本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及TFT陣列基板、TFT液晶顯示面板及制作方法。

背景技術(shù)：
目前液晶顯示器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，現(xiàn)有的液晶顯示器一般由上下兩個(gè)基板對(duì)盒形成，對(duì)盒后的上下基板的四周都是用封框膠進(jìn)行貼合的。為了使貼合后的上下基板形成的顯示面板盒厚均勻，并使上下基板電性導(dǎo)通，一般在外圍封框膠區(qū)域設(shè)置有硅球和金球，硅球在周邊結(jié)構(gòu)中起支持周邊盒厚的作用，金球用于導(dǎo)通上下基板，如圖1所示為現(xiàn)有的液晶顯示面板周邊結(jié)構(gòu)示意圖。圖1中，液晶顯示面板由彩膜基板和具有TFT陣列的陣列基板對(duì)盒形成，TFT陣列基板的玻璃基板2形成有數(shù)條掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線（圖中未標(biāo)示），數(shù)條掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相交限定形成陣列排布的像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)形成有TFT陣列，每一TFT內(nèi)包括有柵極3，以及依次形成于柵極上的柵絕緣層4、半導(dǎo)體層和源/漏金屬層（通常形成TFT的源極的金屬與形成漏極的金屬在同一個(gè)工藝步驟中形成，因此二者位于同一層，統(tǒng)稱為源/漏金屬層，且圖中未標(biāo)示），陣列基板上還包括形成于TFT陣列之上的絕緣層5。彩膜基板的玻璃基板1上包括色層6和遮光層7。由圖1可知，球形的硅球8和金球9是獨(dú)立于TFT陣列基板和彩膜基板的，并摻雜在粘合彩膜基板和陣列基板的封框膠10內(nèi)，與遮光層7和絕緣層5的接觸面積很小，很難控制周邊盒厚，導(dǎo)致液晶顯示器的周邊盒厚不均勻，影響顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種TFT陣列基板、TFT液晶顯示面板及制作方法，以解決現(xiàn)有液晶顯示面板的周邊盒厚不均勻的問題。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：本發(fā)明一方面提供了一種薄膜晶體管TFT陣列基板，包括形成在基板上的TFT，以及位于所述TFT之上的絕緣層，還包括：與所述絕緣層為一體結(jié)構(gòu)、并以預(yù)設(shè)方式排布在所述基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處、能夠?qū)⑺鯰FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的若干個(gè)支撐物；且所述若干個(gè)支撐物具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面。優(yōu)選的，所述支撐物包括由樹脂材料形成的支撐部，以及涂覆于所述支撐部表面的、厚度均勻的金屬氧化物薄膜。進(jìn)一步的，所述支撐部為通過(guò)掩膜工藝一體形成在所述絕緣層之上，并與所述絕緣層具有設(shè)定接觸面積的規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀，所述支撐部的形狀優(yōu)選柱狀。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述TFT陣列基板還包括：像素電極；電連接所述像素電極與TFT漏極、且靠近所述基板待涂布封框膠區(qū)域的過(guò)孔；以及位于所述過(guò)孔內(nèi)、表面涂覆有厚度均勻的金屬氧化物薄膜的若干個(gè)支撐部，且若干個(gè)所述支撐部具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面。其中，位于過(guò)孔外的支撐部高度為遮光層和所述絕緣層之間的垂直距離，其中所述遮光層位于與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板上；位于過(guò)孔內(nèi)的支撐部高度為位于過(guò)孔外的支撐部高度與所述絕緣層厚度之和。位于過(guò)孔外的支撐部與位于過(guò)孔內(nèi)的支撐部沿所述基板邊緣延伸方向平行排列。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括：上述薄膜晶體管TFT陣列基板；與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，所述彩膜基板面向所述TFT陣列基板的一面上形成有遮光層和色層，在所述遮光層對(duì)應(yīng)于所述TFT陣列基板的所述支撐物的位置處形成有支撐物襯墊；以及設(shè)置于所述TFT陣列基板與所述彩膜基板之間的液晶層。本發(fā)明另一方面還提供了一種薄膜晶體管TFT陣列基板的制造方法，包括：在基板上形成TFT陣列以及絕緣層，該方法還包括：在所述絕緣層之上，形成與所述絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，并能夠?qū)FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的若干支撐物，其中，所述若干支撐物具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面，并以預(yù)設(shè)方式排布在所述基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處。