成VaED。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管112的柵源電壓Vgs是V_的函數(shù)(Vgs = Vd2-V 0LED) ο
[0044]在第四周期162期間，選擇線SEL上的電壓是低電平以關(guān)斷開(kāi)關(guān)晶體管118，并且驅(qū)動(dòng)晶體管112被節(jié)點(diǎn)A處的存儲(chǔ)電容器116上的電荷開(kāi)啟。讀取線RD上的電壓是高電平以開(kāi)啟讀取晶體管119，并且經(jīng)由監(jiān)視器線Μ0Ν來(lái)獲取驅(qū)動(dòng)晶體管112的電流的第二采樣。
[0045]如果驅(qū)動(dòng)電流的第一采樣和第二采樣不相同，那么調(diào)整Vdata線上的電壓Vd2，改變編程電壓Vd2，并且重復(fù)采樣操作和調(diào)整操作直到驅(qū)動(dòng)電流的第二采樣與第一采樣相同為止。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流的兩個(gè)采樣相同時(shí)，那么，兩個(gè)柵源電壓應(yīng)當(dāng)也是相同的，也就是說(shuō):
[0046]V0LED= Vd2 - Vgs
[0047]= Vd2 - (Vdl - Vb - Vds3)
[0048]= Vd2 - Vdl+Vb+Vds3o
[0049]在一些操作時(shí)間(t)之后，VaED在時(shí)間0和時(shí)間t之間的變化為Δ V 0LED =V0LED(t) -Voled(O) = Vd2(t)-Vd2 (0)o由此，編程電壓Vd2(t)與Vd2(0)之間的差值可用于提取0LED電壓。
[0050]圖2C是圖2A所示的像素110的另一組示例性操作周期的變形的示意性時(shí)序圖，其中對(duì)驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行單次讀取并對(duì)所讀取的值與已知參照值進(jìn)行對(duì)比。例如，參照值可以是由控制器推導(dǎo)的用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管112的由老化導(dǎo)致的劣化的驅(qū)動(dòng)電流期望值。可以通過(guò)在兩種方法(受VaED影響的方法和不受￥_所影響的方法)中使用固定電壓對(duì)像素進(jìn)行編程時(shí)測(cè)量的像素電流之間的差值來(lái)提取0LED電壓VaED。于是，該差值以及像素的電流電壓特性可用于提取VaED。
[0051]在圖2C中的示例性時(shí)序圖的第一周期200期間，選擇線SEL是高電平以開(kāi)啟開(kāi)關(guān)晶體管118，并且讀取線RD是低電平以關(guān)斷讀取晶體管119。數(shù)據(jù)線Vdata經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管118向節(jié)點(diǎn)A供應(yīng)電壓Vd2。在第二周期201期間，選擇線SEL是低電平以關(guān)斷開(kāi)關(guān)晶體管118，并且讀取線RD是高電平以開(kāi)啟讀取晶體管119。監(jiān)視器線Μ0Ν經(jīng)由讀取晶體管119向節(jié)點(diǎn)B供應(yīng)電壓Vref，同時(shí)經(jīng)由讀取晶體管119和監(jiān)視器線Μ0Ν讀取驅(qū)動(dòng)電流值。將該讀取的值與驅(qū)動(dòng)電流的已知參照值進(jìn)行對(duì)比，如果讀取的值和驅(qū)動(dòng)電流的參照值不同，那么，使用電壓Vd2的調(diào)整值來(lái)重復(fù)周期200和201。重復(fù)上述處理直到讀取值和驅(qū)動(dòng)電流的參照值大體上相同為止，且然后Vd2的調(diào)整值可用于確定VaED。
