所示。不過，這是非限制性的?？商鎿Q的，例如，如圖23中所示的顯示部1E中，陽極212 (212W、212G、和212B)中的每個(gè)可被設(shè)置成與一條數(shù)據(jù)線DTL重疊。在該結(jié)構(gòu)中，由于耦合，數(shù)據(jù)線DTL內(nèi)的信號(hào)Sig作為噪聲會(huì)被傳遞至陽極212W、212G、和212B。不過，與比較例3的情形不同，陽極212W、212G、和212B中的每個(gè)被設(shè)置成與一條數(shù)據(jù)線DTL重疊。因此，噪聲的影響是均勻的。因此，抑制了圖像質(zhì)量的劣化。
[0207][變形例1-6]
[0208]在上面所述的實(shí)施例中，在單元CA和CB內(nèi)，子像素IIW和IlG被布置成在列方向(豎直方向)上并列，如圖2中所示。不過，這是非限制性的?？商鎿Q的，例如，如圖24到圖26中所示的顯示部1F (I)到1F (3)中，子像素IIW和IlG被布置成在行方向(水平方向)上并列。在該示例中，在單元CA中，子像素11B，子像素IlG和子像素IlW被按照從左開始的順序布置，在單元CB中，子像素I IR，子像素IIG和子像素IlW被按照從左開始的順序布置。在圖24中所示的顯示部1F (I)中，單元CA和單元CB在列方向上交替布置，并且在行方向上交替布置。在圖25中所示的顯示部1F (2)中，單元CA和單元CB在行方向上交替布置，并且相同類型的單元在列方向上重復(fù)布置。在圖26中所示的顯示部1F (3)中，單元CA和單元CB在列方向上交替布置，并且相同類型的單元在行方向上重復(fù)布置。
[0209]此外，在顯示部1F (I)到1F (3)中，希望陽極212設(shè)置成不與數(shù)據(jù)線DTL重疊，如圖27中所示?？商鎿Q的，陽極212 (212W、212G、和212B)中的每個(gè)可被設(shè)置成與一條數(shù)據(jù)線DTL重疊，如圖28中所示。
[0210][變形例1-7]
[0211 ] 在上面所述的實(shí)施例中，顯示部10是由頂發(fā)射型發(fā)光裝置19構(gòu)成的。不過，這是非限制性的?？商鎿Q的，例如，如圖29中所示的顯示部1G中，顯示部可由所謂的底發(fā)射型的發(fā)光裝置19G構(gòu)成。顯示部1G包括陽極232，陰極236，和濾光片238。陽極232可由例如銦錫氧化物(ITO)制成。換言之，陽極232是透明或半透明的。陽極232可形成有例如幾十納米到幾百納米的厚度。陰極236具有反光屬性，并且可由例如鎂銀(MGAg)制成。陰極236可形成有例如幾十納米到幾百納米的厚度。在絕緣層204上對(duì)應(yīng)于開口 WIN的區(qū)域內(nèi)形成濾光片238。該結(jié)構(gòu)允許從黃色發(fā)光層214發(fā)出的黃光與從藍(lán)色發(fā)光層215發(fā)出的藍(lán)光混合，進(jìn)而產(chǎn)生白光，并且產(chǎn)生的白光在朝向作為支撐基板的透明基板200的方向傳播。允許白光通過紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(G)和白色(W)的濾光片238傳播到顯示表面外部。
[0212][變形例1-8]
[0213]在上面所述的實(shí)施例中，發(fā)光層230 (黃色發(fā)光層214和藍(lán)色發(fā)光層215)發(fā)出作為合成光的白光，并且允許所述合成白光通過紅色，綠色，藍(lán)色和白色的濾光片218傳播到外部，如圖6A和6B中所示。不過，這是非限制性的。
[0214]例如，如圖30A和30B中所示的顯示部1H中，發(fā)出紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)，和白色(W)的光的發(fā)光層230H可分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)于子像素I IR，11G，11B，和IIW的區(qū)域內(nèi)，從而取代發(fā)光層230。在這種情形中，從發(fā)光層230H發(fā)出的各種顏色的光被允許分別通過紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)，和白色(W)的濾光片218傳播到外部。在該示例中，設(shè)置濾光片218以用于調(diào)節(jié)每種顏色的色域。注意，在圖像質(zhì)量(色域)要求不高的應(yīng)用等中可不設(shè)置濾光片218。
