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      防反射膜、透鏡以及攝像裝置的制作方法

      文檔序號(hào):12511973閱讀:370來源:國知局
      防反射膜、透鏡以及攝像裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及一種設(shè)置于光學(xué)濾光片或透鏡等的表面的防反射膜、透鏡以及攝像裝置。



      背景技術(shù):

      硫?qū)倩锊Aб粤?S)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)等為主要成分。該硫?qū)倩锊AП茸鳛橐酝牧系腉e晶體的價(jià)格便宜,并且能夠通過模具成型容易加工成所希望的光學(xué)要件的形狀。因此,期望作為遠(yuǎn)紅外線(8~14μm(以下,“~”用作包含邊界值的范圍,與8μm以上且14μm以下的含義相同))透鏡或光學(xué)濾光片等光學(xué)部件。

      硫?qū)倩锊AУ恼凵渎蕿?.5~2.6,因此表面反射率高,透射率僅限于60%左右。因此,可知僅加工成透鏡等的形狀很難獲得充分的攝影光量。因此,為了抑制因表面反射產(chǎn)生的光量損失,對硫?qū)倩锊Aе频幕脑O(shè)置防反射膜(參照專利文獻(xiàn)1、2)。

      以往技術(shù)文獻(xiàn)

      專利文獻(xiàn)

      專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-032213號(hào)公報(bào)

      專利文獻(xiàn)2:日本特開2011-221048號(hào)公報(bào)



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      發(fā)明要解決的技術(shù)課題

      在上述以往文獻(xiàn)中,將作為基材的構(gòu)成元素的Ge或含有作為與Se同族元素的硫(S)的化合物(硫化物)用作粘附層,構(gòu)成了防反射膜。基于Ge或硫化物的層與硫?qū)倩锊Aе频幕某尸F(xiàn)較高的粘附性,其理由是因?yàn)樵诨呐c膜的界面產(chǎn)生如基材以及膜均為Ge的Ge-Ge鍵或在基材含有Se的情況下形成的Se-S鍵那樣的較強(qiáng)的鍵。尤其Ge-Ge鍵是鍵結(jié)力高的共價(jià)鍵(sp3),從成膜的簡便性、裝置的維護(hù)性的觀點(diǎn)來看,比使用硫化物更加優(yōu)異。

      只要膜側(cè)的元素與Ge是同族元素,則會(huì)產(chǎn)生如Ge-Ge鍵的高的鍵結(jié)力。例如,基材為Ge且膜為硅(Si)的Ge-Si或基材為Ge且膜為碳(C)的Ge-C等的鍵結(jié)力高。但是,Si在遠(yuǎn)紅外線(8~14μm)中為非透明材料,因此不適合作為成膜材料。

      另一方面,C只要是金剛石結(jié)構(gòu)(sp3),則在遠(yuǎn)紅外區(qū)域是透明的材料,并且與基材側(cè)的Ge形成共價(jià)鍵(sp3)而呈現(xiàn)高的粘附性。雖然很難將C膜(碳膜)設(shè)為完整的金剛石結(jié)構(gòu),但是能夠通過成膜條件的最佳化而設(shè)為類金剛石碳(Diamond-Like Carbon(DLC))結(jié)構(gòu)。DLC膜是以金剛石的sp3與石墨的sp2這兩者為C原子的骨架結(jié)構(gòu)的非晶質(zhì)碳膜。

      DLC膜是非晶質(zhì)結(jié)構(gòu),原子排列不具有如晶體的周期性,原子鍵角或鍵長不規(guī)則地分布。因此,是應(yīng)變(內(nèi)部應(yīng)力)容易積存的結(jié)構(gòu)。因此,可以確認(rèn)在成膜厚度為數(shù)百nm的DLC膜的情況下,由于內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生膜破壞。由此,不足以僅將DLC膜形成于包括硫?qū)倩锊AУ幕?,需要確保粘附性。

      本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的,其目的在于提供一種粘附性優(yōu)異的防反射膜、透鏡以及攝像裝置。

      用于解決技術(shù)課題的手段

      本發(fā)明的防反射膜設(shè)置于包括硫?qū)倩锊AУ幕牡谋砻?,從基材?cè)依次具有多個(gè)層,其中,與基材接觸的第1層包括碳?xì)淠ぁ?/p>

