本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)光源器件、背光模組及顯示裝置。

背景技術(shù)：

色域是一個(gè)描述顯示器能夠達(dá)到的色還原能力的指標(biāo)。目前行業(yè)內(nèi)采用藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)材料產(chǎn)生白光的背光方案，其可到達(dá)100％NTSC(National Television Standards Committee，簡(jiǎn)稱(美國(guó))國(guó)家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì))的色域。

現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)藍(lán)光照射量子點(diǎn)(英文為：Quantum Dots)，可以激發(fā)不同尺寸的量子點(diǎn)釋放出純度高的紅光和綠光，并與剩余的純藍(lán)光混合得到高亮度的白光。目前在將量子點(diǎn)應(yīng)用到直下式顯示器上時(shí)，行業(yè)內(nèi)的一種背光模組采用在膜片上涂覆量子點(diǎn)的方法，具體結(jié)構(gòu)如圖1所示，發(fā)光芯片102設(shè)置在背板101上，來(lái)自發(fā)光芯片102發(fā)射的藍(lán)光照射在涂有量子點(diǎn)的膜片103上，從而可以激發(fā)涂有量子點(diǎn)的膜片103上的量子點(diǎn)材料發(fā)出純度高的紅光和綠光。在上述方案中，由于需要量子點(diǎn)材料需要涂滿整個(gè)膜片103，因此量子點(diǎn)的使用量比較多，導(dǎo)致該方案的成本比較高。

為了解決上述成本較高的問(wèn)題，行業(yè)中的另一種方案是將量子點(diǎn)放置在發(fā)光二級(jí)管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)芯片上方作為點(diǎn)光源，圖2示例性示出采用這種點(diǎn)光源的背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，在背板201上設(shè)置多個(gè)點(diǎn)光源202。每個(gè)點(diǎn)光源202的結(jié)構(gòu)可參考圖2b，包括：LED芯片202a，以及設(shè)置LED芯片202上方的量子點(diǎn)層202b，這種方式節(jié)省了量子點(diǎn)的使用量。

然而，由于每個(gè)點(diǎn)光源202中的LED芯片202a的光強(qiáng)呈朗伯分布，即LED芯片202a發(fā)光角度越小的單位面積所產(chǎn)生的光功率就越高，且角度較小的單位面積照射到量子點(diǎn)層202b的光功率可以到達(dá)60～100W/cm²。如圖2b所示，量子點(diǎn)層202b與LED芯片202a正對(duì)區(qū)域接收到的光功率要比斜對(duì)LED芯片區(qū)域接收到的光功率大，而量子點(diǎn)層接收光功率大的區(qū)域，產(chǎn)生的溫度要比量子點(diǎn)層接收光功率小的區(qū)域產(chǎn)生的溫度高。由于量子點(diǎn)材料 在高溫影響下會(huì)導(dǎo)致其失效，所以量子點(diǎn)層可承受的藍(lán)光照射的極限一般在5W/cm²以下，因此，LED芯片202a正上方的量子點(diǎn)層202b更容易受到高強(qiáng)度的藍(lán)光照射，從而導(dǎo)致量子點(diǎn)失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件、背光模組及顯示裝置，至少解決現(xiàn)有技術(shù)中位于LED芯片正上方的量子點(diǎn)易失效的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，包括：

基座；

發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片設(shè)置在所述基座上；

量子點(diǎn)層，所述量子點(diǎn)層設(shè)置在所述基座上，位于所述發(fā)光芯片的出光方向上、且與所述發(fā)光芯片之間具有間隙，其中，所述量子點(diǎn)層在與所述發(fā)光芯片相對(duì)的表面上設(shè)置有反射點(diǎn)，所述反射點(diǎn)至少分布在所述量子點(diǎn)層與所述發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域。

較佳地，所述基座為呈凹槽狀，所述發(fā)光芯片設(shè)置于所述基座的凹槽底部，所述量子點(diǎn)層設(shè)置于所述基座的凹槽開口處，其中，所述基座與發(fā)光芯片及所述量子點(diǎn)層封裝為一體結(jié)構(gòu)。

較佳地，所述基座的凹槽內(nèi)壁可反射光線。

較佳地，所述反射點(diǎn)分布在整個(gè)量子點(diǎn)層所限定的區(qū)域；在經(jīng)過(guò)所述發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的直線上，任意相鄰兩個(gè)反射點(diǎn)之間的距離從所述中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。

較佳地，所述反射點(diǎn)分布在整個(gè)量子點(diǎn)層所限定的區(qū)域，且所述反射點(diǎn)的尺寸從與所述發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸變小。

較佳地，所述反射點(diǎn)為半球體狀，且在所述量子點(diǎn)層上呈同心圓狀分布，其中，每個(gè)同心圓上分布的各個(gè)反射點(diǎn)的半徑相等，且所述每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半徑隨著所述每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，每個(gè)所述同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著所述每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小。

較佳地，所述量子點(diǎn)層包括：

相向設(shè)置的第一基板和第二基板，以及密封在所述第一基板和所述第二基板之間量子點(diǎn)和位于量子點(diǎn)四周的水氧隔離材料。

較佳地，所述量子點(diǎn)材料包含紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)和樹脂；所述發(fā)光芯片為藍(lán)光芯片。

較佳地，所述反射點(diǎn)的材料包括SiO₂、CaCO₃、TiO₂、BaSO₄中的一種或者多種反射材料。

較佳地，所述量子點(diǎn)層上設(shè)置的反射點(diǎn)為印刷式網(wǎng)點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種直下式背光模組，包括：

背板；

多個(gè)上述實(shí)施例提供的所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件設(shè)置在所述背板上；

光學(xué)膜片組，所述光學(xué)膜片組設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的出光方向。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括：

上述實(shí)施例提供的所述的直下式背光模組；

顯示面板，所述顯示面板設(shè)置在所述直下式背光模組的出光方向。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種側(cè)入式背光模組，包括：

反射片；

導(dǎo)光板，所述導(dǎo)光板具有入光面、出光面及反射面，所述反射片設(shè)置在所述導(dǎo)光板的反射面上；

多個(gè)上述實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件設(shè)置在所述導(dǎo)光板入光面一側(cè)；

光學(xué)膜片組，所述光學(xué)膜片組設(shè)置在所述導(dǎo)光板的出光面方向。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括：

