本申請涉及一種液晶顯示器。

背景技術(shù)：

作為廣泛使用的平板顯示裝置之一，液晶顯示器包括在其上形成有如像素電極和公共電極的場產(chǎn)生電極的兩個(gè)顯示面板、以及介于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層。

液晶顯示器通過將電壓施加于場產(chǎn)生電極而在液晶層中產(chǎn)生電場，以確定液晶層的液晶分子的取向并且控制入射光的偏振，從而顯示圖像。

液晶顯示器還包括連接到每個(gè)像素電極的開關(guān)元件、以及用于通過控制開關(guān)元件將電壓施加于像素電極的多個(gè)信號線，諸如柵極線和數(shù)據(jù)線。

在這些LCD中，將液晶分子的主軸排列成在未施加電場的狀態(tài)下垂直于顯示面板的垂直取向模式LCD由于其高對比度和寬參考視角而得到廣泛應(yīng)用。此處，該參考視角是指對比度1:10的視角或灰度至灰度亮度反轉(zhuǎn)的臨界角。

為了使垂直取向模式LCD中的側(cè)面可視性接近正面可視性，已經(jīng)提出了通過將一個(gè)像素分成兩個(gè)子像素并且將不同電壓施加到兩個(gè)子像素而使透射率不同的方法。

另一方面，最近，隨著顯示裝置尺寸變大且具有高分辨率，減小了每個(gè)像素的尺寸，相應(yīng)地，在像素的邊緣部分中產(chǎn)生了控制液晶分子的薄弱部分。

在該背景部分中所公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，并且因此其可包括未形成在該國已為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施方式提供了一種對控制液晶分子的薄弱部分進(jìn)行補(bǔ)償?shù)囊壕э@示器。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括：第一基板；布置在第一基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線；設(shè)置在第一基板上、與薄膜晶體管連接，被配置為被施加第一電壓的像素電極，并且像素電極包括包含第一子區(qū)域和第二子區(qū)域的第一子像素電極以及被配置為被施加第二電壓的第二子像素電極；突出電極，從像素電極突出至與數(shù)據(jù)線重疊；絕緣層，設(shè)置在第一子像素電極的第一子區(qū)域上并且設(shè)置在第二子像素電極和第一子像素電極的第二子區(qū)域下；第二基板，面對第一基板；公共電極，設(shè)置在第二基板上并且被配置為被施加公共電壓；以及液晶層，設(shè)置在第一基板和第二基板之間，其中，第一子像素電極的第一子區(qū)域與第二子像素電極重疊。

第一電壓與公共電壓之間的差值可大于第二電壓與公共電壓之間的差值。

突出電極可以從第一子像素電極的第一子區(qū)域突出。

突出電極可以梯形形成。

突出電極可包括從第一子像素電極的第一子區(qū)域突出的第一突出電極和從第二子像素電極突出的第二突出電極。

突出電極可從第二子像素電極突出。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器可進(jìn)一步包括遮光件，該遮光件與柵極線、數(shù)據(jù)線、和突出電極重疊。

遮光件可以布置在第一基板或第二基板上。

像素電極可以被形成為四邊形，第一子像素電極的第二子區(qū)域可設(shè)置在像素電極的中心并且整體以菱形形成，第一子像素電極的第一子區(qū)域可包括由圍繞第二子區(qū)域的四個(gè)平行四邊形構(gòu)成的板狀電極部分和與第二子區(qū)域重疊并且連接到板狀電極部分的條電極部分，并且第二子像素電極整體可利用圍繞第一子像素電極的第二子區(qū)域的四個(gè)梯形形成。

突出電極可以從第一子像素電極的第一子區(qū)域突出。

可利用具有平行于數(shù)據(jù)線的上部邊緣(edge，邊)和下部邊緣以及與第一子像素電極的第一子區(qū)域的一個(gè)邊緣沿相同的線延伸的傾斜邊緣的梯形形成突出電極。

