技術(shù)特征：

1.一種基板型光波導(dǎo)元件，具備：

下部包層，折射率是N_cl1；

第1芯體和第2芯體，形成在所述下部包層上，且折射率是N_co，其中N_co＞N_cl1；以及

上部包層，以埋設(shè)所述第1芯體和所述第2芯體的方式層疊在所述下部包層上，且折射率是N_cl2，其中N_co＞N_cl2，

所述基板型光波導(dǎo)元件的特征在于，

在將不存在所述第2芯體的情況下的所述第1芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG1以及N_TM＠WG1，將不存在所述第1芯體的情況下的所述第2芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG2以及N_TM＠WG2時(shí)，

所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1、N_TE＠WG2、N_TM＠WG2分別作為從所述第1芯體與所述第2芯體彼此并行的并行區(qū)間的起點(diǎn)起的距離的函數(shù)而連續(xù)，

所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG1＞N_TM＠WG1，所述有效折射率N_TE＠WG2、N_TM＠WG2在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG2＞N_TM＠WG2，

所述有效折射率N_TM＠WG1與所述有效折射率N_TM＠WG2的大小關(guān)系在所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與終點(diǎn)處逆轉(zhuǎn)，

在將所述下部包層的折射率N_cl1與所述上部包層的折射率N_cl2中的較大的折射率設(shè)為N_cl時(shí)，由下式(a)定義的相對(duì)折射率差是0.25以上，

【數(shù)式1】

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

所述第1芯體和所述第2芯體是與光的行進(jìn)方向正交的剖面呈矩形形狀的芯體，

所述第1芯體的高度以及所述第2芯體的高度是共同的，

所述第1芯體的寬度W1以及所述第2芯體的寬度W2作為從所述并行區(qū)間的起點(diǎn)起的距離的函數(shù)而連續(xù)，

所述寬度W1與所述寬度W2的大小關(guān)系在所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與終點(diǎn)處逆轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

所述上部包層與所述下部包層由共同的材質(zhì)構(gòu)成，

所述第1芯體的寬度W1以及所述第2芯體的寬度W2分別大于所述第1芯體和所述第2芯體的共同的高度，

在所述第1芯體和所述第2芯體中，作為所述TE偏振波對(duì)TE0偏振波進(jìn)行導(dǎo)波，作為所述TM偏振波對(duì)TM0偏振波進(jìn)行導(dǎo)波。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

所述第1芯體和所述第2芯體由硅制成，

所述下部包層以及所述上部包層由二氧化硅制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

在由下式(b)定義Wupper時(shí)，

所述第1芯體的寬度W1以及所述第2芯體的寬度W2分別滿足W1＜Wupper以及W2＜Wupper，

【數(shù)式2】

W_upper＝{0.868224×[log_e(h)]⁴·21.265613×[log_e(h)]³+195.780964×[log_e(h)]²

-802.242303×log_e(h)+1236.45521}×h (b)

其中h是所述第1芯體與所述第2芯體的共同的高度，e是自然常數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，還具備：

第3芯體，經(jīng)由所述并行區(qū)間的起點(diǎn)或者終點(diǎn)與所述第1芯體連通，且折射率是N_co；以及

第4芯體，折射率是N_co，并且，(1)在所述第3芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與所述第1芯體連通的情況下，所述第4芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與所述第2芯體連通，(2)在所述第3芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的終點(diǎn)與所述第1芯體連通的情況下，所述第4芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的終點(diǎn)連通到所述第2芯體，

所述第3芯體與所述第4芯體的間隔構(gòu)成為：(1)在所述第3芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與所述第1芯體連通的情況下，所述間隔隨著遠(yuǎn)離所述并行區(qū)間的起點(diǎn)而變大，(2)在所述第3芯體經(jīng)由所述并行區(qū)間的終點(diǎn)與所述第1芯體連通的情況下，所述間隔隨著遠(yuǎn)離所述并行區(qū)間的終點(diǎn)而變大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

還具備第5芯體，該第5芯體連通到所述第1芯體或者所述第2芯體，且折射率是N_co，

所述第5芯體的寬度隨著遠(yuǎn)離所述第1芯體而變小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

還具備連接到所述第1芯體或者所述第2芯體的光吸收體。

9.一種基板型光波導(dǎo)元件，具備n組權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的所述第1芯體、和n組權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的所述第2芯體，

所述基板型光波導(dǎo)元件的特征在于，

從該基板型光波導(dǎo)元件的一個(gè)端部數(shù)起的第i組的所述第2芯體與第i+1組的所述第1芯體連通，其中i是整數(shù)且1≤i≤n-1。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，還具備：