      另外,優(yōu)選碳?xì)淠さ暮瑲渎蔯h在0[at.%]<ch≤6.1[at.%]的范圍內(nèi)。尤其優(yōu)選在0[at.%]<ch≤1.8[at.%]的范圍內(nèi)。

      優(yōu)選具有第2層,所述第2層層疊于第1層,折射率低于第1層的折射率。并且,優(yōu)選交替地具有多個(gè)第1層以及第2層。

      優(yōu)選第2層的波長10.5μm中的折射率為1.5以下。并且,優(yōu)選第2層由MgF2膜構(gòu)成。優(yōu)選碳?xì)淠ぴ诤蠬2的氣體氣氛中對碳靶進(jìn)行濺射處理而成膜。并且,本發(fā)明的硫?qū)倩锊A哥R具有上述的防反射膜。本發(fā)明的攝像裝置具備至少1片具有上述的防反射膜的硫?qū)倩锊A哥R。

      發(fā)明效果

      根據(jù)本發(fā)明,通過由碳?xì)淠?gòu)成與硫?qū)倩锊Aе频幕慕佑|的第1層,能夠在基材的表面形成DLC膜。在該DLC膜的形成過程中,DLC膜中的一部分C-C鍵被C-H鍵取代并氫化。其結(jié)果,一部分C-C鍵通過氫化而被切斷。由此,能夠釋放通過C-C鍵積存的應(yīng)變(應(yīng)力),不會(huì)產(chǎn)生膜破壞,能夠獲得粘附性優(yōu)異的防反射膜。

      附圖說明

      圖1是表示本發(fā)明的包括4層的防反射膜的剖視圖。

      圖2是表示形成防反射膜的濺射裝置的概略的主視圖。

      圖3是表示包括6層的防反射膜的剖視圖。

      圖4是表示具備具有本發(fā)明的防反射膜的透鏡的遠(yuǎn)紅外線相機(jī)的概略圖。

      圖5是表示碳?xì)淠さ恼凵渎逝c成膜時(shí)的濺射功率的關(guān)系的圖表。

      圖6表示碳?xì)淠さ腇T-IR測量結(jié)果,是表示波長數(shù)與吸光度的關(guān)系的圖表。

      圖7是表示在碳原子連接有2個(gè)氫原子的C-H2鍵的說明圖。

      圖8是表示在碳原子連接有3個(gè)氫原子的C-H3鍵的說明圖。

      圖9是表示碳?xì)淠さ恼凵渎逝c含氫率的關(guān)系的圖表。

      圖10是表示基于實(shí)施例1的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。

      圖11是表示基于實(shí)施例2的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。

      圖12是表示基于實(shí)施例3的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。

      圖13是表示基于實(shí)施例4的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。

      圖14是表示基于實(shí)施例5的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。

      具體實(shí)施方式

      如圖1所示,本發(fā)明的硫?qū)倩锊Aв梅婪瓷淠?以下,簡稱為防反射膜)10設(shè)置于光學(xué)基材11的表面。光學(xué)基材11是以硫?qū)倩锊A榛男纬傻耐哥R或光學(xué)濾光片等。在圖1中,用1個(gè)材料形成了光學(xué)基材11,但是也可以在光學(xué)基材11例如表面形成偏振分離膜或分色膜等光學(xué)功能膜。在該情況下,防反射膜10設(shè)置于光學(xué)功能膜上。并且,在圖1中,光學(xué)基材11的表面是平面,但也可以是形成透鏡面的曲面。

      防反射膜10是層疊折射率不同的2種薄膜而形成的多層膜,從光學(xué)基材11側(cè)具有第1層12、第2層13、第3層14、第4層15。第1層12、第3層14由碳?xì)淠?6構(gòu)成,作為高折射率層發(fā)揮功能。第2層13、第4層15由氟化鎂(MgF2)膜17構(gòu)成,作為具有低于高折射率層的折射率的低折射率層發(fā)揮功能。第4層15暴露于空氣界面。

      優(yōu)選第2層13、第4層15的波長10.5μm中的折射率為1.5以下。若為1.5以下,則與超過1.5的情況相比,能夠?qū)崿F(xiàn)低反射率,因此優(yōu)選。

      形成防反射膜10的碳?xì)淠?6以及MgF2膜17的層數(shù)是任意的,例如疊加兩層這些膜16、17,由共4層形成。碳?xì)淠?6以及MgF2膜17分別以300nm~3000nm左右的厚度形成,防反射膜10的整體厚度例如為4000nm~6000nm左右。

