本申請(qǐng)要求2014年7月22日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 14/337,822的優(yōu)先權(quán)，通過參考將該美國(guó)專利申請(qǐng)的公開合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光學(xué)器件，并且特別地涉及光學(xué)器件的溫度控制。

背景技術(shù)：

光學(xué)鏈路將光信號(hào)從接收器傳送到發(fā)射器。增大光信號(hào)的功率可以增大這些鏈路的長(zhǎng)度。常常在這些鏈路中使用諸如光傳感器和調(diào)制器之類的部件；然而，常常存在對(duì)可以由這些部件處理的光學(xué)功率水平的限制。例如，光傳感器和調(diào)制器二者在操作期間生成光電流。該光電流導(dǎo)致部件的實(shí)質(zhì)發(fā)熱。隨著光學(xué)信號(hào)的功率水平增大，發(fā)熱的水平也增大。該發(fā)熱可以損壞部件并造成其他麻煩。例如，調(diào)制器的操作波長(zhǎng)會(huì)響應(yīng)于該發(fā)熱而偏移。因此，調(diào)制器的效率會(huì)隨著發(fā)熱水平增大而下降。因此，存在對(duì)適合于與增大的光學(xué)功率水平一起使用的光學(xué)部件的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種光學(xué)器件包括位于基底上的波導(dǎo)和位于基底上的有源部件。該有源部件包括位于基底上的有源介質(zhì)的脊。該有源介質(zhì)的脊包括在頂部和底部之間的橫向側(cè)。該脊的底部在基底和脊的頂部之間。波導(dǎo)被配置成引導(dǎo)光信號(hào)通過有源部件以使得光信號(hào)被引導(dǎo)通過有源介質(zhì)的脊。一種熱導(dǎo)體包括位于有源介質(zhì)的脊的橫向側(cè)上面的橫向部分。該熱導(dǎo)體還包括位于基底上面并且遠(yuǎn)離有源介質(zhì)的脊延伸的板部分。

該光學(xué)器件的另一實(shí)施例包括位于基底上的波導(dǎo)和位于基底上的有源部件。該有源部件包括位于基底上的有源介質(zhì)的脊。該波導(dǎo)被配置成引導(dǎo)光信號(hào)通過有源部件以使得光信號(hào)被引導(dǎo)通過有源介質(zhì)的脊。一種熱導(dǎo)體被定位成使得有源介質(zhì)在熱導(dǎo)體和基底之間。該熱導(dǎo)體延伸到有源介質(zhì)不在熱導(dǎo)體和基底之間的位置。在一些示例中，熱導(dǎo)體具有至少一個(gè)或至少兩個(gè)大于5μm的尺寸。

該光學(xué)器件的另一實(shí)施例包括位于基底上的波導(dǎo)和位于基底上的有源部件。該有源部件包括位于基底上的有源介質(zhì)的脊。該波導(dǎo)被配置成引導(dǎo)光信號(hào)通過有源部件以使得光信號(hào)被引導(dǎo)通過有源介質(zhì)的脊。該有源介質(zhì)的脊的至少一部分包括錐狀物。

附圖說明

圖1A和圖1B圖示包括有源部件的光學(xué)器件的示例。該器件具有在光源和有源部件之間引導(dǎo)光信號(hào)的波導(dǎo)。圖1A是該器件的透視圖。

圖1B是沿著圖1A中標(biāo)記B的線得到的器件的橫截面。

圖2A一直到圖2D圖示包括適合于用作圖1A的有源部件的有源部件的器件的一部分。

圖2A是該器件的頂視圖。

圖2B是沿著圖2A中標(biāo)記B的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。

圖2C是沿著圖2A中標(biāo)記C的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。

圖2D是沿著圖2A中標(biāo)記D的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。

圖3A一直到圖3C圖示包括適合于用作圖1A的有源部件的有源部件的實(shí)施例的器件的一部分且在其中導(dǎo)體在有源介質(zhì)的脊的橫向側(cè)上面延伸。圖3A是該器件的頂視圖。

圖3B是沿著圖3A中標(biāo)記B的線得到的圖3A中示出的器件的橫截面。

圖3C是沿著圖3A中標(biāo)記C的線得到的圖3A中示出的器件的橫截面。

圖4A一直到圖4C圖示包括適合于用作圖1A的有源部件的有源部件的實(shí)施例的器件的一部分且在其中有源介質(zhì)的脊包括橫向錐狀物。圖4A是該器件的頂視圖。

圖4B是沿著圖4A中標(biāo)記B的線得到的圖4A中示出的器件的橫截面。

圖4C是沿著圖4A中標(biāo)記C的線得到的圖4A中示出的器件的橫截面。

圖5A一直到圖5C圖示包括結(jié)合多個(gè)熱量控制特征的有源部件的實(shí)施例的器件的一部分。圖5A是該器件的頂視圖。

圖5B是沿著圖5A中標(biāo)記B的線得到的圖5A中示出的器件的橫截面。

圖5C是沿著圖5A中標(biāo)記C的線得到的圖5A中示出的器件的橫截面。

圖6是具有在根據(jù)圖3C或圖5C構(gòu)造的有源部件上形成的材料的兩個(gè)附加層的有源部件的橫截面。

圖7是根據(jù)圖3C或圖5C構(gòu)造的但沒有有源介質(zhì)的板區(qū)的有源部件的橫截面。

具體實(shí)施方式

一種光學(xué)器件包括位于基底上的波導(dǎo)和位于基底上的光學(xué)部件。該光學(xué)部件是包括有源介質(zhì)的光傳感器或者包括有源介質(zhì)的調(diào)制器。該波導(dǎo)被配置成引導(dǎo)光信號(hào)通過該部件以使得該光信號(hào)被引導(dǎo)通過有源介質(zhì)。該器件包括一個(gè)或多個(gè)熱量控制特征。例如，熱導(dǎo)體可以被定位在包括于波導(dǎo)中的有源介質(zhì)上面并且可以延伸以遠(yuǎn)離波導(dǎo)以便引導(dǎo)熱量遠(yuǎn)離波導(dǎo)。另外或可替代地，該熱導(dǎo)體可以從該部件周界內(nèi)的位置延伸到超出該部件周界的位置。因此，熱導(dǎo)體可以將該部件所生成的熱量引導(dǎo)超出該部件周界。另外或可替代地，波導(dǎo)的在該部件內(nèi)的一部分可以是錐狀的以便增大利用該部件的熱量生成的均勻性。因此，該錐狀物可以降低該部件內(nèi)熱點(diǎn)的存在。這些特征中的一個(gè)或多個(gè)允許該部件連同更高功率的光信號(hào)一起使用并且可以允許使用更長(zhǎng)的光學(xué)鏈路。

