1.一種半導體光集成元件，在基板上至少依次層疊了下部包覆層、波導芯層以及上部包覆層，該半導體光集成元件的特征在于，具備：
掩埋型波導部，具有在所述波導芯層的兩側附近埋入了半導體包覆材料的波導結構；以及
臺面型波導部，具有至少包含所述上部包覆層的半導體層突出成臺面狀的波導結構，
所述掩埋型波導部中的上部包覆層的厚度比所述臺面型波導部中的上部包覆層的厚度厚。
2.根據權利要求1所述的半導體光集成元件，其特征在于，
所述臺面型波導部具有包含所述波導芯層的半導體層突出成臺面狀的高臺面型的波導結構。
3.根據權利要求1或2所述的半導體光集成元件，其特征在于，還具備：
端面窗結構部，具有在與所述掩埋型波導部相鄰的區(qū)域代替所述波導芯層而填充了半導體包覆材料的窗結構。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體光集成元件，其特征在于，
所述掩埋型波導部是對在波導中傳播的光的光斑尺寸逐步進行變換的光斑尺寸變換器。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體光集成元件，其特征在于，
所述掩埋型波導部中的波導芯層比所述臺面型波導部中的波導芯層薄。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體光集成元件，其特征在于，
在所述掩埋型波導部的所述上部包覆層插入中間層，該中間層的蝕刻耐受性不同于所述上部包覆層且蝕刻速度比所述上部包覆層慢。
7.根據權利要求6所述的半導體光集成元件，其特征在于，
所述中間層是蝕刻停止層。
8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體光集成元件，其特征在于，
在所述掩埋型波導部至少設置光放大器，在所述臺面型波導部至少設置調制器。
9.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體光集成元件，其特征在于，
在所述掩埋型波導部至少設置多個激光振蕩器，在所述臺面型波導部至少設置陣列波導衍射光柵。
10.一種半導體光集成元件的制造方法，該半導體光集成元件具有掩埋型波導部和臺面型波導部，該制造方法的特征在于，按照第1工序至第6工序的順序而包括以下的第1工序至第6工序：
第1工序，在形成所述掩埋型波導部以及所述臺面型波導部的區(qū)域中，在基板上至少層疊下部包覆層以及波導芯層；
第2工序，將形成所述掩埋型波導部的區(qū)域中的包含波導芯層的半導體層蝕刻成臺面狀；
第3工序，在形成所述掩埋型波導部的區(qū)域的波導芯層的兩側附近埋入半導體包覆材料；
第4工序，在形成所述掩埋型波導部以及所述臺面型波導部的區(qū)域中，層疊至少包含上部包覆層的半導體層；
第5工序，通過蝕刻，去除形成所述臺面型波導部的區(qū)域中的所述上部包覆層的一部分；以及
第6工序，去除形成所述臺面型波導部的區(qū)域中的波導芯層的兩側并將至少包含所述上部包覆層的半導體層蝕刻成臺面狀。
11.根據權利要求10所述的半導體光集成元件的制造方法，其特征在于，
所述第4工序包括插入蝕刻停止層的工序，該蝕刻停止層用于停止所述第5工序的蝕刻且蝕刻耐受性不同于所述上部包覆層。
12.根據權利要求11所述的半導體光集成元件的制造方法，其特征在于，
在所述第5工序與所述第6工序之間還包括在所述上部包覆層上層疊接觸層的工序。