顯示器的閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種顯示器的閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器(Liquid Crystal Display)中，每個(gè)畫素具有一個(gè)薄膜晶體管(TFT)，其閘極(Gate)連接至水平方向掃描線，汲極(Drain)連接至垂直方向的數(shù)據(jù)線，而源級(jí)(Source)則連接至畫素電極。若在水平方向的某一條掃描在線施加足夠的正電壓，會(huì)使得該條在線所有的TFT打開，此時(shí)該條在線的畫素電極會(huì)與垂直方向的資料線連接，而將數(shù)據(jù)在線的顯示信號(hào)電壓寫入畫素中，控制不同液晶的透光度進(jìn)而達(dá)到控制色彩的效果O
[0003]目前液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電路主要是由面板外接IC來完成，使用的是CMOS制程。而GOA技術(shù)即Gate Driver on Array (數(shù)組基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù))，是直接將閘極驅(qū)動(dòng)電路(Gatedriver ICs)制作在數(shù)組(Array)基板上，來代替由外接娃芯片制作的驅(qū)動(dòng)芯片的一種技術(shù)。該技術(shù)的應(yīng)用可直接做在面板周圍，減少制作程序，且降低產(chǎn)品成本與體積。
[0004]然而，隨著面板分辨率越來越高的情況下，導(dǎo)致顯示設(shè)備邊框的面積一直不斷的壓縮。此時(shí)GOA驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)的必須縮小其面積，一般的做法是縮小薄膜晶體管與電容，但如此會(huì)導(dǎo)致電I!特性隨之改變進(jìn)而影響面板顯示特性，例如有可能會(huì)造成驅(qū)動(dòng)電路之驅(qū)動(dòng)能力不足。
[0005]因此，本實(shí)用新型針對(duì)上述問題，提供了一種顯示器的閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型目的，是提供一種顯示器之閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，藉由將閘極驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)產(chǎn)生電路中的薄膜晶體管與電容重疊設(shè)置，而縮小信號(hào)產(chǎn)生電路的電路面積，以縮小整體閘極驅(qū)動(dòng)電路的電路面積，進(jìn)而達(dá)到顯示器窄邊框之功效。
[0007]為了達(dá)到上述所指稱的各目的與功效，本實(shí)用新型揭示了一種顯示器的閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其包含復(fù)數(shù)信號(hào)產(chǎn)生電路，所述信號(hào)產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生復(fù)數(shù)掃描信號(hào)，并輸出所述掃描信號(hào)至顯示面板，所述信號(hào)產(chǎn)生電路分別包含:薄膜晶體管，用以導(dǎo)通或截止，以輸出所述掃描信號(hào)；絕緣層，位于所述薄膜晶體管的上方，所述絕緣層具有第一連接孔與第二連接孔；第一導(dǎo)電薄膜，位于所述絕緣層與所述薄膜晶體管的上方，并經(jīng)所述第一連接孔電性連接第一金屬層；以及第二導(dǎo)電薄膜，位于所述第一導(dǎo)電薄膜、所述絕緣層以及所述薄膜晶體管的上方，并經(jīng)所述第二連接孔電性連接第二金屬層；其中，所述第一導(dǎo)電薄膜與所述第二導(dǎo)電薄膜重疊于所述薄膜晶體管的上方，且所述第一導(dǎo)電薄膜與所述第二導(dǎo)電薄膜相隔一距離，以形成電容。
