本發(fā)明涉及一種近紅外吸收性組合物、近紅外截止濾光片、固體成像元件及相機模塊。
背景技術：
：在視頻攝像機、數(shù)碼照相機、帶有照相機功能的移動電話等中使用作為固體成像元件的電荷耦合器件(ccd)影像傳感器、或互補型金屬氧化膜半導體(cmos)影像傳感器。固體成像元件因于其受光部中使用對近紅外線具有靈敏度的硅光電二極管，因此必須進行可見度修正，而常使用近紅外截止濾光片。作為近紅外截止濾光片的材料，已知有使用例如磷酸酯銅絡合物的近紅外吸收性組合物(專利文獻1～專利文獻3)。以往技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-69305號公報專利文獻2：日本特開平11-52127號公報專利文獻3：日本特開2011-63814號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的技術課題但是，所述專利文獻1～專利文獻3中所公開的近紅外吸收性組合物的近紅外線的遮蔽性不充分，為了獲得充分的遮蔽性，必須加厚濾光片的膜厚。為了加厚濾光片的膜厚，必須大量配制固化性化合物或其他添加劑，因此有這些成分的影響變大的情況。本發(fā)明是解決這些課題的發(fā)明，其目的在于提供一種可形成近紅外線區(qū)域的遮蔽性優(yōu)異的固化膜的近紅外吸收性組合物、近紅外截止濾光片、固體成像元件及相機模塊。用于解決技術課題的手段本發(fā)明人等進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)通過使用特定的銅絡合物，可形成即便為薄膜，近紅外線遮蔽性也優(yōu)異的固化膜，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供以下。<1>一種近紅外吸收性組合物，包含如下銅絡合物，其為酞菁銅絡合物以外的銅絡合物，且在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長，最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上。<2>一種近紅外吸收性組合物，包含如下銅絡合物，其為將在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物，且在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長，最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上。<3>根據(jù)<1>或<2>所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物通過銅與配體而形成5元環(huán)和/或6元環(huán)。<4>根據(jù)<1>至<3>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有至少兩個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物。<5>根據(jù)<1>至<4>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有三個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物、含有具有四個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物、或含有具有五個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物。<6>根據(jù)<5>所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有三個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物，且進一步具有至少一個單齒配體。<7>根據(jù)<6>所述的近紅外吸收性組合物，其中，單齒配體的至少一個為以陰離子進行配位的單齒配體。<8>根據(jù)<1>至<5>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有三個配位部位的化合物與具有兩個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物。<9>根據(jù)<8>所述的近紅外吸收性組合物，其中，具有三個配位部位的化合物為具有兩個以陰離子進行配位的配位部位及一個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，具有兩個配位部位的化合物為具有兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。<10>根據(jù)<1>至<5>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有四個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物、或含有具有五個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物。<11>根據(jù)<1>至<5>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，銅絡合物為含有具有四個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物，且進一步具有至少一個單齒配體。