      如圖2所示,利用RF磁控濺射裝置(Radio-Frequency Magnetron Sputtering Equipment:以下簡稱為濺射裝置)21通過濺射處理而成膜碳?xì)淠?6以及MgF2膜17。該濺射裝置21具備真空槽22、真空泵23、電源24等。在真空槽22的內(nèi)部具有基材保持架25、保持架移位機(jī)構(gòu)26、加熱器27、靶保持架28、29、真空儀(未圖示)、膜厚儀(未圖示)等。

      真空槽22經(jīng)由氣體導(dǎo)入口22a與氣體供給源30連接。真空泵23對真空槽22進(jìn)行真空抽取。氣體供給源30將氬(Ar)與氫(H)的混合氣體(Ar+H2)或氬氣體(Ar)輸送至真空槽22。在成膜碳?xì)淠?6時(shí),向真空槽22供給(Ar+H2)的混合氣體,在成膜MgF2膜17時(shí),供給Ar氣體,在這些氣體氣氛中進(jìn)行濺射處理。

      基材保持架25將成膜防反射膜10的光學(xué)基材11進(jìn)行保持。保持架移位機(jī)構(gòu)26使基材保持架25沿著水平方向移動(dòng),使光學(xué)基材11選擇性地位于各靶保持架28、29的上方。

      在靶保持架28、29中的一個(gè)靶保持架保持有碳靶32,在另一靶保持架保持有MgF2靶33。各靶保持架28、29具有省略圖示的永磁鐵,并與電源24連接。通過由電源24施加電壓而離子化的Ar原子被加速,具有高的運(yùn)動(dòng)能量。此時(shí),被加速的Ar離子與希望成膜的靶32、33中的任一靶的表面碰撞,Ar離子的高的運(yùn)動(dòng)能量轉(zhuǎn)移至靶原子。獲得能量的靶原子高速加速而從靶32、33中的任一靶飛濺出去,堆積在光學(xué)基材11而被成膜。

      首先,光學(xué)基材11通過保持架移位機(jī)構(gòu)26位于碳靶32的上方,成膜碳?xì)淠?6。在形成希望厚度的碳?xì)淠?6之后,光學(xué)基材11位于MgF2靶33的上方,形成MgF2膜17。以下,反復(fù)進(jìn)行同樣的處理,由此在光學(xué)基材11依次形成基于碳?xì)淠?6的第1層12、基于MgF2膜17的第2層13、基于碳?xì)淠?6的第3層14、基于MgF2膜17的第4層15。

      另外,在上述實(shí)施方式中,將包括碳?xì)淠?6的高折射率層和包括MgF2膜17的低折射率層交替層疊4層而形成了防反射膜10,但是本發(fā)明的防反射膜10中所含的包括碳?xì)淠?6的高折射率層和包括MgF2膜17的低折射率層的總數(shù)是任意的。例如,如圖3所示的防反射膜40,也可以設(shè)為還具有包括碳?xì)淠?6的第5層18、包括MgF2膜17的第6層19的共6層結(jié)構(gòu)。

      在上述實(shí)施方式中,防反射膜10中所含的高折射率層全部由碳?xì)淠?6形成,但是設(shè)為碳?xì)淠?6的高折射率層的數(shù)量也可以只是與光學(xué)基材11接觸的第1層。在該情況下,第2高折射率層由ZnS2或Ge膜構(gòu)成。而且,第2低折射率層也可以由MgF2以外的CeO2等氧化物膜構(gòu)成。

      在上述實(shí)施方式中,由于包括MgF2膜17的低折射率層暴露于防反射膜10的表面,因此具有疏油性以及疏水性,作為保護(hù)層發(fā)揮功能。

      在上述實(shí)施方式中,使用折射率不同的2種碳?xì)淠?6以及MgF2膜17形成了防反射膜10,但是也可以層疊3種以上的折射率不同的層而形成本發(fā)明的防反射膜。

      另外,在上述實(shí)施方式中,通過使向Ar氣體中添加氫的氫流量比固定而改變?yōu)R射功率,獲得了所希望的折射率的碳?xì)淠?6,但是也可以通過使濺射功率固定而改變向混合氣體(Ar+H2)中添加氫的氫流量比,獲得所希望的折射率的碳?xì)淠?6。

