的移動電荷的雜質(zhì)被存儲電極140阻擋，所以可以防止驅(qū)動晶體管DT的電流劣化，進而可以改進可靠性。
[0050]圖6A到圖14B是例示圖3和圖4所示的有機發(fā)光顯示器的制造方法的平面圖和截面圖。
[0051]參照圖6A和圖6B，第一存儲電極140通過第一掩模工藝形成在基板101上。
[0052]更詳細地，第一存儲電極140是通過在基板101的整個上表面上層疊低電阻金屬層并且然后通過利用第一掩模的光刻和蝕刻將低電阻金屬層圖案化而形成的。
[0053]參照圖7A和圖7B，存儲絕緣膜126以及包括掃描線SL和第一柵極到第三柵極156、106和172的柵圖案順序地形成在設(shè)置有存儲電極140的基板101上。
[0054]更詳細地，存儲絕緣膜126通過將無機絕緣材料(諸如S1x或SiNx)沉積在設(shè)置有存儲電極140的基板101的整個上表面上而形成。此后，包括掃描線SL以及第一柵極到第三柵極156、106和172的柵圖案通過在存儲絕緣膜126上層疊柵金屬層并且然后通過利用第二掩模的光刻和蝕刻將柵金屬層圖案化而形成。
[0055]參照圖8A和圖8B，柵絕緣膜112以及第一有源層至第三有源層154、114和176順序地形成在設(shè)置有柵圖案的基板101上。
[0056]更詳細地，柵絕緣膜112是通過將無機絕緣材料(諸如S1x或SiNx)沉積在設(shè)置有柵圖案的基板101的整個上表面上形成的。此后，在柵絕緣膜112的整個上表面上沉積非晶硅薄膜。通過脫氫工藝從非晶硅薄膜中去除氫，在脫氫工藝中，對沉積有非晶硅薄膜的基板101施加熱。脫氫工藝可以防止由于激光結(jié)晶工藝期間包括在非晶硅薄膜中的氫與腔內(nèi)存在的氧的反應(yīng)導(dǎo)致的非晶硅薄膜的表面特性的劣化。在脫氫工藝后，通過經(jīng)由熱處理使非晶硅結(jié)晶來形成多晶硅薄膜。第一有源層至第三有源層154、114和176是通過經(jīng)由利用第三掩模的光刻和蝕刻將多晶硅薄膜圖案化而形成的。
[0057]參照圖9A和圖9B，第一層間絕緣膜128被形成在設(shè)置有第一有源層至第三有源層154、114和176的基板101上，并且形成了第一有源層至第三有源層154、114和176的源區(qū)154SU14S和176S以及漏區(qū)154D和114D。
[0058]更詳細地，第一層間絕緣膜128是通過將無機絕緣材料(諸如S1x或SiNx)沉積在設(shè)置有第一有源層154和第二有源層114的基板101的整個上表面上形成的。
[0059]此后，在第一層間絕緣膜128的整個上表面上沉積光刻膠，通過經(jīng)由利用第四掩模的光刻將光刻膠圖案化來在第一層間絕緣膜128上形成光刻膠圖案。通過利用光刻圖案作為掩模將η型或ρ型雜質(zhì)注入到第一有源層至第三有源層154、114和176來形成第一有源層至第三有源層154、114