器件的其他元件或構(gòu)成所述器件的方法沒(méi)有特別的限制，但 可使用相關(guān)領(lǐng)域中已知的所有任選的材料或方法，只要其被用于0LED即可。
[0114] 本申請(qǐng)的另一方面提供一種制造用于0ED的基板的方法。
[0115] 換句話說(shuō)，本申請(qǐng)可涉及一種制造用于0ED的基板的方法，所述方法包括在形成于 柔性基膜上的無(wú)機(jī)材料層之上、之下或之中形成彈性模量為20GPa至400GPa的彈性層。
[0116] 所述無(wú)機(jī)材料層的材料和結(jié)構(gòu)可包括在上述0ED中描述的所有材料和結(jié)構(gòu)，且所 述無(wú)機(jī)材料層可通過(guò)已知方法中的任何一種形成至一定范圍的厚度:所述厚度可以防止無(wú) 機(jī)材料層的部分結(jié)晶，所述已知方法包括上述用于形成單層膜或多層膜的ALD且沒(méi)有限制。
[0117] 換句話說(shuō)，本申請(qǐng)的無(wú)機(jī)材料層可通過(guò)應(yīng)用上述用于形成無(wú)機(jī)材料層的方法中任 何一種或至少兩種來(lái)形成。例如，可以使用上述用于形成無(wú)機(jī)材料層的材料和ALD來(lái)形成在 預(yù)定厚度范圍內(nèi)的單一的無(wú)機(jī)材料層。
[0118] 此外，例如，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行形成第一子層的過(guò)程以及使用不同于第一子層的材料 和ALD形成第二子層的過(guò)程，可形成多層結(jié)構(gòu)的無(wú)機(jī)材料層?？蓪⒌谝蛔訉雍偷诙訉拥暮?度確定在合適的范圍內(nèi)以防止結(jié)晶，例如，如上所述的7nm或更低。
[0119] 形成無(wú)機(jī)材料層的方法的實(shí)例，S卩ALD的原理，可通過(guò)以下解釋:沉積由固體材料 如AB形成的薄膜，所述固體材料如AB通過(guò)使用氣體型材料例如AX和BY作為源材料并產(chǎn)生氣 體型副產(chǎn)物如XY而形成，且化學(xué)反應(yīng)式簡(jiǎn)單地示于反應(yīng)式1中。
[0120] [反應(yīng)式1]
[0121] AX(氣體)+BY(氣體)-AB(固體)+XY(氣體）
[0122] 換句話說(shuō)，根據(jù)ALD，所提供的氣體型ΑΧ材料被吸附至基板的表面，剩余的ΑΧ使用 惰性材料例如氬氣來(lái)除去，并且所提供的氣體型BY材料與吸附至基板上的ΑΧ反應(yīng)。之后，可 重復(fù)進(jìn)行除去剩余的BY和副產(chǎn)物XY的過(guò)程。
[0123] 根據(jù)ALD，無(wú)機(jī)材料層可在基膜上形成至期望厚度，并可以防止無(wú)機(jī)材料層的部分 結(jié)晶。
[0124] 具體而言，使用ALD，可形成具有7nm或更小厚度的本申請(qǐng)的無(wú)機(jī)材料層的第一子 層和第二子層。由于此厚度，可防止所期望的無(wú)機(jī)材料層的部分結(jié)晶。
[0125] 此外，第一子層和第二子層可以交替形成，從而形成具有多層結(jié)構(gòu)的無(wú)機(jī)材料層。
[0126] 考慮到第一電極層和基膜的上述范圍的折射率，可以適當(dāng)?shù)剡x擇無(wú)機(jī)材料層對(duì)于 550nm的波長(zhǎng)的折射率，并且例如，無(wú)機(jī)材料層的折射率可為1.8至2.2。折射率的范圍可通 過(guò)基膜的折射率、子層的厚度以及用于形成子層的材料的類(lèi)型來(lái)確定。
[0127]本申請(qǐng)的彈性層可通過(guò)用于形成無(wú)機(jī)材料層或子層的已知方法中的任何一種例 如MLD或iCVD來(lái)形成。
[0128] 本申請(qǐng)的iCVD采用使用自由基的鏈聚合，且具體而言，可指通過(guò)使引發(fā)劑和單體 蒸發(fā)而在蒸汽相中進(jìn)行聚合反應(yīng)來(lái)沉積聚合物薄膜的方法。