上述實(shí)施例提供的側(cè)入式背光模組；

顯示面板，所述顯示面板設(shè)置在所述側(cè)入式背光模組的出光方向。

本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)層設(shè)置在基座上，位于發(fā)光芯片的出光方向上，且量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片之間具有間隙；因此，量子點(diǎn)層可以接收來(lái)自發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。由于在量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，且反射點(diǎn)至少分布在該量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯 片的正對(duì)區(qū)域。即發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域設(shè)置的反射點(diǎn)可以將來(lái)自發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的光部分反射，減少了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層接收發(fā)光芯片照射的光功率，避免了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層因高溫而失效的問(wèn)題，進(jìn)而由于反射點(diǎn)將來(lái)自發(fā)光芯片正方向的光反射，是被反射的光從量子點(diǎn)層的邊緣部分進(jìn)行到量子點(diǎn)層，所以量子點(diǎn)發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層接收到的光照相對(duì)均勻。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種涂布量子點(diǎn)膜片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為現(xiàn)有技術(shù)中一種設(shè)置有量子點(diǎn)層的點(diǎn)光源結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a中LED芯片上方設(shè)置量子點(diǎn)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例適用的一種背光模組光學(xué)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光芯片發(fā)出光被反射點(diǎn)反射之后，再次照射到量子點(diǎn)層的光路示意圖；

圖4c為本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層的分布示意圖；

圖5b為圖5a中任意一條直線上的分布的多個(gè)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的剖面示意圖；

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層的分布示意圖；

圖6b為圖6a中多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子層上的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層的分布示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層的分布示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直下式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種側(cè)入式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光器件，在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上設(shè)置有反射點(diǎn)，且該反射點(diǎn)至少分布在該量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在接收光照射不均勻的問(wèn)題。

在本發(fā)明實(shí)施例中，涉及的技術(shù)術(shù)語(yǔ)如下：

1、背光源：為薄膜晶體管液晶顯示屏(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)提供一個(gè)面內(nèi)亮度均勻分布的光源。

2、直下式背光方式(英文為：Direct or Bottom Back-Light Type)：是將發(fā)光體直接放在顯示屏的下面，并在整個(gè)背光面上大量均勻分布發(fā)光體。

3、擴(kuò)散片，分為上擴(kuò)散片和下擴(kuò)散片，位于光源一側(cè)擴(kuò)散片叫下擴(kuò)散片，位于顯示屏一側(cè)的擴(kuò)散片叫上擴(kuò)散片，下擴(kuò)散片的作用主要是讓光線透過(guò)擴(kuò)散涂層發(fā)生漫反射，使光線均勻分布，保證背光源面內(nèi)亮度均一化；上擴(kuò)散片的作用是防止位于棱鏡片上的棱鏡圖案與顯示屏直接接觸發(fā)生刮傷，所以上擴(kuò)散片也叫保護(hù)片。

4、棱鏡片，位于上擴(kuò)散片和下擴(kuò)散片之間，作為一種聚光裝置，主要是利用全反射和折射，將經(jīng)過(guò)下擴(kuò)散片出來(lái)的光，集中在一定角度范圍內(nèi)出射，從而提高該視野范圍內(nèi)的亮度。

5、反射片，反射冷陰極熒光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp，簡(jiǎn)稱CCFL)或者LED等光源的光線，使其進(jìn)入導(dǎo)光板或者擴(kuò)散片，提高背光源的光利用率。

6、量子點(diǎn)：是一種由II-VI族或III-V族元素的化合物組成的納米顆粒。量子點(diǎn)的量子尺寸效應(yīng)使得半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光電性質(zhì)產(chǎn)生了巨大的變化，當(dāng)半導(dǎo)體量子點(diǎn)顆粒的尺寸小于激子的波爾半徑時(shí)所產(chǎn)生的量子尺寸效應(yīng)改變了半導(dǎo)體材料的能級(jí)結(jié)構(gòu)，使之有一個(gè)連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂蟹肿犹匦缘姆至⒛芗?jí)結(jié)構(gòu)。利用這一現(xiàn)象即可在同一中反應(yīng)中制備出不同粒徑的半導(dǎo)體量子點(diǎn)，產(chǎn)生不同頻率的光發(fā)射，從而可以方便的調(diào)控出多種發(fā)光顏色。

圖3示例性的示出本發(fā)明實(shí)施例適用的一種直下式背光模組光學(xué)結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖3所示，背光模組包括：背板301、點(diǎn)光源302、下擴(kuò)散片303、棱鏡片304和上擴(kuò)散片305。其中，點(diǎn)光源302可以是LED發(fā)光芯片，可以是冷陰極熒光管，還可以是電致發(fā)光(electroluminescent，簡(jiǎn)稱EL)，在此不一一列舉。

如圖3所示，來(lái)自點(diǎn)光源302的光照射到下擴(kuò)散片303上，通過(guò)下擴(kuò)散片303之后的光線會(huì)比較均勻的照射到棱鏡片304上，棱鏡片304將來(lái)自下擴(kuò)散片303的比較分散的光集中在一定角度范圍內(nèi)并同上擴(kuò)散片射出，從而為顯示屏提供了一個(gè)面內(nèi)亮度均勻分布的光源。在上述實(shí)施例中，若光源采用CCFL或者LED，則需要在背光源的底部，即在圖3的背板301上設(shè)計(jì)一張反射片，將CCFL或者LED照射過(guò)來(lái)的光反射出去。由于普通LED電視采用的是藍(lán)色LED芯片加黃色熒光粉形成白光，或者紫外(近紫外)LED加紅、綠、藍(lán)熒光粉形成白光，或者獨(dú)立的紅、綠、藍(lán)三色LED一體封裝形成白光。但是上述方法中產(chǎn)生的紅、綠、藍(lán)三基色的純度不足，導(dǎo)致紅、綠、藍(lán)三基色可以混合出來(lái)的顏色比較少，因而所表現(xiàn)的色域也就比較窄，導(dǎo)致顯示屏上多數(shù)藍(lán)色、綠色以及部分紅色無(wú)法被準(zhǔn)確的顯示出來(lái)。