可利用具有平行于數(shù)據(jù)線的上部邊緣和下部邊緣以及從第一子像素電極的第一子區(qū)域的一個(gè)邊緣傾斜延伸的傾斜邊緣的梯形形成突出電極。

上部邊緣的長度可以與條電極部分的寬度相同。

突出電極可以包括從第一子像素電極的第一子區(qū)域突出的第一突出電極和從第二子像素電極突出的第二突出電極。

第一突出電極和第二突出電極可以彼此重疊。

第一突出電極可以形成為包括平行于數(shù)據(jù)線的兩個(gè)邊緣和與第一子像素電極的第一子區(qū)域的一個(gè)邊緣沿相同的線延伸的邊緣的多邊形。

第二子像素電極可以包括設(shè)置在像素電極的邊緣的外部電極和從外部電極沿不同方向延伸的分支電極，并且第二突出電極可以與分支電極沿相同的線延伸。

突出電極可以從第二子像素電極突出。

第二子像素電極可以包括設(shè)置在像素電極的邊緣的外部電極和從外部電極沿不同方向延伸的分支電極，并且突出電極可以與設(shè)置在分支電極之間的切口對稱。

可利用包括平行于數(shù)據(jù)線的上部邊緣和下部邊緣以及與第一子像素電極的第一子區(qū)域的一個(gè)邊緣沿相同的線延伸的傾斜邊緣的梯形形成突出電極。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的上述液晶顯示器具有如下效果。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括從像素電極的邊緣突出的突出電極，從而在像素電極的邊緣使液晶分子的控制平滑化。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖。

圖2是沿線II-II截取的圖1的液晶顯示器的截面圖。

圖3是在圖1中示出的液晶顯示器的第一子像素電極的部分布局圖。

圖4是圖1中示出的液晶顯示器的第一子像素電極的另一部分和第二子像素電極的布局圖。

圖5是圖1的部分區(qū)域的放大布局圖。

圖6是沿著圖1的線VI-VI截取的截面圖。

圖7是沿著圖1的線VII-VII截取的截面圖。

圖8是沿著圖1的線VIII-VIII截取的截面圖。

圖9是沿著圖1的線IX-IX截取的截面圖。

圖10是根據(jù)參考實(shí)施例的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

圖11是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

圖12是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖。

圖13是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

圖14是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖。

圖15是沿圖14的線XV-XV截取的截面圖。

圖16是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

圖17是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖。

圖18是沿著圖17的線XVIII-XVIII截取的截面圖。

圖19是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖。

圖20是沿著圖19的線XX-XX截取的截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中將參考其中示出示例性實(shí)施方式的附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的，在完全不偏離本發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍的前提下，可以各種不同的方式修改所描述的實(shí)施方式。

在附圖中，為清晰起見，放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。貫穿本說明書，相同的參考標(biāo)號指代相同的元件。將理解，當(dāng)如層、膜、區(qū)域或者基板的元件相對另一元件被稱為“在……上”時(shí)，該元件可以直接在另一元件上，或者其間也可存在中間元件。相反，當(dāng)元件相對另一元件被稱作“直接在……上”時(shí)，則不存在中間元件。

現(xiàn)在，將參考圖1至圖9描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖。圖2是沿線II-II截取的圖1的液晶顯示器的截面圖。圖3是在圖1中示出的液晶顯示器的第一子像素電極的部分布局圖。圖4是在圖1中示出的液晶顯示器的第一子像素電極的另一部分和第二子像素電極的布局圖。圖5是圖1部分區(qū)域的放大布局圖。圖6是沿著圖1的線VI-VI截取的截面圖。圖7是沿著圖1的線VII-VII截取的截面圖。圖8是沿著圖1的線VIII-VIII截取的截面圖。圖9是沿著圖1的線IX-IX截取的截面圖。

參考圖1和圖2，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括面對彼此的下面板100和上面板200、以及介于兩個(gè)顯示面板100和200之間的液晶層3。

首先，將描述下面板100。

柵極線121、參考電壓線131、以及存儲電極135形成在由透明玻璃、塑料等制成的第一絕緣基板110上。柵極線121主要沿著水平方向延伸并且傳遞柵極信號。

柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b、第三柵電極124c、以及用于連接另一層或者外部驅(qū)動電路的寬端部(未示出)。

參考電壓線131可以與柵極線121平行延伸，并且具有連接至以下描述的第三漏電極175c的延伸136。

參考電壓線131包括包圍像素區(qū)的存儲電極135。

柵極絕緣層140形成在柵極線121、參考電壓線131、以及存儲電極135上。

可以由非晶硅、晶體硅等制成的第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b、以及第三半導(dǎo)體154c形成在柵極絕緣層140上。

多個(gè)歐姆接觸163a、163b、163c、165a以及165b形成在第一、第二、以及第三半導(dǎo)體154a、154b、和154c上。當(dāng)半導(dǎo)體154a、154b以及154c是氧化物半導(dǎo)體時(shí)，可以省去歐姆接觸。

包括具有第一源電極173a和第二源電極173b的數(shù)據(jù)線171、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c、以及第三漏極175c的數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c形成在歐姆接觸163a、163b、163c、165a、和165b、以及柵極絕緣層140上。