[0129] 本申請(qǐng)的單體可為用于形成用于有機(jī)電子器件的基板的上述材料中的任何一種， 所述單體使用自由基聚合，并沉積在基膜或無(wú)機(jī)材料層上，從而形成iCVD層，且沒(méi)有限制。
[0130] 有益效果
[0131] 本申請(qǐng)可提供用于器件的基板，所述基板通過(guò)防止由于其中有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料 混合的結(jié)構(gòu)中的內(nèi)部應(yīng)力而發(fā)生的中間層剝離而具有優(yōu)異的耐久性。此外，本申請(qǐng)可提供 使用所述基板的0ED，其具有除優(yōu)異的耐久性之外的其他期望的物理性質(zhì)，例如優(yōu)異的光提 取效率。
【附圖說(shuō)明】
[0132]圖1至3示出了示例性基板的結(jié)構(gòu)。
[0133] [附圖標(biāo)記](méi)
[0134] 10:柔性基膜 [0135] 20:無(wú)機(jī)材料層
[0136] 30:彈性層
【具體實(shí)施方式】
[0137]在下文中，將參照本申請(qǐng)的實(shí)施例和非本申請(qǐng)的對(duì)比實(shí)施例詳細(xì)描述本申請(qǐng)的示 例性實(shí)施方案。然而，本申請(qǐng)的范圍不限于下文公開(kāi)的實(shí)施方案。
[0138] [實(shí)施例1]
[0139] 在基膜聚酰亞胺(PI)膜上通過(guò)以下方法交替地形成阻擋層Al2〇3層和彈性層MLD層 (三甲基鋁(TMA)和乙二醇(EG)的結(jié)合層，彈性模量:約20GPa至約200GPa(23°C))。PI膜被設(shè) 置于作為載體基板的玻璃基板上。隨后，重復(fù)進(jìn)行用于形成彈性層的MLD和用于形成阻擋層 的ALD。此處，作為阻擋層的Al2〇3層由折射率為約1.5至約1.8的材料在獨(dú)立沉積過(guò)程中形 成，而MLD層由折射率為約1.45至約1.7的材料在獨(dú)立沉積過(guò)程中形成。Al2〇3層通過(guò)在約200 °C下借助已知的ALD交替地吸附作為前體的三甲基鋁層和水(H20)層而形成。此外，MLD層通 過(guò)在約100°C下借助已知的MLD交替地吸附作為前體的三甲基鋁和乙二醇而形成。所形成的 層的結(jié)構(gòu)與通過(guò)重復(fù)AI2O3層(厚度:0.5至30mm)/MLD層(厚度:200至500mm)的結(jié)構(gòu)2.5至3次 而形成的結(jié)構(gòu)相同。
[0140] 隨后，通過(guò)已知的濺射方法在上述層上形成包含氧化銦錫（ΙΤ0)的空穴注入電極 層，并通過(guò)沉積依序形成包含N，N' -二-[(1-萘基)-N，N' -二苯基]-1，Γ-聯(lián)苯基)-4，4 ' -二 胺(α-NPD)的空穴注入層和包含4,4'，4"'_三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA;Firpic，TCTA; Fire6)的發(fā)光層。隨后，在所述發(fā)光層上通過(guò)共沉積電子傳輸化合物TCTA和低折射率材料 LiF(折射率:約1.39)來(lái)形成厚度為約70nm的低折射率有機(jī)層，以使得全部層的折射率為約 1.66。隨后，通過(guò)借助真空沉積在低折射率有機(jī)層上形成作為電子注入反射電極的鋁(A1) 電極而制造器件。隨后，在手套箱中，在Ar氣體氣氛下將封裝結(jié)構(gòu)粘附至器件上，從而制造 OED〇
[0141][實(shí)施例2]
[0142] 包含彈性模量為25GPa至130GPa的用于0ED的基板的0ED通過(guò)以下方法來(lái)制造:借 助與實(shí)施例1所描述相同的方法來(lái)形成層，并改變進(jìn)行MLD和ALD的循環(huán)次數(shù)以滿足方程式 1〇