研究表明，顯示屏色域的優(yōu)劣與電視機(jī)的很多指標(biāo)有關(guān)，其中比較重要的一項(xiàng)指標(biāo)就是背光源。根據(jù)上述專業(yè)術(shù)語(yǔ)解釋，可以知道，背光源主要是為顯示屏提供一個(gè)面內(nèi)亮度均勻分布的光源，而背光源對(duì)顯示屏色域影響的主要因數(shù)取決于紅、綠、藍(lán)三種光波的純度。而量子點(diǎn)受到受到電或者光的激發(fā)時(shí)，會(huì)根據(jù)量子點(diǎn)自身的半徑大小，發(fā)出各種不同顏色但是純度非常高的單色光。純度比較高的紅、綠和藍(lán)光混合可以得到純度高的白光，因此顯示屏的色域就會(huì)比較高，從而顯示屏上可以將多數(shù)藍(lán)色、綠色和紅色比較準(zhǔn)確的顯示出來(lái)。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般上將量子點(diǎn)層設(shè)置在LED芯片的正上方，而由于量子點(diǎn)有遇到高溫會(huì)失效的問(wèn)題，因此，在將量子點(diǎn)應(yīng)用到背光源時(shí)，可能會(huì)因?yàn)榱孔狱c(diǎn)層在LED芯片正上方的放置位置，導(dǎo)致量子點(diǎn)層與LED芯片正對(duì)區(qū)域接收到的光功率大，產(chǎn)生了量子點(diǎn)不能承受的溫度，導(dǎo)致量子點(diǎn)失效，從而影響顯示屏顯示效果。

基于上述分析，并考慮到量子點(diǎn)具有遇高溫會(huì)失效的問(wèn)題。在本發(fā)明實(shí)施例中，提供一種在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層上設(shè)置反射點(diǎn)的方法，利用設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)，將照射到量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的光反射，避免了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)接收到的大的光功率，產(chǎn)生量子點(diǎn)不能承受的溫度，導(dǎo)致量子點(diǎn)失效，影響光源器件接收光照不均勻以及顯示屏顯示效果的問(wèn)題。

圖4a示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。該量子點(diǎn)發(fā)光器件可以作為背光模組的點(diǎn)光源。

參見圖4a，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，主要包括：基座401，發(fā)光芯片402，量子點(diǎn)層403和反射點(diǎn)404。其中，發(fā)光芯片402設(shè)置在基座401上；量子點(diǎn)層403設(shè)置在基座401上，位于發(fā)光芯片402的出光方向，且量子點(diǎn)層403和發(fā)光芯片402之間具有間隙；量子點(diǎn)層403在與發(fā)光芯片402相對(duì)的表面上設(shè)置有反射點(diǎn)404，而且反射點(diǎn)404至少分布在量子點(diǎn)層403與發(fā)光芯片402正對(duì)的區(qū)域。

需要說(shuō)明的是，所謂反射點(diǎn)404至少分布在量子點(diǎn)層403與發(fā)光芯片402正對(duì)的區(qū)域，是指反射點(diǎn)404可以僅分布在發(fā)光芯片402正對(duì)的區(qū)域，還可以分布在量子點(diǎn)層403上更大的區(qū)域，例如，可以在整個(gè)量子點(diǎn)層403 上均有分布。另外，此處“分布”一般是指多個(gè)反射點(diǎn)在某個(gè)區(qū)域內(nèi)分散設(shè)置，其中某個(gè)反射點(diǎn)可以與其他反射點(diǎn)間隔開來(lái)，也可以與其他某個(gè)或某些個(gè)緊鄰，只要照射到量子點(diǎn)層403的上述區(qū)域(分布有反射點(diǎn)的區(qū)域)的部分光線可從反射點(diǎn)間的間隙穿過(guò)，部分光線可被反射點(diǎn)反射即可。

在本發(fā)明實(shí)施例中，由于在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，且反射點(diǎn)至少分布在該量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片的正對(duì)區(qū)域，即發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域設(shè)置的反射點(diǎn)可以將來(lái)自發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的光部分反射，減少了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層接收發(fā)光芯片照射的光功率，避免了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層因高溫而失效的問(wèn)題，進(jìn)而由于反射點(diǎn)將來(lái)自發(fā)光芯片正方向的光反射，使被反射的光從量子點(diǎn)層的邊緣部分進(jìn)行到量子點(diǎn)層，所以量子點(diǎn)發(fā)光器件中的量子點(diǎn)層接收到的光照相對(duì)均勻。

參見圖4a，本發(fā)明實(shí)施例中，基座401呈凹槽狀，發(fā)光芯片402設(shè)置于基座401的凹槽底部，而量子點(diǎn)層設(shè)置于基座401的凹槽開口處。其中，基座401，發(fā)光芯片402和量子點(diǎn)層403封裝為一體結(jié)構(gòu)，形成第一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于發(fā)光芯片402和量子點(diǎn)層403之間的距離比較近，當(dāng)來(lái)自發(fā)光芯片402的光若直接照射到與發(fā)光芯片402正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層之后，容易使得量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)材料失效。而在本發(fā)明實(shí)施例中，由于在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域設(shè)置有反射點(diǎn)404，而該反射點(diǎn)404會(huì)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片402發(fā)出的光進(jìn)行反射，從而可以改變來(lái)自發(fā)光芯片402發(fā)出光的光路，并將發(fā)光芯片402發(fā)出的光反射到基座401上。從而避免了量子點(diǎn)層403與發(fā)光芯片402正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)材料失效的問(wèn)題。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以將多個(gè)發(fā)光芯片402設(shè)置在基座401的凹槽底部，同時(shí)將量子點(diǎn)層403設(shè)置在基座的凹槽開口處。其中，基座的凹槽開口處可以對(duì)應(yīng)的是導(dǎo)光板，即將量子點(diǎn)層403設(shè)置在導(dǎo)光板的下側(cè)。在本發(fā)明實(shí)施例中，凹槽開口處還可以對(duì)應(yīng)的是光學(xué)膜片組，即將量子點(diǎn)層403設(shè)置在光學(xué)膜片組的下側(cè)。在上述實(shí)施例中，由于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片的距離相對(duì)比較遠(yuǎn)，所以，與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層的量子點(diǎn)材料不會(huì)因?yàn)榘l(fā)光芯片的照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)材料失效的問(wèn)題。而由于在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域設(shè)置的反射點(diǎn)，反射點(diǎn)會(huì)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的光進(jìn)行反射，改變發(fā)光芯片發(fā)出光的傳輸方向，將于發(fā)光芯片正對(duì) 區(qū)域的光反射到基座上，從而使得照射到量子點(diǎn)層的光線更均勻。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了提高對(duì)發(fā)光芯片發(fā)出光的利用率，基座的凹槽內(nèi)壁可反射光線。示例的，基座的凹槽內(nèi)壁涂有反射層。又示例的，基座可以采用的材料具有反射可見光的特性，進(jìn)一步的還可以具有耐藍(lán)光輻射和耐高溫等特性。