在一些實(shí)例中，熱導(dǎo)體是導(dǎo)電的并且電子器件使用該導(dǎo)體來向部件施加操作該部件所需的電能量。例如，可以通過熱導(dǎo)體來驅(qū)動(dòng)操作調(diào)制器或光傳感器所需的電流或電能。在這些實(shí)例中，熱導(dǎo)體不會(huì)將大量復(fù)雜性添加到制造工藝。

圖1A和圖1B圖示包括有源部件的光學(xué)器件的一個(gè)示例。該器件具有在光源8和有源部件9之間引導(dǎo)光信號(hào)的波導(dǎo)。圖1A是該器件的透視圖。圖1B是沿著圖1A中標(biāo)記B的線得到的該器件的橫截面。圖1A和圖1B未示出光源8或有源部件的細(xì)節(jié)而是圖示這些部件和波導(dǎo)之間的關(guān)系。

該器件在這類被稱為平面光學(xué)器件的光學(xué)器件之內(nèi)。這些器件通常包括相對(duì)于襯底或基底固定的一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)。光信號(hào)沿著波導(dǎo)的傳播方向通常平行于該器件的平面。該器件的平面的示例包括基底的頂側(cè)、基底的底側(cè)、襯底的頂側(cè)和/或襯底的底側(cè)。

所圖示的器件包括從頂側(cè)12延伸到底側(cè)14的橫向側(cè)10（或邊緣）。光信號(hào)沿著平面光學(xué)器件上的波導(dǎo)的長(zhǎng)度的傳播方向通常延伸通過該器件的橫向側(cè)10。該器件的頂側(cè)12和底側(cè)14是非橫向側(cè)。

該器件包括將光信號(hào)載送到光學(xué)部件17和/或載送來自光學(xué)部件17的光信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)16?？梢员话ㄔ谠撈骷系墓鈱W(xué)部件17的示例包括但不限于從由以下各項(xiàng)組成的組選擇的一個(gè)或多個(gè)部件：光信號(hào)可以通過其進(jìn)入和/或離開波導(dǎo)的小構(gòu)面（facet），光信號(hào)可以通過其從器件上面或下面進(jìn)入和/或離開波導(dǎo)的進(jìn)入/離開端口，用于將多個(gè)光信號(hào)組合到單個(gè)波導(dǎo)上的多路復(fù)用器，用于將多個(gè)光信號(hào)分開以使得在不同波導(dǎo)上接收到不同光信號(hào)的解復(fù)用器，光學(xué)耦合器，光學(xué)開關(guān)，充當(dāng)光信號(hào)的源的激光器，用于放大光信號(hào)的強(qiáng)度的放大器，用于衰減光信號(hào)的強(qiáng)度的衰減器，用于將信號(hào)調(diào)制到光信號(hào)上的調(diào)制器，用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的調(diào)制器，以及為行進(jìn)通過器件（從器件的底側(cè)14到器件的頂側(cè)12）的光信號(hào)提供光學(xué)通路的通孔。此外，該器件可以可選地包括電氣部件。例如，該器件可以包括用于將電勢(shì)或電流施加于波導(dǎo)和/或用于控制光學(xué)器件上的其他部件的電氣連接。

該波導(dǎo)的一部分包括第一結(jié)構(gòu)，在第一結(jié)構(gòu)處波導(dǎo)16的一部分被限定在位于基底20上的光傳輸介質(zhì)18中。例如，如圖1B中所示波導(dǎo)16的一部分由從光傳輸介質(zhì)的板區(qū)向上延伸的脊22來局部限定。在一些實(shí)例中，板區(qū)的頂部由部分延伸到光傳輸介質(zhì)18中的溝槽24的底部來限定。如在下文中將變得明顯的，板區(qū)可以由各種各樣的不同材料來限定。例如，當(dāng)溝槽24延伸通過光傳輸介質(zhì)18到達(dá)基底時(shí)，脊從基底向上延伸并且基底的暴露部分充當(dāng)板區(qū)。適當(dāng)?shù)墓鈧鬏斀橘|(zhì)包括但不限于硅、聚合物、二氧化硅、SiN、GaAs、InP和LiNbO₃。

基底20鄰近光傳輸介質(zhì)18的一部分被配置成將來自波導(dǎo)16的光信號(hào)反射回到波導(dǎo)16中以便將光信號(hào)約束在波導(dǎo)16中。例如，基底20鄰近光傳輸介質(zhì)18的一部分可以是具有比光傳輸介質(zhì)18更低的折射率的光絕緣體28。折射率的下降可以造成光信號(hào)從光傳輸介質(zhì)18反射回到光傳輸介質(zhì)18中?；?0可以包括位于襯底29上的光絕緣體28。在一些實(shí)例中，襯底29可以被配置成傳輸光信號(hào)。例如，襯底29可以由不同于光傳輸介質(zhì)18或者與光傳輸介質(zhì)18相同的光傳輸介質(zhì)18構(gòu)造。在一個(gè)示例中，該器件被構(gòu)造在絕緣體上硅晶片上。絕緣體上硅晶片包括用作光傳輸介質(zhì)18的硅層。絕緣體上硅晶片還包括位于硅襯底上的二氧化硅層。該二氧化硅層可以用作光絕緣體28并且硅襯底可以充當(dāng)襯底29。