上述薄膜晶體管TFT陣列基板的制造方法優(yōu)選包括：在所述絕緣層上沉積樹脂有機(jī)膜；對(duì)所述有機(jī)膜進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕后，在所述基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處一體形成若干所述支撐物的支撐部；在所述支撐部表面沉積厚度均勻的金屬氧化物薄膜。優(yōu)選的，在所述支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜之前，上述方法還包括：形成像素電極，以及電連接所述像素電極與TFT漏極的過(guò)孔；在靠近所述基板待涂布封框膠區(qū)域的所述過(guò)孔內(nèi)，一體形成能夠?qū)⑺鯰FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的若干支撐部，若干所述支撐部具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面。本發(fā)明再一方面還提供了一種液晶顯示面板的制作方法，該方法包括：提供一TFT陣列基板；在所述TFT陣列基板的TFT陣列上形成絕緣層；在所述絕緣層上沉積樹脂有機(jī)膜；對(duì)所述有機(jī)膜進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕后，形成與所述絕緣層為一體結(jié)構(gòu)， 并能夠?qū)FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的若干支撐物的支撐部，其中，若干所述支撐部具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面，并以預(yù)設(shè)方式排布在所述基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處；在所述支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜；提供一形成有密封膠框的彩膜基板，并在所述彩膜基板的遮光層對(duì)應(yīng)于所述TFT陣列基板的所述支撐物的位置處形成支撐物襯墊；在所述密封膠框內(nèi)滴入液晶，并將所述TFT陣列基板與所述彩膜基板相對(duì)貼合，所述TFT基板與所述彩膜基板之間通過(guò)所述支撐物支撐，將液晶封裝在所述TFT陣列基板與所述彩膜基板之間。本發(fā)明提供的TFT陣列基板、TFT液晶顯示面板及制作方法，在TFT陣列基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處，形成與TFT陣列基板絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面，并能夠?qū)FT陣列基板與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的支撐物，該支撐物與絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，并以設(shè)定方式排布，則相較現(xiàn)有中利用獨(dú)立于陣列基板的硅球和金球支撐彩膜基板更穩(wěn)固，并能夠更好的起到支撐作用，并且該支撐物兼具支撐與導(dǎo)通上下基板的功能，避免單獨(dú)選取硅球和金球，更為精確的控制周邊盒厚。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板周邊結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的TFT陣列基板周邊結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的另一TFT陣列基板周邊結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的再一TFT陣列基板周邊結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的液晶顯示面板周邊結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例三提供的TFT陣列基板制作流程圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的液晶顯示面板制作流程圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板、TFT液晶顯示面板及制作方法，在待涂布封框膠區(qū)域位置處形成兼具支撐作用與導(dǎo)電功能的支撐物，通過(guò)該陣列基板與彩膜基板對(duì)盒，能夠較精確的控制周邊盒厚。