圖4b示例性示出發(fā)光芯片發(fā)出光在發(fā)光器件中的光路示意圖。參見圖4b，與發(fā)光芯片402正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層403上設(shè)置的反射點(diǎn)404將來(lái)自發(fā)光芯片402發(fā)出的光反射到基座401上，由于基座401可以反射光，所以基座401可以將來(lái)自反射點(diǎn)404反射的光再次反射出去，從而使得被反射點(diǎn)404反射的光通過(guò)基座401反射之后，再次照射到量子點(diǎn)層402上。采用上述方法，可以使得發(fā)光芯片402發(fā)出的光均勻的照射到量子點(diǎn)層403上，并且避免量子點(diǎn)層403與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域接收高溫照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)失效的問(wèn)題。進(jìn)一步地，由于基座401具有耐藍(lán)光輻射和耐高溫的特性，即使被反射點(diǎn)404的反射的光強(qiáng)度比較大，基座401也不會(huì)因此而失效，從而影響被反射點(diǎn)404反射的光再次反射。優(yōu)選地，基座的組成材料可以是環(huán)氧樹脂(Epoxy Molding Compound，簡(jiǎn)稱為EMC)材料。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)基座的組成材料不做具體的限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了更好的保護(hù)量子點(diǎn)，在量子點(diǎn)上下各設(shè)置一層基板，將量子點(diǎn)密封在上下基板中。而將量子點(diǎn)密封在上下基板一般采用的封裝工藝是激光燒融，或者火燒方法。而在實(shí)際應(yīng)用中，若直接將量子點(diǎn)密封在上下基板上，會(huì)存在靠近上下基板密封點(diǎn)的量子點(diǎn)會(huì)因?yàn)楦邷赜绊懀鴮?dǎo)致失效的問(wèn)題。在本發(fā)明實(shí)施例中，為了避免量子點(diǎn)材料在密封過(guò)程中因?yàn)楦邷赜绊?，?dǎo)致量子點(diǎn)材料失效的問(wèn)題，在將量子點(diǎn)密封在上下基板的同時(shí)，還會(huì)在量子點(diǎn)的四周設(shè)置水氧隔離材料。

圖4c示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)層結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖4c，量子點(diǎn)層包括：第一基板403-1，第二基板403-2，量子點(diǎn)403-3和量子點(diǎn)403-3四周的水氧隔離材料403-4。其中，第一基板403-1和第二基板403-2相向設(shè)置，量子點(diǎn)403-3和量子點(diǎn)四周的水氧隔離材料403-4都被密封在第一基板403-1和第二基板403-2之間。優(yōu)選地，第一基板和第二基板可以是玻璃基板。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)第一基板和第二基板的材料不做具體的限定。

由于量子點(diǎn)層四周設(shè)置了水氧隔離材料，一方面節(jié)約了量子點(diǎn)；一方面，避免了量子點(diǎn)在高溫密封時(shí)由于高溫而導(dǎo)致失效的問(wèn)題；另一方法，同時(shí)避免了量子點(diǎn)因遇水或者遇氧而導(dǎo)致失效的問(wèn)題。優(yōu)選地，水氧隔離材料材料可以選擇二氧化硅材料。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)水氧隔離材料組成材料不做具體限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)材料包含紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)和樹脂，由于量子點(diǎn)發(fā)光效率高并且發(fā)射譜線窄，因此，能將來(lái)自發(fā)光芯片的光高效轉(zhuǎn)化成接近單色光的紅光或者綠光，進(jìn)而提高色域，提高畫面的顯示品質(zhì)。由于量子點(diǎn)層包含的量子點(diǎn)尺寸不同，因此，可將來(lái)自發(fā)光芯片的光轉(zhuǎn)化為不同顏色的光，一般紅光量子點(diǎn)的尺寸大約為7nm，綠光量子點(diǎn)的尺寸大約為3nm。

由于核-殼型量子點(diǎn)對(duì)發(fā)光芯片的進(jìn)行轉(zhuǎn)化，從吸收和發(fā)射光譜來(lái)看，核-殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)具有更加優(yōu)異的發(fā)光特性，能夠明顯減少納米顆粒的表面缺陷，大大提高了發(fā)光效率，因此，核-殼型紅光量子點(diǎn)和核-殼型綠光量子點(diǎn)利于提高發(fā)光效率。優(yōu)選地，紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn)可以是核-殼型量子點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn)的材質(zhì)不做具體的限定。

由于藍(lán)光波長(zhǎng)較短，具有較高的能量，可以將紅光量子點(diǎn)和綠光量子點(diǎn)激發(fā)分別轉(zhuǎn)化為紅光和綠光。在本發(fā)明實(shí)施例中，發(fā)光芯片可以優(yōu)選的選擇發(fā)藍(lán)光的發(fā)光芯片，由于發(fā)光芯片發(fā)出的藍(lán)光接近單色光，因此，采用藍(lán)光發(fā)光芯片照射紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn)，可以進(jìn)一步的提高色域，提高畫面的顯示品質(zhì)。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了更好的保護(hù)與發(fā)光芯片相對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層不會(huì)因?yàn)榘l(fā)光芯片發(fā)出的高強(qiáng)度光照射，而導(dǎo)致量子點(diǎn)材料失效的問(wèn)題，在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，而且反射點(diǎn)至少分布在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域。反射點(diǎn)可以將來(lái)自發(fā)光芯片發(fā)出的并且照射到反射點(diǎn)的光反射。進(jìn)一步地，反射點(diǎn)由具有反射特性的材料組成。優(yōu)選地，反射點(diǎn)的材料包括SiO₂、CaCO₃、TiO₂、BaSO₄中的一種或者多種反射材料。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)反射點(diǎn)的組成材料不做具體的限定。

反射點(diǎn)的形成方式優(yōu)選地，可以采用印刷方式將反射點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層上，即將油墨印刷到量子點(diǎn)層上，以形成反射點(diǎn)，這種方式形成的 反射點(diǎn)稱為印刷式網(wǎng)點(diǎn)。其中，油墨可以采用具有高反射及散射特性的材料，其中可以包含有上述一種或者多種反射材料。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)將反射點(diǎn)設(shè)置到量子點(diǎn)層的具體方法不做限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，由于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面還包括有第二基板，因此，將反射點(diǎn)設(shè)置在量子層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面，其實(shí)是將反射點(diǎn)設(shè)置在第二基板上，第二基板的材質(zhì)一般為玻璃材質(zhì)。

