本發(fā)明涉及一種顯示裝置，且特別涉及一種可觀察損壞位置的顯示裝置。

背景技術(shù)：

典型的電泳顯示裝置包含電泳層以及薄膜晶體管陣列基板。電泳層設(shè)置于薄膜晶體管陣列基板上，在使用時(shí)，薄膜晶體管陣列基板可產(chǎn)生電場(chǎng)，以控制電泳層中的微膠囊的白色帶電粒子與黑色帶電粒子移動(dòng)，從而顯示畫面。

薄膜晶體管陣列基板包含多個(gè)顯示像素以及多個(gè)虛擬像素(dummy pixel)，這些虛擬像素圍繞顯示像素，且讓顯示元件層的外環(huán)狀區(qū)域呈現(xiàn)相同顏色，而在視覺上形成外框。

一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)薄膜晶體管陣列基板的線路損壞時(shí)，可從玻璃基板的背面觀察微膠囊的顏色，并借由顏色的異常來(lái)判斷是哪一條線路損壞。然而，為了讓顯示元件層的整個(gè)外環(huán)狀區(qū)域形成連續(xù)的外框圖案，制造者會(huì)在該外環(huán)狀區(qū)域下方布滿金屬電極，以控制整個(gè)外環(huán)狀區(qū)域的微膠囊。在這樣的結(jié)構(gòu)下，當(dāng)薄膜晶體管陣列基板的線路損壞時(shí)，由于金屬電極系位于顯示元件層與玻璃基板之間，所以無(wú)法從玻璃基板背面觀看到顯示元件層中的微膠囊，而無(wú)法得知哪條線路損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種可觀察損壞位置的顯示裝置。

為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，一種顯示裝置包含透光基板、多個(gè)虛擬像素、周邊線路層以及顯示元件層。虛擬像素設(shè)置于透光 基板上。每一虛擬像素包含虛擬圖案控制層。周邊線路層設(shè)置于透光基板上，用于施加同極性的電壓給虛擬圖案控制層。顯示元件層覆蓋透光基板以及虛擬像素。周邊線路層與虛擬圖案控制層相隔間隙，此間隙允許光從顯示元件層反射至透光基板。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，虛擬像素包含至少一個(gè)電性連接結(jié)構(gòu)，連接虛擬圖案控制層與周邊線路層并穿過(guò)間隙。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，周邊線路層與虛擬圖案控制層沿著第一方向排列，且電性連接結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，此些電性連接結(jié)構(gòu)沿著第二方向排列，第一方向與第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，相鄰兩電性連接結(jié)構(gòu)在第二方向上相隔間距，此間距小于或等于20微米。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電性連接結(jié)構(gòu)包含相連接的第一導(dǎo)體以及至少一個(gè)第二導(dǎo)體。第一導(dǎo)體的長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第一方向。第二導(dǎo)體的長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第二方向。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電性連接結(jié)構(gòu)為L(zhǎng)形結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電性連接結(jié)構(gòu)為T形結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電性連接結(jié)構(gòu)露出部分的間隙。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，顯示元件層的一部分位于間隙上方并受電性連接結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)控制。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，顯示裝置還包含多個(gè)顯示像素，設(shè)置于透光基板上，并被顯示元件層覆蓋。此些虛擬像素共同圍繞此些顯示像素，至少兩顯示像素被施加不同極性的電壓。

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，虛擬像素的至少一者包含薄膜晶體管，薄膜晶體管與虛擬圖案控制層是絕緣的，其中位于虛擬像素上方的顯示元件層的一部分受虛擬圖案控制層的電場(chǎng)控制。

在上述實(shí)施方式中，由于位于虛擬像素旁的周邊線路層與虛擬圖案控制層相隔間隙，且此間隙允許光從顯示元件層反射至透光基板，因此，檢測(cè)人員可從透光基板的背面觀看到間隙上方的顯示元件層，從而可由透光基板的背面觀察顯示元件層中微膠囊的顏色，并借由顏色的不同或異常來(lái)判斷損壞位置。