盡管光源8被示為位于該器件中心，但是光源8可以位于器件的邊緣處。光源8可以是任何類型的光源，包括將電能轉(zhuǎn)換成光的光源。適當(dāng)?shù)墓庠吹氖纠ǖ幌抻诎雽?dǎo)體激光器和半導(dǎo)體放大器（諸如反射半導(dǎo)體光學(xué)放大器（RSOA））。適當(dāng)激光器的示例包括但不限于法布里-珀羅激光器、分布式布拉格反射器激光器（DBR激光器）、分布式反饋激光器（DFB激光器）、外腔式激光器（ECL）。在一些實(shí)例中，光源8是與如在光纖接口專利申請(qǐng)的任一個(gè)或多個(gè)中公開的器件相連接的光學(xué)纖維。在一些實(shí)例中，該器件不包括光源。例如，波導(dǎo)可以在位于器件周界處或附近的小構(gòu)面處終止，并且然后可以將行進(jìn)通過空氣的光信號(hào)通過該小構(gòu)面注入到波導(dǎo)中。因此，光源是可選的。該一個(gè)或多個(gè)部件17也是可選的。

圖2A一直到圖2D圖示包括適合于用作圖1A的有源部件的有源部件的器件的一部分。圖2A是該器件的頂視圖。圖2B是沿著圖2A中標(biāo)記B的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。圖2C是沿著圖2A中標(biāo)記C的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。圖2D是沿著圖2A中標(biāo)記D的線得到的圖2A中示出的器件的橫截面。

凹處25（圖2A）延伸到光傳輸介質(zhì)18中的溝槽24的底部中以使得脊22位于各凹處25之間。凹處25可以部分地延伸到光傳輸介質(zhì)18中。如從圖2B顯而易見的，凹處25可以與脊22間隔開。因此，波導(dǎo)16的一部分包括第二結(jié)構(gòu)，在第二結(jié)構(gòu)處由從溝槽24的底部（板區(qū)）向上延伸的脊22來局部限定波導(dǎo)16的上部并且由延伸到板區(qū)中且與脊間隔開的凹處25來局部限定波導(dǎo)的下部。

如圖2C中所示，凹處25可以接近脊22以使得脊22的側(cè)面與凹處25的側(cè)面組合到單一表面26中。因此，波導(dǎo)的一部分包括第三結(jié)構(gòu)，在該第三結(jié)構(gòu)處由表面26來部分地限定波導(dǎo)。

如在圖2A中顯而易見的，波導(dǎo)16的一部分包括有源介質(zhì)27。該有源介質(zhì)27被配置成從波導(dǎo)的具有第三結(jié)構(gòu)的一部分接收光信號(hào)并且將所接收到的光信號(hào)引導(dǎo)到波導(dǎo)的具有第三結(jié)構(gòu)的另一部分。

如從圖2D中顯而易見的，有源介質(zhì)27的脊22從有源介質(zhì)27的板區(qū)向上延伸。因此，波導(dǎo)的一部分包括第四結(jié)構(gòu)，其被配置成引導(dǎo)所接收到的光信號(hào)通過有源介質(zhì)27。由有源介質(zhì)27的頂側(cè)和橫向側(cè)來局部限定波導(dǎo)的該部分。有源介質(zhì)27的板區(qū)和有源介質(zhì)27的脊22二者位于光傳輸介質(zhì)18的晶粒（seed）部分34上。因此，該光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34在有源介質(zhì)27和基底20之間。在一些實(shí)例中，當(dāng)光信號(hào)從光傳輸介質(zhì)行進(jìn)到有源介質(zhì)27中時(shí)，一部分光信號(hào)進(jìn)入光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34并且光信號(hào)的另一部分進(jìn)入有源介質(zhì)27。有源介質(zhì)27可以在光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分上生長(zhǎng)。晶粒層是可選的。例如，有源介質(zhì)27可以被生成或者以其他方式直接形成在光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分上。

如在圖2A中顯而易見的，在有源介質(zhì)27的每個(gè)小構(gòu)面和光傳輸介質(zhì)18的小構(gòu)面之間存在界面。該界面可以具有相對(duì)于光信號(hào)在該界面處通過波導(dǎo)16的傳播方向的非垂直的角度。在一些實(shí)例中，該界面是相對(duì)于基底20基本上垂直的，同時(shí)相對(duì)于傳播方向非垂直的。界面的非垂直性降低背反射的影響。界面相對(duì)于傳播方向的適當(dāng)角度包括但不限于在80°和89°之間的角度和在80°和85°之間的角度。

該光學(xué)器件包括有源部件。為了簡(jiǎn)化圖2A，圖2A中沒有示出有源部件構(gòu)造的細(xì)節(jié)。然而，從諸如圖2D的其他圖示來看，有源部件構(gòu)造是明顯的。圖2D的有源部件被構(gòu)造在波導(dǎo)的具有第四結(jié)構(gòu)的一部分上。在圖2D中使用虛線以便示出摻雜區(qū)的周界以防止它們與不同材料之間的界面混淆。利用實(shí)線來圖示不同材料之間的界面。有源部件被配置成將電場(chǎng)施加于有源介質(zhì)27以便相位和/或強(qiáng)度調(diào)制由有源部件接收到的光信號(hào)。

有源介質(zhì)27的脊22從有源介質(zhì)27的板區(qū)向上延伸。摻雜區(qū)40既在有源介質(zhì)27的板區(qū)中同時(shí)又在有源介質(zhì)27的脊中。例如，有源介質(zhì)27的摻雜區(qū)40位于有源介質(zhì)27的脊22的橫向側(cè)上。在一些實(shí)例中，如圖2D中所示，各摻雜區(qū)40中的每一個(gè)一直延伸到有源介質(zhì)27的頂側(cè)。另外，摻雜區(qū)40遠(yuǎn)離脊22延伸到有源介質(zhì)27的板區(qū)中。如圖2D中所示，摻雜區(qū)40從有源介質(zhì)27的脊22到有源介質(zhì)27的板區(qū)的過渡可以是連續(xù)且不間斷的。

各摻雜區(qū)40中的每一個(gè)可以是N型摻雜區(qū)或P型摻雜區(qū)。例如，各N型摻雜區(qū)中的每一個(gè)可以包括N型摻雜劑并且各P型摻雜區(qū)中的每一個(gè)可以包括P型摻雜劑。在一些實(shí)例中，有源介質(zhì)27包括作為N型摻雜區(qū)的摻雜區(qū)40和作為P型摻雜區(qū)的摻雜區(qū)40。有源介質(zhì)27中的各摻雜區(qū)40之間的間隔導(dǎo)致在有源部件中形成PIN（p型區(qū)-絕緣體- n型區(qū)）結(jié)。