[0215]在如根據(jù)變形例1-1的顯示部中設(shè)置黃色(Y)的子像素IlY來替代白色(W)的子像素IlW的情形中，例如，可采用圖31A和31B中所示的結(jié)構(gòu)。顯示部101包括發(fā)光層2301和濾光片2181。發(fā)光層2301在對(duì)應(yīng)于子像素11R，11G，11B，和IlY的區(qū)域內(nèi)分別發(fā)出紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)，和黃色(Y)的光。濾光片2181在對(duì)應(yīng)于子像素11R，11G，11B，和IlY的區(qū)域內(nèi)分別包括紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)，和黃色(Y)的濾光片。在顯示部1I內(nèi)，從發(fā)光層2301發(fā)出的各種顏色的光被允許通過各種顏色的濾光片2181傳播到外部。在該示例中也可不設(shè)置濾光片2181。
[0216]可替換的，如圖32A和32B中所示的顯示部1J中，發(fā)光層230J可被設(shè)置成在對(duì)應(yīng)于子像素11R，11G，和IlY的區(qū)域內(nèi)發(fā)出黃色(Y)的光，并且在對(duì)應(yīng)于子像素IlB的區(qū)域內(nèi)發(fā)出藍(lán)色(B)的光。在這種情形中，從發(fā)光層230J發(fā)出的黃色(Y)的光通過紅色(R)，綠色(G)，和黃色(Y)的濾光片2181，進(jìn)而被分成允許傳播到外部的各種顏色成分。從發(fā)光層230J發(fā)出的藍(lán)色(B)的光被允許通過藍(lán)色(B)的濾光片2181傳播到外部。在該示例中，可不設(shè)置藍(lán)色(B)和黃色(Y)的濾光片2181。
[0217][變形例1-9]
[0218]在上面所述的實(shí)施例中，子像素11內(nèi)的開口 WIN具有接近矩形的形狀，如圖2，7等所示。不過，這是非限制性的?？商鎿Q的，例如，如圖33所示的顯示部1K中，子像素14內(nèi)的開口 WIN可具有圓形。顯示部1K包括紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)，和白色(W)的子像素14R，14G，14B，和14W。在顯示部1K內(nèi)，由三種子像素14W，14G，和14B構(gòu)成的單元CA(CAl和CA2)，和由三種子像素14W，14G，和14R構(gòu)成單元CB (CBl和CB2)并列布置。在單元CA1、CA2、CB1、和CB2的每個(gè)中，三種子像素14被設(shè)置成彼此相鄰。換言之，三種子像素14被設(shè)置成三種子像素14的中心連線形成等邊三角形的各個(gè)邊。具體地說，在單元CAl中，白色(W)的子像素14W，綠色(G)的子像素14G，藍(lán)色(B)的子像素14B被分別設(shè)置在右上部，底部，和左上部。此外，在單元CA2中，白色(W)的子像素14W，綠色(G)的子像素14G，藍(lán)色(B)的子像素14B被分別設(shè)置在右側(cè)下部，頂部，和左下部。此外，在單元CBl中，白色(W)的子像素14W，綠色(G)的子像素14G，紅色(R)的子像素14R被分別設(shè)置在右上部，底部，和左上部。此外，在單元CB2中，白色(W)的子像素14W，綠色(G)的子像素14G，紅色(R)的子像素14R被分別設(shè)置在右下部，頂部，和左下部。在行方向(水平方向)上，單元CAl和單元CA2交替布置，并且單元CBl和單元CB2交替布置。此外，在列方向(豎直方向)上，單元CAl和單元CBl交替布置，并且單元CA2和單元CB2交替布置。通過這種方式，在顯示部1K內(nèi)子像素14被布置成具有所謂的最密封裝布置方式。此外，當(dāng)通過這種方式開口 WIN具有圓形形狀時(shí)，獲得了與上面所述實(shí)施例相似的效果。注意，在該示例中，開口 WIN具有圓形形狀。不過，這不是限制性的?？商鎿Q的，例如，開口 WIN可具有橢圓形狀。
[0219][變形例1-10]
[0220]在上面所述的實(shí)施例等中，可將一些技術(shù)應(yīng)用于開口 WIN的形狀，絕緣層213和217的材料等，并且進(jìn)而可提高將從發(fā)光層230發(fā)出的光提取到外部的效率。下面將詳細(xì)描述本變形例。注意，在該示例中，子像素內(nèi)的開口 WIN的形狀被描述成圓形。不過，這是非限制性的，并且開口 WIN的形狀可以是橢圓形，接近矩形的形狀等。