以上所述僅用于闡述本發(fā)明所欲解決的問(wèn)題、解決問(wèn)題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)將在下文的實(shí)施方式及相關(guān)附圖中詳細(xì)介紹。

附圖說(shuō)明

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下：

圖1為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的局部俯視示意圖；

圖3為圖2的薄膜晶體管陣列基板沿著3-3線的剖面示意圖；

圖4為圖2的薄膜晶體管陣列基板沿著4-4線的剖面示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的局部俯視示意圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的局部俯視示意圖；以及

圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的局部俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將以附圖公開本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見，許多具體的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解到，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些具體的細(xì)節(jié)并非必要的，因此不應(yīng)用于限制本發(fā)明。此外，為簡(jiǎn)化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式描述。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面示意圖。如圖1所示，顯示裝置包含薄膜晶體管陣列基板10以及顯示元件層20。顯示元件層20設(shè)置于薄膜晶體管陣列基板10上，而受薄膜晶體管陣列基板10驅(qū)動(dòng)以顯示畫面。舉例來(lái)說(shuō)，顯示元件層20可為電泳層，其包含多個(gè)微膠囊21。每一微膠囊21包含多個(gè)淺色帶電粒子22以及多個(gè)深色帶電粒子23。淺色帶電粒子22與深色帶電粒子23所帶的電荷相異，且可受薄膜晶體管陣列基板10的電場(chǎng)吸引或排斥，而移動(dòng)至特定位置，以顯示圖案。

圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板10的局部俯視示意圖。如圖2所示，薄膜晶體管陣列基板10包含透光基板100、多個(gè)虛擬像素200、周邊線路層300以及多個(gè)顯示像素400、多個(gè)數(shù)據(jù)線500以及多個(gè)掃描線600。虛擬像素200、周邊線路層300與顯示像素400設(shè)置于透光基板100上，其中此些虛擬像素200共同圍繞此些顯示像素400，而周邊線路層300圍繞此些虛擬像素200。換句話說(shuō)，虛擬像素200共同形成環(huán)狀圖案，并圍繞所有顯示像素400。周邊線路層300也形成環(huán)狀圖案，并圍繞所有虛擬像素200。多個(gè)數(shù)據(jù)線500以及多個(gè)掃描線600用于驅(qū)動(dòng)顯示像素400顯示畫面。顯示像素400的至少兩者被施加不同極性的電壓，以使其上方的顯示元件層20的微膠囊21(如圖1所示)呈現(xiàn)不同顏色，以顯示出所需的圖案。

如圖2所示，每一虛擬像素200包含虛擬圖案控制層210。虛擬圖案控制層210電性連接于周邊線路層300。周邊線路層300用于施加同極性的電壓給所有虛擬像素200的虛擬圖案控制層210，使得所有虛擬圖案控制層210上方的顯示元件層20的微膠囊21(可參閱圖1)能夠呈現(xiàn)相同顏色，從而形成連續(xù)的外框圖案。

如圖2所示，周邊線路層300與所有虛擬像素200的虛擬圖案控制層210相隔間隙G。顯示元件層20(可參閱圖1)覆蓋透光基板100、虛擬像素200以及顯示像素400，而部分的顯示元件層20位于間隙G上方。此間隙G允許光從顯示元件層20反射至透光基板100。如此一來(lái)，檢測(cè)人員可從透光基板100的背面(也即，背對(duì)虛擬像素200、周邊線路層300與顯示像素400的表面)觀看到間隙G上方的顯示元件層20，從而由透光基板100的背面觀察間隙G上方的顯示元件層20中微膠囊21的顏色，并借由顏色的不同或異常來(lái)判斷損壞位置。