<12>根據(jù)<5>、<10>或<11>所述的近紅外吸收性組合物，其中，具有四個配位部位的化合物為具有四個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。<13>根據(jù)<5>、<10>或<11>所述的近紅外吸收性組合物，其中，具有四個配位部位的化合物為由下述式(iv-12)所表示的化合物；[化學式1]通式(iv-12)中，x33～x35及x57分別獨立地表示配位部位，l17～l19分別獨立地表示單鍵或二價的連接基。<14>根據(jù)<1>至<13>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分而含有15質量％以上的銅絡合物。<15>根據(jù)<1>至<14>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其進一步含有固化性化合物及溶劑。<16>根據(jù)<1>至<15>中任一個所述的近紅外吸收性組合物，其中，在使用近紅外吸收性組合物來制造干燥后的膜厚為100μm的膜時，膜的厚度方向的波長550nm中的透光率為45％以上，波長800nm中的透光率為25％以下。<17>一種近紅外截止濾光片，其使用根據(jù)<1>至<16>中任一個所述的近紅外吸收性組合物。<18>根據(jù)<17>所述的近紅外截止濾光片，其膜厚為300μm以下。<19>一種固體成像元件，其包括使用根據(jù)<1>至<16>中任一個所述的近紅外吸收性組合物所獲得的近紅外截止濾光片。<20>一種相機模塊，其包括固體成像元件、及配置于固體成像元件的受光側的近紅外截止濾光片，且近紅外截止濾光片為根據(jù)<17>所述的近紅外截止濾光片。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供一種可形成近紅外線遮蔽性優(yōu)異的固化膜的近紅外吸收性組合物、近紅外截止濾光片、固體成像元件及相機模塊。附圖說明圖1是表示涉及本發(fā)明的實施方式的具有近紅外截止濾光片的相機模塊的構成的概略剖視圖。圖2是表示相機模塊中的近紅外截止濾光片周邊部分的一例的概略剖視圖。圖3是表示相機模塊中的近紅外截止濾光片周邊部分的一例的概略剖視圖。圖4是表示相機模塊中的近紅外截止濾光片周邊部分的一例的概略剖視圖。具體實施方式以下，對本發(fā)明的內容進行詳細說明。并且，在本申請說明書中，“～”是以包含其前后所述的數(shù)值作為下限值及上限值的含義來使用。在本說明書中，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸，“(甲基)烯丙基”表示烯丙基及甲基烯丙基，“(甲基)丙烯?；北硎颈；凹谆；?。在本說明書中的基團(原子團)的表述中，未記載經取代及未經取代的表述包含不具有取代基的基團(原子團)，并且也包含具有取代基的基團(原子團)。在本說明書中，化學式中的me表示甲基，et表示乙基，pr表示丙基，bu表示丁基，ph表示苯基。在本說明書中，所謂近紅外線，是指波長區(qū)域為700nm～2500nm的光(電磁波)。在本說明書中，所謂總固體成分，是指自組合物的總組成中去除溶劑后的成分的總質量。在本說明書中，所謂固體成分，是指25℃下的固體成分。在本說明書中，重均分子量作為通過凝膠滲透色譜法(gpc)測定所得的聚苯乙烯換算值來定義。在本說明書中，重均分子量(mw)及數(shù)均分子量(mn)例如可通過如下方式來求出：使用hlc-8220(tosohcorporation制造)，并將tskgelsuperawm-h(tosohcorporation制造，6.0mmid×15.0cm)用作柱，將10mmol/l的溴化鋰nmp(n-甲基吡咯烷酮)溶液用作洗提液。<近紅外吸收性組合物>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的第一方式為包含如下銅絡合物的近紅外吸收性組合物，所述銅絡合物為酞菁銅絡合物以外的銅絡合物，其在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長，且最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的第二方式為包含如下銅絡合物的近紅外吸收性組合物，所述銅絡合物為將在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物，其在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長，且最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上。此處，所謂酞菁銅絡合物為將具有酞菁骨架的化合物作為配體的銅絡合物。具有酞菁骨架的化合物在分子整體中π電子共軛系擴展，并采取平面結構。酞菁銅絡合物通過π-π*躍遷吸收光。為了通過π-π*躍遷吸收紅外區(qū)域的光，需要形成配體的化合物采取長的共軛結構。但是，若加長配體的共軛結構，則存在可見光透過性降低的傾向。因此，酞菁銅絡合物的可見光透過性不充分。并且，將在400nm～600nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物在可見區(qū)域(例如400nm～600nm的波長區(qū)域)具有吸收，因此可見光透過性不充分。