在有源介質(zhì)27中，用于N型區(qū)的適當(dāng)摻雜劑包括但不限于磷和/或砷。用于P型區(qū)的適當(dāng)摻雜劑包括但不限于硼。摻雜區(qū)40被摻雜以便成為導(dǎo)電的。P型摻雜區(qū)中的P型摻雜劑的適當(dāng)濃度包括但不限于大于1×10¹⁵cm^-3、1×10¹⁷cm^-3或1×10¹⁹cm^-3，以及/或者小于1×10¹⁷cm^-3、1×10¹⁹cm^-3或1×10²¹cm^-3的濃度。N型摻雜區(qū)中的N型摻雜劑的適當(dāng)濃度包括但不限于大于1×10¹⁵cm^-3、1×10¹⁷cm^-3或1×10¹⁹cm^-3，以及/或者小于1×10¹⁷cm^-3、1×10¹⁹cm^-3或1×10²¹cm^-3的濃度。

各導(dǎo)體44中的每一個(gè)都位于板區(qū)上。在所圖示的實(shí)施例中，導(dǎo)體位于有源介質(zhì)27的板區(qū)上。導(dǎo)體可以是導(dǎo)熱的，并且在一些實(shí)例中還是導(dǎo)電的。在圖2A中，虛線被用來表示有源介質(zhì)27在導(dǎo)體44下面的周界的位置。所圖示的導(dǎo)體可選地與脊22間隔開并且可選地包括與脊22的橫向側(cè)平行或基本平行的一個(gè)或多個(gè)邊緣。

各導(dǎo)體44中的每一個(gè)接觸有源介質(zhì)27的板區(qū)中的和/或光傳輸介質(zhì)18的板區(qū)中的摻雜區(qū)40的一部分。因此，各摻雜區(qū)40中的每一個(gè)是以允許它提供導(dǎo)體44和有源介質(zhì)27的脊之間的電氣通信的濃度摻雜的。因此，當(dāng)導(dǎo)體是導(dǎo)電的時(shí)，電能可以被施加到導(dǎo)體44以便將電場(chǎng)施加到有源介質(zhì)27。各摻雜區(qū)之間的光傳輸介質(zhì)或有源介質(zhì)的區(qū)可以是未摻雜的或者輕摻雜的，只要摻雜不足以使摻雜材料充當(dāng)使有源部件電氣短路的電導(dǎo)體。

圖1A一直到圖2D的有源部件可以被操作為調(diào)制器。例如，當(dāng)導(dǎo)體是導(dǎo)電的時(shí)，電子器件47（圖1A）可以被采用來將電能施加到導(dǎo)體44以便在有源介質(zhì)27中形成電場(chǎng)。例如，該電子器件可以在充當(dāng)增益介質(zhì)中電場(chǎng)的源的各摻雜區(qū)之間形成電壓差?？梢栽诓簧赏ㄟ^有源介質(zhì)27的顯著電流的情況下形成該電場(chǎng)。該有源介質(zhì)27可以是響應(yīng)于電場(chǎng)的施加在其中出現(xiàn)Franz-Keldysh效應(yīng)的介質(zhì)。該Franz-Keldysh效應(yīng)是通過有源介質(zhì)27的光學(xué)吸收和光學(xué)相位的變化。例如，F(xiàn)ranz-Keldysh效應(yīng)允許通過吸收光子使價(jià)帶中的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中，即使光子的能量低于帶隙。為了利用Franz-Keldysh效應(yīng)，有源區(qū)可以具有比要被調(diào)制的光的光子能量稍稍更大的帶隙能量。場(chǎng)的施加經(jīng)由Franz-Keldysh效應(yīng)降低吸收限并且使得吸收成為可能。一旦施加場(chǎng)空穴和電子載流子波函數(shù)就重疊，并且因此使得生成電子-空穴對(duì)成為可能。因此，有源介質(zhì)27可以吸收有源介質(zhì)27所接收到的光信號(hào)并且增大電場(chǎng)會(huì)增大有源介質(zhì)27所吸收的光量。相應(yīng)地，電子可以調(diào)整電場(chǎng)以便調(diào)整有源介質(zhì)27所吸收的光量。因此，電子可以對(duì)電場(chǎng)進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制以便調(diào)制光信號(hào)。此外，利用Franz-Keldysh效應(yīng)所需的電場(chǎng)通常不會(huì)涉及由該電場(chǎng)生成的自由載流子。

在利用Franz-Keldysh效應(yīng)的調(diào)制器中使用的適當(dāng)有源介質(zhì)27包括電吸收介質(zhì)27，諸如半導(dǎo)體。然而，不同半導(dǎo)體的光吸收特性是不同的。與通信應(yīng)用中所采用的調(diào)制器一起使用的適當(dāng)半導(dǎo)體包括Ge_1-xSi_x（鍺硅），其中x大于或等于零。在一些實(shí)例中，x小于0.05或0.01。改變變量x可以使調(diào)制最有效的波長(zhǎng)范圍偏移。例如，當(dāng)x是零時(shí)，調(diào)制器適合于1610-1640nm的范圍。增大x的值可以將波長(zhǎng)范圍偏移到較低值。例如，大約0.005到0.01的x適合于在c帶（1530-1565nm）中進(jìn)行調(diào)制。

當(dāng)有源介質(zhì)27是光吸收介質(zhì)時(shí)，圖1A一直到圖2D的有源部件可以被操作為光傳感器。在有源介質(zhì)作為光傳感器29的操作期間，電子跨過光吸收介質(zhì)施加反向偏置電場(chǎng)。當(dāng)光吸收介質(zhì)吸收光信號(hào)時(shí)，電流流過光吸收介質(zhì)。因此，通過光吸收介質(zhì)的電流水平指示光信號(hào)的接收。另外，電流的幅度可以指示光信號(hào)的功率和/或強(qiáng)度。不同光吸收介質(zhì)可以吸收不同波長(zhǎng)并且相應(yīng)地根據(jù)光傳感器的功能適合于在光傳感器中使用。適合于檢測(cè)在通信應(yīng)用中使用的光信號(hào)的光吸收介質(zhì)包括但不限于鍺、硅鍺、硅鍺量子阱、GaAs和InP。鍺適合于檢測(cè)波長(zhǎng)范圍為1300nm到1600nm的光信號(hào)。