在部分實(shí)施方式中，如圖2所示，虛擬像素200包含電性連接結(jié)構(gòu)220。電性連接結(jié)構(gòu)220穿過(guò)間隙G并連接虛擬圖案控制層210與周邊線路層300，借此，周邊線路層300可通過(guò)電性連接結(jié)構(gòu)220施加電壓給虛擬圖案控制層210，以控制所有虛擬像素200上方的顯示元件層20的微膠囊21(可參閱圖1)能夠呈現(xiàn)相同顏色，從而形成連續(xù)的外框圖案。

為了允許光通過(guò)間隙G而從顯示元件層20反射至透光基板100，電性連接結(jié)構(gòu)220露出部分的間隙G。如此一來(lái)，即便電性連接結(jié)構(gòu)220穿過(guò)間隙G以電性連接虛擬圖案控制層210與周邊線路層300，檢測(cè)人員仍可從透光基板100的背面觀察間隙G上方的微膠囊21的顏色，并借由顏色的不同或異常來(lái)判斷損壞位置。

此外，由于電性連接結(jié)構(gòu)220穿過(guò)間隙G，而部分顯示元件層20位于間隙G上方，所以當(dāng)周邊線路層300施加電壓給電性連接結(jié)構(gòu)220時(shí)，位于間隙G上方的部分顯示元件層20可受電性連接結(jié)構(gòu)220的電場(chǎng)控制，且由于電性連接結(jié)構(gòu)220與虛擬圖案控制層210所受的電壓相同，所以位于間隙G上方的部分顯示元件層20與位于虛擬圖案控制層210上方的部分顯示元件層20可呈現(xiàn)相同顏色，而共同形成連續(xù)的外框圖案。

在部分實(shí)施方式中，如圖2所示，虛擬像素200上方的部分顯示元件層20(可參閱圖1)受虛擬圖案控制層210的電場(chǎng)控制。虛擬像素200可包含薄膜晶體管230。虛擬圖案控制層210包含像素電極212。薄膜晶體管230連接數(shù) 據(jù)線500與掃描線600，但薄膜晶體管230與虛擬圖案控制層210是絕緣的。由于在虛擬像素200中，虛擬圖案控制層210的像素電極212與薄膜晶體管230是絕緣的，而不會(huì)受到薄膜晶體管230所控制。相反地，虛擬圖案控制層210電性連接周邊線路層300，而受到周邊線路層300所控制。因此，周邊線路層300可通過(guò)虛擬圖案控制層210，控制虛擬像素200上方的部分顯示元件層20。

在檢測(cè)顯示裝置時(shí)，檢測(cè)人員可在透光基板100邊緣做記號(hào)，當(dāng)檢測(cè)人員觀察到某一條數(shù)據(jù)線500故障，而導(dǎo)致其連接的多個(gè)顯示像素400上方的顯示元件層20顯示異常時(shí)，檢測(cè)人員需判斷這些顯示像素400對(duì)應(yīng)至哪一個(gè)記號(hào)。然而，由于顯示像素400與透光基板100邊緣仍相隔了虛擬像素200，所以難以準(zhǔn)確判斷異常的顯示像素400對(duì)應(yīng)至哪一個(gè)記號(hào)。因此，在部分實(shí)施方式中，檢測(cè)人員可先切斷虛擬像素200的電性連接結(jié)構(gòu)220，使得虛擬像素200與周邊線路層300絕緣。接著，檢測(cè)人員可以激光熔接的方式導(dǎo)通像素電極212與薄膜晶體管230，所以此時(shí)，數(shù)據(jù)線500可通過(guò)薄膜晶體管230控制虛擬圖案控制層210。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線500異常時(shí)，虛擬圖案控制層210上方的顯示元件層20也可呈異常顯示，從而利于檢測(cè)人員判斷異常顯示的顯示元件層20對(duì)應(yīng)至透光基板100邊緣的哪一個(gè)記號(hào)，以幫助判斷哪條數(shù)據(jù)線500故障。