由于量子點(diǎn)層和發(fā)光芯片都設(shè)置在基座上，且量子點(diǎn)層位于發(fā)光芯片的出光方向，所有需要采用透明，且具有粘性的材料將量子點(diǎn)層從上側(cè)固定在基座上。優(yōu)選地，具有透明且具有粘性的材料可以是硅膠。在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)透明且具有粘性的材料不做具體的限定。

基相同的發(fā)明構(gòu)思以及反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上不同的分布情況，本發(fā)明實(shí)施例還至少包括以下幾種具體的實(shí)施方式，具體參見實(shí)施例一至實(shí)施例四。

實(shí)施例一

以下結(jié)合附圖5a和附圖5b來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域至少設(shè)置有反射點(diǎn)的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。圖5a示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)子在量子點(diǎn)層上的分布示意圖；圖5b為圖5a中任意一條直線上的分布的多個(gè)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的剖面示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例僅對(duì)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的分布做進(jìn)一步限定，關(guān)于量子點(diǎn)發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實(shí)施例。

在本發(fā)明實(shí)施例中，反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的具體分布參見圖5a，反射點(diǎn)分布在整個(gè)量子點(diǎn)層所限定的區(qū)域，即反射點(diǎn)既分布在發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域，還分布除了該正對(duì)區(qū)域以外的區(qū)域。其中，在經(jīng)過(guò)所述發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的直線上，任意相鄰兩個(gè)反射點(diǎn)之間的距離從所述中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。

參見圖5a，以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心點(diǎn)的反射點(diǎn)501為例，任意一個(gè)與反射點(diǎn)501相鄰的反射點(diǎn)所組成的直線上，都分布有反射點(diǎn)。而且任意一條直線上分布的多個(gè)反射點(diǎn)都以反射點(diǎn)501為中心，且呈對(duì)稱分布。

比如，通過(guò)反射點(diǎn)501的一條直線51上分布有多個(gè)反射點(diǎn)，而且這多個(gè)反射點(diǎn)都在反射點(diǎn)501的左右兩側(cè)分布。其中，與射點(diǎn)501與相鄰的反射點(diǎn)502之間的距離為d1，由于反射點(diǎn)502和反射點(diǎn)502-1分別與反射點(diǎn)501呈對(duì)稱分布，且距離反射點(diǎn)501的距離相等，所以，可以確定反射點(diǎn)502-1與反射點(diǎn)501之間的距離也為d1；與反射點(diǎn)502相鄰的反射點(diǎn)503之間的距離為d2，由于反射點(diǎn)503-1和反射點(diǎn)503分別與反射點(diǎn)501呈對(duì)稱分布，且距離反射點(diǎn)501的距離相等，且反射點(diǎn)502和反射點(diǎn)502-1分別與反射點(diǎn)501的距離都為d1，所以，可以確定反射點(diǎn)503-1與反射點(diǎn)502-1之間的距離為d2，且d2大于d1；根據(jù)上述規(guī)則，可以進(jìn)一步確定，反射點(diǎn)504與反射點(diǎn)503之間的距離為d3，且反射點(diǎn)504-1與反射點(diǎn)503-1之間的距離也為d3，且d3大于d2；反射點(diǎn)505與反射點(diǎn)504之間的距離為d4，且反射點(diǎn)505-1與反射點(diǎn)504-1之間的距離也為d4，且d4大于d3；反射點(diǎn)506與反射點(diǎn)505之間的距離為d5，且反射點(diǎn)506-1與反射點(diǎn)505-1之間的距離也為d5，且d5大于d4；反射點(diǎn)507與反射點(diǎn)506之間的距離為d6，且反射點(diǎn)507-1與反射點(diǎn)506-1之間的距離也為d6，且d6大于d5；反射點(diǎn)508與反射點(diǎn)507之間的距離為d7，且反射點(diǎn)508-1與反射點(diǎn)507-1之間的距離也為d7，且d7大于d6。

根據(jù)上述分析以及圖5a所示，可以確定，通過(guò)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)的任一直線上分布的任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離，從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。比如，反射點(diǎn)501與反射點(diǎn)502之間的距離d1小于反射點(diǎn)502與反射點(diǎn)503之間的距離d2；反射點(diǎn)503和反射點(diǎn)502之間的距離d2小于反射點(diǎn)504和反射點(diǎn)503之間的距離d3；同理，反射點(diǎn)506和反射點(diǎn)507之間的距離d6小于反射點(diǎn)508和反射點(diǎn)507之間的距離d7。

參見圖5b，多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層5與發(fā)光芯片(圖中未示出)相對(duì)的表面上，多個(gè)反射點(diǎn)以與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心點(diǎn)的一個(gè)反射點(diǎn)501為中心，呈對(duì)稱分布。比如，反射點(diǎn)502與反射點(diǎn)501之間的距離為d1，由于反射點(diǎn)502和反射點(diǎn)502-1以反射點(diǎn)501為中心，呈對(duì)稱分布，所以反射點(diǎn)502-1與反射點(diǎn)501之間的距離也為d1；反射點(diǎn)503與反射點(diǎn)502之間的距離為d2，由于發(fā)射點(diǎn)503和反射點(diǎn)503-1分別以反射點(diǎn)501為中心呈對(duì)稱分布，且反射點(diǎn)502、反射點(diǎn)502-1分別與反射點(diǎn)501之間的距離為d1，所以可以確定，反射點(diǎn)503-1和反射點(diǎn)5021之間的距離也 為d2，且d2大于d1；進(jìn)一步地，反射點(diǎn)504與反射點(diǎn)503之間的距離為d3，反射點(diǎn)504-1與反射點(diǎn)503-1之間的距離為d3，反射點(diǎn)505與反射點(diǎn)504之間的距離為d4，反射點(diǎn)505-1與反射點(diǎn)504-1之間的距離為d4，反射點(diǎn)506與反射點(diǎn)505之間的距離為d5，反射點(diǎn)506-1與反射點(diǎn)505-1之間的距離為d5，且d5大于d4，d4大于d3，d3大于d2。

