顯示設(shè)備的制造方法
【專利說明】顯示設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年8月5日提交于韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2014-0100700號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過弓I用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]在有機發(fā)光顯示設(shè)備中，薄膜晶體管(TFT)可位于每個(子)像素中以控制每個(子)像素的亮度。這種TFT根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)信號控制(子)像素的亮度。
[0005]然而，一般的顯示設(shè)備的(子)像素中實現(xiàn)的亮度可與取決于接收到的數(shù)據(jù)信號的亮度不同。因此，顯示在一般顯示設(shè)備上的圖像會具有惡化的品質(zhì)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的一個或多個實施方式包括用于防止顯示圖像的品質(zhì)惡化的顯示設(shè)備。
[0007]附加的方面將部分地記載于下面的描述中，并且將部分地通過描述而變得明確或者可通過當前的實施方式的實踐而習得。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式，顯示設(shè)備包括具有源電極、漏電極和柵電極的薄膜晶體管、位于不同于源電極、漏電極和柵電極的層中并且配置成傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線、以及位于數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的部件之間的屏蔽層。
[0009]屏蔽層可位于源電極與數(shù)據(jù)線之間、漏電極與數(shù)據(jù)線之間、或者柵電極與數(shù)據(jù)線之間中的至少一處。
[0010]顯示設(shè)備還可包括存儲電容器，該存儲電容器包括第一存儲電容器板和第二存儲電容器板，第二存儲電容器板與第一存儲電容器板重疊并且位于第一存儲電容器板上方，數(shù)據(jù)線可位于第二存儲電容器板上方的層中，第二存儲電容器板可包括屏蔽層，并且屏蔽層可在柵電極與數(shù)據(jù)線之間延伸或者在數(shù)據(jù)線下方延伸。
[0011 ] 第一存儲電容器板可電耦合至柵電極。
[0012]第一存儲電容器板和柵電極可形成為一體。
[0013]柵電極可包括第一柵電極和第二柵電極，屏蔽層可位于數(shù)據(jù)線與位于薄膜晶體管的第一柵電極與第二柵電極之間的部件之間。
[0014]顯示設(shè)備還可包括存儲電容器，存儲電容器包括第一存儲電容器板和第二存儲電容器板，第二存儲電容器板與第一存儲電容器板重疊并且位于第一存儲電容器板上方，數(shù)據(jù)線可位于第二存儲電容器板上方的層中，以及第二存儲電容器板可包括屏蔽層，并且在數(shù)據(jù)線與部件之間、薄膜晶體管的第一柵電極和第二柵電極之間、或者在數(shù)據(jù)線下方中的至少一處延伸。
[0015]顯示設(shè)備還可包括驅(qū)動薄膜晶體管，驅(qū)動薄膜晶體管包括電耦合至第一存儲電容器板的驅(qū)動柵電極以及電耦合至源電極的驅(qū)動漏電極，并且第一存儲電容器板可電耦合至漏電極。
[0016]顯示設(shè)備還可包括:存儲電容器，存儲電容器包括第一存儲電容器板和第二存儲電容器板，第二存儲電容器板與第一存儲電容器板重疊并且位于第一存儲電容器板上方；以及初始化電壓線，配置成向電耦合至第一存儲電容器板的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動柵電極傳送初始化電壓，初始化電壓線可位于與第二存儲電容器板相同的層中，漏電極可電耦合至第一存儲電容器板，并且源電極可電耦合至初始化電壓線，數(shù)據(jù)線可位于第二存儲電容器板上方的層中，并且屏蔽層可與初始化電壓線集成并且在數(shù)據(jù)線與部件之間、薄膜晶體管的第一柵電極和第二柵電極之間的部件上方、或者在數(shù)據(jù)線下方中的至少一處延伸。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式，顯示設(shè)備包括薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、存儲電容器、以及初始化電壓線，其中，薄膜晶體管包括源電極、漏電極和柵電極，數(shù)據(jù)線位于與源電極、漏電極和柵電極不同的層中并且數(shù)據(jù)線配置成傳送數(shù)據(jù)信號，存儲電容器包括電耦合至漏電極的第一存儲電容器板以及位于不同于第一存儲電容器板的層中并且與第一存儲電容器板重疊的第二存儲電容器板，初始化電壓線配置成向電耦合至第一存儲電容器板的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動柵電極傳送初始化電壓并且電耦合至源電極，其中，柵電極包括第一柵電極和第二柵電極，第一柵電極和第二柵電極中的一個至少部分地位于薄膜晶體管的第一柵電極與第二柵電極之間的部件與數(shù)據(jù)線之間。
[0018]第一柵電極和第二柵電極中的一個可在數(shù)據(jù)線下方或上方延伸。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式，顯示設(shè)備包括具有源電極、漏電極和柵電極的薄膜晶體管、位于與源電極、漏電極和柵電極不同的層中并且配置成傳送控制信號的控制信號線、以及位于控制信號線與薄膜晶體管的部件之間的屏蔽層。
【附圖說明】
[0020]通過結(jié)合附圖的實施方式的以下描述，這些方面和/或其他方面將變得明確且更容易理解，在附圖中:
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的(子)像素的電路圖；