舉例來(lái)說(shuō)，形成薄膜晶體管230的柵極、源極與漏極的導(dǎo)電層位于虛擬圖案控制層210的下方，且此導(dǎo)電層與虛擬圖案控制層210被絕緣材料所隔開而絕緣的。當(dāng)欲導(dǎo)通像素電極212與薄膜晶體管230時(shí)，使用者可以激光熔接的方式打穿像素電極212下方的絕緣材料，而使形成薄膜晶體管230的柵極的導(dǎo)電層電性連接于像素電極212。如此一來(lái)，薄膜晶體管230即可控制虛擬圖案控制層210，使得數(shù)據(jù)線500的信號(hào)能夠提供給像素電極212。

部在分實(shí)施方式中，如圖2所示，顯示像素400可包含顯示圖案控制層410與薄膜晶體管430。顯示圖案控制層410可包含像素電極412。薄膜晶體管430電性連接于數(shù)據(jù)線500與掃描線600。形成薄膜晶體管430的柵極的導(dǎo) 電層電性連接于顯示圖案控制層410的像素電極412，所以薄膜晶體管430可控制顯示圖案控制層410。

進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，可參閱圖3，本圖為圖2的薄膜晶體管陣列基板10沿著3-3線的剖面示意圖。如圖3所示，顯示像素400還包含第一絕緣層440、中間導(dǎo)電層450、第二絕緣層460以及底部導(dǎo)電層470。底部導(dǎo)電層470、第二絕緣層460、中間導(dǎo)電層450、第一絕緣層440與顯示圖案控制層410按序?qū)盈B于透光基板100上。中間導(dǎo)電層450位于底部導(dǎo)電層470與顯示圖案控制層410之間，且底部導(dǎo)電層470電性連接顯示圖案控制層410。中間導(dǎo)電層450的電位可視為基準(zhǔn)電位，其與底部導(dǎo)電層470及顯示圖案控制層410的電位不同，使得中間導(dǎo)電層450與底部導(dǎo)電層470可產(chǎn)生電容于兩者之間，且中間導(dǎo)電層450與顯示圖案控制層410可產(chǎn)生另一電容于兩者之間。底部導(dǎo)電層470包含柵極電極，且底部導(dǎo)電層470連接掃描線600(可參閱圖2)。中間導(dǎo)電層450包含漏極電極與源極電極，且中間導(dǎo)電層450連接數(shù)據(jù)線500(可參閱圖2)。底部導(dǎo)電層470與中間導(dǎo)電層450之間還可包含半導(dǎo)體層(未圖示于本圖中)，半導(dǎo)體層、底部導(dǎo)電層470的柵極電極、與中間導(dǎo)電層450的漏極電極及源極電極可共同形成薄膜晶體管430(可參閱圖2)。顯示圖案控制層410部分地貫穿第一絕緣層440與第二絕緣層460而電性連接底部導(dǎo)電層470。因此，顯示圖案控制層410的像素電極412(可參閱圖2)電性連接于底部導(dǎo)電層470的柵極電極，從而可受薄膜晶體管430控制。

