int_TP連接；
[0086]所述第一電源電壓接入單元包括:
[0087]第四晶體管T4，柵極接入第四控制信號S4，第一極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的第二極連接，第二極與所述第一電源線ELVdd連接；
[0088]所述閾值補償控制單元還包括:
[0089]第五晶體管T5，柵極接入掃描電壓信號Vscan_TP，第一極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接，第二極接入所述參考電壓Vref ;以及，
[0090]第六晶體管T6，柵極接入所述掃描電壓信號Vscan_TP，第一極與所述存儲電容C1的第二端B連接，第二極與數(shù)據(jù)線Vdata_TP連接。
[0091]以上Vdata_TP，Vscan_TP既是在觸控階段的輸入信號線也是顯示階段的輸入信號線；Vint_TP在觸控階段包括的觸控初始時間段和觸控感應(yīng)時間段用于輸入信號，在觸控階段包括的觸控探測時間段為觸控元件(即可變電容C2)輸出的探測信號線，在顯示階段Vint_TP起到初始化作用。通過以上信號線的共用，可以達到節(jié)省輸入信號線以及簡化電路設(shè)計的目的。
[0092]如圖3所示，本實用新型如圖2所示的像素驅(qū)動電路在工作時，
[0093]在觸控初始時間段tl，Vscan_TP和S2為高電平，此時，T5、T2和Τ6開啟，Vref寫入DTFT的柵極，由于T6開啟，因此Vdata_TP輸出的Vref寫入Cl的第二端B，同時由于S3為高電平，因此T3開啟，因此C1的第一端A寫入由Vin_TP輸入的信號；另外，由于S4為低電平，ELVss輸出高電平，因此0LED反接，處于不發(fā)光狀態(tài)；進行觸控初始化的目的時清除先前階段DTFT的偏置電壓對后續(xù)的影響以及將存儲電容C1的兩端寫入合適電平，為后續(xù)階段做準(zhǔn)備；
[0094]在觸控感應(yīng)時間段t2，Vscan_TP為低電平，因此T5和T6關(guān)斷，由于S3繼續(xù)為高電平，因此T3繼續(xù)開啟，C1的第一端A繼續(xù)寫入由Vint_TP輸入的信號；由于S1為高電平，因此T1開啟，這時當(dāng)有觸控發(fā)生時，可變電容C2的一端由于觸控將發(fā)生電壓變化，該變化使得存儲電容C1的第二端B的電位也發(fā)生變化，由于DTFT的柵極與C1的第二端B連接，因此當(dāng)有觸控發(fā)生時，DTFT的柵極電壓相應(yīng)發(fā)生變化，由于ELVss輸出高電平，因此0LED反接，0LED處于不發(fā)光狀態(tài)；
[0095]在觸控探測時間段t3，S4為高電平，T4打開，ELVdd輸出的高電平接入DTFT的第二極，并且由t2階段的描述可知，DTFT的柵極電壓在有觸控發(fā)生時改變，對應(yīng)的DTFT的開啟電流將發(fā)生改變，此時Vint_TP為接受信號線，因此在一段時間內(nèi)，通過Vint_TP探測到的電荷變化就可以判斷是否有觸控發(fā)生，此時由于ELVss輸出高電平，因此0LED反接，0ELD處于不發(fā)光階段，該階段結(jié)束后，像素進入AMOLED(Active-matrix organic lightemitting d1de，有源矩陣有機發(fā)光二極管)顯示階段；
[0096]由在圖3中的t3可知，實線對應(yīng)的Touch所對應(yīng)的通過Vint_TP探測得到的電位對應(yīng)于有觸控情況發(fā)生，虛線對應(yīng)的Un-Touch所對應(yīng)的通過Vint-TP探測得到的電位對應(yīng)于沒有觸控情況發(fā)生；
[0097]在顯示初始時間段t4，Vscan_TP和S3為高電平，因此T5、T6和T3開啟，由于S2和S4為低電平，因此T2和T4關(guān)斷，此時Vref寫入DTFT的柵極，存儲電容C1的第二端B寫入由Vdata_TP輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata，另外存儲電容C1的第一端A接入由Vint_TP輸入的信號Vint，也即DTFT的源極電壓為Vint，故DTFT的柵源電壓為Vref-Vint > Vth，此時DTFT開啟，由于此時ELVss輸出高電平，ELVss輸出的高電平高于Vint，因此0LED反接，處于不發(fā)光狀態(tài)；