導(dǎo)體44位于有源介質(zhì)的脊從其延伸的板區(qū)上面。例如，在所圖示的實(shí)施例中，導(dǎo)體位于有源介質(zhì)27的板區(qū)上面。然而，如從圖2A和圖2C明顯的，各導(dǎo)體中的至少一個(gè)延伸經(jīng)過有源介質(zhì)的脊22。因此，可以在不通過有源介質(zhì)的脊的情況下繪制通過光傳輸介質(zhì)18的脊和各導(dǎo)體中的至少一個(gè)這二者的垂直于光信號(hào)通過波導(dǎo)的傳播方向的線。

在所圖示的示例中，導(dǎo)體44從有源介質(zhì)27上面延伸到光傳輸介質(zhì)18上面的位置。例如，每個(gè)導(dǎo)體44的第一部分46被定位成使得有源介質(zhì)27在導(dǎo)體44和基底20之間，并且導(dǎo)體44的第二部分48被定位成使得有源介質(zhì)27不在導(dǎo)體44和基底20之間。在一些實(shí)例中，導(dǎo)體44的第一部分被布置成使得可以繪制垂直于導(dǎo)體44的表面且還延伸通過有源介質(zhì)27的線，并且在導(dǎo)體44的第二部分48中，可以繪制垂直于導(dǎo)體44的同一表面同時(shí)延伸通過光傳輸介質(zhì)18但不通過有源介質(zhì)27的線。

作為有源介質(zhì)27在有源部件的操作期間吸收光的結(jié)果生成熱量。在圖2A中使用標(biāo)記“光信號(hào)方向”來指示光信號(hào)在有源部件的操作期間的傳播方向。光信號(hào)通過有源介質(zhì)27的輸入側(cè)進(jìn)入有源介質(zhì)27并且通過有源介質(zhì)27的輸出側(cè)從有源介質(zhì)27離開。一般來說，光吸收在光信號(hào)首先與電場(chǎng)相互作用的地方是最強(qiáng)的。因此，光吸收通常在有源介質(zhì)27的輸入側(cè)處或附近是最強(qiáng)的。所增大的光吸收可以導(dǎo)致有源部件27中的熱點(diǎn)。當(dāng)導(dǎo)體是熱導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體44從有源介質(zhì)27上面、跨過有源介質(zhì)27的輸入側(cè)延伸到光傳輸介質(zhì)18上面的位置為有源部件所生成的要被載送離開有源部件的熱量提供通路并且相應(yīng)地提供有源部件的冷卻。

當(dāng)導(dǎo)體44的第二部分48提供熱耗散時(shí)，導(dǎo)體的第二部分48可以具有超過通常用于被設(shè)計(jì)成在集成電路板上載送電流的金屬跡線的尺寸的尺寸。例如，導(dǎo)體44的第二部分48具有在圖2A中標(biāo)記“L”和“W”的長(zhǎng)度和寬度。用于導(dǎo)體44的第二部分48的長(zhǎng)度和/或?qū)挾鹊倪m當(dāng)值包括但不限于大于5μm、10μm或20μm的值。因此，導(dǎo)體44的第二部分48可以具有超過5μm、10μm或20μm的至少一個(gè)或兩個(gè)尺寸。如在圖2A中顯而易見的，導(dǎo)體44的第二部分48可以是導(dǎo)體44的第一部分46的平滑繼續(xù)。因此，導(dǎo)體44的第一部分46還可以具有超過5μm、10μm或20μm的至少一個(gè)或兩個(gè)尺寸。

盡管圖2A一直到圖2D圖示了延伸超出有源部件和/或有源介質(zhì)27的周界的兩個(gè)導(dǎo)體44，但是在一些實(shí)例中，各導(dǎo)體44中的僅一個(gè)延伸超出有源部件和/或有源介質(zhì)27的周界。另外或可替代地，各導(dǎo)體44中的一個(gè)或多個(gè)可以延伸跨過有源部件的輸出側(cè)和/或有源介質(zhì)27的輸出側(cè)，除此之外或作為其的替代，延伸在有源部件的輸入側(cè)和/或有源介質(zhì)27的輸入側(cè)上面。

導(dǎo)體44的其他布置可以為有源部件提供冷卻。例如，導(dǎo)體44可以延伸到脊22的橫向側(cè)上面。圖3A一直到圖3C圖示包括有源部件的一個(gè)實(shí)施例的器件的一部分，該有源部件適合于用作圖1A的有源部件并且在其中導(dǎo)體44延伸到脊22的橫向側(cè)上面。圖3A是該器件的頂視圖。圖3B是沿著圖3A中標(biāo)記B的線得到的圖3A中示出的器件的橫截面。圖3C是沿著圖3A中標(biāo)記C的線得到的圖3A中示出的器件的橫截面。如對(duì)于圖2A一直到圖2D的有源部件所公開的那樣構(gòu)造和操作圖3A一直到圖3C的有源部件，但是添加了包覆和導(dǎo)體的不同配置。

所圖示的各導(dǎo)體44中的每一個(gè)都包括板部分和橫向部分。導(dǎo)體44的橫向部分位于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)上面。例如，可以形成垂直于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)的線以使得該線還延伸通過在脊的橫向側(cè)上面的導(dǎo)體44。導(dǎo)體44的板部分遠(yuǎn)離脊延伸并且位于基底上面。在一些實(shí)例中，導(dǎo)體44的板部分位于板區(qū)（諸如有源介質(zhì)27的板區(qū)或光傳輸介質(zhì)的板區(qū)）上面。在所圖示的實(shí)施例中，導(dǎo)體44的板區(qū)位于有源介質(zhì)27的板區(qū)上面。因此，可以形成垂直于板區(qū)的表面的線以使得該線延伸通過在有源介質(zhì)27的板區(qū)上面的導(dǎo)體44的板部分。

