技術(shù)特征：

1.含水堿能顯影的負(fù)性抗蝕劑組合物，其基本不含交聯(lián)劑且包括：

由第一重復(fù)單元、第二重復(fù)單元和第三重復(fù)單元組成的多官能聚合物，所述第一重復(fù)單元賦予在含水堿顯影劑中的溶解性，所述第二重復(fù)單元包含極性轉(zhuǎn)換部分，所述第三重復(fù)單元包含共價(jià)連接的光致產(chǎn)酸基團(tuán)。

2.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其還包括游離的光致產(chǎn)酸劑。

3.權(quán)利要求2的抗蝕劑組合物，其還包括未共價(jià)結(jié)合到光致產(chǎn)酸部分的另外的多官能聚合物。

4.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述第一重復(fù)單元包括選自酚、氟醇和磺酰胺的含水堿溶解性官能團(tuán)。

5.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中極性轉(zhuǎn)換官能團(tuán)在酸的存在下從極性基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)榉菢O性基團(tuán)。

6.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中：

所述第一重復(fù)單元具有式(I)的結(jié)構(gòu)

(I)

其中R¹選自H、氟、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基，R²選自氟、羥基、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基，和m為在包括端點(diǎn)的零至4范圍內(nèi)的整數(shù)，且進(jìn)一步地其中當(dāng)m大于1時(shí)，R²可相同或不同；

所述第二重復(fù)單元具有式(II)的結(jié)構(gòu)

(II)

其中：

n、p和q獨(dú)立地選自零和1；

R³為C₁-C₁₅烷基和R⁴為H或C₁-C₁₅烷基，或者R³和R⁴合起來形成環(huán)狀基團(tuán)；

R⁵選自H、氟、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基；

X和Y獨(dú)立地選自C₁-C₁₀亞烷基和包含雜原子的C₁-C₁₀亞烷基；和

Ar為亞芳基部分；和

所述第三重復(fù)單元包含共價(jià)連接的光致產(chǎn)酸基團(tuán)，所述光致產(chǎn)酸基團(tuán)在曝光于輻射時(shí)產(chǎn)生酸。

7.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述第一重復(fù)單元占所述多官能聚合物的約50摩爾％-約80摩爾％，所述第二重復(fù)單元占所述多官能聚合物的約10摩爾％-約40摩爾％，和所述第三重復(fù)單元占所述多官能聚合物的約1摩爾％-約10摩爾％。

8.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述多官能聚合物還包括第四類型的重復(fù)單元。

9.權(quán)利要求8的抗蝕劑組合物，其中所述第四類型的重復(fù)單元得自帶有芳環(huán)的環(huán)狀烯烴單體。

10.權(quán)利要求8的抗蝕劑組合物，其中所述第四類型的重復(fù)單元占所述多官能聚合物的約1摩爾％-約15摩爾％。

11.權(quán)利要求3的抗蝕劑組合物，其中所述游離的光致產(chǎn)酸劑占所述組合物的約1重量％-約12.5重量％。

12.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述第一重復(fù)單元得自4-羥基苯乙烯和所述第二重復(fù)單元得自4-(2-羥基-2-丙基)苯乙烯)。

13.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述第三重復(fù)單元具有如下結(jié)構(gòu)

14.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述第三重復(fù)單元具有如下結(jié)構(gòu)

15.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，其中所述多官能聚合物還包括得自苊烯的第四重復(fù)單元。

16.聚合物，其包括：

(a)第一重復(fù)單元，其包括選自酚、氟醇和磺酰胺的含水堿溶解性官能團(tuán)，其向所述聚合物提供含水堿溶解性；

(b)第二重復(fù)單元，其包含在酸的存在下從極性基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)榉菢O性基團(tuán)的極性轉(zhuǎn)換官能團(tuán)；

(c)第三重復(fù)單元，其共價(jià)結(jié)合到在曝光于輻射時(shí)產(chǎn)生聚合物結(jié)合的酸的光致產(chǎn)酸基團(tuán)；和

(d)任選的第四重復(fù)單元，其得自帶有芳環(huán)的環(huán)狀烯烴單體。

17.聚合物，其包括：

(a)第一重復(fù)單元，其向所述聚合物提供含水堿溶解性，其包括具有式(I)的結(jié)構(gòu)的酚單元

(I)

其中R¹選自H、氟、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基，R²選自氟、羥基、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基，且m為在包括端點(diǎn)的零至4范圍內(nèi)的整數(shù)，其中當(dāng)m大于1時(shí)，R²可相同或不同；

(b)具有式(II)的結(jié)構(gòu)的第二重復(fù)單元

(II)

其中：

n、p和q獨(dú)立地選自零和1；

R³為C₁-C₁₅烷基，和R⁴為H或C₁-C₁₅烷基，或者R³和R⁴合起來形成環(huán)狀基團(tuán)；

R⁵選自H、氟、C₁-C₃烷基和氟化的C₁-C₃烷基；

X和Y獨(dú)立地選自C₁-C₁₀亞烷基和包含雜原子的C₁-C₁₀亞烷基；和

Ar為亞芳基部分；和

(c)第三重復(fù)單元，其共價(jià)結(jié)合到在曝光于輻射時(shí)產(chǎn)生酸的光致產(chǎn)酸基團(tuán)。

18.在基底上產(chǎn)生抗蝕劑圖像的方法，其包括：

用權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物的膜涂覆基底；

使所述膜選擇性地曝光于預(yù)定圖案的輻射以在所述膜中形成圖案化的潛像；

對(duì)所述膜進(jìn)行曝光后烘烤；和

用含水堿顯影劑使所述潛像顯影。

19.權(quán)利要求18的方法，其還包括在將所述膜曝光于輻射之前對(duì)經(jīng)涂覆的基底進(jìn)行施加后烘烤。

20.權(quán)利要求18的方法，其中所述基底為光掩模坯料。