根據(jù)上述分析，可以確定，通過(guò)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心的反射點(diǎn)的任一直線上分布的反射點(diǎn)，由于發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心的反射點(diǎn)與任意一個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離都小于通過(guò)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)的任一直線上其它任意相鄰的兩個(gè)反射點(diǎn)的距離，且距離發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心的反射點(diǎn)越遠(yuǎn)的任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離會(huì)越來(lái)越大，而由于發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實(shí)施例中，即使發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的光子多的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)層上與發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點(diǎn)層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強(qiáng)。由于與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層設(shè)置的反射點(diǎn)比量子點(diǎn)層周邊區(qū)域設(shè)置的反射點(diǎn)多，因此，在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光進(jìn)行反射的幾率也會(huì)高于量子層周邊區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當(dāng)發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)上，會(huì)被該反射點(diǎn)反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來(lái)自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來(lái)自發(fā)光芯片的光會(huì)再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點(diǎn)的周邊區(qū)域進(jìn)入到量子點(diǎn)層。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法，即可以避免量子點(diǎn)層因發(fā)光芯片高功率照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)失效，同時(shí)保證了量子點(diǎn)層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的光。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，經(jīng)過(guò)所述發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的直線上。優(yōu)選地，任意一條直線通過(guò)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心，且發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心上有一個(gè)反射點(diǎn)，且任意一條直線上的多個(gè)反射點(diǎn)以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中的反射點(diǎn)位中心，呈對(duì)稱分布。進(jìn)一步地，任意一條直線上通過(guò)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心，且發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心上也可以沒(méi)有反射點(diǎn)，但任意一條直線上的多個(gè)反射點(diǎn)同樣以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域?yàn)橹行?，呈?duì)稱分布。在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域是否設(shè) 置有反射點(diǎn)不做具體的限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，多個(gè)反射點(diǎn)以與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心的一個(gè)反射點(diǎn)為中心，呈對(duì)稱分布。優(yōu)選地，量子層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀為半球體狀。進(jìn)一步地，量子層與發(fā)光芯片行對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀也可以是不規(guī)則的體狀。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)量子層與發(fā)光芯片行對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀不做具體的規(guī)定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，當(dāng)量子點(diǎn)的形狀為半球體狀時(shí)，優(yōu)選地，多個(gè)量子點(diǎn)的半徑相等；進(jìn)一步地，多個(gè)量子的半徑也可以不相等。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)多個(gè)量子點(diǎn)的半徑不做具體的限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，多個(gè)反射點(diǎn)以與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心點(diǎn)的一個(gè)反射點(diǎn)為中心，呈對(duì)稱分布。優(yōu)選地，同一直線上分布的任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離，從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照設(shè)定數(shù)值進(jìn)行遞增；進(jìn)一步地，同一直線上分布的任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離，從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣也可以按照任意數(shù)值進(jìn)行遞增；進(jìn)一步地，同一直線上分布的反射點(diǎn)之間的距離，可以按照從發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣整體呈遞增狀態(tài)進(jìn)行遞增，但是對(duì)任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離是否遞增不做限定，比如，發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)1，與量子點(diǎn)1相鄰的量子點(diǎn)2之間的距離為l2，與而與量子點(diǎn)2相鄰的量子點(diǎn)3之間的距離也為l2，但是量子點(diǎn)4和量子點(diǎn)5之間的距離為l4，其中，l4大于l2。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)同一直線上分布的任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離，從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣的遞增數(shù)值不做具體的限定。

實(shí)施例二

以下結(jié)合附圖6a和附圖6b來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域至少設(shè)置有反射點(diǎn)的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。圖6a示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)子在量子點(diǎn)層上的分布示意圖；圖6b為圖6a中多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子層上的剖面示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例僅對(duì)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的分布做進(jìn)一步限定，關(guān)于量子點(diǎn)發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實(shí)施例。

在本發(fā)明實(shí)施例中，反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的具體分布參見圖6a，反射點(diǎn)分布在整個(gè)量子點(diǎn)層所限定的區(qū)域，即反射點(diǎn)既分布在發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域，還分布除了該正對(duì)區(qū)域以外的區(qū)域。其中，所述反射點(diǎn)的尺寸從與所述發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸變小。

參見圖6a，以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域中心點(diǎn)的反射點(diǎn)601為例，當(dāng)量子點(diǎn)的形狀為球體狀時(shí)。反射點(diǎn)601位于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心點(diǎn)，且反射點(diǎn)601的半徑為r1(圖中未示出)，與反射點(diǎn)601相鄰的兩個(gè)反射點(diǎn)602和反射點(diǎn)602-1的半徑相等，均為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；與反射點(diǎn)602相鄰的反射點(diǎn)603的半徑為r3(圖中未示出)，相應(yīng)地，與反射點(diǎn)602-1相鄰的反射點(diǎn)603-1的半徑也為r3，且r2大于r3；根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，與反射點(diǎn)604相鄰的反射點(diǎn)605的半徑為r5(圖中未示出)，相應(yīng)地，與反射點(diǎn)604-1相鄰的反射點(diǎn)605-1的半徑也為r5，且r4(圖中未示出)大于r5。

參見圖6b，多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層6與發(fā)光芯片(圖中未示出)相對(duì)的表面上，多個(gè)反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣部分在逐漸變小。比如，反射點(diǎn)601的半徑r1大于反射點(diǎn)602和反射點(diǎn)602-1的半徑r2；反射點(diǎn)602的半徑r2大于反射點(diǎn)603的半徑r3，反射點(diǎn)602-1的半徑r2大于反射點(diǎn)603-1的半徑r3；同理，反射點(diǎn)604的半徑r4大于反射點(diǎn)605的半徑r5；相應(yīng)地，反射點(diǎn)604-1的半徑r4大于反射點(diǎn)605-1的半徑r5。