以下將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板、TFT液晶顯示面板及制作方法的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明，附圖中各區(qū)域大小和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的TFT陣列基板周邊結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例中TFT陣列基板包括位于TFT陣列之上的絕緣層5，以及與絕緣層5為一體結(jié)構(gòu)的，能夠?qū)FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的支撐物11，且該支撐物11具有位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面，并以預(yù)設(shè)方式排布在陣列基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處。本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板，在TFT陣列基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處具有，與TFT陣列基板絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，位于同一水平面用于支撐所述彩膜基板的上頂平面，并能夠?qū)FT陣列基板與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的支撐物，該支撐物與絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，并以設(shè)定方式排布，則相較現(xiàn)有中利用獨(dú)立于陣列基板的硅球和金球支撐彩膜基板更穩(wěn)固，并能夠更好的起到支撐作用，并且該支撐物兼具支撐與導(dǎo)通上下基板的功能，避免單獨(dú)選取硅球和金球，更為精確的控制周邊盒厚。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中支撐物可選用易成型的樹脂材料形成一支撐部110，并且使該支撐部表面涂覆有厚度均勻的金屬氧化物薄膜13，使形成的支撐物相對(duì)硬度也較小，減小對(duì)絕緣層的擠壓，同時(shí)在樹脂材料形成的支撐物表面涂覆有厚度均勻的金屬氧化物薄膜13，使得對(duì)盒后的陣列基板與彩膜基板通過(guò)該金屬氧化物導(dǎo)通，如圖3所示，即該支撐物兼具硅球和金球的作用，簡(jiǎn)化制作工藝。本發(fā)明實(shí)施例中支撐部110的形狀并不做限定，只要能夠起到支撐作用即可，但為了避免形成的支撐部110受到外力擠壓后，刺破位于其下方的絕緣層 5，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選該支撐部110為通過(guò)掩膜工藝一體形成在絕緣層5之上的規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀，進(jìn)一步優(yōu)選與絕緣層5具有設(shè)定接觸面積的規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀。進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中支撐物的形狀優(yōu)選柱狀，一方面柱狀支撐物較易形成，另一方面柱狀支撐物具有一定的底面積，增大支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積，防止受到外力擠壓時(shí)，支撐物刺破比較軟的絕緣層5，由于柱狀支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積相較于現(xiàn)有的硅球與絕緣層之間的有效接觸面積較大，一般不會(huì)刺破絕緣層5，可減小絕緣層5的厚度。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中位于TFT陣列基板上待涂布封框膠區(qū)域位置處的支撐物11的排布密度以及排列方式并不做限定，可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。進(jìn)一步優(yōu)選的，為了進(jìn)一步增強(qiáng)周邊盒厚的均勻性，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板還包括：像素電極（圖中未標(biāo)示）；電連接像素電極與TFT漏極、且靠近基板待涂布封框膠區(qū)域的過(guò)孔12；以及位于該過(guò)孔12內(nèi)的，和與絕緣層為一體結(jié)構(gòu)的支撐物11相同功能的其他若干個(gè)支撐物，如圖4所示。為了能夠起到支撐作用，位于過(guò)孔外的支撐部111與位于過(guò)孔內(nèi)的支撐部112在靠近彩膜基板一側(cè)的上頂平面應(yīng)位于同一水平面，從而使位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112二者之間在過(guò)孔12對(duì)應(yīng)位置處形成段差，根據(jù)物理學(xué)受力原理，當(dāng)對(duì)盒后形成的液晶顯示面板被擠壓時(shí)，通過(guò)該段差能夠進(jìn)一步的保證盒厚的均勻性。進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中可將位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112沿基板邊緣延伸方向平行排列，以使被擠壓時(shí)受力均勻，進(jìn)一步控制盒厚的均勻性。