[0022]圖2是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖1的(子)像素中的多個薄膜晶體管(TFT)和電容器的位置的示意圖；
[0023]圖3至圖6是按照各個層來示出圖2的多個TFT和電容器的部件的示意圖；
[0024]圖7是沿圖2的線VI1-VII取得的剖視圖；
[0025]圖8是根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖；
[0026]圖9是沿圖2的線IX-1X取得的剖視圖；
[0027]圖10是沿圖2的線X-X取得的剖視圖；
[0028]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的(子)像素中的多個TFT和電容器的位置的示意圖；以及
[0029]圖12是沿圖11的線XI1-XII取得的剖視圖。
【具體實施方式】
[0030]通過參考下面的對于實施方式以及附圖的詳細描述，可更加容易理解本發(fā)明的一個或多個實施方式的方面和特征以及實現(xiàn)其的方法。由此，本實施方式可具有不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為受限于本文中所記載的描述。相反，這些實施方式被提供以便本公開將是更加透徹且完整，并且將本實施方式的概念更加全面地傳遞給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，并且本發(fā)明將僅通過隨附的權(quán)利要求書及其等同物來限定。
[0031]在下文中，將在下面參照附圖對本發(fā)明的一個或多個實施方式進行更加詳細的描述。與附圖編號無關(guān)地，相同或相對應(yīng)的那些部件賦予相同的參考編號，并且省略冗余的解釋。
[0032]應(yīng)理解，當層、區(qū)域或部件被稱為“形成在”另一層、區(qū)域或部件“上”時，其可直接或間接地形成在另一層、區(qū)域或部件上。即，例如，可存在有中間層、區(qū)域或部件。為了解釋的便利起見，附圖中的元件的大小可被夸大。換言之，因為為了解釋的便利起見部件在附圖中的大小和厚度是被任意示出的，所以下面的實施方式并不限于此。
[0033]在下面的示例中，X-軸線、y_軸線和Z-軸線并不限于直角坐標系的三個軸線，并且可被解釋成更寬泛的含義。例如，X-軸線、y-軸線和Z-軸線可彼此垂直，或者可表示并不彼此垂直的不同的方向。
[0034]如本文中所使用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。
[0035]圖1是根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的(子)像素的等效電路圖。
[0036]如圖1中所示，根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的(子)像素包括多個信號線、耦合至多個信號線的多個薄膜晶體管(TFT)、存儲電容器Cst、以及有機發(fā)光器件OLED。此處，多個信號線可由多個(子)像素共享。
[0037]多個TFT包括驅(qū)動TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、以及發(fā)射控制TFT T6。
[0038]多個信號線包括傳送掃描信號Sn的掃描線121、向初始化TFT T4傳送先前掃描信號Sn-1的先前掃描線122、向操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6傳送發(fā)射控制信號En的發(fā)射控制線123、與掃描線121交叉并且傳送數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù)據(jù)線171、傳送驅(qū)動電壓ELVDD并且?guī)缀跖c數(shù)據(jù)線171平行布置的驅(qū)動電壓線172、以及傳送用于初始化驅(qū)動TFT Tl的初始化電壓Vint的初始化電壓線124。
[0039]驅(qū)動TFT Tl的柵電極Gl耦合至存儲電容器Cst的第一存儲電容器板Cstl，驅(qū)動TFT Tl的源電極SI經(jīng)由操作控制TFT T5耦合至驅(qū)動電壓線172，并且驅(qū)動TFT Tl的漏電極Dl經(jīng)由發(fā)射控制TFT T6電耦合至有機發(fā)光器件OLED的像素電極。根據(jù)開關(guān)TFT T2的開關(guān)操作，驅(qū)動TFT Tl接收數(shù)據(jù)信號Dm并且將驅(qū)動電流IaED供給至有機發(fā)光器件0LED。
[0040]開關(guān)TFT T2的柵電極G2耦合至掃描線121，開關(guān)TFT T2的源電極S2耦合至數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)TFT T2的漏電極D2耦合至驅(qū)動TFT Tl的源電極SI以及經(jīng)由操作控制TFT T5耦合至驅(qū)動電壓線172。這種開關(guān)TFT T2根據(jù)經(jīng)由掃描線121接收到的掃描信號Sn而被導通，并且通過將來自數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號Dm傳送至驅(qū)動TFT Tl的源電極SI來執(zhí)行開關(guān)操作。
[0041]補償TFT T3的柵電極G3耦合至掃描線121，補償TFT T3的源電極S3耦合至驅(qū)動TFT Tl的漏電極Dl并經(jīng)由發(fā)射控制TFT T6耦合至有機發(fā)光器件OLED的像素電極，并且補償TFT T3的漏電極D3耦合至存儲電容器Cst的第一存儲電容器板Cstl、初始化TFTΤ4的漏電極D4以及驅(qū)動TFT Tl的柵電極Gl。這種補償TFT Τ3根據(jù)經(jīng)由掃描線121接收到的掃描信號Sn而被導通，并且通過使驅(qū)動TFT Tl的柵電極Gl與漏電極Dl電耦合而二極管連接驅(qū)動TFT Tl。
[0042]初始化TFT Τ4的柵電極G4耦合至先前掃描線122，初始化TFT Τ4的源電極S4耦合至初始化電壓線124，