包覆50位于有源介質(zhì)27的脊22上面。通過圖3A中的虛線示出在包覆50下面的有源介質(zhì)27的脊22的位置。包覆50的一部分位于每個(gè)導(dǎo)體44的橫向部分和有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)之間。例如，可以形成垂直于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)的線以使得該線還延伸通過包覆50和導(dǎo)體44。包覆50的另一部分還可選地位于板區(qū)和導(dǎo)體44的板部分至少一部分之間。例如，可以形成垂直于板區(qū)的線以使得該線還延伸通過包覆50和導(dǎo)體44。

在許多實(shí)例中，導(dǎo)體44由金屬形成。當(dāng)許多金屬與有源介質(zhì)27直接接觸時(shí)，金屬可以吸收行進(jìn)通過有源介質(zhì)27的光。因此，包覆50可以是適于與有源介質(zhì)27接觸的材料。例如，包覆50的接觸有源介質(zhì)27的一部分可以具有比有源介質(zhì)27更低的折射率并且可以相應(yīng)地將來自有源介質(zhì)27的光信號(hào)反射回到有源介質(zhì)27中。

包覆50可以是單層材料或者可以包括多于一層材料。用于包括在包覆50中的各包覆層中的一個(gè)或多個(gè)的適當(dāng)材料包括但不限于氮化硅、二氧化硅和聚酰亞胺。在一個(gè)示例中，包覆50包括第一包覆層和第二包覆層，其中第一包覆層在第二包覆層和有源介質(zhì)27之間。在該示例中，第一包覆層可以是氧化物并且第二包覆層可以是氮化物。適當(dāng)?shù)难趸锇ǖ幌抻诎璧难趸?，諸如SiO₂。適當(dāng)?shù)牡锇ǖ幌抻诎璧牡?，諸如Si₃N₄。

在一些實(shí)例中，提供從每個(gè)導(dǎo)體44到各摻雜區(qū)40之一的電氣通路以便提供導(dǎo)體44和有源介質(zhì)27的脊22之間的電氣通信。包覆50可以是電氣絕緣的并且電氣通路可以繞開包覆50。例如，圖3A一直到圖3C中示出的各導(dǎo)體中的每一個(gè)與各摻雜區(qū)40之一直接接觸。導(dǎo)體44和摻雜區(qū)40之間的接觸提供期望電氣通路。該電氣通路可以與有源介質(zhì)27的脊22間隔開。例如，導(dǎo)體44和摻雜區(qū)40之間的接觸發(fā)生在與有源介質(zhì)27的脊22間隔開的位置處。摻雜區(qū)可以提供各導(dǎo)體44之一和有源介質(zhì)27的脊22之間的電氣通信。相應(yīng)地，與導(dǎo)體44電氣通信的電子器件可以將電能施加給導(dǎo)體44以便如上所述的那樣操作有源部件。

對(duì)以上有源部件的其他修改可以被用來處理有源部件內(nèi)生成的熱量。例如，有源介質(zhì)27的脊22可以包括一個(gè)或多個(gè)橫向錐狀物和/或一個(gè)或多個(gè)垂直錐狀物。作為一個(gè)示例，圖4A一直到圖4C圖示包括適合于用作圖1A的有源部件的有源部件的實(shí)施例的器件的一部分且在其中有源介質(zhì)的脊包括橫向錐狀物。圖4A是該器件的頂視圖。圖4B是沿著圖4A中標(biāo)記B的線得到的圖4A中示出的器件的橫截面。圖4C是沿著圖4A中標(biāo)記C的線得到的圖4A中示出的器件的橫截面。如對(duì)于圖2A一直到圖2D的有源部件所公開的那樣構(gòu)造和操作圖4A一直到圖4C的有源部件，但是具有針對(duì)導(dǎo)體的不同配置并將錐狀物添加到有源部件中的波導(dǎo)的一部分。

有源介質(zhì)27的脊22包括橫向錐狀物52，在其中脊的各橫向側(cè)之間的間隔改變了。有源介質(zhì)27的脊22還可以可選地包括垂直錐狀物（未示出）。盡管錐狀物52被示出僅在有源介質(zhì)27的脊22的一部分中，但是錐狀物52可以延伸有源介質(zhì)27的脊22的整個(gè)長(zhǎng)度。在一些實(shí)例中，錐狀物52是絕熱錐狀物。

錐狀物52位于有源部件的有源區(qū)內(nèi)。例如，錐狀物52沿著脊22的位置使得在有源部件的操作期間形成的電場(chǎng)被形成在有源介質(zhì)27的脊22的成錐形的部分內(nèi)。因此，在一些實(shí)例中，該錐狀物被定位成使得在有源部件的操作期間電流流過脊22。因此，錐狀物52可以位于波導(dǎo)的發(fā)生光信號(hào)的調(diào)制或發(fā)生光信號(hào)的檢測(cè)的一部分中。

圖4A中使用標(biāo)記“光信號(hào)方向”來指示光信號(hào)在有源部件的操作期間的傳播方向。該光信號(hào)通過有源介質(zhì)27的輸入側(cè)進(jìn)入有源介質(zhì)27并且通過有源介質(zhì)27的輸出側(cè)從有源介質(zhì)27離開。錐狀物52被布置成使得波導(dǎo)變得更小，因?yàn)楣庑盘?hào)進(jìn)一步行進(jìn)到有源介質(zhì)27中。

錐狀物52促使沿著有源介質(zhì)27的脊更均勻散布的有源部件內(nèi)的溫度升高，因?yàn)樵诎l(fā)生更大數(shù)量的光吸收的區(qū)中生成的熱量散布在更寬的波導(dǎo)上面并且相應(yīng)地降低最大溫度增大。因此，錐狀物52可以降低有源部件內(nèi)熱點(diǎn)的形成。