第二漏電極175b連接到第三源電極173c。

第一柵電極124a、第一源電極173a、以及第一漏電極175a與第一半導(dǎo)體154a一起形成第一薄膜晶體管Qa，并且第一薄膜晶體管Qa的溝道形成在第一源電極173a與第一漏電極175a之間的半導(dǎo)體154a的一部分上。類似地，第二柵電極124b、第二源電極173b、以及第二漏電極175b與第二半導(dǎo)體154b一起形成第二薄膜晶體管Qb，并且第二薄膜晶體管Qb的溝道形成在第二源電極173b與第二漏電極175b之間的半導(dǎo)體154b的一部分上。同樣地，第三柵電極124c、第三源電極173c、以及第三漏 電極175c與第三半導(dǎo)體154c一起形成第三薄膜晶體管Qc，并且第三薄膜晶體管Qc的溝道形成在第三源電極173c與第三漏電極175c之間的半導(dǎo)體154c的一部分上。

可以由諸如氮化硅和氧化硅的絕緣材料制成的第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及半導(dǎo)體154a、154b和154c的暴露部分上。

濾色器230形成在第一鈍化層180a上。

遮光件220可以布置在未布置濾色器230的區(qū)域以及濾色器230的一部分上。

有時(shí)稱為保護(hù)層80的覆蓋層80布置在濾色器230上。覆蓋層80防止濾色器230起皺，并且抑制液晶層3被從濾色器流入的有機(jī)材料，例如溶劑污染，從而防止缺陷出現(xiàn)，如當(dāng)驅(qū)動屏幕時(shí)產(chǎn)生的殘影。

第一子像素電極191a的一部分形成在保護(hù)層80上。第二鈍化層180b形成在保護(hù)層80和第一子像素電極191a的一部分上。第一子像素電極191a的另一部分和第二子像素電極191b形成在第二鈍化層180b上。第一子像素電極191a和第二子像素電極191b形成一個(gè)像素電極191，并且像素電極191被形成為近似四邊形。像素電極191可以由諸如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)的透明金屬氧化物制成。另外，形成了從像素電極191突出的突出電極1191，也稱為來自像素電極191的突出。

圖3示出了位于第二鈍化層180b下的第一子像素電極191a的一部分和突出電極1191的平面形狀，圖4示出了位于第二鈍化層180b上的第一子像素電極191a的另一部分和第二子像素電極191b的平面形狀。

第一子像素電極191a包括第一子區(qū)域191a1和第二子區(qū)域191a2。

如圖3所示，第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1放置在第二鈍化層180b下。

第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1設(shè)置在像素區(qū)的中心部分并且包括：沿水平方向延伸的條電極部分192a1、以及靠近條電極部分 192a1設(shè)置并且包圍條電極部分192a1的板狀電極部分194a1。延伸193a1設(shè)置在條電極部分192a1的中心部分。同樣，第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1進(jìn)一步包括從板狀電極部分194a1向上和向下延伸的突出部分。板狀電極部分194a1具有其中連接四個(gè)平行四邊形的平面形狀。板狀意指其不分離而且形成為整個(gè)板的板形狀。這樣，第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1設(shè)置在像素區(qū)的中心部分。

突出電極1191從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出。突出電極1191設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的兩側(cè)。將參考圖5和圖6描述突出電極1191的形狀。

如圖4所示，第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和第二子像素電極191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。

第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2設(shè)置在像素的中心部分并且整個(gè)形狀是菱形。第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2包括：由橫向干192a2和縱向干193a2制成的十字形干、以及從十字形干延伸的多個(gè)第一分支電極194a2。第一分支電極194a2沿著四個(gè)方向延伸。

第二子像素電極191b包圍第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2并且具有其中完全連接四個(gè)梯形的平面形狀。第二子像素電極191b包括設(shè)置在像素電極191的邊緣的外部電極197b和沿不同方向從外部電極197b延伸的第二分支電極194b。外部電極197b沿著像素電極191的周邊形成并且被制成為近似四邊形。第二分支電極194b沿著四個(gè)方向延伸。第二分支電極194b可以與第一分支電極194a2沿著相同的方向形成。

第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b重疊。絕緣層，即，第二鈍化層180b，設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1和第二子像素電極191b之間。

以與第二子像素電極191b相同的層來形成第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2。第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2與第二子像素電極191b電分離。

第一鈍化層180a和保護(hù)層80具有延伸至并且暴露第一漏電極175a的一部分的第一接觸孔185a。第一鈍化層180a、保護(hù)層80和第二鈍化層180b具有延伸至并且暴露第二漏電極175b的一部分的第二接觸孔185b、以及延伸至并且暴露參考電壓線131的延伸136的一部分和第三漏電極175c的一部分的第三接觸孔185c。