[0008]本創(chuàng)作更揭示了一種顯示器之閘極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其包含復(fù)數(shù)信號(hào)產(chǎn)生電路，所述信號(hào)產(chǎn)生電路用以產(chǎn)生復(fù)數(shù)掃描信號(hào)，并輸出該些掃描信號(hào)至顯示面板，所述信號(hào)產(chǎn)生電路分別包含:第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的一端電性連接第一接點(diǎn)，所述第一接點(diǎn)位于第一金屬層；第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的一端位于第二金屬層，所述第一金屬層位于所述第二金屬層的上方；絕緣層，位于所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的上方，所述絕緣層具有第一連接孔與第二連接孔；第一導(dǎo)電薄膜，位于所述絕緣層、所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管的上方，并經(jīng)所述第一連接孔電性連接所述第一接點(diǎn)與所述第二金屬層；以及第二導(dǎo)電薄膜，位于所述第一導(dǎo)電薄膜、所述絕緣層、所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管的上方，并經(jīng)所述第二連接孔電性連接第二接點(diǎn)，所述第二接點(diǎn)位于所述第一金屬層；其中，所述第一導(dǎo)電薄膜與所述第二導(dǎo)電薄膜重疊于所述第三薄膜晶體管的上方，且所述第一導(dǎo)電薄膜與所述第二導(dǎo)電薄膜相隔一定距離，以形成電容。
【附圖說明】
[0009]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0010]第I圖為本實(shí)用新型的顯示器的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖；
[0011]第2圖為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的閘極驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0012]第3圖為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的信號(hào)產(chǎn)生電路的電路圖；
[0013]第4圖為習(xí)知信號(hào)產(chǎn)生電路的布局示意圖；
[0014]第5圖為習(xí)知信號(hào)產(chǎn)生電路的剖面圖；
[0015]第6圖為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的信號(hào)產(chǎn)生電路的布局示意圖；
[0016]第7圖為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的信號(hào)產(chǎn)生電路的剖面圖；
[0017]第8圖為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的信號(hào)產(chǎn)生電路的剖面圖。
[0018]其中，各部件的標(biāo)號(hào)如下:
[0019]I顯示器
[0020]10顯示面板
[0021]12閘極驅(qū)動(dòng)電路
[0022]121-124,221-222信號(hào)產(chǎn)生電路
[0023]1210上拉電路
[0024]1212下拉電路
[0025]14源極驅(qū)動(dòng)電路
[0026]16時(shí)序控制電路
[0027]201、301、401基板
[0028]202,302半導(dǎo)體層
[0029]203、204、303、304電極
[0030]205、305、405絕緣層
[0031]206、207、306、307、406、 導(dǎo)電薄膜
[0032]407
[0033]208、209、308、309、408、 介電層
[0034]409
[0035]410第一接點(diǎn)
[0036]411端點(diǎn)
[0037]412第二接點(diǎn)
[0038]C1、C2電容
[0039]CLK頻率信號(hào)
[0040]H1、H3第一連接孔
[0041]H2、H4第二連接孔
[0042]M1、M2、M3、M4、M5薄膜晶體管
[0043]MT1、MT2金屬層
[0044]SC1-SC4掃描信號(hào)
[0045]STV啟動(dòng)信號(hào)
[0046]VSS參考電壓端
【具體實(shí)施方式】