[0221]圖34示出了根據(jù)本變形例的顯示部1N的主要部分的截面結(jié)構(gòu)。顯示部1L包括絕緣層213L和217L。絕緣層213L和217L分別相當(dāng)于上面所述實(shí)施例中的絕緣層213和217。如圖34中所示，絕緣層213L的端部是傾斜的(傾斜部分PS)。在顯示部1L中，傾斜部分PS反射從發(fā)光層230內(nèi)的開口 WIN發(fā)出的光。因此，提高了提取光到外部的效率。
[0222]更具體，顯示部1L被構(gòu)造為如下。具體地，折射率nl和n2滿足下面的表達(dá)式，其中nl代表絕緣層217L的折射率，并且n2代表絕緣層213L的折射率。
[0223]1.1 彡 nl 彡 1.8...(4)
[0224]nl-n2 彡 0.20...(5)
[0225]此外，高度H，直徑Rl和R2被設(shè)置成滿足下面的表達(dá)式，其中H是絕緣層213L的高度，Rl是絕緣層213L內(nèi)的開口部在陽極電極212側(cè)的直徑，R2是絕緣層213L內(nèi)的開口部在顯示表面?zhèn)鹊闹睆健?br>[0226]0.5 彡 R1/R2 ( 0.8...(6)
[0227]0.5 彡 H/R1 彡 2.0...(7)
[0228]圖35示出了顯示部1L內(nèi)的光束的仿真結(jié)果的示例。在顯示部1L內(nèi)，從發(fā)光層230內(nèi)的開口 WIN發(fā)出的光在傾斜部分PS被反射并且被射向顯示部1L的前面，如圖35中所示。換言之，例如，當(dāng)光在傾斜部分PS未被反射時(shí)，顯示部1L內(nèi)的光被弱化，或被黑矩陣219遮蔽，并且不能射向外部。在顯示部1L內(nèi)，傾斜部分PS反射光。因此，提高了提取光到外部的效率。
[0229]在根據(jù)本變形例的顯示部1L內(nèi)，在一個(gè)子像素11內(nèi)設(shè)置一個(gè)開口 WIN。不過，這不是限制性的?？商鎿Q的，如圖36和37中所示的顯示部1M中，在一個(gè)子像素11內(nèi)設(shè)置多個(gè)開口 WIN。在這種情形中，通過有效地使用各個(gè)開口 WIN內(nèi)的傾斜部分PS，提高了將光提取到外部的效率。
[0230][變形例1-11]
[0231]在上面所述的實(shí)施例中，每個(gè)單元CA或CB中的三個(gè)子像素11可被連接至彼此不同的數(shù)據(jù)線DTL，如圖3中所示。不過，這是非限制性的。下面將詳細(xì)地描述本變形例。
[0232]圖38示出了根據(jù)本變形例的顯示部1N的電路結(jié)構(gòu)的示例。顯示部1N包括在行方向延伸的多條掃描線WSAL和WSBL。在該示例中，數(shù)據(jù)線DTL被設(shè)置成將一條數(shù)據(jù)線DTL用于沿行方向(水平方向)上的兩個(gè)子像素11。兩個(gè)子像素11中的一個(gè)被連接至掃描線WSAL并且另一個(gè)被連接至掃描線WSBL。數(shù)據(jù)線DTL的一端連接至數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27N。掃描線WSAL和WSBL每個(gè)的一端連接至未繪出的掃描線驅(qū)動(dòng)部23N。供電線PL的一端連接至未繪出的供電線驅(qū)動(dòng)部26N。掃描線驅(qū)動(dòng)部23N將掃描信號(hào)WSA施加至掃描線WSAL，并且將掃描信號(hào)WSB施加至掃描線WSBL。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27N產(chǎn)生信號(hào)Sig，其包括兩個(gè)子像素11的像素電壓Vsig和用于進(jìn)行Vth校正的電壓Vofs，并且將產(chǎn)生的信號(hào)Sig施加至每條數(shù)據(jù)線DTL。
[0233]在根據(jù)本變形例的顯示部1N內(nèi)，對(duì)于每個(gè)單元CA和CB，需要四條半配線(兩條掃描線WS，一條供電線PL，和一條半數(shù)據(jù)線DTL)。換言之，相比于上面所述實(shí)施例的情形(其中需要五條配線)，進(jìn)一步減小了配線的數(shù)目。因此，減小了耗電量。
[0234]圖39示出了顯示部1N內(nèi)的陽極212的布置。單元CA包括三個(gè)電路區(qū)域16W，16G，和16B，單元CB包括三個(gè)電路區(qū)域16W，16G，和16R。在該示例中，電路區(qū)域16W，電路區(qū)域16G，電路區(qū)域16B，陽極212W，陽極212G以及陽極212B被分別設(shè)置在單元CA中的左上部，左下部，右上部，左上部，左下部和右側(cè)。此外，電路區(qū)域16W，電路區(qū)域16G，電路區(qū)域16B，陽極212W，陽極212G，陽極212R被分別設(shè)置在單元CB中的右下部，右上部，左下部，右下部，右上部，和左側(cè)。