上文公開的熱量控制特征可以被組合以便增大在有源部件內(nèi)生成的熱量的控制。例如，有源部件可以包括從由以下各項(xiàng)組成的組選擇的一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)熱量控制特征：將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體從有源部件延伸到有源部件外面的位置；將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體從有源介質(zhì)27上面的位置延伸到超出有源介質(zhì)27的位置；將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體放置在有源介質(zhì)27的脊22的橫向側(cè)上面；以及將一個(gè)或多個(gè)錐狀物包括在有源介質(zhì)27的脊22中。作為一個(gè)示例，圖5A一直到圖5C圖示包括結(jié)合所有這些熱量控制特征的有源部件的一個(gè)實(shí)施例的器件的一部分。圖5A是該器件的頂視圖。圖5B是沿著圖5A中標(biāo)記B的線得到的圖5A中示出的器件的橫截面。圖5C是沿著圖5A中標(biāo)記C的線得到的圖5A中示出的器件的橫截面。如對(duì)于圖2A一直到圖2D的有源部件所公開的那樣構(gòu)造和操作圖5A一直到圖5C的有源部件，但是具有針對(duì)導(dǎo)體的不同配置并將錐狀物添加到有源部件中的波導(dǎo)的一部分。通過圖3A中的虛線示出在包覆50下面的有源介質(zhì)27的脊22的位置。

圖5A一直到圖5C的有源部件包括從有源部件延伸到有源部件外面的位置的導(dǎo)體44。該導(dǎo)體還從有源介質(zhì)27上面的位置延伸到超出有源介質(zhì)27的位置。另外，各導(dǎo)體中的每一個(gè)都位于脊22的橫向側(cè)上面。此外，有源介質(zhì)27的脊22包括位于有源部件內(nèi)的橫向錐狀物。

材料的一個(gè)或多個(gè)層可以可選地形成在上述有源部件上。作為一個(gè)示例，圖6是具有形成在根據(jù)圖3C或圖5C構(gòu)造的有源部件上的兩個(gè)附加材料層的有源部件的橫截面。上包覆54位于有源部件和鈍化層56之間。上包覆54可以與有源介質(zhì)27的脊22接觸。在一些實(shí)例中，上包覆54還與光傳輸介質(zhì)的脊接觸。因此，上包覆54可以包括相比光傳輸介質(zhì)和/或有源介質(zhì)27具有更低折射率的材料或者由該材料組成。上包覆54和/或鈍化層56的適當(dāng)材料包括但不限于氧化物和氮化物。適當(dāng)?shù)难趸锇ǖ幌抻诎璧难趸?，諸如SiO₂。適當(dāng)?shù)牡锇ǖ幌抻诎璧牡?，諸如Si₃N₄。盡管圖6中沒有示出，但是在一些實(shí)例中，通過上包覆54和鈍化層56的窗口或開口讓導(dǎo)體44的一部分暴露。窗口或開口可以被用來將外部電子器件連接到導(dǎo)體44。

其他調(diào)制器和/或光傳感器構(gòu)造可以與上述熱量控制特征一起使用?？梢栽谙旅娴奈墨I(xiàn)中找到其他適當(dāng)調(diào)制器構(gòu)造的示例：2009年12月15日提交的名稱為“Optical Device Having Modulator Employing Horizontal Electrical Field”的編號(hào)為12/653,547的美國(guó)專利申請(qǐng)和2012年3月4日提交的名稱為“Integration of Components on Optical Device”的編號(hào)為13/385,774的美國(guó)專利申請(qǐng)，將這些專利申請(qǐng)中的每一個(gè)整體合并于此。序列號(hào)為12/653,547和13/385,774的美國(guó)專利申請(qǐng)還提供關(guān)于這些調(diào)制器的制造、結(jié)構(gòu)和操作的額外細(xì)節(jié)。在一些實(shí)例中，如在2005年6月7日提交的名稱為“High Speed Optical Phase Modulator”且現(xiàn)在美國(guó)專利號(hào)為7,394,948的序列號(hào)為11/146,898的美國(guó)專利申請(qǐng)中示出的那樣；或者如2005年6月7日提交的名稱為“High Speed Optical Intensity Modulator”且現(xiàn)在美國(guó)專利號(hào)為7,394,949的序列號(hào)為11/147,403的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣；或者如2008年5月21日提交的名稱為“High Speed Optical Phase Modulator”且現(xiàn)在美國(guó)專利號(hào)為7,652,630的序列號(hào)為12/154,435的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣；或者如2009年1月8日提交且名稱為“High Speed Optical Modulator”的序列號(hào)為12/319,718的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣；或者如2010年12月1日提交且名稱為“Ring Resonator with Wavelength Selectivity”的序列號(hào)為12/928,076的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣；或者如2008年8月13日提交且名稱為“Electrooptic Silicon Modulator with Enhanced Bandwidth”的序列號(hào)為12/228,671的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣；或者如2010年2月19日提交且名稱為“Reducing Optical Loss in Optical Modulator Using Depletion Region”的序列號(hào)為12/660,149的美國(guó)專利申請(qǐng)中公開的那樣來構(gòu)造和操作調(diào)制器，將這些專利申請(qǐng)中的每一個(gè)整體合并于此。可以在2009年2月19日提交的名稱為“Optical Device Having Light Sensor Employing Horizontal Electrical Field”公布為美國(guó)專利號(hào)8,053,790的編號(hào)為12/380,016的美國(guó)專利申請(qǐng)；并且還在2009年9月4日提交的名稱為“Optical Device Having Light Sensor Employing Horizontal Electrical Field”公布為美國(guó)專利號(hào)8,093,080的編號(hào)為12/584,476的美國(guó)專利申請(qǐng)中找到其他適當(dāng)光傳感器構(gòu)造的示例，將這些專利申請(qǐng)中的每一個(gè)整體合并于此。這些申請(qǐng)的公開提供用于制造上述有源部件的技術(shù)?？梢允褂贸Ｒ?guī)集成電路制造技術(shù)來形成諸如導(dǎo)體放置和橫向錐狀物之類的熱量控制特征。這些申請(qǐng)中公開的調(diào)制器和/或光傳感器的回顧示出有源介質(zhì)27的板區(qū)是可選的和/或光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34是可選的。相應(yīng)地，板區(qū)可以是有源介質(zhì)27、光傳輸介質(zhì)18、基底20或基底20上的材料層的區(qū)。因此，在一些實(shí)例中，各導(dǎo)體44中的一個(gè)或多個(gè)的板部分位于光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34之上或者與其接觸；位于基底20之上或者與其接觸；位于導(dǎo)體44的板部分和基底20之間的一個(gè)或多個(gè)材料層之上或與其接觸；或者位于導(dǎo)體44的板部分和光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34之間的一個(gè)或多個(gè)材料層之上或與其接觸。另外或可替代地，在一些實(shí)例中，包覆的一部分位于光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34之上或者與其接觸；位于基底20之上或者與其接觸；位于導(dǎo)體44的板部分和基底20之間的一個(gè)或多個(gè)材料層之上或與其接觸；或者位于導(dǎo)體44的板部分和光傳輸介質(zhì)18的晶粒部分34之間的一個(gè)或多個(gè)材料層之上或與其接觸。