圖4為圖2的薄膜晶體管陣列基板10沿著4-4線的剖面示意圖。如圖4所示，虛擬像素200還包含第一絕緣層240、中間導(dǎo)電層250、第二絕緣層260以及底部導(dǎo)電層270。底部導(dǎo)電層270、第二絕緣層260、中間導(dǎo)電層250、第一絕緣層240與虛擬圖案控制層210按序?qū)盈B于透光基板100上。底部導(dǎo)電層270包含柵極電極，且底部導(dǎo)電層270連接掃描線600(可參閱圖2)。中間導(dǎo)電層250包含漏極電極與源極電極，且中間導(dǎo)電層250連接數(shù)據(jù)線500(可參閱圖2)。底部導(dǎo)電層270與中間導(dǎo)電層250之間還可包含半導(dǎo)體層(未圖示于本圖中)，半導(dǎo)體層、底部導(dǎo)電層270的柵極電極、與中間導(dǎo)電層250的漏 極電極及源極電極可共同形成薄膜晶體管230(可參閱圖2)。第一絕緣層240完全隔開虛擬圖案控制層210與中間導(dǎo)電層250，使得虛擬圖案控制層210與中間導(dǎo)電層250相絕緣。因此，虛擬圖案控制層210不受薄膜晶體管230控制，而受到周邊線路層300(可參閱圖2)控制。在部分實(shí)施方式中，當(dāng)檢測(cè)人員欲進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，如圖2及4所示，可先切開電性連接結(jié)構(gòu)220，使虛擬圖案控制層210與周邊線路層300絕緣，再以激光熔接的方式，將虛擬圖案控制層210電性連接底部導(dǎo)電層270，而使虛擬圖案控制層210與底部導(dǎo)電層270的柵極電極電性連接，使得虛擬圖案控制層210可受薄膜晶體管230控制，而接收數(shù)據(jù)線500的信號(hào)。

在部分實(shí)施方式中，虛擬圖案控制層210、中間導(dǎo)電層250與底部導(dǎo)電層270的材料均為金屬，但本發(fā)明并不以此為限。相似地，在部分實(shí)施方式中，顯示圖案控制層410、中間導(dǎo)電層450與底部導(dǎo)電層270的材料均為金屬，但本發(fā)明并不以此為限。在部分實(shí)施方式中，電性連接結(jié)構(gòu)220的材料為金屬，但本發(fā)明并不以此為限。

圖5為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板10a的局部俯視示意圖。如圖5所示，本實(shí)施方式與圖2所示薄膜晶體管陣列基板10的主要差異在于：在虛擬像素200a中，電性連接結(jié)構(gòu)220的數(shù)量為多個(gè)(如兩個(gè))，以提供強(qiáng)度更高的電場(chǎng)給上方的顯示元件層20(可參閱圖1)。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，若虛擬像素200a的尺寸較大，使得相鄰兩虛擬像素200a的電性連接結(jié)構(gòu)220的間距過(guò)大時(shí)，電性連接結(jié)構(gòu)220的電場(chǎng)強(qiáng)度可能不足以控制間隙G上方的所有微膠囊21(可參閱圖1)。然而，當(dāng)單一虛擬像素200a包含多個(gè)電性連接結(jié)構(gòu)220時(shí)，且這些電性連接結(jié)構(gòu)220均穿過(guò)間隙G時(shí)，這些電性連接結(jié)構(gòu)220可提高間隙G中的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而利于控制間隙G上方的微膠囊21。

具體來(lái)說(shuō)，周邊線路層300與虛擬圖案控制層210沿著第一方向A1排列。多個(gè)電性連接結(jié)構(gòu)220沿著第二方向A2排列，其中第一方向A1與第二方向A2實(shí)質(zhì)上垂直。借由上述排列方式，這些電性連接結(jié)構(gòu)220在第二方向A2上所產(chǎn)生的側(cè)向電場(chǎng)，可使間隙G在第二方向A2上的電場(chǎng)強(qiáng)度較為均勻。

在部分實(shí)施方式中，相鄰兩電性連接結(jié)構(gòu)220在第二方向A2上相隔間距d。間距d小于或等于20微米。借此尺寸設(shè)計(jì)，相鄰兩電性連接結(jié)構(gòu)220在第二方向A2上所提供的側(cè)向電場(chǎng)會(huì)能夠有較高的強(qiáng)度，而較有效控制間隙G上方的微膠囊21。