第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1通過第一接觸孔185a物理地并且電連接至第一漏電極175a。第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1通過第一漏電極175a而被施加有第一電壓。第二子像素電極191b通過第二接觸孔185b物理地并且電連接至第二漏電極175b。第二子像素電極191b通過第二漏電極175b而被施加有第二電壓。在這種情況下，第一子像素電極191a和第二子像素電極191b被施加有不同的數(shù)據(jù)電壓。

另外，連接電極195形成在第二鈍化層180b上。連接電極195與第一子像素電極191a和第二子像素電極191b電分離。連接電極195與參考電壓線131的延伸136重疊并且與第三漏電極175c重疊。

連接電極195通過第三接觸孔185c物理地并且電連接至參考電壓線131的延伸136，并且物理地并且電連接至第三漏電極175c。因此，第三漏電極175c物理地并且電連接至參考電壓線131。

第二鈍化層180b具有延伸至并且暴露第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的延伸193a1的第四接觸孔186。

第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2通過第四接觸孔186連接至第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的延伸193a1。第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2通過第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1而被施加有第一電壓。

參考圖1、圖5、和圖6，突出電極1191從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出。突出電極1191不與第二子像素電極191b重疊，但是與數(shù)據(jù)線171重疊。

突出電極1191被制成為梯形。在這種情況下，具有梯形的上部邊緣和下部邊緣與數(shù)據(jù)線171平行，并且傾斜邊緣與第一子像素電極191a的 第一子區(qū)域191a1的一個(gè)邊緣沿相同的線延伸。梯形的下部邊緣與第二子像素電極191b的外部電極197b一致，并且上部邊緣的長度小于下部邊緣。

然后，將描述上面板200。

遮光件220和公共電極270形成在由透明玻璃、塑料等制成的第二絕緣基板210上。

遮光件220與柵極線121、數(shù)據(jù)線171、以及第一至第三薄膜晶體管Qa、Qb、和Qc重疊。遮光件220也與突出電極1191重疊。因?yàn)橥怀鲭姌O1191電連接至像素電極191，所以預(yù)定電壓被施加于突出電極1191并且影響液晶分子的控制。然而，突出電極1191與遮光件220重疊，使得穿過突出電極1191的光受到遮光件220的阻擋。遮光構(gòu)件220被稱為黑矩陣并且防止光泄露。

在根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，遮光件220可以設(shè)置在下面板100上，并且在根據(jù)又一示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，濾色器230可以設(shè)置在上面板200中。

公共電極270可以形成在基板210的整個(gè)表面上，并且公共電極270可以被施加有預(yù)定電壓。

取向?qū)?未示出)形成在顯示面板100和200的內(nèi)表面上，并且取向?qū)涌梢允谴怪比∠驅(qū)印?/p>

偏光器(未示出)位于兩個(gè)顯示面板100和200的外表面，兩個(gè)偏光器的透射軸彼此垂直，并且透射軸之一優(yōu)選地平行于柵極線121。然而，偏光器可以僅設(shè)置在兩個(gè)顯示面板100和200任一個(gè)的外表面處。

液晶層3具有負(fù)的介電各向異性，并且排列液晶層3的液晶分子，使得在沒有電場的狀態(tài)下其長軸相對于兩個(gè)顯示面板100和200的表面形成直角。因此，在沒有電場的狀態(tài)中，入射光被阻擋而未穿過交叉偏光器。

液晶層3和取向?qū)又械闹辽僖粋€(gè)可以包括光活性材料，并且更詳細(xì)地可以包括活性液晶元(reactive mesogen)。

然后，將簡要地描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的驅(qū)動方法。

當(dāng)柵極線121被施加?xùn)艠O導(dǎo)通信號時(shí)，第一柵電極124a、第二柵電極124b、以及第三柵電極124c被施加?xùn)艠O導(dǎo)通信號，使得第一開關(guān)元件Qa、第二開關(guān)元件Qb、以及第三開關(guān)元件Qc接通。因此，施加于數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓通過接通后的第一和第二開關(guān)元件Qa和Qb被施加于第一子像素電極191a和第二子像素電極191b。在這種情況下，第一子像素電極191a和第二子像素電極191b被施加具有相同大小的電壓。然而，施加于第二子像素電極191b的電壓被與第二開關(guān)元件Qb串聯(lián)連接的第三開關(guān)元件Qc分壓。因此，施加到第二子像素電極191b的電壓變得小于施加到第一子像素電極191a的電壓。

