移位寄存單元、包含其的移位寄存器和陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本公開一般涉及顯示技術，尤其涉及移位寄存單元、包含其的移位寄存器和陣列基板。
【背景技術】
[0002]在現有的液晶顯示面板中，通常通過級聯(lián)的多個移位寄存單元來實現掃描信號的移位，從而驅動像素陣列中的各個像素行。
[0003]移位寄存單元的電路中通常包含一個或多個電容元件，以接收總線輸出的電信號。此外，移位寄存單元還包括多個薄膜晶體管，以基于接收到的各總線的電信號生成用于驅動像素陣列中的各個像素行的掃描信號。
[0004]如圖1所示，為一種現有的移位寄存單元中總線110、電容元件120和薄膜晶體管130的相對位置關系示意圖。圖1中，總線110形成于柵極層，而電容元件120的兩個極板121和122分別形成于柵極層和源漏電極層。由于柵極層和源漏電極層均由不透光的金屬制成，使得UV(Ultra V1let，紫外)光無法透過柵極層和源漏電極層照射到封膠框上，進而導致移位寄存單元所在的顯示面板的非顯示區(qū)域封膠框固化不良。此外，如圖1所示的移位寄存單元中，電容元件120占據的面積較大，不利于液晶顯示面板的窄邊框化。
[0005]為了改進圖1所示的移位寄存單元的透過率，現有技術還提供了一種如圖2所示的移位寄存單元。圖2中，電容元件220的兩個極板221和222分別形成于兩個透明導體層。然而，盡管將電容元件的兩個極板221和222形成于透明導體層可以一部分地提升透過率，但由于透明導體層對UV光的透過率較低，仍然無法解決封膠框固化不良的問題。
[0006]為了改進圖1、圖2所示的移位寄存單元導致的非顯示區(qū)域封膠框固化不良的問題，現有技術進一步提供了一種如圖3所示的移位寄存單元。與圖1所示的移位寄存單元相比，圖3的移位寄存單元中的電容的兩個極板321和322均采用鏤空設計，從而提升了UV光的透過率。然而，圖3中，由于電容的極板上鏤空區(qū)域323的存在，使得在提供相同電容容量的前提下，需要更大的走線面積，不利于液晶顯示面板的窄邊框化。

【發(fā)明內容】

[0007]鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種移位寄存單元、包含其的移位寄存器和陣列基板，以解決【背景技術】中所述的至少部分技術問題。
[0008]第一方面，本申請實施例提供了一種移位寄存單元，包括相互并聯(lián)的第一電容器、第二電容器、第三電容器，第一電容器、第二電容器和第三電容器用于接收第一總線提供的電信號；其中，第一電容器包括形成于第一導體層的第一極板和形成于第二導體層的第二極板，第二電容器包括形成于第三導體層的第三極板和形成于第四導體層的第四極板;第三電容器由第二極板和第三極板構成;第一總線形成于第二導體層或第三導體層。
[0009]第二方面，本申請實施例還提供了一種移位寄存器，包括級聯(lián)的第O級?第N-1級的N個如上所述的移位寄存單元。
[0010]第三方面，本申請實施例還提供了一種陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；其中，非顯示區(qū)包括如上所述的移位寄存器。
[0011]本申請實施例提供的的方案，通過在與電容連接的總線所在的走線層的上、下層形成多個與總線夾疊的并聯(lián)電容，從而減小移位寄存單元所需的走線面積，利于顯示面板的窄邊框化。此外，由于本申請的移位寄存單元所需的走線面積較小，使得照射到移位寄存單元所在的顯示面板的非顯示區(qū)域的UV光有所增加，進而改善了現有的液晶顯示面板的非顯示區(qū)域的封膠框固化不良的問題。
【附圖說明】
[0012]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0013]圖1示出了現有技術中一種移位寄存單元中總線、電容元件和薄膜晶體管之間的相對位置關系；
[0014]圖2示出了現有技術中另一種移位寄存單元中總線、電容元件和薄膜晶體管之間的相對位置關系；
[0015]圖3示出了現有技術中再一種移位寄存單元中總線、電容元件和薄膜晶體管之間的相對位置關系；
[0016]圖4A示出了本申請一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖；
[0017]圖4B為圖4A的沿折線A-B-C-D的剖視圖；
[0018]圖5A示出了本申請另一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖；
[0019]圖5B為圖5A的沿折線A-B-C的剖視圖；
[0020]圖6示出了本申請再一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖；
[0021 ]圖7示出了本申請又一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖；
[0022]圖8示出了本申請還一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖；
[0023]圖9示出了本申請各實施例的移位寄存單元的示意性電路圖；
[0024]圖10示出了本申請的移位寄存器的示意性結構圖；
[0025]圖11示出了本申請的陣列基板的示意性結構圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關的部分。
[0027]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。
[0028]參見圖4A所示，為本申請一個實施例的移位寄存單元中與總線連接的電容和與之連接的總線之間的相對位置關系示意圖，圖4B所示為沿圖4A中的折線A-B-C-D的剖視圖。
[0029]本實施例中，移位寄存單元包括相互并聯(lián)的第一電容器、第二電容器、第三電容器。第一電容器、第二電容器和第三電容器用于接收第一總線提供的電信號。
[0030]其中，第一電容器包括形成于第一導體層的第一極板410和形成于第二導體層的第二極板420。
[0031]第二電容器包括形成于第三導體層的第三極板430和形成于第四導體層的第四極板440。
[0032]第三電容器由第二極板420和第三極板430構成。第一總線可形成于第二導體層或第三導體層。
[0033]從圖4B中可以看出，第一導體層410、第二導體層420、第三導體層430和第四導體層440相互疊置且互相平行。相鄰的導體層之間可以包括絕緣層(例如氮化硅)，以避免相鄰導體層之間的短路。形成第一電容的第一極板410和第二極板420相鄰，形成第二電容的第三極板430和第四極板440相鄰，而形成第三電容的第二極板420和第三極板430也相鄰。
[0034]這樣一來，在如圖4B中點A與點D之間的相對較小的走線區(qū)域內，形成了三個相互并聯(lián)、夾疊的第一電容器、第二電容器和第三電容器，并聯(lián)后的電容容量為第一電容器、第二電容器和第三電容器容量的總和。
[0035]此外，由于第一總線可形成于第二導體層420或者第三導體層430，使得第一總線的上、下兩側均可以形成與之夾疊的電容，使得本實施例的移位寄存單元可以在不增加膜層數量的前提下，實現較小走線區(qū)域內的較大電容容量。
[0036]與如圖1?圖3所示的現有技術的移位寄存單元單元相比，本實施例的移位寄存單元可在保證電容容量的基礎上，實現與第一總線連接的電容器不需要占用第一總線旁邊的額外走線面積的技術效果，從而使得移位寄存單元所需的走線區(qū)域減小，利于顯示面板的窄邊框化。此外，由于本實施例的移位寄存單元所需的走線面積較小，使得照射到移位寄存單元所在的顯示面板的非顯示區(qū)域的UV光有所增加，進而改善了現有的液晶顯示面板的非顯示區(qū)域的封膠框固化不良的問題。
[0037]需要說明的是，本申請的說明書附圖中，相同的填充樣式代表相同的膜層(例如，第一導體層、第二導體層、第三導體層或第四導體層)。
[0038]此外，本領域技術人員可以確定，本申請的移位寄存單元除了包括如上所述