作為在400nm～600nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長的化合物，可舉出具有長的共軛結構且π-π*躍遷的光的吸收大的化合物。具體而言，可舉出具有酞菁骨架的化合物。根據(jù)本發(fā)明的近紅外吸收性組合物，因包含酞菁銅絡合物以外的且將在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物作為在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長且最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上的銅絡合物，因此可形成近紅外線遮蔽性優(yōu)異的固化膜。進而，可見光透過性也優(yōu)異。并且，本發(fā)明中，至少包含酞菁銅絡合物以外的且將在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物作為在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長且最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上的銅絡合物，如下所述，為了進行膜分光的調整等，也可進一部含有酞菁銅絡合物等其他近紅外吸收性化合物。本發(fā)明中所用的銅絡合物在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長。銅絡合物的最大吸收波長更優(yōu)選為在720nm～1200nm的波長區(qū)域具有，進一步優(yōu)選為在800nm～1100nm的波長區(qū)域具有。最大吸收波長例如可使用cary5000uv-vis-nir(分光光度計agilenttechnologiesjapan，ltd.制造)進行測定。銅絡合物的所述波長區(qū)域的最大吸收波長中的摩爾吸光系數(shù)優(yōu)選為120(l/mol·cm)以上，更優(yōu)選為150(l/mol·cm)以上，進一步優(yōu)選為200(l/mol·cm)以上，更進一步優(yōu)選為300(l/mol·cm)以上，特別優(yōu)選為400(l/mol·cm)以上。上限并無特別限定，例如可設為30000(l/mol·cm)以下。若銅絡合物的所述摩爾吸光系數(shù)為100(l/mol·cm)以上，則可形成即便為薄膜近紅外線遮蔽性也優(yōu)異的固化膜。并且，為了使固化膜形成為厚膜，需要增加固化性化合物或其他添加劑的配制量，但因可進行薄膜化，因此也有可減少固化性化合物或其他添加劑的配制量，可將由這些成分引起的近紅外線遮蔽性的影響抑制得更小的效果。銅絡合物的800nm中的克吸光系數(shù)優(yōu)選為0.11(l/g·cm)以上，更優(yōu)選為0.15(l/g·cm)以上，進一步優(yōu)選為0.24(l/g·cm)以上。并且，本發(fā)明中，銅絡合物的摩爾吸光系數(shù)及克吸光系數(shù)可使銅絡合物溶解于溶劑中而制備1g/l的濃度的溶液，測定溶解有銅絡合物的溶液的吸收光譜而求出。作為測定裝置，可使用shimadzucorporation制造的uv-1800(波長區(qū)域200nm～1100nm)、agilent公司制造的cary5000(波長區(qū)域200nm～1300nm)等。作為測定溶劑，可舉出：水、n，n-二甲基甲酰胺、丙二醇單甲醚、1，2，4-三氯苯、丙酮。在本發(fā)明中，選擇所述測定溶劑中的能夠溶解測定對象的銅絡合物的溶劑而使用。其中，在通過丙二醇單甲醚進行溶解的銅絡合物的情況下，作為測定溶劑，優(yōu)選為使用丙二醇單甲醚。并且，所謂溶解，是指銅絡合物相對于25℃的溶劑的溶解度超過0.01g/100gsolvent(溶劑)的狀態(tài)。本發(fā)明中，銅絡合物的摩爾吸光系數(shù)及克吸光系數(shù)優(yōu)選為使用所述測定溶劑的任一方而測定的值，更優(yōu)選為通過丙二醇單甲醚而測定的值。酞菁銅絡合物以外的銅絡合物及將在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物作為配體的銅絡合物中，作為將摩爾吸光系數(shù)設為100(l/mol·cm)以上的方法，例如可舉出：使用五配位的銅絡合物的方法、使用π供給性高的配體的方法、使用對稱性低的銅絡合物的方法等。作為通過使用五配位的銅絡合物而可使摩爾吸光系數(shù)達成100(l/mol·cm)以上的機理，推測是由以下引起。即，通過采取五齒配位(例如三角雙錐結構、四角錐結構、及這些的中間結構等)，絡合物的對稱性降低。由此，配體與銅的相互作用中，p軌道容易混雜于d軌道。此時，d-d躍遷(紅外區(qū)域的吸收)并非純粹的d-d躍遷，而是混雜有作為容許躍遷的p-d躍遷的貢獻。由此認為吸光系數(shù)提高，可達成100(l/mol·cm)以上。五配位的銅絡合物例如可通過如下方式而制備：使兩個二齒配體(可相同，也可不同)及一個單齒配體與銅離子反應、使一個三齒配體及兩個二齒配體(可相同，也可不同)與銅離子反應、使一個三齒配體及一個二齒配體與銅離子反應、使一個四齒配體及一個單齒配體與銅離子反應、及使一個五齒配體與銅離子反應。此時，以未共享電子對進行配位的單齒配體有時也用作反應溶劑。例如，若在包含水的溶劑中使兩個二齒配體與銅離子反應，則獲得該兩個二齒配體與作為單齒配體的水進行了配位的五配位絡合物。