[0143][方程式1]
[0144] 0.2<Na/(Na+Nb) <0.8
[0145] 在方程式1中，Να為包含于基板中的ALD層的數(shù)目，且Nb為包含于基板中的MLD層的 數(shù)目。
[0146][實(shí)施例3]
[0147] 通過(guò)與實(shí)施例1中所述相同的方法來(lái)制造0ED，不同之處在于包含AI2O3層（厚度： 0.5至30nm)/iCVD層(厚度:200至500nm)的堆疊結(jié)構(gòu)的用于0ED的基板通過(guò)以下過(guò)程形成： 將作為彈性層的使用三乙烯基三甲基環(huán)三硅氧烷(V3D3)的iCVD層（彈性模量：約4GPa至約 8GPa(23°C)，折射率:約1.5至約1.6)而非MLD層施用或誘導(dǎo)至PI膜的表面或作為阻擋層的 Al2〇3層的表面。所述iCVD層由作為單體的V3D3以及作為引發(fā)劑的叔丁基過(guò)氧化物（TBP， 97%41扣丨(^)形成，并且用保持在約250°(3至約300°(3下的燈絲來(lái)使單體和引發(fā)劑混合物 中的引發(fā)劑熱分解，并在PI膜或阻擋層(ai2〇3)的表面上誘導(dǎo)聚合反應(yīng)，其中溫度被保持在 30°C至 40°C。
[0148][實(shí)施例4至7]
[0149] 用于0ED的基板以及包含所述基板的0ED通過(guò)與實(shí)施例3所述相同的方法來(lái)制造， 不同之處在于，用于形成iCVD層的單體類(lèi)型和堆疊循環(huán)次數(shù)發(fā)生改變，如表1所示。
[0150][對(duì)比實(shí)施例1]
[0151] 基板和0ED通過(guò)與實(shí)施例1所述相同的方法來(lái)制造，不同之處在于，沒(méi)有形成MLD 層，僅形成厚度與實(shí)施例1中的彈性層和無(wú)機(jī)材料層的總厚度相同的阻擋層。
[0152][實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1]
[0153] 在實(shí)施例1至7和對(duì)比實(shí)施例1中所制造的0ED在相同條件下運(yùn)行之后，在PI膜和無(wú) 機(jī)材料層之間的界面以及無(wú)機(jī)材料層和電極層之間的界面處觀察剝離和/或裂縫的產(chǎn)生。 結(jié)果是，在對(duì)比實(shí)施例1的器件中，在PI膜和無(wú)機(jī)材料層之間的界面以及無(wú)機(jī)材料層和電極 層之間的界面處觀察到了剝離和裂縫，但在實(shí)施例1至7中，沒(méi)有觀察到這種缺陷。
[0154][表1]
[0155]
[0156] TMA:三甲基鋁
[0157] EG:乙二醇
[0158] V3D3:三乙烯基三甲基環(huán)三硅氧烷
[0159] Π)ΕΑ:1Η，1Η，2Η，2Η-全氟癸基（甲基)丙烯酸酯
[0160] GMA:(甲基)丙烯酸縮水甘油酯
[0161] ΗΕΜΑ:(甲基)丙烯酸2-輕乙酯
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于有機(jī)電子器件(OED)的基板，包含： 柔性基膜； 存在于所述基膜之上的無(wú)機(jī)材料層；以及 存在于所述無(wú)機(jī)材料層之上、之下或之中且包含在23°C下彈性模量為20GPa至400GPa 的材料的彈性層。2. 權(quán)利要求1的基板，其中所述基膜的霧度為3 %至30 %。3. 權(quán)利要求1的基板，其中所述基膜對(duì)于波長(zhǎng)為550nm的光的折射率為1.7或更高。4. 權(quán)利要求1的基板，其中所述無(wú)機(jī)材料層包含第一子層和第二子層，其各自厚度均為 7nm或更小。5. 權(quán)利要求4的基板，其中所述無(wú)機(jī)材料層的厚度為IOnm至100nm。