再次參考圖1、圖3和圖4，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)包括：第一區(qū)域R1，其中設(shè)置第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2；第二區(qū)域R2，其中第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1和第二子像素電極191b重疊；以及第三區(qū)域R3，其中設(shè)置不與第一子像素電極191a重疊的第二子像素電極191b。

第一至第三區(qū)域R1、R2、和R3根據(jù)分支電極的方向相應(yīng)地被分為四個(gè)部分。

然后，將參考圖7至圖9描述根據(jù)本示例性實(shí)施方式在液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)內(nèi)所包括的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、以及第三區(qū)域R3。

參考圖7，在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)的第一區(qū)域R1中，在設(shè)置在下面板100的第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和設(shè)置在上面板200的公共電極270之間產(chǎn)生電場。第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2連接至第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的延伸193a1，使得第一電壓被施加至第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2并且公共電壓被施加到公共電極270。在這種情況下，第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2包括十字形干192a2和193a2以及沿著四個(gè)方向延伸的多個(gè)第一分支電極194a2。多個(gè)第一分支電極194a2可以相對柵極線121傾斜約40度至約45度。通過由多個(gè)第一分支電極194a2的邊緣生成的邊緣場(fringe field)，液晶層3的對應(yīng)于第一區(qū)域R1的液 晶分子沿四個(gè)不同的方向傾斜。詳細(xì)地，因?yàn)橛啥鄠€(gè)第一分支電極194a2生成的邊緣場的水平分量幾乎平行于多個(gè)第一分支電極194a2的邊緣，所以液晶分子沿著與多個(gè)第一分支電極194a2的長度方向平行的方向傾斜。

參考圖8，在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)的第二區(qū)域R2中，第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1和第二子像素電極191b彼此重疊。通過在設(shè)置在第二子像素電極191b的多個(gè)第二分支電極194b之間的第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1與公共電極270之間形成的電場以及在第二子像素電極191b與第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1之間形成的電場、以及在設(shè)置在下面板100的第二子像素電極191b和設(shè)置在上面板200的公共電極270之間形成的電場來排列液晶層3的液晶分子。第二電壓被施加于第二子像素電極191b。在這種情況下，第二子像素電極191b包括沿四個(gè)方向延伸的多個(gè)第二分支電極194b。多個(gè)第二分支電極194b可以相對柵極線121傾斜約40度至約45度。通過由多個(gè)第二分支電極194b的邊緣生成的邊緣場，液晶層3的對應(yīng)于第二區(qū)域R2的液晶分子沿著四個(gè)不同的方向傾斜。詳細(xì)地，液晶分子沿著與多個(gè)第二分支電極194b的長度方向平行的方向傾斜。在這種情況下，液晶層3的液晶分子具有約45度的方位角。

在液晶顯示器沒有突出電極1191的情況下，在其中第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b的外部電極197b重疊的部分設(shè)置的液晶層3的液晶分子由于水平方向電場(橫向場)而沿不同方向、而不是45度的方位角傾斜，并且因此降低了透射率。具體地，當(dāng)一個(gè)像素縮小尺寸以實(shí)現(xiàn)高分辨率液晶顯示器時(shí)，雖然降低了第二分支電極194b的長度，但是在像素電極191的邊緣設(shè)置的液晶分子明顯出現(xiàn)了控制力的劣化。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，突出電極1191形成為從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出，并且突出電極1191與第一子像素電極191a施加有相同的電壓。因此，通過增加影響像素電極191的邊緣的電場的大小，可以改善在其中第一子像素電極191a的第 一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b的外部電極197b重疊的部分設(shè)置的液晶層3的液晶分子的控制力。因此，設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的方位角未偏斜(tilted)并且可以被設(shè)置為接近于45度，從而改善透射率。

參考圖9，在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)的第三區(qū)域R3中，設(shè)置在下面板100的第二子像素電極191b與設(shè)置在上面板200的公共電極270之間產(chǎn)生電場。如上所述，第二子像素電極191b被施加第二電壓，并且第二子像素電極191b包括沿著四個(gè)不同方向延伸的多個(gè)第二分支電極194b，從而沿著四個(gè)不同方向傾斜在第三區(qū)域R3設(shè)置的液晶層3的液晶分子。

如上所述，施加到第二子像素電極191b的第二電壓的大小小于施加到第一子像素電極191a的第一電壓的大小。

因此，施加到設(shè)置在第一區(qū)域R1的液晶層3的電場強(qiáng)度最大，并且施加到設(shè)置在第三區(qū)域R3的液晶層3的電場強(qiáng)度最小。因?yàn)樵诘诙^(qū)域R2中存在設(shè)置在第二子像素電極191b下的第一子像素電極191a的電場的影響，所以施加至設(shè)置在第二區(qū)域R2的液晶層3的電場強(qiáng)度小于施加至設(shè)置在第一區(qū)域R1的液晶層3的電場，并且大于施加至設(shè)置在第三區(qū)域R3的液晶層3的電場強(qiáng)度。