并且，作為通過使用π供給性高的配體而可使摩爾吸光系數(shù)達成100(l/mol·cm)以上的機理，推測是由以下引起。即，通過使用π供給性高的配體(配體的π軌道或p軌道處于能量弱的區(qū)域的配體)，金屬的p軌道與配體的p軌道(或π軌道)容易混雜。此時，d-d躍遷并非純粹的d-d躍遷，而是混雜有作為容許躍遷的lmct(配體-金屬電荷轉移)躍遷的貢獻。由此認為吸光系數(shù)提高，可達成100(l/mol·cm)以上。作為π供給性高的配體，例如可舉出：鹵素配體、氧陰離子配體、硫陰離子配體等。作為使用π供給性高的配體的銅絡合物，例如可舉出具有作為單齒配體的cl配體的銅絡合物等。并且，對稱性低的銅絡合物可通過使用對稱性低的配體或對銅離子非對稱地導入配體而獲得。具體而言，例如為如下所述。例如，在使用三齒配體l1-l2-l3與兩個單齒配體l4、l5的情況下，如下式(1)所示，通過使用對稱性低的配體，例如使用l1與l3不同的配體，獲得對稱性低的銅絡合物。并且，獲得對銅離子非對稱地導入配體、例如相較于l4與l5相同而l4與l5不同時的對稱性低的銅絡合物。[化學式2]并且，四角錐絡合物中，當l4與l5相同時，獲得相較以下式(2)所示l4與l5位于四角錐的底面上的對角線上而如下式(3)所示l4與l5在底面上鄰接或如下式(4)所示其中一個單齒配體位在四角錐的頭頂位置時的對稱性低的絡合物。[化學式3]并且，在使用兩個二齒配體l6-l7、l8-l9與單齒配體l10的情況下，如下式(5)所示，通過使用對稱性低的配體，例如使用l6與l7不同的配體、和/或l8與l9不同的配體，獲得對稱性低的銅絡合物。并且，獲得對銅離子非對稱地導入配體，例如相較于l6-l7與l8-l9相同而l6-l7與l8-l9不同時的對稱性低的銅絡合物。并且，在l6-l7與l8-l9相同的情況下，獲得相較于l6＝l8且l7＝l9而l6＝l9且l7＝l8時的對稱性低的銅絡合物。[化學式4]本發(fā)明的銅絡合物優(yōu)選為五配位的銅絡合物。作為五配位的銅絡合物的幾何結構，可舉出三角雙錐結構或四角錐結構等，但并不能將所有銅絡合物明確地分類為哪一個，也存在其中間結構。作為表示五配位的銅絡合物和三角雙錐結構與四角錐結構的任一個相近的指標，已知有τ值(三角指數(shù))，τ值通過以下的式進行定義。τ＝[(最大的l-m-l角)-(第二大的l-m-l角)]/60(此處l表示配位部位，m表示金屬中心)τ值越接近1，則表示為越接近三角雙錐結構的結構，且越接近0，則表示為越接近四角錐結構的結構。τ值通常多采取0～1之間的值，如下所述，有時也采取大于1的值。[化學式5]本發(fā)明中，就700nm～1200nm的波長區(qū)域的范圍內，容易在長波長側具有最大吸收波長的觀點而言，銅絡合物優(yōu)選為接近三角雙錐結構的結構。并且，銅絡合物的τ值優(yōu)選為0.5以上，更優(yōu)選為0.75以上，進一步優(yōu)選為0.9以上。τ值的上限并無特別限定，例如也可設為1.176以下。本發(fā)明中，銅絡合物優(yōu)選為含有具有至少兩個配位部位的化合物(以下，也稱為化合物(a))作為配體?；衔?a)更優(yōu)選為具有至少三個配位部位，進一步優(yōu)選為具有三個～五個?；衔?a)相對于銅成分而作為螯合配體發(fā)揮作用。即，化合物(a)所具有的至少兩個配位原子通過與銅進行螯合配位，銅絡合物的結構變形，獲得可見光區(qū)域的高透過性，且可提高近紅外線的吸光能力，色價也提升。由此，即便長時間使用近紅外截止濾光片，也不損害其特性，且也可穩(wěn)定地制造相機模塊。本發(fā)明中所用的銅絡合物也可具有兩種以上的化合物(a)。在具有兩種以上的化合物(a)的情況下，各自的化合物(a)可相同，也可不同。作為化合物(a)所具有的配位部位，可舉出：以陰離子進行配位的配位部位、以未共享電子對進行配位的配位部位。本發(fā)明中所用的銅絡合物可例示四配位、五配位及六配位，更優(yōu)選為四配位及五配位，進一步優(yōu)選為五配位。并且，銅絡合物優(yōu)選為通過銅與配體而形成5元環(huán)和/或6元環(huán)。這種銅絡合物的形狀穩(wěn)定，絡合物穩(wěn)定性優(yōu)異。本發(fā)明中所用的銅絡合物中的銅例如可使化合物(a)與銅成分(銅或包含銅的化合物)混合并反應等而獲得。銅成分優(yōu)選為包含二價的銅的化合物。銅成分可僅使用一種，也可使用兩種以上。作為銅成分，例如可使用氧化銅或銅鹽。銅鹽例如優(yōu)選為羧酸銅(例如乙酸銅、乙基乙酰乙酸銅、甲酸銅、苯甲酸銅、硬脂酸銅、環(huán)烷酸銅、檸檬酸銅、2-乙基己酸銅等)、磺酸銅(例如甲磺酸銅等)、磷酸銅、磷酸酯銅、膦酸銅、膦酸酯銅、亞膦酸銅、酰胺銅、磺酰胺銅、酰亞胺銅、?；酋啺枫~、雙磺酰亞胺銅、甲基化物銅、烷氧基銅、苯氧基銅、氫氧化銅、碳酸銅、硫酸銅、硝酸銅、高氯酸銅、氟化銅、氯化銅、溴化銅，更優(yōu)選為羧酸銅、磺酸銅、磺酰胺銅、酰亞胺銅、酰基磺酰亞胺銅、雙磺酰亞胺銅、烷氧基銅、苯氧基銅、氫氧化銅、碳酸銅、氟化銅、氯化銅、硫酸銅、硝酸銅，進一步優(yōu)選為羧酸銅、酰基磺酰亞胺銅、苯氧基銅、氯化銅、硫酸銅、硝酸銅，特別優(yōu)選為羧酸銅、?；酋啺枫~、氯化銅、硫酸銅。與化合物(a)進行反應的銅成分的量優(yōu)選為以摩爾比率(化合物(a)∶銅成分)計而設為1∶0.5～1∶8，更優(yōu)選為設為1∶0.5～1∶4。并且，使銅成分與化合物(a)進行反應時的反應條件例如優(yōu)選設為20℃～100℃、0.5小時以上。本發(fā)明中所用的銅絡合物可具有化合物(a)以外的配體。作為化合物(a)以外的配體，可舉出以陰離子或未共享電子對進行配位的單齒配體。