[0047]為了對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0048]請(qǐng)參閱第I圖，其為本實(shí)用新型的顯示器的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。如圖所示，顯示器I包含顯示面板10、閘極驅(qū)動(dòng)電路12、源極驅(qū)動(dòng)電路14與時(shí)序控制電路16。閘極驅(qū)動(dòng)電路12產(chǎn)生并傳送復(fù)數(shù)(多個(gè)，下同)掃描信號(hào)至顯示面板10，以驅(qū)動(dòng)顯示面板10。源極驅(qū)動(dòng)電路14利用復(fù)數(shù)珈瑪電壓作為復(fù)數(shù)參考電壓，并依據(jù)復(fù)數(shù)顯示數(shù)據(jù)而選擇該些參考電壓以產(chǎn)生并傳送復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)信號(hào)至顯示面板10。顯示面板10依據(jù)該些數(shù)據(jù)信號(hào)而顯示影像。時(shí)序控制電路16產(chǎn)生一掃描控制信號(hào)與一數(shù)據(jù)控制信號(hào)，并傳送掃描控制信號(hào)至閘極驅(qū)動(dòng)電路12及傳送數(shù)據(jù)控制信號(hào)至源極驅(qū)動(dòng)電路14，以控制閘極驅(qū)動(dòng)電路12與源極驅(qū)動(dòng)電路14傳送該些掃描信號(hào)與該些數(shù)據(jù)信號(hào)至顯示面板10的時(shí)序。
[0049]請(qǐng)參閱第2圖，其為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的閘極驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖所示，閘極驅(qū)動(dòng)電路12包含復(fù)數(shù)信號(hào)產(chǎn)生電路121-124，該些信號(hào)產(chǎn)生電路121-124可分別為移位寄存器(Shift register)，該些信號(hào)產(chǎn)生電路121-124接收時(shí)序控制電路16輸出之掃描控制信號(hào)的頻率信號(hào)CLK與一啟動(dòng)信號(hào)STV，并依據(jù)頻率信號(hào)CLK與啟動(dòng)信號(hào)STV，而依序產(chǎn)生并輸出復(fù)數(shù)掃描信號(hào)SC1-SC4。
[0050]然而，由于閘極驅(qū)動(dòng)電路12的該些信號(hào)產(chǎn)生電路121-124之間的連接方式有許多種，且其連接方式亦并非本實(shí)用新型之技術(shù)重點(diǎn)，因此本實(shí)用新型僅于第2圖中介紹基本的該些信號(hào)產(chǎn)生電路121-124之連接方式，但并非用以限定本實(shí)用新型的技術(shù)。
[0051]請(qǐng)參閱第3圖，其為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的信號(hào)產(chǎn)生電路的電路圖。由于該些信號(hào)產(chǎn)生電路121-124之電路架構(gòu)皆相同，因此本實(shí)用新型僅以信號(hào)產(chǎn)生電路121做說明。如圖所示，信號(hào)產(chǎn)生電路121包含復(fù)數(shù)薄膜晶體管M1-M3、復(fù)數(shù)電容C1-C2、上拉電路1210與下拉電路1212。薄膜晶體管Ml的閘極耦接上拉電路1210，薄膜晶體管Ml的源極耦接下拉電路1212，而薄膜晶體管Ml的汲極接收頻率信號(hào)CLK，薄膜晶體管Ml用以導(dǎo)通或截止，以輸出掃描信號(hào)SCI。薄膜晶體管M2的閘極耦接薄膜晶體管Ml之閘極，薄膜晶體管M2的源極耦接參考電壓端Vss。薄膜晶體管M3的閘極耦接薄膜晶體管M2的汲極，薄膜晶體管M3的汲極耦接薄膜晶體管Ml的閘極，薄膜晶體管M3的源極耦接參考電壓端Vss。電容Cl耦接于薄膜晶體管Ml的閘極與源極之間。電容C2的端接收頻率信號(hào)CLK，而其另一端耦接于薄膜晶體管M2的汲極與薄膜晶體管M3的閘極。
[0052]其中，本實(shí)施例之薄膜晶體管M1-M3為N型金氧半場效晶體管(N-MOSFET)，但本實(shí)用新型并不以此為限，薄膜晶體管M1-M3亦可置換為P型金氧半場效晶體管(P-MOSFET)。
[0053]請(qǐng)一并參閱第4、5圖，第4圖為習(xí)知信號(hào)產(chǎn)生電路的布局不意圖，第5圖為習(xí)知信號(hào)產(chǎn)生電路的剖面圖(剖面線A-A’的剖面圖)。如第4圖所示，習(xí)知信號(hào)產(chǎn)生電路221-222的布局方式是將電容Cl設(shè)置在薄膜晶體管Ml旁，而將電容C2設(shè)置在薄膜晶體管M2-M5旁，其中薄膜晶體管M4與M5為上拉電路1210與下拉電路1212內(nèi)部之晶體管。