[0235]通過這種方式，陽極212被設(shè)置成在根據(jù)本變形例的顯示部1N內(nèi)也不與數(shù)據(jù)線DTL重疊。因此，減小了噪聲傳遞至陽極212的可能性。因此，提高了圖像質(zhì)量。
[0236]接著，連接至掃描線WSAL的子像素IlW和連接至掃描線WSBL的子像素IlG將被描述成兩個(gè)子像素11連接至相同數(shù)據(jù)線DTL并且在行方向(水平方向)彼此相鄰的示例，并且借此，下面詳細(xì)描述這些子像素IlW和IlG的顯示操作。
[0237]圖40示出了子像素IW和IlG的操作的時(shí)序圖。部分㈧、⑶、(C)、⑶、(E)、(F)、(G)、和(H)示出了掃描信號(hào)WSA，掃描信號(hào)WSB，電力信號(hào)DS，信號(hào)Sig，子像素IlW內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg，子像素IlW內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs，子像素IlG內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg以及子像素IlG內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。在圖40的部分(C)至(F)中，使用相同的電壓軸示出了各自的波形。相似的，在圖40的部分(G)和(H)中，使用相同的電壓軸示出了各自的波形。注意，為了說明方便，與電力信號(hào)DS (圖40中的部分(C))和信號(hào)Sig (圖40中的部分(D))的波形相同的波形在圖40中的部分(G)和(H)的電壓軸上不出。
[0238]如在上面所述的實(shí)施例的情形中，根據(jù)本變形例的驅(qū)動(dòng)部20N在從時(shí)間tl2到時(shí)間tl3的周期內(nèi)初始化子像素IlW和IlG (初始化周期P1)，并且在從時(shí)間tl3到時(shí)間tl4的周期內(nèi)進(jìn)行Vth校對(duì)(Vth校對(duì)周期P2 )。
[0239]接著，在時(shí)間tl4處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23N允許掃描信號(hào)WSA和WSB各自的電壓從高電平變化到低電平(圖40中的部分(A)和(B))。因此，子像素IlW和IlG各自的寫晶體管WSTr關(guān)閉。同時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27N將信號(hào)Sig設(shè)置在像素電壓VsigW(圖40中的部分(D))。
[0240]接著，在從時(shí)間tl5到時(shí)間tl6的周期(寫/μ_校正周期P13)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部20N將像素電壓VsigW寫在子像素IIW上并且對(duì)子像素IIW進(jìn)行μ校正。具體地說，在時(shí)間t5處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23N允許掃描信號(hào)WSA的電壓從低電平變化到高電平(圖40中的部分(A))。因此，像素電壓VsigW被寫在子像素IlW上并且對(duì)子像素IlW進(jìn)行μ校正，如上面所述實(shí)施例中一樣。
[0241]接著，在從時(shí)間tl6開始的周期(發(fā)光周期P14)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部20N允許子像素IlW發(fā)光。具體地說，在時(shí)間tl6處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23N允許掃描信號(hào)WSA的電壓從高電平改變到低電平(圖40中的部分(A))。因此，子像素IlW內(nèi)的發(fā)光裝置19發(fā)光，如上面所述實(shí)施例中一樣。
[0242]接著，在時(shí)間tl7處，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部27N將信號(hào)Sig設(shè)置在像素電壓VsigG (圖40中的部分(D))。