作為以陰離子進行配位的配體，可舉出：鹵化物陰離子、氫氧化物陰離子、烷氧化物陰離子、苯氧化物陰離子、酰胺陰離子(包含經酰基或磺?；〈孽０?、酰亞胺陰離子(包含經?；蚧酋；〈孽啺?、苯胺化物陰離子(包含經?；蚧酋；〈谋桨坊?、硫醇鹽陰離子、碳酸氫根陰離子、羧酸根陰離子、硫代羧酸根陰離子、二硫代羧酸根陰離子、硫酸氫根陰離子、磺酸根陰離子、磷酸二氫根陰離子、磷酸二酯陰離子、膦酸單酯陰離子、膦酸氫根陰離子、亞膦酸根陰離子、含氮雜環(huán)陰離子、硝酸根陰離子、次氯酸根陰離子、氰化物陰離子、氰酸鹽陰離子、異氰酸鹽陰離子、硫氰酸鹽陰離子、異硫氰酸鹽陰離子、疊氮化物陰離子等。作為以非共享電子對進行配位的單齒配體，可舉出：水、醇、酚、醚、胺、苯胺、酰胺、酰亞胺、亞胺、腈、異腈、硫醇、硫醚、羰基化合物、硫代羰基化合物、亞砜、雜環(huán)或碳酸、羧酸、硫酸、磺酸、磷酸、膦酸、亞膦酸、硝酸或其酯。單齒配體的種類及數(shù)量可根據(jù)配位于銅絡合物的化合物(a)而適宜選擇。作為用作化合物(a)以外的配體的單齒配體的具體例，可舉出以下，但并不限定于這些。以下中，me表示甲基，et表示乙基，ph表示苯基。[表1]本發(fā)明中所用的銅絡合物對應于以陰離子進行配位的配位部位的數(shù)量，除了不帶電荷的中性絡合物以外，有時也成為陽離子絡合物、陰離子絡合物。在該情況下，根據(jù)需要存在有抗衡離子以中和銅絡合物的電荷。在抗衡離子為負的抗衡離子的情況下，例如可為無機陰離子，也可為有機陰離子。作為具體例，可舉出：氫氧化物離子、鹵素陰離子(例如氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等)、經取代或未經取代的烷基羧酸根離子(乙酸根離子、三氟乙酸根離子等)、經取代或未經取代的芳基羧酸根離子(苯甲酸根離子等)、經取代或未經取代的烷基磺酸根離子(甲磺酸根離子、三氟甲磺酸根離子等)、經取代或未經取代的芳基磺酸根離子(例如對甲苯磺酸根離子、對氯苯磺酸根離子等)、芳基二磺酸根離子(例如1，3-苯二磺酸根離子、1，5-萘二磺酸根離子、2，6-萘二磺酸根離子等)、烷基硫酸根離子(例如甲基硫酸根離子等)、硫酸根離子、硫氰酸根離子、硝酸根離子、高氯酸根離子、四氟硼酸根離子、四芳基硼酸根離子、六氟磷酸鹽離子、苦味酸根離子、酰胺離子(包含經酰基或磺?；〈孽０?、甲基化物離子(包含經?；蚧酋；〈募谆?，優(yōu)選為鹵素陰離子、經取代或未經取代的烷基羧酸根離子、硫酸根離子、硝酸根離子、四氟硼酸根離子、四芳基硼酸根離子、六氟磷酸鹽離子、酰胺離子(包含經?；蚧酋；〈孽０?、甲基化物離子(包含經?；蚧酋；〈募谆?。在抗衡離子為正的抗衡離子的情況下，例如可舉出：無機或有機的銨離子(例如四丁基銨離子等四烷基銨離子、三乙基芐基銨離子、吡啶鎓離子等)、鏻離子(例如四丁基鏻離子等四烷基鏻離子、烷基三苯基鏻離子、三乙基苯基鏻離子等)、堿金屬離子或質子。并且，抗衡離子可為金屬絡合物離子，尤其抗衡離子可為銅絡合物、即陽離子性銅絡合物與陰離子性銅絡合物的鹽。此處，若能夠自本發(fā)明的組合物中檢測出銅與化合物(a)的結構，則可以說本發(fā)明的組合物中形成有將化合物(a)作為配體的銅絡合物。作為自本發(fā)明的組合物中檢測出銅與化合物(a)的方法，例如可舉出感應耦合電漿(icp)發(fā)光分析。本發(fā)明中所用的銅絡合物例如可舉出以下的(1)～(5)的方式作為優(yōu)選的一例，更優(yōu)選為(2)～(5)，進一步優(yōu)選為(3)～(5)，尤其優(yōu)選為(4)或(5)。(1)含有具有兩個配位部位的化合物的一種或兩種作為配體的銅絡合物(2)含有具有三個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物(3)含有具有三個配位部位的化合物與具有兩個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物(4)含有具有四個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物(5)含有具有五個配位部位的化合物作為配體的銅絡合物所述(1)的方式中，具有兩個配位部位的化合物優(yōu)選為具有兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物、或具有以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。并且，在含有具有兩個配位部位的化合物的兩種作為配體的情況下，配體的化合物可相同，也可不同。并且，(1)的方式中，銅絡合物也可進一步具有所述的單齒配體。單齒配體的數(shù)量也可設為0個，也可設為1個～3個。作為單齒配體的種類，優(yōu)選為以陰離子進行配位的單齒配體、以未共享電子對進行配位的單齒配體的任一種，在具有兩個配位部位的化合物為具有兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物的情況下，就配位力強這一理由而言，更優(yōu)選為以陰離子進行配位的單齒配體，在具有兩個配位部位的化合物為具有以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物的情況下，就絡合物整體不帶電荷這一理由而言，更優(yōu)選為以未共享電子對進行配位的單齒配體。所述(2)的方式中，具有三個配位部位的化合物優(yōu)選為具有以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，進一步優(yōu)選為具有三個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。