6. 權(quán)利要求1的基板，其中所述無(wú)機(jī)材料層和所述基膜的折射率的差值為1或更小。7. 權(quán)利要求1的基板，其中所述無(wú)機(jī)材料層不包含厚度超過(guò)7nm的層。8. 權(quán)利要求4的基板，其中所述第一子層和所述第二子層彼此接觸堆疊，并分別包含不 同的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層。9. 權(quán)利要求4的基板，其中所述第一子層的折射率為1.4至1.9,且所述第二子層的折射 率為2.0至2.6。10. 權(quán)利要求1的基板，其中所述彈性層的折射率為1.7或更小。11. 權(quán)利要求1的基板，其中所述彈性層包含Ti〇2、Si3N4、MgO、Al2〇3、Zn(^Zr0 2。12. 權(quán)利要求1的基板，其中所述彈性層為包含金屬螯合物化合物或非金屬螯合物化合 物和亞烷基二醇或反應(yīng)產(chǎn)物的分子層沉積(MLD)層。13. 權(quán)利要求1的基板，其中所述彈性層為包含由式1或2表示的化合物的聚合單元的引 發(fā)性化學(xué)氣相沉積(iCVD)層： [式1] R1(R12SiO)nR1 [式2]其中，R1、Rd和1^各自獨(dú)立地為氫、羥基、環(huán)氧基、烷氧基或一價(jià)經(jīng)基，至少一個(gè)R1為烯基， R4PRe中的至少一個(gè)為烯基，η為1至10的數(shù)值，且〇為3至10的數(shù)值。14. 一種有機(jī)電子器件(OED)，包含： 權(quán)利要求1的用于OED的基板；以及 具有存在于所述基板的無(wú)機(jī)材料層之上的第一電極層、有機(jī)材料層和第二電極層的器 件區(qū)域。15. -種用于顯示器的光源，包含： 權(quán)利要求14的OED。16. -種照明器件，包含： 權(quán)利要求14的OED。17. -種制造權(quán)利要求1的用于OED的基板的方法，包括： 在形成于柔性基膜上的無(wú)機(jī)材料層之上、之下或之中形成彈性層。18. 權(quán)利要求17的方法，其中所述無(wú)機(jī)材料層通過(guò)使用原子層沉積(ALD)以第一子層和 第二子層的堆疊結(jié)構(gòu)形成，所述子層各自具有7nm或更小的厚度。19. 權(quán)利要求17的方法，其中所述彈性層通過(guò)MLD或iCVD形成。
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)可提供一種用于有機(jī)電子器件的基板及其用途。本申請(qǐng)可提供一種可提供器件的基板，所述基板通過(guò)防止由其中有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料混合的結(jié)構(gòu)中的內(nèi)部應(yīng)力等引起的中間層剝離等而具有優(yōu)異的耐久性。此外，本申請(qǐng)的目的在于提供一種使用所述基板的有機(jī)電子器件，其具有優(yōu)異的耐久性以及優(yōu)異的其他所需性質(zhì)如光提取效率。
【IPC分類(lèi)】G09F9/00, B32B7/02, B32B27/06, H01L51/52, H01L51/56
【公開(kāi)號(hào)】CN105431893
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480042749
【發(fā)明人】李政炯, 咸允慧, 李尚俊
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Lg化學(xué)
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2014年9月30日
【公告號(hào)】EP3016088A1, US20160197292, WO2015047037A1