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      有機發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動方法

      文檔序號:9811851閱讀:639來源:國知局
      有機發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動方法
      【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動方法
      [0001]本申請要求于2014年10月31日提交的韓國專利申請N0.10-2014-0149901的權(quán)益,為了所有目的,通過引用將該申請結(jié)合在此,如同在此完全闡述一樣。
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0002]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。更具體地,本發(fā)明涉及一種能夠感測和校正漸進亮點(progressive bright point)缺陷的OLED顯示裝置及其驅(qū)動方法。
      【背景技術(shù)】
      [0003]使用液晶的液晶顯示器(IXD)、使用OLED的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、使用電泳顆粒的電泳顯示器(EPD)等通常被用作利用數(shù)字數(shù)據(jù)來顯示圖像的平板顯示裝置。
      [0004]在上述裝置中,OLED顯示裝置是使得有機發(fā)光層通過電子和正性空穴的重組而發(fā)射光的自發(fā)光裝置。OLED顯示裝置具有高亮度和低驅(qū)動電壓且可被配置成超薄膜。因此,預(yù)期OLED顯示裝置將被用作下一代顯示裝置。
      [0005]包括在OLED顯示裝置中的多個像素或子像素的每一個具有OLED元件,OLED元件包括位于陽極和陰極之間的有機發(fā)光層以及獨立地驅(qū)動OLED元件的像素電路。
      [0006]像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管(TFT)、驅(qū)動TFT等,其中開關(guān)薄膜晶體管提供數(shù)據(jù)電壓,使得存儲電容器由對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電壓的電壓充電,驅(qū)動TFT基于對存儲電容器進行充電的電壓來控制電流并將電流提供至OLED元件。OLED元件產(chǎn)生與電流成比例的光。提供至OLED元件的電流受到驅(qū)動TFT的諸如閾值電壓(Vth)、迀移率等驅(qū)動特性的影響。
      [0007]然而,由于各種原因,驅(qū)動TFT的閾值電壓、迀移率等在各子像素之間有所不同。例如,由于工藝變化等,驅(qū)動TFT的初始閾值電壓、迀移率等在各子像素之間有所不同,并且由于隨著驅(qū)動時間的過去發(fā)生驅(qū)動TFT的劣化等,導(dǎo)致在各子像素之間出現(xiàn)差異。因此,對于同一數(shù)據(jù),各個子像素的電流是非均勻的,因此產(chǎn)生非均勻亮度的問題。為了解決這一問題,OLED顯示裝置利用通過感測驅(qū)動TFT的驅(qū)動特性來補償數(shù)據(jù)的外部補償方法。
      [0008]例如,外部補償方法感測表示每個驅(qū)動TFT的驅(qū)動特性的電壓(或電流),基于感測值計算用于補償驅(qū)動TFT的閾值電壓和迀移率的變化的補償值,以將補償值存儲在存儲器中或更新這些值,然后利用所存儲的補償值來補償待提供至每個子像素的數(shù)據(jù)。
      [0009]由于在制造工藝期間進入的顆粒等,導(dǎo)致OLED顯示裝置存在微小短路缺陷的問題。在產(chǎn)品裝運之前,微小短路缺陷在檢查工藝等中不會被檢測到。然而,在產(chǎn)品裝運之后,隨著驅(qū)動時間的過去,由于顆粒導(dǎo)致電阻分量逐漸減小。這樣就會產(chǎn)生短路,導(dǎo)致漸進亮點(即,隨著時間的過去而出現(xiàn)的亮點)缺陷。
      [0010]因此,雖然在檢查工藝中檢測到的短路缺陷可通過修復(fù)被校正為變暗,但是在檢查工藝中不會被檢測到并且隨著驅(qū)動時間的過去而被發(fā)現(xiàn)的由于微小短路缺陷導(dǎo)致的漸進亮點缺陷可既不會被檢測到,也不會被校正。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0011]因此,構(gòu)思本發(fā)明來解決上述問題,并且本發(fā)明要解決的課題涉及一種能夠感測和校正漸進亮點缺陷的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其驅(qū)動方法。
      [0012]為了解決上述問題,根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置包括:數(shù)據(jù)驅(qū)動器,所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器將截止驅(qū)動電壓提供至用于驅(qū)動每個子像素中的發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管,并感測對應(yīng)于所述驅(qū)動晶體管的漏電流的電壓;和亮點評估器,所述亮點評估器通過將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器感測的電壓值與基準值進行比較來評估子像素的漸進亮點,并暗化和校正被評估為具有所述漸進亮點的子像素。
      [0013]所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器可分別將黑色數(shù)據(jù)電壓和基準電壓提供至子像素的驅(qū)動晶體管的第一節(jié)點和第二節(jié)點,以將所述黑色數(shù)據(jù)電壓和所述基準電壓的電壓差作為所述截止驅(qū)動電壓提供至所述驅(qū)動晶體管。