并且，(2)的方式中，銅絡合物也可進一步具有所述的單齒配體。單齒配體的數(shù)量也可設為0個。并且，也可設為1個以上，更優(yōu)選為1個～3個，進一步優(yōu)選為1個～2個，尤其優(yōu)選為2個。作為單齒配體的種類，優(yōu)選為以陰離子進行配位的單齒配體、以未共享電子對進行配位的單齒配體的任一種，因所述理由，更優(yōu)選為以陰離子進行配位的單齒配體。所述(3)的方式中，具有三個配位部位的化合物優(yōu)選為具有以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，進一步優(yōu)選為具有兩個以陰離子進行配位的配位部位以及一個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。進而，特別優(yōu)選為該兩個以陰離子進行配位的配位部位不同。并且，具有兩個配位部位的化合物優(yōu)選為具有以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，進一步優(yōu)選為具有兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。其中，特別優(yōu)選為以下組合：具有三個配位部位的化合物為具有兩個以陰離子進行配位的配位部位以及一個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，且具有兩個配位部位的化合物為具有兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。并且，(3)的方式中，銅絡合物也可進一步具有所述的單齒配體。單齒配體的數(shù)量也可設為0個，也可設為1個以上。更優(yōu)選為0個。所述(4)的方式中，具有四個配位部位的化合物優(yōu)選為具有以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，更優(yōu)選為具有兩個以上的以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，進一步優(yōu)選為具有四個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。并且，(4)的方式中，銅絡合物也可進一步具有所述的單齒配體。單齒配體的數(shù)量也可設為0個，也可設為1個以上，也可設為2個以上。優(yōu)選為1個。作為單齒配體的種類，優(yōu)選為以陰離子進行配位的單齒配體、以未共享電子對進行配位的單齒配體的任一種。所述(5)的方式中，具有五個配位部位的化合物優(yōu)選為具有以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，更優(yōu)選為具有兩個以上的以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物，進一步優(yōu)選為具有五個以未共享電子對進行配位的配位部位的化合物。并且，(5)的方式中，銅絡合物也可進一步具有所述的單齒配體。單齒配體的數(shù)量也可設為0個，也可設為1個以上。單齒配體的數(shù)量優(yōu)選為0個。<<具有至少兩個配位部位的化合物(a)>>其次，對形成銅絡合物的配體的化合物(a)進行說明?；衔?a)在一分子內具有至少兩個配位部位，也可具有三個以上。作為配位部位，可舉出以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位原子。作為化合物(a)的配位部位，也可僅具有兩個以上的以陰離子進行配位的配位部位，也可僅具有兩個以上的以未共享電子對進行配位的配位部位，也可分別具有一個以上的以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位。作為配位部位為三個的方式，可舉出：具有三個以陰離子進行配位的配位部位的情況、具有兩個以陰離子進行配位的配位部位與一個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有一個以陰離子進行配位的配位部位與兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有三個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況。作為配位部位為四個的方式，可舉出：具有四個以陰離子進行配位的配位部位的情況、具有三個以陰離子進行配位的配位部位與一個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有兩個以陰離子進行配位的配位部位與兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有一個以陰離子進行配位的配位部位與三個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有四個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況。