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例中位于過(guò)孔12外的支撐部111高度為位于彩膜基板上的遮光層7和絕緣層5之間的垂直距離；位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112 高度為位于過(guò)孔12外的支撐部111高度與絕緣層5厚度之和。本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)遮光層7與絕緣層5之間的距離計(jì)算位于TFT陣列基板一側(cè)的支撐物高度，一方面能夠根據(jù)不同TFT液晶面板上遮光層7與絕緣層5之間的距離靈活調(diào)整支撐物的高度，另一方面將支撐物高度設(shè)定為遮光層7和絕緣層5之間的垂直距離，能夠更精確的控制盒厚。本發(fā)明實(shí)施例二在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括實(shí)施例一中的TFT陣列基板，本發(fā)明實(shí)施例二中的TFT陣列基板具有實(shí)施例一中的全部技術(shù)特征，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板還包括與TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，其中，彩膜基板的玻璃基板1面向TFT陣列基板的一面上形成有遮光層7和色層6，遮光層7對(duì)應(yīng)于支撐物11的位置處形成有支撐物襯墊（圖中未標(biāo)示）。在TFT陣列基板與彩膜基板之間還設(shè)置有液晶層。如圖5所示為本發(fā)明實(shí)施例二提供的在TFT陣列基板一側(cè)的封框膠區(qū)域形成有支撐物的液晶顯示面板周邊結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板，通過(guò)TFT陣列基板上待涂布封框膠區(qū)域位置處的具有導(dǎo)通上下基板功能的支撐物控制周邊盒厚更精確，減少因周邊硅球和金球間的搭配計(jì)算錯(cuò)誤導(dǎo)致的盒厚不良，提高液晶顯示面板的試做成功率。并且本發(fā)明實(shí)施例中支撐物形成在TFT陣列基板絕緣層之上，不再是獨(dú)立于基板的部件，使得液晶顯示面板周邊受壓時(shí)，不會(huì)造成絕緣層被刺穿，降低了絕緣層的厚度，并能避免絕緣層被刺穿導(dǎo)致的亮線類不良。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板利用樹脂支撐物取代原有周邊結(jié)構(gòu)中的硅球和金球，能夠降低成本。并且將支撐物放置在TFT陣列基板一側(cè)，因?yàn)榉饪蚰z涂布設(shè)備的感應(yīng)器設(shè)置在封框膠涂布路徑旁邊一定距離處，所以不會(huì)對(duì)封框膠涂布造成干擾。若放置在CF側(cè)，則有可能在貼合時(shí)造成封框膠被擠壓擴(kuò)散至顯示面板內(nèi)，造成液晶污染。本發(fā)明實(shí)施例三還提供了一種TFT陣列基板的制造方法，該方法包括在基 板上形成TFT陣列以及絕緣層，形成與該絕緣層為一體結(jié)構(gòu)，并能夠?qū)FT陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板電連接的若干支撐物，其中，若干個(gè)支撐物具有位于同一水平面用于支撐彩膜基板的上頂平面，并以預(yù)設(shè)方式排布在基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處。作為一個(gè)較佳的實(shí)施例，以下將結(jié)合具體的實(shí)際應(yīng)用對(duì)上述TFT陣列基板的制作方法做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，制作流程如圖6所示，并請(qǐng)同時(shí)參閱圖4。步驟S601：提供一基板2，在本發(fā)明實(shí)施例中基板2為玻璃基板。步驟S602：在基板2上形成TFT陣列。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中形成TFT陣列的過(guò)程可采用現(xiàn)有的制作方法，包括在基板2上形成數(shù)條掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線，數(shù)條掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相交限定形成陣列排布的像素區(qū)域，在每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成TFT陣列，每一TFT內(nèi)包括與掃描線電連接的柵極3，以及依次形成在柵極上的柵絕緣層4、半導(dǎo)體層和源漏極（圖中未標(biāo)示）。步驟S603：在TFT陣列之上沉積形成絕緣層5。步驟S604：在絕緣層5上沉積樹脂有機(jī)膜。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)膜優(yōu)選樹脂材料，以使后續(xù)形成的支撐物硬度較低。步驟S605：對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕后形成與絕緣層5為一體結(jié)構(gòu)的支撐部110。