      [0014]在預(yù)定的發(fā)光周期期間,所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器可在根據(jù)所述驅(qū)動晶體管的截止驅(qū)動電壓而產(chǎn)生的漏電流流向所述發(fā)光元件之后,將所述驅(qū)動晶體管的漏電流存儲在連接至基準線的電容器中,以感測存儲在所述電容器中的電壓。
      [0015]所述亮點評估器可將感測的電壓值與所述黑色數(shù)據(jù)進行比較,當感測的電壓值大于或等于所述黑色數(shù)據(jù)時,所述亮點評估器評估子像素具有所述漸進亮點,使得所述黑色數(shù)據(jù)提供至被評估為具有所述漸進亮點的子像素,并通過根據(jù)感測的電壓值提高所述基準電壓來使子像素變暗。
      [0016]圖像處理器可包括所述亮點評估器,其中所述圖像處理器可通過所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器來感測所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓,將感測到的閾值電壓與預(yù)定的最小閾值電壓進行比較,以感測正常亮點,并通過將黑色數(shù)據(jù)提供至子像素來使被感測為具有所述正常亮點的子像素變暗,其中在所述正常亮點中感測到的閾值電壓小于所述最小閾值電壓。
      [0017]所述亮點評估器可評估和感測被預(yù)期為隨著驅(qū)動時間的過去由于微小短路而具有漸進亮點的子像素,其中所述微小短路是由于顆粒而在高電位電壓的供給線和所述驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點之間引起的。
      [0018]根據(jù)本發(fā)明的實施方式,提供一種驅(qū)動OLED顯示裝置的方法,所述方法包括以下步驟:感測與根據(jù)驅(qū)動晶體管的截止驅(qū)動電壓而產(chǎn)生的漏電流對應(yīng)的電壓,其中所述驅(qū)動晶體管用于驅(qū)動每個子像素中的發(fā)光元件;通過將感測的電壓與基準值進行比較來評估子像素的漸進亮點;和暗化和校正被預(yù)期為具有所述漸進亮點的子像素。
      【附圖說明】
      [0019]被包括用來提供對本發(fā)明的進一步理解并且并入本申請且構(gòu)成本申請的一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
      [0020]圖1是圖解在根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中,具有漸進亮點缺陷的子像素的一個實例的等效電路圖;
      [0021]圖2是圖解由于圖1中所示的驅(qū)動晶體管的微小短路缺陷導(dǎo)致的電壓對電流的變化特性的曲線圖;
      [0022]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明的實施方式的能夠評估、感測和校正漸進亮點的OLED顯示裝置的一部分的等效電路圖;
      [0023]圖4是圖解用于感測圖3中所示的OLED顯示裝置的漏電流的驅(qū)動波形的示意圖;
      [0024]圖5A、5B、5C和是依次圖解圖3中所示的子像素的漏電流感測過程的示圖;
      [0025]圖6A、6B、7A、7B、8A和8B是圖解在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置中,通過根據(jù)驅(qū)動晶體管的微小短路的電阻值來感測漏電流得到的模擬結(jié)果的示圖;
      [0026]圖9是示意性地圖解根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置的框圖;以及
      [0027]圖10是分步驟圖解根據(jù)本發(fā)明的實施方式的評估、感測和校正OLED顯示裝置的漸進亮點的方法的流程圖。
      【具體實施方式】
      [0028]在描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式之前,將對由微小短路導(dǎo)致漸進亮點缺陷的原因進行說明。
      [0029]圖1是圖解在根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中預(yù)期具有漸進亮點缺陷的子像素的一個實例的等效電路圖,圖2是圖解相對于圖1中所示的驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓的電流變化特性的曲線圖。
      [0030]圖1中所示的子像素SP包括OLED元件和用來獨立地驅(qū)動OLED元件的像素電路,像素電路包括第一開關(guān)晶體管STl及第二開關(guān)晶體管ST2、驅(qū)動晶體管DT和存儲電容器Cst0
      [0031]第一開關(guān)晶體管STl根據(jù)一條柵極線的掃描信號SC將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓Vdata提供至驅(qū)動晶體管DT的柵極節(jié)點NI。
      [0032]第二開關(guān)晶體管ST2根據(jù)另一條柵極線的感測控制信號SE將來自基準線RL的基準電壓Vref提供至驅(qū)動晶體管DT的源極節(jié)點N2。第二開關(guān)晶體管ST2更頻繁地用作根據(jù)感測模式中的感測控制信號SE來將電流從驅(qū)動晶體管DT輸出至基準線RL的路徑。
      [0033]存儲電容器Cst由電壓差Vdata-Vref充電,電壓差Vdata-Vref是從通過第一開關(guān)晶體管STl提供至柵極節(jié)點NI的數(shù)據(jù)電壓Vdata中減去通過第二開關(guān)晶體管ST2提供至源極節(jié)點N2的基準電壓Vref得到的,以提供電壓差作為驅(qū)動晶體管DT的驅(qū)動電壓Vgs。
      [0034]驅(qū)動晶體管DT根據(jù)對存儲電容器Cst進行充電的驅(qū)動電壓Vgs控制從高電位電壓EVDD的供給線提供的電流,以將與驅(qū)動電
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