這樣，在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，一個(gè)像素區(qū)被分為第一區(qū)域，其中設(shè)置了施加相對高的第一電壓的第一子像素電極；第二區(qū)域，其中第一子像素電極的一部分與施加相對低的第二電壓的第二子像素電極的一部分經(jīng)由介于其間的絕緣層重疊；以及第三區(qū)域，其中設(shè)置了施加相對低的第二電壓的第二子像素電極。因此，施加到對應(yīng)于第一區(qū)域、第二區(qū)域、以及第三區(qū)域的液晶分子的電場強(qiáng)度被區(qū)分，使得液晶分子的傾角被區(qū)分，從而區(qū)分各個(gè)區(qū)域的亮度。如上所述，如果一個(gè)像素區(qū)通過根據(jù)灰度平滑地控制透射率的改變而被分為具有不同亮度的三個(gè)區(qū)域，則可以防止根據(jù)灰度改變的透射率在高灰度以及低灰度方面急劇改變，從而在側(cè)面可視性接近于正面可視性的同時(shí)正確地表達(dá)低灰度和高灰度。

然后，將參考圖10和圖11描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的透射率。為了參考，將與其中不形成突出電極的液晶顯示器比較來描述。

圖10是根據(jù)參考實(shí)施例的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖，圖11是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

如圖10所示，在根據(jù)參考實(shí)施例的液晶顯示器的情況下，在第一子像素電極的第一子區(qū)域與第二子像素電極重疊的部分的右邊緣中產(chǎn)生黑暗部分。該黑暗部分表示設(shè)置在像素邊緣的液晶分子的控制異常。因此，根據(jù)參考實(shí)施例的液晶顯示器由于該黑暗部分而減少了透射率。

如圖11所示，在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，通過形成從第一子像素電極的第一子區(qū)域延伸出的突出電極，在像素的邊緣中正常實(shí)現(xiàn)了液晶分子的控制。因此，可以確定，在第一子像素電極的第一子區(qū)域與第二子像素電極重疊的部分的右邊緣中的黑暗部分減少了。因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器相比于參考實(shí)施例增加了透射率。

然后，將參考圖12和圖13描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。

根據(jù)在圖12和圖13中示出的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器與根據(jù)在圖1至圖9中示出的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器幾乎相同，使得省略了重復(fù)描述。在本示例性實(shí)施方式中，突出電極的形狀不同于先前的示例性實(shí)施方式，并且將對此詳細(xì)地描述。

圖12是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖，并且圖13是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

類似于先前的示例性實(shí)施方式，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括面向彼此的下面板和上面板以及介于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層。在下面板中，形成了包括第一子像素電極191a和第二子像素電極191b的像素電極191，并且公共電極形成在上面板中。第一子像素電極191a包括第一子區(qū)域191a1和第二子區(qū)域191a2，并且第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b重疊。第二鈍化層180b設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子 區(qū)域191a1上，并且第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和第二子像素電極191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。

形成從像素電極191突出的突出電極2191，并且突出電極2191從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出。因此，突出電極2191設(shè)置在第二鈍化層180b下。

除了在突出電極2191的平面形狀方面的差異之外，像素電極191的形狀與先前的示例性實(shí)施方式相同。

在本示例性實(shí)施方式中，突出電極2191設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的兩側(cè)，但僅在圖12中示出了兩側(cè)中的一側(cè)。突出電極2191不與第二子像素電極191b重疊，但是與數(shù)據(jù)線171重疊。同樣，形成與數(shù)據(jù)線171重疊的遮光件，并且突出電極2191與遮光件重疊。

突出電極2191以梯形形成，并且上部邊緣的長度非常短，類似三角形的形狀。梯形的上部邊緣和下部邊緣平行于數(shù)據(jù)線171，并且傾斜邊緣具有尖傾角。上部邊緣具有類似于第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的條電極部分192a1的寬度或第二子區(qū)域191a2的橫向干192a2的寬度的長度。下部邊緣與第二子像素電極191b的外部電極197b一致。在先前的示例性實(shí)施方式中，傾斜邊緣與第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的一個(gè)邊緣沿著相同的線延伸，然而在本示例性實(shí)施方式中，傾斜邊緣沿從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的一個(gè)邊緣彎曲的形狀延伸。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，突出電極2191被形成為從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出，并且突出電極2191被施加與第一子像素電極191a相同的電壓。因此，通過增加影響像素電極191的邊緣的電場的大小，可以改善設(shè)置在其中第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b的外部電極197b重疊的部分的液晶層3的液晶分子的控制力。因此，設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的方位角未偏斜并且可以被設(shè)置為接近于45度，從而改善透射率。