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中形成的支撐部110位于絕緣層5之上，且位于陣列基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處，并以預(yù)設(shè)方式排布，同時(shí)本發(fā)明實(shí)施例中為能夠更好的控制盒厚均勻性，支撐部110具有位于同一水平面用于支撐彩膜基板的上頂平面。本發(fā)明實(shí)施例中支撐部110的形狀并不做限定，只要能夠起到支撐作用即可，但為了避免形成的支撐部110受到外力擠壓后，刺破位于其下方的絕緣層5，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選通過(guò)掩膜工藝一體形成與絕緣層5具有設(shè)定接觸面積 的，并具有規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀的支撐部110。進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選通過(guò)掩膜工藝一體形成柱狀的支撐部110，一方面柱狀支撐物較易形成，另一方面柱狀支撐物具有一定的底面積，增大支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積，防止受到外力擠壓時(shí)，支撐物刺破比較軟的絕緣層5，由于柱狀支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積相較于現(xiàn)有的硅球與絕緣層之間的有效接觸面積較大，一般不會(huì)刺破絕緣層5，可減小絕緣層5的厚度。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中位于TFT陣列基板上待涂布封框膠區(qū)域位置處的支撐部110的排布密度以及排列方式并不做限定，可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例還可在所述支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜之前，形成像素電極，以及電連接所述像素電極與TFT漏極的過(guò)孔；在靠近基板待涂布封框膠區(qū)域，像素電極與TFT漏極電連接的過(guò)孔內(nèi)一體形成與支撐物11具有相同功能的支撐物，使位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112二者之間在過(guò)孔12對(duì)應(yīng)位置處形成段差，當(dāng)對(duì)盒后形成的液晶顯示面板被擠壓時(shí)，通過(guò)該段差能夠進(jìn)一步的保證盒厚的均勻性。進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中可將位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112沿基板邊緣延伸方向平行排列，以使被擠壓時(shí)受力均勻，進(jìn)一步控制盒厚的均勻性。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例中位于過(guò)孔外的支撐物高度為位于彩膜基板一側(cè)的遮光層7和TFT陣列基板一側(cè)的絕緣層5之間的垂直距離；位于過(guò)孔內(nèi)的支撐物高度為位于過(guò)孔外的支撐物高度與TFT陣列基板一側(cè)的絕緣層厚度之和。步驟S606：在形成的支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中在樹脂材料制作的支撐部表面沉積金屬氧化物薄膜，使得上下基板對(duì)盒后能夠?qū)?，以達(dá)到金球的作用，從而形成的支撐 物兼具硅球和金球的作用，簡(jiǎn)化制作工藝，并降低工藝成本。需要說(shuō)明的是本發(fā)明實(shí)施例中采用樹脂形成支撐物，一方面由于樹脂具有易成型，硬度小的優(yōu)點(diǎn)，另一方面還由于在液晶顯示面板制作工藝中沉積金屬氧化物薄膜是不可缺少的一個(gè)步驟，因此，本發(fā)明實(shí)施例中相對(duì)現(xiàn)有的制作方法，僅僅增加了沉積樹脂有機(jī)膜并曝光、顯影和刻蝕的步驟，實(shí)現(xiàn)較簡(jiǎn)單。本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法，通過(guò)在絕緣層之上沉積樹脂有機(jī)膜，并對(duì)該有機(jī)膜進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕后，在待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處形成支撐物，并在支撐部表面沉積金屬氧化物薄膜，使得支撐物同時(shí)具有支撐與導(dǎo)電的功能，無(wú)需單獨(dú)制作，能夠較精確的控制周邊盒厚。本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種液晶顯示面板的制作方法，具體制作過(guò)程如圖7所示，請(qǐng)同時(shí)參閱圖5。步驟S701：提供一具有TFT陣列的基板。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中TFT陣列的形成可采用現(xiàn)有的形成方法。步驟S702：在TFT陣列上形成絕緣層5。步驟S703：在絕緣層5上沉積樹脂有機(jī)膜。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)膜優(yōu)選樹脂材料，以使后續(xù)形成的支撐物硬度較低。