[0243]接著，在從時(shí)間tl8到時(shí)間tl9的周期(寫/μ_校正周期P15)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部20N將像素電壓VsigG寫在子像素IIG上并且對(duì)子像素IIG進(jìn)行μ校正。具體地說，在時(shí)間tl8處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23N允許掃描信號(hào)WSB的電壓從低電平變化到高電平(圖40中的部分(B))。因此，像素電壓VsigG被寫在子像素IlG上并且對(duì)子像素IlG進(jìn)行μ校正，如上面所述實(shí)施例的情形一樣。
[0244]接著，在從時(shí)間tl9開始的周期(發(fā)光周期P16)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部20N允許子像素IlG發(fā)光。具體地說，在時(shí)間tl9處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23N允許掃描信號(hào)WSB的電壓從高電平改變到低電平(圖40中的部分(B))。因此，子像素IlG內(nèi)的發(fā)光裝置19發(fā)光，如上面所述實(shí)施例中的情況一樣。
[0245][變形例1-12]
[0246]上面已經(jīng)描述了第一實(shí)施例及其變形例，可通過組合方式采用其中的兩個(gè)或更多。
[0247][2.第二實(shí)施例]
[0248]接著，將描述根據(jù)第二實(shí)施例的顯示器2。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DTL的波形與根據(jù)上述第一實(shí)施例的顯示器I的情形不同。將使用相同標(biāo)記指代與根據(jù)上述第一實(shí)施例的顯示器I基本相同的那些，并且視情況而不再進(jìn)行說明。
[0249]如圖1中所示，顯示器2包括顯示部40和驅(qū)動(dòng)部50。如圖2和3中所示，由三種子像素1謹(jǐn)，116，和IIB構(gòu)成的每個(gè)單元CA和由三種子像素11W，11G，和IlR構(gòu)成的每個(gè)單元CB并列布置。
[0250]圖41示出了單元CA中的陽極212的布置。單元CA包括三個(gè)電路區(qū)域15W，15G，和15B和三個(gè)陽極312W，312G，和312B。在該示例中，在單元CA中，一條數(shù)據(jù)線DTL，電路區(qū)域15W，一條數(shù)據(jù)線DTL，電路區(qū)域15G，一條數(shù)據(jù)線DTL，和電路區(qū)域15B按照從左到右的順序布置。在單元CA中，陽極312W，陽極312G，和陽極312B被分別布置在左上部，左下部，和右側(cè)上。陽極312W和312G被設(shè)置成與三條數(shù)據(jù)線DTL重疊，并且陽極312B被設(shè)置成不與數(shù)據(jù)線DTL重疊。具體地說，在根據(jù)上述第一實(shí)施例的顯示部10中，三個(gè)陽極212W，212G，和212B被設(shè)置成不與數(shù)據(jù)線DTL重疊。不過，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示部40中，三個(gè)陽極312W，312G，和312B中的兩個(gè)(陽極312W和312G)被設(shè)置成與三條數(shù)據(jù)線DTL重疊。
[0251]上述已經(jīng)關(guān)于單元CA給出了說明。不過，同樣適用于單元CB。具體地說，單元CB包括三個(gè)電路區(qū)域15W，15G，和15R和三個(gè)陽極312W，312G，和312R。在單元CB中，一條數(shù)據(jù)線DTL，電路區(qū)域15W，一條數(shù)據(jù)線DTL，電路區(qū)域15G，一條數(shù)據(jù)線DTL，和電路區(qū)域15R按照從左到右的順序布置。在單元CB中，陽極312W，陽極312G，和陽極312R被分別在左上部，左下部，和右側(cè)上。陽極312W和312G被設(shè)置成與三條數(shù)據(jù)線DTL重疊，并且陽極312R被設(shè)置成不與數(shù)據(jù)線DTL重疊。