如圖13所示，在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，例如圖12的示例性實(shí)施方式，通過從第一子像素電極的第一子區(qū)域延伸而形成的突出電極，在像素邊緣的液晶分子的控制也是正常的。因此，可以確定，在第一子像素電極的第一子區(qū)域與第二子像素電極重疊的部分的右邊緣中沒有出現(xiàn)黑暗部分。因此，相比于在圖10中示出的參考實(shí)施例，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器具有更高的透射率。

然后，將參考圖14至圖16描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。

根據(jù)在圖14至圖16中示出的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器與根據(jù)在圖1至圖9中示出的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器幾乎相同，從而省略了重復(fù)描述。除了由彼此重疊的兩個(gè)層制成的突出電極之外，本示例性實(shí)施方式與先前的示例性實(shí)施方式相同，并且將對此詳細(xì)地描述。

圖14是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖，圖15是沿圖14的線XV-XV截取的截面圖，并且圖16是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的仿真結(jié)果的視圖。

類似于先前的示例性實(shí)施方式，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括面向彼此的下面板100和上面板200以及介于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層3。在下面板100中，包括第一子像素電極191a和第二子像素電極191b的像素電極191被形成，并且公共電極270形成在上面板200中。第一子像素電極191a包括第一子區(qū)域191a1和第二子區(qū)域191a2，并且第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b重疊。第二鈍化層180b設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1上，并且第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和第二子像素電極191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。

形成從像素電極191突出的突出電極3191，并且突出電極3191包括第一突出電極3191a和第二突出電極3191b。第一突出電極3191a從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1突出，并且第二突出電極3191b從第二子像素電極191b突出。因此，第一突出電極3191a設(shè)置在第二鈍化層180b下，并且第二突出電極3191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。第一突出電極3191a和第二突出電極3191b經(jīng)由第二鈍化層180b彼此重疊。

突出電極3191設(shè)置在像素電極191的兩側(cè)，并且僅在圖14中示出了兩側(cè)中的一側(cè)。突出電極3191與數(shù)據(jù)線171和遮光件220重疊。

第一突出電極3191a的平面形狀被形成為包括平行于數(shù)據(jù)線171的兩個(gè)邊緣和與第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的一個(gè)邊緣沿著相同的線延伸的邊緣的多邊形。平行于數(shù)據(jù)線171的兩個(gè)邊緣中的一個(gè)邊緣與第二子像素電極191b的外部電極197b一致，并且另一邊緣具有類似于第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的條電極部分192a1的寬度或第二子區(qū)域191a2的橫向干192a2的寬度的長度。

以與第二子像素電極191b的第二分支電極194b沿相同的線延伸且具有被連接的邊緣的形狀形成第二突出電極3191b的平面形狀。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，突出電極3191被形成從第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1和第二子像素電極191b突出。第一突出電極3191a被施加與第一子像素電極191a相同的電壓，并且第二突出電極3191b被施加與第二子像素電極191b相同的電壓。因此，通過增加影響像素電極191的邊緣的電場的大小，可以改善設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的控制力。因此，設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的方位角未偏斜并且可以被設(shè)置為接近于45度，從而改善透射率。

如圖16所示，在根據(jù)示例性實(shí)施方式，例如圖14和圖15的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，通過從像素電極延伸而形成的突出電極，液晶分子的控制在像素的邊緣也是正常的。因此，可以確定，在第一子像素電極的第一子區(qū)域與第二子像素電極重疊的部分的右邊緣沒有出現(xiàn)黑暗部分。因此，相比于在圖10中示出的參考實(shí)施例，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器具有更高的透射率。

然后，將參考圖17和圖18描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。

在圖17和圖18中示出的根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器與在圖1至圖9中示出的根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器幾乎相同，從而省略了 重復(fù)描述。除了從第二子像素電極突出的突出電極之外，本示例性實(shí)施方式與先前的示例性實(shí)施方式相同，并且將對此描述。

圖17是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖，并且圖18是沿著圖17的線XVIII-XVIII截取的截面圖。