在本實(shí)施方式中，這些電性連接結(jié)構(gòu)220均為條狀結(jié)構(gòu)，這些條狀結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上相平行的，且均實(shí)質(zhì)上平行于第一方向A1。另外，這些條狀結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上沿著第二方向A2所排列的。舉例來(lái)說(shuō)，這些電性連接結(jié)構(gòu)220可為實(shí)質(zhì)上平行排列的金屬條狀物，這些金屬條狀物可提供強(qiáng)度足夠的電場(chǎng)控制間隙G上方的微膠囊21，且檢測(cè)人員還可從這些金屬條狀物之間的縫隙觀察微膠囊21的顯示是否異常。

圖6為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板10b的局部俯視示意圖。如圖6所示，本實(shí)施方式與前述薄膜晶體管陣列基板10a的主要差異在于：虛擬像素200b的電性連接結(jié)構(gòu)220b與前述電性連接結(jié)構(gòu)220的形狀不同。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，電性連接結(jié)構(gòu)220b包含第一導(dǎo)體221與第二導(dǎo)體222。第一導(dǎo)體221與第二導(dǎo)體222是相連接的。第一導(dǎo)體221的長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第一方向A1。第二導(dǎo)體222的長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第二方向A2。

當(dāng)電性連接結(jié)構(gòu)220b被施加電壓時(shí)，第一導(dǎo)體221可在第二方向A2上提供側(cè)向電場(chǎng)，而第二導(dǎo)體222可在第一方向A1上提供側(cè)向電場(chǎng)。如此一來(lái)，電性連接結(jié)構(gòu)220b可使間隙G中的電場(chǎng)強(qiáng)度更為均勻，以利控制間隙G上方的微膠囊21(可參閱圖1)。

在本實(shí)施方式中，如圖6所示，第二導(dǎo)體222可設(shè)置于周邊線路層300上，而非位于間隙G中。因此，第二導(dǎo)體222可在不遮蔽間隙G的情況下，增加且均勻化間隙G中的電場(chǎng)強(qiáng)度。

在本實(shí)施方式中，如圖6所示，電性連接結(jié)構(gòu)220b為L(zhǎng)形結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)體221與第二導(dǎo)體222均為條狀結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)體222連接于第一導(dǎo)體221的末端，且兩者的長(zhǎng)度方向相垂直，而共同構(gòu)成L形結(jié)構(gòu)。舉例來(lái) 說(shuō)，第一導(dǎo)體221與第二導(dǎo)體222均可為金屬條狀物，但本發(fā)明并不以此為限。

圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板10c的局部俯視示意圖。如圖7所示，本實(shí)施方式與前述薄膜晶體管陣列基板10b的主要差異在于：虛擬像素200c的電性連接結(jié)構(gòu)220c與前述電性連接結(jié)構(gòu)220b的形狀不同。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，電性連接結(jié)構(gòu)220c為T形結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，電性連接結(jié)構(gòu)220c可包含第一導(dǎo)體221與兩個(gè)第二導(dǎo)體222。其中一個(gè)第二導(dǎo)體222垂直地連接于第一導(dǎo)體221的上側(cè)，另一個(gè)第二導(dǎo)體222垂直地連接于第一導(dǎo)體221的下側(cè)，借此，第一導(dǎo)體221與這兩個(gè)第二導(dǎo)體222可共同形成T形結(jié)構(gòu)。

借由上述設(shè)計(jì)，此T形的電性連接結(jié)構(gòu)220c可利用兩個(gè)第二導(dǎo)體222增加在第一方向A1上的側(cè)向電場(chǎng)強(qiáng)度，從而進(jìn)一步地均勻化間隙G中的電場(chǎng)強(qiáng)度，以利控制間隙G上方的微膠囊21(可參閱圖1)。

在本實(shí)施方式中，如圖7所示，兩個(gè)第二導(dǎo)體222均設(shè)置于周邊線路層300上，而非位于間隙G中。因此，這兩個(gè)第二導(dǎo)體222可在不遮蔽間隙G的情況下，增加且均勻化間隙G中的電場(chǎng)強(qiáng)度。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式公開如上，然其并非用于限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種不同的選擇和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書及其等同形式所限定。