作為配位部位為五個的方式，可舉出：具有五個以陰離子進行配位的配位部位的情況、具有四個以陰離子進行配位的配位部位與一個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有三個以陰離子進行配位的配位部位與兩個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有兩個以陰離子進行配位的配位部位與三個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有一個以陰離子進行配位的配位部位與四個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況、具有五個以未共享電子對進行配位的配位部位的情況。化合物(a)中，陰離子只要為可配位于銅原子上的陰離子即可，優(yōu)選為氧陰離子、氮陰離子或硫陰離子。以陰離子進行配位的配位部位優(yōu)選為選自以下的一價官能團組(an-1)、或二價官能團組(an-2)中的至少一種。并且，以下結構式中的波浪線為與構成化合物(a)的原子團的鍵合位置。組(an-1)[化學式6]組(an-2)[化學式7]所述以陰離子進行配位的配位部位中，x表示n或cr，r優(yōu)選為表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基。烷基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀，優(yōu)選為直鏈狀。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～10，更優(yōu)選為1～6，進一步優(yōu)選為1～4。作為烷基的例子，可舉出甲基。烷基可具有取代基。作為取代基，可舉出：鹵素原子、羧基、雜環(huán)基。作為取代基的雜環(huán)基可為單環(huán)，也可為多環(huán)，并且，可為芳香族，也可為非芳香族。構成雜環(huán)的雜原子的數(shù)量優(yōu)選為1～3，更優(yōu)選為1或2。構成雜環(huán)的雜原子優(yōu)選為氮原子。當烷基具有取代基時，可進一步具有取代基。烯基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀，優(yōu)選為直鏈狀。烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～10，更優(yōu)選為1～6。烯基可未經取代，也可具有取代基。作為取代基，可舉出所述取代基。炔基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀，優(yōu)選為直鏈狀。炔基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～10，更優(yōu)選為1～6。炔基可未經取代，也可具有取代基。作為取代基，可舉出所述取代基。芳基可為單環(huán)，也可為多環(huán)，但優(yōu)選為單環(huán)。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12，進一步優(yōu)選為6。芳基可未經取代，也可具有取代基。作為取代基，可舉出所述取代基。雜芳基可為單環(huán)，也可為多環(huán)。構成雜芳基的雜原子的數(shù)量優(yōu)選為1～3。構成雜芳基的雜原子優(yōu)選為氮原子、硫原子、氧原子。雜芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12。雜芳基可未經取代，也可具有取代基。作為取代基，可舉出所述取代基?；衔?a)中，以未共享電子對進行配位的配位原子優(yōu)選為氧原子、氮原子、硫原子或磷原子，更優(yōu)選為氧原子、氮原子或硫原子，進一步優(yōu)選為氧原子、氮原子，特別優(yōu)選為氮原子?；衔?a)中，在以未共享電子對進行配位的配位原子為氮原子的情況下，優(yōu)選為鄰接于氮原子的原子為碳原子、或氮原子，更優(yōu)選為碳原子。以未共享電子對進行配位的配位原子優(yōu)選為包含于環(huán)中，或包含于選自以下的一價官能團組(ue-1)、二價官能團組(ue-2)、三價官能團組(ue-3)中的至少一種部分結構中。并且，以下結構式中的波浪線為與構成化合物(a)的原子團的鍵合位置。組(ue-1)[化學式8]組(ue-2)[化學式9]組(ue-3)[化學式10]組(ue-1)～組(ue-3)中，r1表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，r2表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、氨基或?；?。以未共享電子對進行配位的配位原子可包含于環(huán)中。在以未共享電子對進行配位的配位原子包含于環(huán)中的情況下，含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)可為單環(huán)，也可為多環(huán)，并且，可為芳香族，也可為非芳香族。含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)優(yōu)選為5元環(huán)～12元環(huán)，更優(yōu)選為5元環(huán)～7元環(huán)。含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)可具有取代基，作為取代基，可舉出：碳原子數(shù)1～10的直鏈狀、分支狀或環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、鹵素原子、硅原子、碳原子數(shù)1～12的烷氧基、碳原子數(shù)2～12的?