[0252]驅(qū)動(dòng)部50包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部57。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部57根據(jù)圖像信號(hào)處理部30提供的圖像信號(hào)Sdisp2和時(shí)序發(fā)生部22提供的控制信號(hào)，產(chǎn)生信號(hào)Sig，并且將產(chǎn)生的信號(hào)Sig施加至每條數(shù)據(jù)線DTL。信號(hào)Sig包括指示每個(gè)子像素11中的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig。
[0253]圖42示出了數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部57產(chǎn)生的信號(hào)Sig的示例。信號(hào)Sig供給與相同數(shù)據(jù)線DTL相連的多個(gè)子像素11的一系列多個(gè)像素電壓Vsig構(gòu)成。允許像素電壓Vsig針對(duì)每一個(gè)水平周期變化。具體地說，在上面所述的第一實(shí)施例中，像素電壓Vsig和電壓Vofs被交替設(shè)置來構(gòu)成信號(hào)Sig，如圖10中所示，不過，在本實(shí)施例中，信號(hào)Sig的構(gòu)成不包括信號(hào) Vofs0
[0254][關(guān)于詳細(xì)的操作]
[0255]圖43示出了顯示器2的顯示操作的時(shí)序圖。時(shí)序圖示出了關(guān)于一個(gè)目標(biāo)子像素11的顯示驅(qū)動(dòng)的操作示例。在圖43中，部分(A)、(B)、(C)、(D)、和(E)分別示出了掃描信號(hào)WS，電力信號(hào)DS，信號(hào)Sig，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg，和驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓的波形。在圖43中的部分(B)到(E)中使用相同的電壓軸示出了各個(gè)波形。
[0256]在一個(gè)水平周期(IH)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部50將像素電壓Vsig寫在子像素11上并且初始化子像素11 (寫周期P21)，并且進(jìn)行Ids校正以抑制驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr中的裝置變化對(duì)圖像質(zhì)量的影響(Ids校正周期P22)。此后，子像素11中的發(fā)光裝置19發(fā)出具有與寫入的像素電壓Vsig —致的亮度的光(發(fā)光周期P23)。下面將對(duì)其細(xì)節(jié)進(jìn)行描述。
[0257]首先，在從時(shí)間t21到時(shí)間t22的周期(寫周期P21)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部50將像素電壓Vsig寫在子像素11上并初始化子像素11。具體地說，首先，在時(shí)間t21處，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)部57將信號(hào)Sig設(shè)置在像素電壓Vsig (圖43中的部分(C))，并且掃描線驅(qū)動(dòng)部23允許掃描信號(hào)WS的電壓從低電平改變到高電平(圖43中的部分(A))。因此，寫晶體管WSTr打開，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)置在像素電壓Vsig(圖43中的部分(D))。同時(shí)，供電線驅(qū)動(dòng)部26允許電力信號(hào)DS從電壓Vccp變化到電壓Vini (圖43中的部分(B))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr打開，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Ns被設(shè)置在電壓Vini (圖43中的部分(E))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs (=Vsig-Vini)被設(shè)置在比驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的閾值電壓Vth高的電壓，并且初始化子像素11。