      設(shè)置本發(fā)明的防反射膜的光學(xué)基材11的種類是任意的,光學(xué)基材11還包括透鏡或各種光學(xué)濾光片等。本發(fā)明的防反射膜由于加強(qiáng)了與光學(xué)基材11的粘附力,因此適合用于野外的監(jiān)控相機(jī)的透鏡或容納監(jiān)控相機(jī)的容納容器的保護(hù)濾光片等。

      圖4是具備具有本發(fā)明的防反射膜10的硫?qū)倩锊A哥R50的遠(yuǎn)紅外線相機(jī)(攝像裝置)51。該遠(yuǎn)紅外線相機(jī)51檢測對象物所發(fā)出的波長區(qū)域8~14μm的發(fā)射能量(熱量),將微量的溫度變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并進(jìn)行圖像顯示。因此,除了具備透鏡50之外,還具備光圈52、在室溫下工作的非冷卻型遠(yuǎn)紅外線陣列傳感器53、圖像處理部54、顯示部55、存儲(chǔ)器56等。另外,使用單個(gè)或多片透鏡50,至少1片透鏡具有本發(fā)明的防反射膜10、40。該遠(yuǎn)紅外線相機(jī)51除了例如用作車載用的夜視鏡之外,還用于夜間入侵者監(jiān)控等監(jiān)控相機(jī)、建筑診斷、設(shè)備診斷等保養(yǎng)、維修用相機(jī)、自動(dòng)檢測發(fā)熱者的醫(yī)療用相機(jī)等。

      實(shí)施例

      為了確認(rèn)本發(fā)明的效果,在硫?qū)倩锊Aе频墓鈱W(xué)基材11的表面形成碳?xì)淠?6,進(jìn)行了研究碳?xì)淠?6的粘附性的實(shí)驗(yàn)。

      [碳?xì)淠さ某赡し椒╙

      通過圖2中概略地表示的RF磁控濺射裝置(Shincron Co.,Ltd.制造的BMS-800)21,將ULVAC,Inc.制造的φ6英寸靶用作碳靶32,成膜了碳?xì)淠?6。

      制造條件如下。

      濺射功率:750W~375W(在制造碳?xì)淠?6時(shí))、375W(在制造MgF2膜17時(shí))

      濺射氣體:Ar+H2的混合氣體(在制造碳?xì)淠?6時(shí):流量120sccm,氫流量比固定為2.5%)、Ar氣體(在制造MgF2膜17時(shí))

      濺射氣體壓力:0.2Pa

      光學(xué)基材11與靶32、33之間的距離:120mm

      光學(xué)基材11的加熱溫度:通過加熱器27加熱至300℃

      首先,改變?yōu)R射功率進(jìn)行實(shí)驗(yàn)1~8,制作了試料1~8的8種碳?xì)淠?6。利用橢圓偏振光譜儀(J.A.Woollam Co.,Inc.制造的IR-Vase)測量了所獲得的碳?xì)淠?6的折射率。

      圖5表示濺射功率與所獲得的碳?xì)淠?6的折射率的關(guān)系,可知碳?xì)淠?6的折射率隨著濺射功率的減小而下降。該折射率的下降的原因是在碳?xì)淠?6中吸入了氫。若向Ar氣體中添加氫的氫流量比增加,則碳?xì)淠?6中的含氫率ch增加。這是因?yàn)椋摵瑲渎蔯h的增加造成膜密度下降,因膜密度的下降而導(dǎo)致折射率下降。

      圖6是對所獲得的碳?xì)淠?6進(jìn)行FT-IR(使用JASCO Corporation制造的FT/IR4200)測量的圖,橫軸表示波長數(shù)(Wave number),縱軸表示吸光度(Absorbance)。由圖6可知,在波長數(shù)為約2930cm-1時(shí),觀察到第1吸收峰,在約2970cm-1時(shí),觀察到第2吸收峰。第1吸收峰通過如圖7所示的在碳原子鍵結(jié)2個(gè)氫而成的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生,第2吸收峰通過如圖8所示的在碳原子鍵結(jié)3個(gè)氫而成的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。