[0098]在閾值補償時間段t5，Vscan_TP和S4為高電平，T5和T6繼續(xù)開啟，因此DTFT的柵極繼續(xù)寫入Vref，Cl的第二端B的電位保持為Vdata，由于S4為高電平，T4開啟，同時S3為低電平，因此T3關(guān)斷；由前面知道，此時DTFT開啟，對C1的第一端A進行充電，直到C1的第一端A的電位VA = Vref-Vth為止，Vth為DTFT的閾值電壓，此時，C1的兩端的電壓為Vdata-(Vref-Vth)，由于此時ELVss輸出高電平，由前面知道，ELVss的高電平高于Vref-Vth,因此OLED反接，處于不發(fā)光狀態(tài)，由上可知，DTFT的開啟進行閾值電壓補償與DTFT的閾值電壓是正值還是負(fù)值無關(guān)；
[0099]在顯示驅(qū)動時間段t6，Vscan_TP和S3為低電平，T5、T6和Τ3關(guān)斷，S2為高電平，Τ2開啟，此時DTFT的柵源電壓Vgs保持t5時刻末的值，Vgs = Vdata-Vref+Vth，另外由于DTFT的柵源電壓Vgs減去Vth得到的值小于DTFT的漏源電壓Vds，即Vgs-Vth < Vds,因此DTFT 處于飽和開啟狀態(tài)，OLED 的開啟電流 I = K (Vgs-Vth) 2= K (Vdata-Vref+Vth-Vth) 2 =K (Vdata-Vref)2，其中K是與DTFT的工藝參數(shù)和幾何尺寸有關(guān)的常數(shù)，可見0LED的開啟電流確實與DTFT的閾值電壓無關(guān)，從而消除DTFT的閾值電壓對0LED的發(fā)光亮度的影響，提高了 0LED發(fā)光亮度的均一性；
[0100]在后續(xù)時間段，各個控制信號與t6時的值相同，因此0LED的發(fā)光狀態(tài)保持，直到某個時間段Vscan_TP的高電平再次來到為止。
[0101]在圖3中，在電平設(shè)置上滿足:ELVss輸出的高電平高于Vref+ | Vth I，除了在觸控探測時間段t3，Vref>Vint+Vth，Vint為Vint_TP輸出的初始電壓，Vth為DTFT的閾值電壓。
[0102]圖4是本實用新型另一具體實施例所述的像素驅(qū)動電路的電路圖，圖4與圖2的區(qū)別僅在于，觸控元件采用光感二極管D1，D1的陰極與T1連接，D1的陽極與接入第二電源電壓Vss。
[0103]由前面的闡述知道，本實用新型提供的像素電路一方面能夠?qū)崿F(xiàn)觸控功能，另一方面能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動晶體管的閾值電壓補償，且不論驅(qū)動晶體管的閾值電壓是正值還是負(fù)值，均可以實現(xiàn)補償功能，從而提高提高顯示功能及顯示效果。
[0104]本實用新型實施例所述的像素驅(qū)動電路應(yīng)用于的像素驅(qū)動方法包括:
[0105]觸控感應(yīng)步驟:在觸控階段包括的觸控感應(yīng)時間段，觸控元件接入單元控制所述存儲電容的第二端接入觸控元件輸出的觸控感應(yīng)電壓，驅(qū)動控制單元將所述觸控感應(yīng)電壓寫入所述驅(qū)動晶體管的柵極；
[0106]觸控探測步驟:在觸控階段包括的觸控探測時間段，第一電源電壓接入單元控制所述驅(qū)動晶體管的第二極接入第一電源電壓，觸控探測單元控制所述驅(qū)動晶體管的第一極連接至觸控探測線，以控制所述驅(qū)動晶體管根據(jù)柵極寫入的所述觸控感應(yīng)電壓輸出相應(yīng)的觸控感應(yīng)電流至所述觸控探測線；
[0107]閾值補償步驟:在顯示階段包括的閾值補償時間段，閾值補償控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的柵極接入?yún)⒖茧妷篤ref，控制所述存儲電容的第二端接入數(shù)據(jù)電壓Vdata，第一電源電壓接入單元控制所述驅(qū)動晶體管的第二極接入所述第一電源電壓，從而控制所述驅(qū)動晶體管導(dǎo)通而為所述存儲電容供電直至所述存儲電容的第一端的電位為Vref-Vth，Vth為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；
[0108]顯示驅(qū)動步驟:在顯示階段包括的顯示驅(qū)動時間段，驅(qū)動控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述存儲電容的第二端連接，第一電源電壓接入單元控制所述驅(qū)動晶體管的第二極接入所述第一電源電壓，以控制所述驅(qū)動晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光。
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