第1光調(diào)制器，對(duì)TE偏振波進(jìn)行調(diào)制；

第2光調(diào)制器，對(duì)TE偏振波進(jìn)行調(diào)制；以及

偏振旋轉(zhuǎn)器，將從所述第2光調(diào)制器輸出的TE偏振波轉(zhuǎn)換成TM偏振波，

對(duì)所述第1芯體輸入從所述偏振旋轉(zhuǎn)器輸出的TM偏振波，對(duì)所述第2芯體輸入從所述第1光調(diào)制器輸出的TE偏振波。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的基板型光波導(dǎo)元件，其特征在于，

還具備光輸入構(gòu)造和光學(xué)器件，

所述光輸入構(gòu)造將從外部輸入的光的光斑尺寸縮小并向所述第1芯體輸入，

所述第1芯體將輸入到所述第1芯體的光的TE偏振分量輸出，所述第2芯體將輸入到所述第1芯體的光的TM偏振分量輸出，

對(duì)所述光學(xué)器件輸入從所述第1芯體輸出的TE偏振分量或者從所述第2芯體輸出的TM偏振分量。

12.一種基板型光波導(dǎo)元件的制造方法，該基板型光波導(dǎo)元件具備：下部包層，折射率是N_cl1；第1芯體和第2芯體，形成在所述下部包層上，且折射率是N_co，其中N_co＞N_cl1；以及上部包層，以埋設(shè)所述第1芯體和所述第2芯體的方式層疊在所述下部包層上，且折射率是N_cl2，其中N_co＞N_cl2，

所述基板型光波導(dǎo)元件的制造方法的特征在于，

在將不存在所述第2芯體的情況下的所述第1芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG1以及N_TM＠WG1，將不存在所述第1芯體的情況下的所述第2芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG2以及N_TM＠WG2時(shí)，

包括形成滿足以下條件(1)～(4)的所述第1芯體和所述第2芯體的芯體形成工序：

(1)所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1、N_TE＠WG2、N_TM＠WG2分別作為從所述第1芯體與所述第2芯體彼此并行的并行區(qū)間的起點(diǎn)起的距離的函數(shù)而連續(xù)，

(2)所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG1＞N_TM＠WG1，所述有效折射率N_TE＠WG2、N_TM＠WG2在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG2＞N_TM＠WG2，

(3)所述有效折射率N_TM＠WG1與所述有效折射率N_TM＠WG2的大小關(guān)系在所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與終點(diǎn)處逆轉(zhuǎn)，

(4)在將所述下部包層的折射率N_cl1與所述上部包層的折射率N_cl2中的較大的折射率設(shè)為N_cl時(shí)，由下式(a)定義的相對(duì)折射率差是0.25以上，

【數(shù)式3】

13.一種基板型光波導(dǎo)元件，具備：

下部包層，折射率是N_cl1；

第1芯體和第2芯體，形成在所述下部包層上，且折射率是N_co，其中N_co＞N_cl1；以及

上部包層，以埋設(shè)所述第1芯體和所述第2芯體的方式層疊在所述下部包層上，且折射率是N_cl2，其中N_co＞N_cl2，

所述基板型光波導(dǎo)元件的特征在于，

在將不存在所述第2芯體的情況下的所述第1芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG1以及N_TM＠WG1，將不存在所述第1芯體的情況下的所述第2芯體中的TE偏振波以及TM偏振波的有效折射率分別設(shè)為N_TE＠WG2以及N_TM＠WG2時(shí)，

所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1、N_TE＠WG2、N_TM＠WG2分別作為從所述第1芯體與所述第2芯體彼此并行的并行區(qū)間的起點(diǎn)起的距離的函數(shù)而連續(xù)，

所述有效折射率N_TE＠WG1、N_TM＠WG1在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG1＞N_TM＠WG1，所述有效折射率N_TE＠WG2、N_TM＠WG2在整個(gè)所述并行區(qū)間中滿足N_TE＠WG2＞N_TM＠WG2，

所述有效折射率N_TM＠WG1與所述有效折射率N_TM＠WG2的大小關(guān)系在所述并行區(qū)間的起點(diǎn)與終點(diǎn)處逆轉(zhuǎn)，

在將所述并行區(qū)間中的存在于所述第1芯體與所述第2芯體之間的間隙的介質(zhì)的折射率設(shè)為N_cl時(shí)，由下式(a)定義的相對(duì)折射率差是0.25以上，

【數(shù)式1】