類似于先前的示例性實(shí)施方式，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括面向彼此的下面板100和上面板200以及介于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層3。在下面板100中，包括第一子像素電極191a和第二子像素電極191b的像素電極191被形成，并且公共電極270形成在上面板200中。第一子像素電極191a包括第一子區(qū)域191a1和第二子區(qū)域191a2，并且第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b重疊。第二鈍化層180b設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1上，并且第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和第二子像素電極191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。

形成從像素電極191突出的突出電極4191，并且突出電極4191從第二子像素電極191b突出。因此，突出電極4191設(shè)置在第二鈍化層180b上。

突出電極4191設(shè)置在像素電極191的兩側(cè)，并且在圖17中僅示出了兩側(cè)中的一側(cè)。突出電極4191與數(shù)據(jù)線171和遮光件220重疊。

突出電極4191的平面形狀由具有預(yù)定間隔的多個(gè)分支電極制成。在這種情況下，突出電極4191與設(shè)置在第二子像素電極191b的第二分支電極194b之間的切口對稱。即，第二分支電極194b和突出電極4191關(guān)于第二子像素電極191b的外部電極197b而交替地布置在其右側(cè)和左側(cè)。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，突出電極4191被形成為從第二子像素電極191b突出，并且突出電極4191被施加與第二子像素電極191b相同的電壓。因此，通過增加影響像素電極191的邊緣的電場的大小，可以改善設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的控制力。因此，設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的方位角未偏斜并且可以被設(shè)置為接近于45度，從而改善透射率。

然后，將參考圖19和圖20描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。

在圖19和圖20中示出的根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器與在圖1至圖9中示出的根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器幾乎相同，從而省略重復(fù)描述。除了從第二子像素電極突出的突出電極之外，本示例性實(shí)施方式與先前的示例性實(shí)施方式相同，并且將對此描述。

圖19是根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的部分區(qū)域的放大布局圖，并且圖20是沿著圖19的線XX-XX截取的截面圖。

類似于先前的示例性實(shí)施方式，根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括面向彼此的下面板100和上面板200以及介于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層3。在下面板100中，包括第一子像素電極191a和第二子像素電極191b的像素電極191被形成，并且公共電極270形成在上面板200中。第一子像素電極191a包括第一子區(qū)域191a1和第二子區(qū)域191a2，并且第一子區(qū)域191a1與第二子像素電極191b重疊。第二鈍化層180b設(shè)置在第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1上，并且第一子像素電極191a的第二子區(qū)域191a2和第二子像素電極191b設(shè)置在第二鈍化層180b上。

形成從像素電極191突出的突出電極5191，并且突出電極5191從第二子像素電極191b突出。因此，突出電極5191設(shè)置在第二鈍化層180b上。

突出電極5191設(shè)置在像素電極191的兩側(cè)，并且在圖19中僅示出了兩側(cè)中的一側(cè)。突出電極5191與數(shù)據(jù)線171和遮光件220重疊。

突出電極5191以梯形形成并且上部邊緣的長度非常短，從而形成類似三角形的形狀，梯形的上部邊緣和下部邊緣平行于數(shù)據(jù)線171，并且傾斜邊緣具有尖傾角。上部邊緣具有類似于第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的條電極部分192a1的寬度或第二子區(qū)域191a2的橫向干192a2的寬度的長度。下部邊緣與第二子像素電極191b的外部電極197b一致。傾斜邊緣具有比第一子像素電極191a的第一子區(qū)域191a1的一側(cè)更尖的傾角。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，突出電極5191被形成從第二子像素電極191b突出，并且突出電極5191被施加與第二子像素電極 191b相同的電壓。因此，通過增加影響像素電極191的邊緣的電場的大小，可以改善設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的控制力。因此，設(shè)置在像素電極191的邊緣的液晶層3的液晶分子的方位角未偏斜并且可以被設(shè)置為接近于45度，從而改善透射率。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前被視為實(shí)際示例性實(shí)施方式的內(nèi)容描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明構(gòu)思并不限于所公開的實(shí)施方式，而是相反，本發(fā)明構(gòu)思旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效配置。

<符號說明>

3：液晶層 100：下面板

121：柵極線 131：參考電壓線

171：數(shù)據(jù)線 180a：第一鈍化層

180b：第二鈍化層 191：像素電極

191a：第一子像素電極

191a1：第一子區(qū)域

191a2：第二子區(qū)域

191b：第二子像素電極

192a1：條電極部分

192a2：橫向干

193a1：延伸

193a2：縱向干

194a1：板狀電極部分

194a2：第一分支電極

194b：第二分支電極

197b：外部電極

200：上面板

1191，2191，3191，4191，5191：突出電極

3191a：第一突出電極 3191b：第二突出電極