      圖9表示了碳?xì)淠?6的折射率與膜中的含氫率ch的關(guān)系。橫軸表示碳?xì)淠?6的10.5μm中的折射率,縱軸表示膜中的含氫率ch(H Content)。采用彈性反沖檢測法(Elastic Recoil Detection Analysis(ERDA))測量了膜中的含氫率ch。眾所周知,彈性反沖檢測法是將氦離子與試料接觸,使試料中的原子向前方位移,檢測該位移的元素的方法,是適合測量膜中的含氫率ch的檢測方法。

      如圖9所示,如圖5中觀察到的折射率隨著濺射功率的減小而下降的現(xiàn)象與膜中的含氫率ch有關(guān)。在圖9中可知,在折射率為2.0以上時(shí),C-H2鍵較多,但是折射率小于2.0時(shí),C-H3鍵急劇增加。另外,根據(jù)在FT-IR的測量結(jié)果中的2900~3000em-1中呈現(xiàn)的C-H伸縮模式的峰估算圖9中的C-H2鍵和C-H3鍵各自的量。

      根據(jù)X射線光電子能譜法(使用X射線的X射線光電子能譜法(X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)))的C1s軌道的鍵結(jié)能量可知,碳?xì)淠?6的C骨架是sp3(金剛石結(jié)構(gòu))與sp2(石墨結(jié)構(gòu))的混合。該結(jié)構(gòu)比不依賴于向Ar氣體中添加氫的氫流量比,是固定的。就X射線光電子能譜法而言,通過向物質(zhì)照射X射線,向外部轟擊物質(zhì)中的電子,測量被轟擊的光電子的數(shù)量與運(yùn)動(dòng)能量,由此能夠獲知物質(zhì)中的電子所占有的狀態(tài)的能量和狀態(tài)密度(DOS)。

      [表1]

      表1是查看硫?qū)倩锊Aе频墓鈱W(xué)基材以及碳?xì)淠さ恼掣叫耘c碳?xì)淠さ暮瑲渎实年P(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。表1中的試料1~8是通過改變成膜時(shí)的濺射功率作為實(shí)驗(yàn)1~8成膜的,使100nm碳?xì)淠?6堆積在平板狀的硫?qū)倩锊A?Ge為20%、Se為65%、Sb為15%)光學(xué)基材11。通過按照J(rèn)IS-H-850415.1、MIL-C-48497A基準(zhǔn)的膠帶試驗(yàn)法對碳?xì)淠?6的粘附性進(jìn)行了評價(jià)。在該膠帶試驗(yàn)法中,將試料1~8在溫度為60℃、相對濕度為90%的環(huán)境下放置240小時(shí)之后,將透明膠帶(Nichiban Co.,Ltd.制造,寬度為12mm)以10mm的長度粘貼于碳?xì)淠?6之后,進(jìn)行3次向垂直方向快速撕掉膠帶的操作,觀察了碳?xì)淠?6的剝離狀態(tài)。根據(jù)觀察結(jié)果按照以下基準(zhǔn)進(jìn)行了評價(jià)。

      A等級(jí):在3次剝離操作中無膜剝離。

      B等級(jí):在第3次剝離操作中觀察到碳?xì)淠?6的損傷。未觀察到光學(xué)基材11的基底。

      C等級(jí):在第2次剝離操作中觀察到碳?xì)淠?6的損傷。未觀察到光學(xué)基材11的基底。

      D等級(jí):在第1次剝離操作中觀察到碳?xì)淠?6的損傷,并觀察到光學(xué)基材11的基底。

      由表1可知,在碳?xì)淠?6中的含氫率ch為1.8at.%以下(折射率為2以上)的試料6~8中,未觀察到碳?xì)淠?6的損傷,評價(jià)為A。在含氫率ch為2.6~6.1at.%的范圍內(nèi)的試料3~5中,試料4、5的評價(jià)為B,試料3的評價(jià)為C,碳?xì)淠?6均損傷,但無膜剝離。與此相對,在含氫率ch為6.7~7.2at.%的范圍內(nèi)的試料1、2中,可以確認(rèn)到膜剝離,評價(jià)為D。由以上情況可知,保持與光學(xué)基材11的粘附性的碳?xì)淠?6中的含氫率ch在2.6~6.1at.%的范圍內(nèi),無膜剝離的最優(yōu)選的范圍是1.8at.%以下。根據(jù)以上結(jié)果,碳?xì)淠?6的含氫率ch優(yōu)選在0[at.%]<ch≤6.1[at.%]的范圍內(nèi)。若含氫率ch超過Oat.%,則與0的情況相比,不會(huì)因膜應(yīng)力而產(chǎn)生龜裂,能夠維持碳膜。若為6.1at.%以下,則與超過6.1at.%的情況相比,能夠獲得粘附強(qiáng)度,不存在膜剝離。尤其優(yōu)選在0[at.%]<ch≤1.8[at.%]的范圍內(nèi),若為1.8at.%以下,則與超過1.8at.%的情況相比,能夠可靠地獲得粘附強(qiáng)度,不存在膜剝離。