[0052]圖3是兩個(gè)像素110a和110b的電路圖，該電路圖與圖2A中所示的像素相似，但是經(jīng)過(guò)變形以共用公共監(jiān)視器線Μ0Ν，盡管仍然允許分別對(duì)每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電流以及0LED電壓進(jìn)行獨(dú)立的測(cè)量。兩個(gè)像素110a和110b位于同一行但位于不同的列，并且這兩個(gè)列共用同一監(jiān)視器線Μ0Ν。在測(cè)量周期期間，當(dāng)其他像素被編程為關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管112的同時(shí)，使用有效電壓僅對(duì)選擇的用于測(cè)量的像素進(jìn)行編程。由此，一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管將不會(huì)對(duì)其他像素中的電流測(cè)量產(chǎn)生影響。
[0053]圖4示出了經(jīng)變形的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，該系統(tǒng)雖然仍允許獨(dú)立地測(cè)量每個(gè)單獨(dú)像素10的驅(qū)動(dòng)電流和0LED電壓，但采用了由多列像素共用的讀出電路300。雖然在圖4中僅示出了四列，應(yīng)當(dāng)理解的是，典型的顯示器包含大得多的列數(shù)，并且它們?nèi)磕軌蚴褂孟嗤淖x出電路?；蛘?，可以采用多個(gè)讀出電路，其中每個(gè)讀出電路仍被多個(gè)列共用，使得讀出電路的數(shù)量顯著地小于列數(shù)。在使用使各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管關(guān)斷的電壓對(duì)所有其他的共用相同的柵極信號(hào)的像素進(jìn)行編程時(shí)，使用有效電壓對(duì)在任何給定時(shí)間選擇的用于測(cè)量的像素進(jìn)行編程。因而，其他像素的驅(qū)動(dòng)晶體管將不會(huì)對(duì)選擇的像素正在進(jìn)行的電流測(cè)量產(chǎn)生影響。另夕卜，當(dāng)選擇的像素中的驅(qū)動(dòng)電流用于測(cè)量OLED電壓時(shí)，OLED電壓的測(cè)量也與其他像素的驅(qū)動(dòng)晶體管無(wú)關(guān)。
[0054]圖5示出了包括像素陣列的固態(tài)器件中的像素電路中的一個(gè)像素電路。在圖示的像素電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管500與諸如光電器件501等負(fù)載串聯(lián)連接。像素電路的其余部件502連接到測(cè)量線503，測(cè)量線503允許提取驅(qū)動(dòng)部件和/或受驅(qū)動(dòng)負(fù)載的特性以用于進(jìn)一步校正固態(tài)器件的性能。在該示例中，光電器件是0LED，但可以使用任何其它器件。
[0055]多個(gè)列對(duì)測(cè)量(監(jiān)視器)線的共用可以減小占用面積。然而，監(jiān)視器線的共用影響了 0LED測(cè)量。在多數(shù)情況下，使用共用監(jiān)視器線的相鄰列之中的一個(gè)列中的0LED將干擾相鄰列之中的另一列中的選擇的0LED的測(cè)量。
[0056]在本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)測(cè)量0LED電壓或電流對(duì)另一像素元件的影響來(lái)間接地測(cè)量0LED特性。
[0057]在本發(fā)明的又一方面，具有共用監(jiān)視器線的相鄰像素的0LED被強(qiáng)制成已知狀態(tài)(stage)。在不同的狀態(tài)下測(cè)量選擇的0LED的特性，且根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)來(lái)提取選擇的0LED的特性。
[0058]在本發(fā)明的另一方面，使用驅(qū)動(dòng)晶體管將0LED采樣強(qiáng)制成已知狀態(tài)。這里，將驅(qū)動(dòng)晶體管編程為全導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可改變電源線，以使0LED狀態(tài)與驅(qū)動(dòng)TFT特性無(wú)關(guān)。例如，在像素電路具有η型晶體管以及0LED處于驅(qū)動(dòng)晶體管的源極處的情況下，可將驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電壓(例如，電源)強(qiáng)制成低于(或接近于)驅(qū)動(dòng)晶體管的全導(dǎo)通電壓。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管將充當(dāng)開(kāi)關(guān)，以用于將0LED電壓強(qiáng)制成等于驅(qū)動(dòng)TFT的漏極電壓。