[0258]接著，在從時(shí)間t22到時(shí)間t23的周期(Ids校正周期P22)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部50對(duì)子像素11進(jìn)行Ids校正。具體地說，在時(shí)間t22處，供電線驅(qū)動(dòng)部26允許電力信號(hào)DS從電壓Vini變化到電壓Vccp (圖43中的部分(B))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr操作在飽和區(qū)域，電流Ids從漏極流至源極，并且源極電壓Vs增大(圖43中的部分(E))。此時(shí)，在該示例中，源極電壓Vs低于發(fā)光裝置19的陰極的電壓Vcath。因此，發(fā)光裝置19保持反向偏壓狀態(tài)，并且電流不流進(jìn)發(fā)光裝置19。因?yàn)闁艠O-源極電壓Vgs由于源極電壓Vs的增大而減小，所以電流Ids減小。由于該負(fù)反饋操作，源極電壓Vs隨時(shí)間非常慢地增大。確定進(jìn)行Ids校正的時(shí)間周期(從時(shí)間t22到時(shí)間t23的周期)的時(shí)長(zhǎng)以抑制在時(shí)間t23處電流Ids的變化，如后面所述。
[0259]接著，在從時(shí)間t23開始的周期(發(fā)光周期P23)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部50允許子像素11發(fā)光。具體地說，在時(shí)間t23處，掃描線驅(qū)動(dòng)部23允許掃描信號(hào)WS的電壓從高電平改變到低電平(圖43中的部分(A))。因此，寫晶體管WSTr關(guān)閉，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。因此，此后保持電容器Cs的端子之間的電壓，即，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs。隨著電流Ids流進(jìn)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr，驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Ns增大(圖43中的部分(E))，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的柵極電壓Vg也相應(yīng)地增大(圖43中的部分(D))。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的源極電壓Ns變得比發(fā)光裝置19的閾值電壓Vel和電壓Vcath的和(Vel+Vcath)高時(shí)，電流在發(fā)光裝置19的陽極和陰極之間流動(dòng)，并且從而發(fā)光裝置19發(fā)光。換言之，將源極電壓Vs增加與發(fā)光裝置19內(nèi)的裝置變化一致的量，并且發(fā)光裝置19發(fā)光。
[0260]接著，在顯示器2內(nèi)，在預(yù)定周期(一幀周期)逝去后，其從發(fā)光周期P23迀移至寫周期P21。驅(qū)動(dòng)部50驅(qū)動(dòng)顯示部40以重復(fù)上面所述的一系列操作。
[0261][關(guān)于Ids校正]
[0262]如上面所述，在Ids校正周期P22內(nèi)，電流Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的漏極流向源極，源極電壓Vs增大，并且柵極-源極電壓Vgs逐漸減小。因此，從驅(qū)動(dòng)晶體管DRTr的漏極流向源極的電流Ids也逐漸減小。
[0263]圖44示出了當(dāng)施加特定的像素電壓Vsig時(shí)電流Ids隨時(shí)間的變化。圖44示出了假設(shè)在彼此不同的多個(gè)處理?xiàng)l件下制造晶體管的仿真結(jié)果。電流Ids隨著時(shí)間逐漸減小，如圖44中所示。此時(shí)，電流Ids隨時(shí)間的變化因處理?xiàng)l件而不同。具體地說，例如，當(dāng)電流Ids的值較大時(shí)(當(dāng)迀移率μ高并且閾值電壓Vth低時(shí))，電流Ids快速減小，并且當(dāng)電流Ids的值小時(shí)(當(dāng)迀移率μ低并且閾值電壓Vth高時(shí))，電流Ids減小得較慢。
[0264]圖45示出了圖44中所示的電流Ids的變化與時(shí)間的關(guān)系。特性Wl示出了通過標(biāo)準(zhǔn)偏差除以平均