技術(shù)特征：

1.一種液晶裝置，包括：

由第一單元壁和第二單元壁界定的液晶材料層，所述第一單元壁設(shè)置有第一電極結(jié)構(gòu)并且所述第二單元壁設(shè)置有第二電極結(jié)構(gòu)，并且所述第一單元壁和所述第二單元壁被分開(kāi)了距離d_c，其中所述液晶材料層與多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)相關(guān)聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d>d_c。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d<5d_c。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d<d_c。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少兩個(gè)相鄰缺陷之間的間隔為d_d，并且其中d_d>d_c。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少兩個(gè)相鄰缺陷之間的間隔為d_d，并且其中d_d>w_d。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中至少第一中間層被設(shè)置在所述液晶材料層與所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述中間層是釘扎層，并且所述釘扎層包括所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述中間層是介電層，并且所述介電層包括所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種是多連接的，使得所述電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)二者都是多連接的，使得所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)二者都包括多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)大體上延伸跨越所述電極結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的裝置，其中缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的密度遍及所述電極結(jié)構(gòu)是近似恒定的。

14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)包括缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的陣列。

15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，第一密度的缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)存在于所述電極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域中，并且第二密度的缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)存在于所述電極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中，并且其中所述第一密度不同于所述第二密度。

16.根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述陣列中的每個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的寬度對(duì)于所述陣列中的每個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)是大體上相等的。

17.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)是在所述電極結(jié)構(gòu)中的具有寬度w_h的通孔。

18.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的裝置，其中包括所述缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的至少所述第一電極結(jié)構(gòu)或所述第二電極結(jié)構(gòu)中的一種被圖案化，圖案包括具有不同功函數(shù)的材料的區(qū)域，使得功函數(shù)中的差異產(chǎn)生缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中至少第一中間層被設(shè)置在所述液晶材料層與所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種之間，并且其中所述液晶材料、所述電極結(jié)構(gòu)和所述中間層由各自具有功函數(shù)的材料或表面形成，使得功函數(shù)中的差異產(chǎn)生缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

20.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料。

21.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料與聚合物和/或著色劑的混合物。

22.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述近晶型A液晶材料是基于有機(jī)物的近晶型A液晶材料。

23.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述近晶型A液晶材料為基于硅氧烷的近晶型A液晶材料。

24.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述電極由透明的金屬氧化物材料制成。

25.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述透明的金屬氧化物材料是氧化銦錫(ITO)材料。

26.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述電極由碳基材料制成。

27.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述碳基材料是石墨烯材料。

28.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中當(dāng)使用時(shí)，所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)導(dǎo)致電場(chǎng)梯度的產(chǎn)生。

29.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中至少一個(gè)單元壁包括柔性材料。

30.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中至少一個(gè)單元壁包括剛性材料。

31.一種顯示器，包括至少一種根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置。

32.制備液晶裝置的方法，包括以下步驟：

提供具有形成第一電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電涂層的第一襯底；

提供具有形成第二電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電涂層的第二襯底；

將所述第一襯底和所述第二襯底與液晶材料組裝以形成第一單元壁和第二單元壁，所述第一單元壁和所述第二單元壁被分開(kāi)了距離d_c并且具有界定在它們之間的液晶層；以及

將所述液晶材料層與多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)相關(guān)聯(lián)。

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中將所述液晶材料層與所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的步驟包括：提供中間層，其中所述中間層包括所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)，或處理所述導(dǎo)電涂層以提供多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中處理所述導(dǎo)電涂層包括除去所述導(dǎo)電涂層的至少一部分。

35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中處理所述導(dǎo)電涂層包括除去所述導(dǎo)電涂層的至少一部分以產(chǎn)生通孔。

36.根據(jù)權(quán)利要求32至35中任一項(xiàng)所述的方法，其中處理所述導(dǎo)電涂層的步驟包括使用激光。

37.根據(jù)權(quán)利要求32至35中任一項(xiàng)所述的方法，其中處理所述導(dǎo)電涂層的步驟包括使用光刻法。

38.根據(jù)權(quán)利要求32至37中任一項(xiàng)所述的方法，還包括處理所述第二襯底上的所述第二導(dǎo)電涂層以提供多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的步驟。