根據(jù)上述分析，可以確定，在整個(gè)量子層所在區(qū)域內(nèi)設(shè)置的多個(gè)反射點(diǎn)，由于與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)的半徑比任意一個(gè)與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)相鄰的反射點(diǎn)的半徑都大，且距離發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)距離越遠(yuǎn)的反射點(diǎn)的半徑會(huì)越小，而由于發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實(shí)施例中，即使發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的光子多的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)層上與發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點(diǎn)層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強(qiáng)。由于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)的半徑比任意一個(gè)與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn) 相鄰的反射點(diǎn)的半徑都大，且反射點(diǎn)具有反射作用，可以將量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射。由于與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑大于量子點(diǎn)層周邊區(qū)域設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑大，因此，在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光進(jìn)行反射的幾率也會(huì)高于量子層周邊區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當(dāng)發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)上，會(huì)被該反射點(diǎn)反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來(lái)自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來(lái)自發(fā)光芯片的光會(huì)再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點(diǎn)的周邊區(qū)域進(jìn)入到量子點(diǎn)層。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法，即可以避免量子點(diǎn)層因發(fā)光芯片高功率照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)失效，同時(shí)保證了量子點(diǎn)層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的光。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，優(yōu)選地，量子層與發(fā)光芯片行對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀為半球體狀。進(jìn)一步地，量子層與發(fā)光芯片行對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀可以是不規(guī)則的形狀。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)量子層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上設(shè)置的多個(gè)量子點(diǎn)的形狀不做具體的規(guī)定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，優(yōu)選地，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照設(shè)定數(shù)值進(jìn)行有規(guī)則的遞減。進(jìn)一步地，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照任意數(shù)值進(jìn)行遞減。進(jìn)一步的，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以整體按照遞減的規(guī)律變化，但是對(duì)從發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到邊緣任意相鄰的反射點(diǎn)的半徑是否遞減不做限定，比如，發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)1的半徑為r1，與量子點(diǎn)1相鄰的量子點(diǎn)2的半徑為r2，與量子點(diǎn)2相鄰的量子點(diǎn)3的半徑也為r2，但是量子點(diǎn)5的半徑為r4，其中，r1大于r2，r2大于r4。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)設(shè)置在與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上的多個(gè)量子點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣的遞減數(shù)值不做具體的限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)量子點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，當(dāng)反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照設(shè)定數(shù)值進(jìn)行有規(guī)則的遞減時(shí)，優(yōu)選地，反射點(diǎn)從與發(fā)光芯片正對(duì) 區(qū)域的中心到量子點(diǎn)的邊緣上，任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離相等。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)反射點(diǎn)從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)的邊緣上，任意兩個(gè)相鄰的反射點(diǎn)之間的距離不做具體的限定。

實(shí)施例三

以下結(jié)合附圖7來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域至少設(shè)置有反射點(diǎn)的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。圖7示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)子在量子點(diǎn)層上的分布示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例僅對(duì)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的分布做進(jìn)一步限定，關(guān)于量子點(diǎn)發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實(shí)施例。

在本發(fā)明實(shí)施例中，反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的具體分布參見圖7，反射點(diǎn)的形狀為半球體狀，在量子點(diǎn)層上呈同心圓狀分布。其中，每個(gè)同心圓上分布的各個(gè)反射點(diǎn)的半徑相等，且每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半徑隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小。

參見圖7，以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心設(shè)置的反射點(diǎn)的701為例，反射點(diǎn)701的半徑為r1(圖中未示出)，以反射點(diǎn)701為圓心，且與反射點(diǎn)701相鄰的第二個(gè)圓同心圓702上設(shè)置有多個(gè)反射點(diǎn)，其中，同心圓702上設(shè)置的多個(gè)反射點(diǎn)的半徑都為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；以反射點(diǎn)701為圓心，與第二個(gè)同心圓702相鄰的第三個(gè)同心圓703上設(shè)置有多個(gè)反射點(diǎn)，且同心圓703上設(shè)置的多個(gè)反射點(diǎn)的半徑都為r3(圖中未示出)，其中，r3大于r2；進(jìn)一步地，同心圓703上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度小于同心圓702上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度，其中，在本發(fā)明實(shí)施例中，密度指的是同一個(gè)圓上分布的反射點(diǎn)的數(shù)量與圓周長(zhǎng)的比值。根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，同心圓705上設(shè)置的多個(gè)反射點(diǎn)的半徑為r5(圖中未示出)，同心圓705上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑r5小于同心圓704上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑r4(圖中未示出)，而且，同心圓705的半徑大于同心圓704的半徑，即同心圓705上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度小于同心圓704上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度。

根據(jù)上述分析，可以確定，多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，由于多個(gè)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上呈同心圓狀分布，而且每個(gè)同心圓上分布的各個(gè)反射點(diǎn)的半徑相等，且每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半 徑隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，而由于發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實(shí)施例中，即使發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的光子多的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)層上與發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點(diǎn)層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強(qiáng)。由于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，反射點(diǎn)具有反射作用，可以將量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射，而且在本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)層上設(shè)置的反射點(diǎn)具有以下分布特點(diǎn)：(1)與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心反射點(diǎn)的半徑比任意一個(gè)以該反射點(diǎn)為圓心的其它同心圓上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑大；(2)以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的反射點(diǎn)為圓心的其它同心圓上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度隨著同心圓的半徑的增大而減小。所以，量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光進(jìn)行反射的幾率也會(huì)高于量子層周邊區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當(dāng)發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)上，會(huì)被該反射點(diǎn)反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來(lái)自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來(lái)自發(fā)光芯片的光會(huì)再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點(diǎn)的周邊區(qū)域進(jìn)入到量子點(diǎn)層。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法，即可以避免量子點(diǎn)層因發(fā)光芯片高功率照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)材料失效，同時(shí)保證了量子點(diǎn)層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。

在本發(fā)明實(shí)施例中，每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半徑隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，優(yōu)選地，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照設(shè)定數(shù)值進(jìn)行有規(guī)則的遞減。進(jìn)一步地，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以按照任意數(shù)值進(jìn)行遞減。進(jìn)一步的，反射點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣可以整體按照遞減的規(guī)律變化，但是對(duì)從發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到邊緣任意相鄰的同心圓上的反射點(diǎn)的半徑是否遞減不做限定。比如，發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)1的半徑為r1，與量子點(diǎn)1相鄰的同心圓2上的量子點(diǎn)2的半徑為r2，與同心圓2相鄰的同心圓3上的量子點(diǎn)3的半徑也為r2，但是同心圓5上的量子點(diǎn)5的半徑為r4，其中，r1大于r2，r2大于r4。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)設(shè)置在與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上 的多個(gè)量子點(diǎn)的半徑從與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心到量子點(diǎn)層的邊緣的遞減數(shù)值不做具體的限定。