[0059]在本發(fā)明的再一方面，選擇的0LED的狀態(tài)由測(cè)量線控制。因此，測(cè)量線可將選擇的0LED的特性傳遞到測(cè)量電路，而沒(méi)有受到來(lái)自與測(cè)量線連接的另一 0LED的顯著影響。
[0060]在本發(fā)明的另又一方面，將與共用監(jiān)視器線連接的所有0LED采樣的狀態(tài)強(qiáng)制成已知狀態(tài)。測(cè)量特性，并接著將選擇的0LED設(shè)定成不受測(cè)量線控制。然后，測(cè)量選擇的0LED采樣的特性。使用兩次測(cè)量之間的差異來(lái)消除來(lái)自不需要的0LED采樣的任何可能的干擾。
[0061]在本發(fā)明的再又一方面，將不需要的0LED采樣的電壓強(qiáng)制成等于測(cè)量線的電壓。因此，沒(méi)有電流從0LED線流入測(cè)量線。
[0062]圖6示出了共用相鄰像素電路的公共監(jiān)視器線602的一對(duì)像素電路，相鄰像素電路分別具有用于驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的光電器件601a、601b的驅(qū)動(dòng)晶體管600a、600b。相鄰像素電路還分別具有寫(xiě)入晶體管603a、603b、讀取晶體管604a、604b、存儲(chǔ)電容器605a、605b和數(shù)據(jù)線606a、606b?？蓪⑸厦婕昂竺婷枋龅姆椒☉?yīng)用到不同的像素電路，且此僅僅是示例。
[0063]在第一階段期間，將電壓Vdd設(shè)定為監(jiān)視器線的電壓，且將驅(qū)動(dòng)晶體管600a、600b編程為處于全導(dǎo)通狀態(tài)。在讀取晶體管604a、604b導(dǎo)通時(shí)，測(cè)量這些晶體管和監(jiān)視器線602中的電流。該電流包括至監(jiān)視器線的泄露電流和其它非理想電流。如果忽略泄露電流(和非理想電流)，可以省略本階段。而且，如果驅(qū)動(dòng)晶體管非常穩(wěn)定，則不需要改變驅(qū)動(dòng)電壓
Vddo
[0064]在第二階段期間，將選擇的0LED的驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)定為關(guān)斷狀態(tài)。因而，相應(yīng)的光電器件受監(jiān)視器線602控制。再次測(cè)量監(jiān)視器線602的電流。
[0065]針對(duì)監(jiān)視器線上的固定電壓，這些測(cè)量能夠凸顯出光電器件的電流變化?？梢葬槍?duì)不同的OLED電壓重復(fù)測(cè)量，以完全獲取0LED器件的特性。
[0066]在器件處于待機(jī)時(shí)，顯示器能夠顯示一些基本信息。例如，在一些可穿戴設(shè)備(例如，智能手表或健身帶)中，顯示器顯示始終顯示一些內(nèi)容。這種情況下的挑戰(zhàn)在于與顯示器相關(guān)的功率消耗。此功率既包括源自像素中的背光源或發(fā)光器件的靜態(tài)功率，還包括與顯示器刷新相關(guān)的動(dòng)態(tài)功率。
[0067]為了減小靜態(tài)功率，可以降低顯示器的亮度，或可以僅開(kāi)啟顯示器的一部分處于開(kāi)啟主體，并關(guān)閉其余部分(或使該部分處于低亮度)。這也有助于動(dòng)態(tài)功率消耗的減小，這是因?yàn)閮H顯示器的小部分受到編程。
[0068]圖7示出了具有分段式電源Vddl_Vdd5以用于節(jié)省功率的顯示器。這里，向顯示器的五個(gè)水平分段中的每個(gè)分段提供不同的電壓，從而能夠單獨(dú)地控制每個(gè)分段的電壓。將每個(gè)分段指定到不同的電壓，或者使其從任意電壓水平斷開(kāi)連接。例如，如圖7所示，在待機(jī)模式中，僅第3個(gè)分段可以開(kāi)啟。因此，僅需要將用于第3分段的內(nèi)容傳送