呈現(xiàn)圖7以便圖示上述熱量控制特征對(duì)其他有源部件構(gòu)造的適應(yīng)。圖7是根據(jù)圖3C或圖5C構(gòu)造的但沒有有源介質(zhì)27的板區(qū)的有源部件的橫截面。

所圖示的各導(dǎo)體44中的每一個(gè)包括板部分和橫向部分。導(dǎo)體44的板部分位于基底20上面且位于光傳輸介質(zhì)18上面。例如，可以形成垂直于基底20和/或光傳輸介質(zhì)18的表面的線以使得該線延伸通過導(dǎo)體44的板部分。導(dǎo)體44的橫向部分位于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)上面。例如，可以形成垂直于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)的線以使得該線還延伸通過在脊的橫向側(cè)上面的導(dǎo)體44。

包覆50位于有源介質(zhì)27的脊22上面。包覆50的一部分位于每個(gè)導(dǎo)體44的橫向部分和有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)之間。例如，可以形成垂直于有源介質(zhì)27的脊的橫向側(cè)的線以使得該線還延伸通過包覆50和導(dǎo)體44。包覆50的另一部分還可選地位于基底20和導(dǎo)體44的板部分的至少一部分之間以及/或者光傳輸介質(zhì)18和導(dǎo)體44的板部分的至少一部分之間。例如，可以形成垂直于基底20的表面的線以使得該線還延伸通過包覆50和導(dǎo)體44。另外或可替代地，可以形成垂直于光傳輸介質(zhì)18的表面的線以使得該線還延伸通過包覆50和導(dǎo)體44。

有源介質(zhì)27和光傳輸介質(zhì)18的摻雜區(qū)域組合以形成在導(dǎo)體44和有源介質(zhì)27的脊22之間提供電氣通信的摻雜區(qū)40。提供從每個(gè)導(dǎo)體44到各摻雜區(qū)40之一的電氣通路以便提供導(dǎo)體44和有源介質(zhì)27的脊22之間的電氣通信。包覆50可以是電氣絕緣的并且電氣通路可以繞開包覆50。例如，圖7中示出的各導(dǎo)體44中的每一個(gè)與各摻雜區(qū)40之一直接接觸。導(dǎo)體44和摻雜區(qū)40之間的接觸提供包覆周圍的期望電氣通路。該電氣通路可以與有源介質(zhì)27的脊22間隔開。例如，導(dǎo)體44和摻雜區(qū)40之間的接觸發(fā)生在與有源介質(zhì)27的脊22間隔開的位置處。摻雜區(qū)可以提供各導(dǎo)體44之一和導(dǎo)體44的脊22之間的電氣通信。相應(yīng)地，與導(dǎo)體44電氣通信的電子器件可以將電能施加給導(dǎo)體44以便如上所述的那樣操作有源部件。

盡管在圖7中導(dǎo)體的熱量控制特征在有源介質(zhì)27的脊22的橫向側(cè)上面是明顯的，但是所圖示的有源部件可以包括其他熱量控制特征中的一個(gè)或多個(gè)。此外，當(dāng)有源部件包括其他熱量控制特征中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)該導(dǎo)體不需要導(dǎo)體在脊22的橫向側(cè)上面。例如，有源部件可以包括從由以下各項(xiàng)組成的組中所選擇的一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)熱量控制特征：將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體從有源部件延伸到有源部件外面的位置；將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體從有源介質(zhì)27上面的位置延伸到超出有源介質(zhì)27的位置；將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體放置在有源介質(zhì)27的脊22的橫向側(cè)上面；以及將一個(gè)或多個(gè)錐狀物包括在有源介質(zhì)27的脊22中。

上述導(dǎo)體44被公開為提供導(dǎo)電和/或?qū)帷Ｈ欢?，在一些?shí)例中，可以提出僅用于導(dǎo)熱且相應(yīng)地不需要在有源部件的操作期間載送電流的導(dǎo)體44。因此，導(dǎo)體44不需要是電導(dǎo)體。金剛石和某些類別的環(huán)氧樹脂在提供高水平的導(dǎo)熱而基本不導(dǎo)電并且相應(yīng)地適合于這些目的。導(dǎo)體的適當(dāng)材料包括但不限于導(dǎo)熱率大于100、200或300W/（m.K）的材料。示例導(dǎo)體44包括諸如金屬、環(huán)氧樹脂的材料和諸如金剛石的介電質(zhì)或者由它們組成。導(dǎo)體的特定示例包括鋁、金、金剛石。鋁具有205W/m.K的導(dǎo)熱率并且金具有310W/m.K的導(dǎo)熱率。金剛石具有導(dǎo)熱性，具有1000W/m.K的導(dǎo)熱率但是不導(dǎo)電。

盡管關(guān)于光信號(hào)的特定方向描述了上述熱量控制特征中的一些，但是上面的有源部件可以被采用來調(diào)制在任一方向上或兩個(gè)方向上行進(jìn)的光信號(hào)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員鑒于這些教導(dǎo)將容易想到本發(fā)明的其他實(shí)施例、組合和修改。因此，當(dāng)結(jié)合上述說明書和附圖來考慮時(shí)，僅由下面的包括所有這樣的實(shí)施例和修改的權(quán)利要求來限制本發(fā)明。