在本發(fā)明實(shí)施例中，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，優(yōu)選地，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而按照設(shè)置的數(shù)值進(jìn)行有規(guī)則的減少。進(jìn)一步地，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大可以按照任意數(shù)值進(jìn)行遞減。進(jìn)一步地，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而做整體減小，但是對(duì)任意相鄰的同心圓上的反射點(diǎn)的半徑是否減小不做具體限定。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)設(shè)置在每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小不做具體的限定。

實(shí)施例四

以下結(jié)合附圖8來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域至少設(shè)置有反射點(diǎn)的一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。圖8示例性示出本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射點(diǎn)子在量子點(diǎn)層上的分布示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例僅對(duì)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的分布做進(jìn)一步限定，關(guān)于量子點(diǎn)發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實(shí)施例。

在本發(fā)明實(shí)施例中，反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上的具體分布參見圖8，反射點(diǎn)的形狀為半球體狀，在量子點(diǎn)層上呈同心圓狀分布。其中，每個(gè)同心圓上分布的各個(gè)反射點(diǎn)的半徑相等，每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半徑隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，且每個(gè)同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。

參見圖8，以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心設(shè)置的反射點(diǎn)的801為例，反射點(diǎn)801的半徑為r1(圖中未示出)，以反射點(diǎn)801為圓心，與反射點(diǎn)801相鄰的第二個(gè)圓同心圓802上設(shè)置有多個(gè)反射點(diǎn)，這多個(gè)反射點(diǎn)的半徑都為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；進(jìn)一步的，同心圓802上任一點(diǎn)與反射點(diǎn)801之間的距離為d1。以反射點(diǎn)801為圓心，與第二個(gè)同心圓802相鄰的第三個(gè)同心圓803上設(shè)置有多個(gè)反射點(diǎn)，這多個(gè)反射點(diǎn)的半徑都為r3(圖中未示出)，且r3大于r2；進(jìn)一步地，同心圓803上任意一點(diǎn)與同 心圓802之間最短距離為d2，且d2大于d1；同心圓803上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度小于同心圓802上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度，在本發(fā)明實(shí)施例中，密度指的是同一個(gè)圓上分布的反射點(diǎn)的數(shù)量與圓周長(zhǎng)的比值。根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，同心圓805上設(shè)置的多個(gè)反射點(diǎn)的半徑為r5(圖中未示出)，同心圓805上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑r5小于同心圓804上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑r4；進(jìn)一步地，同心圓805上任意一點(diǎn)與同心圓804之間最短幾率為d4，且d4大于d3，而且，同心圓805上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度小于同心圓804上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度。

根據(jù)上述分析，可以確定，多個(gè)反射點(diǎn)設(shè)置在量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面上，由于多個(gè)反射點(diǎn)在量子點(diǎn)層上呈同心圓狀分布，每個(gè)同心圓上分布的各個(gè)反射點(diǎn)的半徑相等，每個(gè)同心圓上分布的反射點(diǎn)的半徑隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，每個(gè)同心圓上分布的多個(gè)反射點(diǎn)的密度隨著每個(gè)同心圓的半徑的增大而減小，且每個(gè)同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。由于發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實(shí)施例中，即使發(fā)光芯片的光強(qiáng)呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的光子多的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)層上與發(fā)光芯片正對(duì)的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點(diǎn)層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強(qiáng)。由于量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，反射點(diǎn)具有反射作用，可以將量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射，而且在本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)層上設(shè)置的反射點(diǎn)具有以下分布特點(diǎn)：(1)與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心反射點(diǎn)的半徑比任意一個(gè)以該反射點(diǎn)為圓心的其它同心圓上設(shè)置的反射點(diǎn)的半徑大；(2)以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的反射點(diǎn)為圓心的其它同心圓上設(shè)置的反射點(diǎn)的密度隨著同心圓的半徑的增大而減小。(3)以發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的中心的反射點(diǎn)為圓心的每個(gè)同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點(diǎn)層的邊緣逐漸增大。所以，量子點(diǎn)層與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光進(jìn)行反射的幾率也會(huì)高于量子層周邊區(qū)域的反射點(diǎn)對(duì)來(lái)自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當(dāng)發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)上，會(huì)被該反射點(diǎn)反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來(lái)自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來(lái)自發(fā)光芯片的光會(huì)再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點(diǎn)的周邊區(qū)域進(jìn)入到量子點(diǎn)層。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法，即可以避免量子點(diǎn)層因發(fā) 光芯片高功率照射而導(dǎo)致量子點(diǎn)材料失效，同時(shí)保證了量子點(diǎn)層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。

如圖9所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直下式背光模組，包括：背板901，量子點(diǎn)發(fā)光器件902和光學(xué)膜片組903。其中，量子點(diǎn)發(fā)光器件901為本發(fā)明實(shí)施例中任意一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，該量子點(diǎn)發(fā)光器件902設(shè)置在背板901上，光學(xué)膜片組903設(shè)置在量子點(diǎn)發(fā)光器件902的出光方向上。

如圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種側(cè)光式背光模組，包括：量子點(diǎn)發(fā)光器件1001，反射片1002，導(dǎo)光板1003和光學(xué)膜片組1004。其中，量子點(diǎn)發(fā)光器件1001為本發(fā)明實(shí)施例中任意一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，該量子點(diǎn)發(fā)光器件1001設(shè)置在導(dǎo)光板1003的一側(cè)，反射片1002設(shè)置在導(dǎo)光板1003的下方，光學(xué)膜片組1004設(shè)置在導(dǎo)光板1003的出光方向上。

如圖11所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的直下式背光模組1101和顯示面板1102，其中，顯示面板1102設(shè)置在直下式背光模組1101的出光方向。

如圖12所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的側(cè)入式背光模組1201和顯示面板1202，其中，顯示面板1202設(shè)置在側(cè)入式背光模組1201的出光方向。

在本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)層設(shè)置在基座上，位于發(fā)光芯片的出光方向上，且量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片之間具有間隙；因此，量子點(diǎn)層可以接收來(lái)自發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。由于在量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片相對(duì)的表面設(shè)置有反射點(diǎn)，且反射點(diǎn)至少分布在該量子點(diǎn)層與該發(fā)光芯片的正對(duì)區(qū)域，從而使發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的反射點(diǎn)可以將來(lái)自發(fā)光芯片正方向的光被反射，從而避免了發(fā)光芯片正對(duì)區(qū)域的量子點(diǎn)層因高溫照射而失效，導(dǎo)致光源器件存在接收光照不均勻的問(wèn)題。

以上所述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。