      接著,在光學(xué)基材11上試制4層結(jié)構(gòu)的防反射膜10,所述4層結(jié)構(gòu)的防反射膜10通過形成2次碳?xì)淠?6與MgF2膜17的2層結(jié)構(gòu)而成。光學(xué)基材11使用了Ge為20%、Se為65%、Sb為15%的Opto Create Co.,Ltd.制造的硫?qū)倩锊A?。在試制過程中,參考表1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,以含有折射率為1.80~2.24的范圍、碳?xì)淠?6中的含氫率ch為7.2~0.0at.%的范圍的7種碳?xì)淠?6的方式進(jìn)行了成膜。

      表2中示出實(shí)施例1~5以及參考例1、2的防反射膜的各層的折射率、膜厚、平均反射率、粘附強(qiáng)度評價(jià)的試驗(yàn)結(jié)果。求出基于FT-IR(使用JASCO Corporation制造的FT/IR4200)的透射率T,根據(jù)R(%)=100-T(%)求出反射率R(%)。

      平均反射率是如下得出的值:從上述測量結(jié)果將8~14μm為止的波長以4凱塞(kayser)間隔提取反射率R,將所獲得的反射率R的總和除以數(shù)據(jù)數(shù)。另外,凱塞表示1cm長度中所含的波數(shù),單位用[cm-1]表示。由此,能夠用以下條件式定義基準(zhǔn)波長λ0[cm]與凱塞k[cm-1]的關(guān)系。

      λn=1/(1/λ0±(n-1)×k)

      其中,n是從1開始的自然數(shù),n=1時(shí),測量波長λ1與基準(zhǔn)波長λ0一致。符號(hào)±能夠根據(jù)求出相對于基準(zhǔn)波長為長波長側(cè)或短波長側(cè)的波長而適當(dāng)?shù)剡x擇。

      [表2]

      在參考例1中,第1層12的折射率為1.80,膜厚為1632nm,含氫率ch為7.2at.%,粘附強(qiáng)度評價(jià)為D。與此相對,在實(shí)施例1中,第1層12的折射率為1.85,膜厚為1387nm,含氫率ch為6.1at.%,粘附強(qiáng)度評價(jià)為C。在實(shí)施例2中,第1層12的折射率為1.90,膜厚為1303nm,含氫率ch為4.5at.%,粘附強(qiáng)度評價(jià)為B。在實(shí)施例3~5中,第1層12的折射率為2.0、2.1、2.20,膜厚為1449nm、1359nm、1284nm,含氫率ch為1.8at.%、1.3at.%、0.4at.%,粘附強(qiáng)度評價(jià)為A。在參考例2中,第1層12的折射率為2.24,膜厚為1200nm,含氫率ch為0.0at.%,因膜應(yīng)力在第1層12產(chǎn)生龜裂,無法維持多層膜結(jié)構(gòu),粘附強(qiáng)度評價(jià)為D以下的E。

      根據(jù)以上結(jié)果,實(shí)施例1、2、3、4、5的第1層12的折射率為1.85~2.20,粘附強(qiáng)度評價(jià)為A,并且8~14μm的平均反射率均為0.5%以下。圖10是表示基于實(shí)施例1的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表,圖11是表示基于實(shí)施例2的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表,圖12是表示基于實(shí)施例3的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表,圖13是表示基于實(shí)施例4的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表,圖14是表示基于實(shí)施例5的防反射膜的波長與反射率的關(guān)系的圖表。如此可知,在實(shí)施例1~5中,能夠獲得低反射且粘附強(qiáng)度優(yōu)異的防反射膜10。

      符號(hào)說明

      10-防反射膜,11-光學(xué)基材,12-第1層,13-第2層,14-第3層,15-第4層,16-碳?xì)淠ぃ?7-MgF2膜,21-濺射裝置,25-基材保持架,28、29-靶保持架,32-碳靶,33-MgF2靶。

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