步驟S704：對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕后，在基板待涂布封框膠區(qū)域?qū)?yīng)位置處形成與絕緣層5為一體結(jié)構(gòu)、具有位于同一水平面的上頂平面的支撐部110。本發(fā)明實(shí)施例中支撐部110的形狀并不做限定，只要能夠起到支撐作用即可，但為了避免形成的支撐部110受到外力擠壓后，刺破位于其下方的絕緣層5，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選該支撐部110為通過(guò)掩膜工藝一體形成在絕緣層5之上，并與絕緣層5具有設(shè)定接觸面積的規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀。進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中支撐物的形狀優(yōu)選柱狀，一方面柱狀支 撐物較易形成，另一方面柱狀支撐物具有一定的底面積，增大支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積，防止受到外力擠壓時(shí)，支撐物刺破比較軟的絕緣層5，由于柱狀支撐物與絕緣層之間的有效接觸面積相較于現(xiàn)有的硅球與絕緣層之間的有效接觸面積較大，一般不會(huì)刺破絕緣層5，可減小絕緣層5的厚度。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中位于TFT陣列基板上待涂布封框膠區(qū)域位置處的支撐部110的數(shù)量以及排列方式并不做限定，可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇，但為了支撐效果更好，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選采用支撐物連續(xù)排列或間隔排列。優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例還可在靠近基板待涂布封框膠區(qū)域，像素電極與TFT漏極電連接的過(guò)孔12內(nèi)一體形成與支撐部110具有相同功能的其他支撐部，使位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112二者之間在過(guò)孔12對(duì)應(yīng)位置處形成段差，當(dāng)對(duì)盒后形成的液晶顯示面板被擠壓時(shí)，通過(guò)該段差能夠進(jìn)一步的保證盒厚的均勻性。并可將位于過(guò)孔12外的支撐部111和位于過(guò)孔12內(nèi)的支撐部112沿基板邊緣延伸方向平行排列，以使被擠壓時(shí)受力均勻，進(jìn)一步控制盒厚的均勻性。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例中位于過(guò)孔外的支撐物高度為位于彩膜基板一側(cè)的遮光層7和TFT陣列基板一側(cè)的絕緣層5之間的垂直距離；位于過(guò)孔內(nèi)的支撐物高度為位于過(guò)孔外的支撐物高度與TFT陣列基板一側(cè)的絕緣層厚度之和。步驟S705：在形成的支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜。具體的，本發(fā)明實(shí)施例中在樹脂材料制作的支撐部表面沉積均勻厚度的金屬氧化物薄膜，使得上下基板對(duì)盒后能夠?qū)?，以達(dá)到金球的作用，從而形成的支撐物兼具硅球和金球的作用，簡(jiǎn)化制作工藝，并降低工藝成本。步驟S706：提供一形成有密封膠框的彩膜基板，并在彩膜基板的遮光層7對(duì)應(yīng)于支撐物11的位置處形成支撐物襯墊。步驟S707：在密封膠框內(nèi)滴入液晶，并將周邊位置具有支撐物11的TFT陣列基板與彩膜基板相對(duì)貼合。具體的，TFT陣列基板與彩膜基板之間通過(guò)支撐物11支撐，將液晶封裝在TFT陣列基板與彩膜基板之間，形成最終的液晶顯示面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板制作方法，通過(guò)TFT陣列基板上待涂布封框膠區(qū)域位置處形成的兼具支撐作用和導(dǎo)通上下基板功能的支撐物，使周邊盒厚控制更精確，減少因周邊硅球和金球間的搭配計(jì)算錯(cuò)誤導(dǎo)致的盒厚不良，提高液晶顯示面板的試做成功率。并且本發(fā)明實(shí)施例中支撐物形成在TFT陣列基板絕緣層之上，不再是獨(dú)立于基板的部件，使得液晶顯示面板周邊受壓時(shí)，不會(huì)造成絕緣層被刺穿，降低了絕緣層的厚度，并能避免絕緣層被刺穿導(dǎo)致的亮線類不良。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板利用樹脂支撐物取代原有周邊結(jié)構(gòu)中的硅球和金球，能夠降低成本。并且將支撐物放置在TFT陣列基板一側(cè)，因?yàn)榉饪蚰z涂布設(shè)備的感應(yīng)器設(shè)置在封框膠涂布路徑旁邊一定距離處，所以不會(huì)對(duì)封框膠涂布造成干擾。若放置在CF側(cè)，則有可能在貼合時(shí)造成封框膠被擠壓擴(kuò)散至顯示面板內(nèi)，造成液晶污染。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。