；?、碳原子數(shù)1～12的烷硫基、羧基等。在含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)具有取代基的情況下，可進一步具有取代基，可舉出：包含含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)的基團、含有選自所述組(ue-1)～組(ue-3)中的至少一種部分結構的基團、碳原子數(shù)1～12的烷基、碳原子數(shù)2～12的?；?、羥基。在以未共享電子對進行配位的配位原子包含于由組(ue-1)～組(ue-3)所表示的部分結構中的情況下，r1表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，r2表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、胺基或?；Ｍ榛?、烯基、炔基、芳基及雜芳基的含義與所述以陰離子進行配位的配位部位中所說明的烷基、烯基、炔基、芳基及雜芳基相同，優(yōu)選的范圍也相同。烷氧基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，更優(yōu)選為3～9。芳氧基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12。雜芳氧基可為單環(huán)，也可為多環(huán)。構成雜芳氧基的雜芳基的含義與所述以陰離子進行配位的配位部位中所說明的雜芳基相同，優(yōu)選的范圍也相同。烷硫基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，更優(yōu)選為1～9。芳硫基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12。雜芳硫基可為單環(huán)，也可為多環(huán)。構成雜芳硫基的雜芳基的含義與所述以陰離子進行配位的配位部位中所說明的雜芳基相同，優(yōu)選的范圍也相同。?；奶荚訑?shù)優(yōu)選為2～12，更優(yōu)選為2～9?；衔?a)中，在一分子內具有以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的情況下，連接以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的原子數(shù)優(yōu)選為1～6，更優(yōu)選為1～3。通過設為這種構成，銅絡合物的結構更容易變形，因此可進一步提升色價，并可提高可見光透過性，且容易增大摩爾吸光系數(shù)。連接以陰離子進行配位的配位部位與以未共享電子對進行配位的配位部位的原子的種類可為一種或兩種以上。優(yōu)選為碳原子、或氮原子。以下的例示化合物中，在以羧酸的質子進行解離而成為羧酸鹽陰離子的狀態(tài)配位于作為配體的銅離子的情況下，陰離子為氧陰離子，以未共享電子對進行配位的配位原子為氮原子，連接陰離子與以未共享電子對進行配位的配位原子的原子為碳原子。并且，連接陰離子與以未共享電子對進行配位的配位原子的原子數(shù)為2。在該例示化合物的質子不發(fā)生解離而以非離子性的狀態(tài)配位于銅離子的情況下，解釋為羧酸上的氧原子與氮原子這兩個原子以未共享電子對進行配位，但該例示化合物中采取這種配位形式的情況稀少。[化學式11]化合物(a)中，在一分子內具有兩個以上的以未共享電子對進行配位的配位原子的情況下，可具有三個以上的以未共享電子對進行配位的配位原子，優(yōu)選為具有兩個～五個，更優(yōu)選為具有四個。連接以未共享電子對進行配位的配位原子彼此的原子數(shù)優(yōu)選為1～6，更優(yōu)選為1～3，進一步優(yōu)選為2～3，特別優(yōu)選為3。通過設為這種構成，銅絡合物的結構更容易變形，因此可進一步提升色價。連接以未共享電子對進行配位的配位原子彼此的原子可為一種或兩種以上。連接以未共享電子對進行配位的配位原子彼此的原子優(yōu)選為碳原子。化合物(a)也優(yōu)選為由下述通式(iv-1)～通式(iv-14)所表示。例如，在化合物(a)為具有四個配位部位的化合物的情況下，優(yōu)選為由下述式(iv-3)、式(iv-6)、式(iv-7)、式(iv-12)所表示的化合物，就更牢固地配位于金屬中心，容易形成耐熱性高的穩(wěn)定的五配位絡合物這一理由而言，更優(yōu)選為由式(iv-12)所表示的化合物。由式(iv-12)所表示的化合物中，x33～x35優(yōu)選為選自組(ue-1)中的至少一種。x57優(yōu)選為表示選自組(ue-3)中的至少一種。并且，例如在化合物(a)為具有五個配位部位的化合物的情況下，優(yōu)選為由下述式(iv-4)、式(iv-8)～式(iv-11)、式(iv-13)、式(iv-14)所表示的化合物，就更牢固地配位于金屬中心，容易形成耐熱性高的穩(wěn)定的五配位絡合物這一理由而言，更優(yōu)選為由式(iv-9)～式(iv-10)、式(iv-13)、式(iv-14)所表示的化合物，特別優(yōu)選為由式(iv-13)所表示的化合物。由式(iv-13)所表示的化合物中，x36及x37優(yōu)選為選自組(ue-1)中的至少一種。x56優(yōu)選為表示選自組(ue-2)中的至少一種。x58優(yōu)選為表示選自組(ue-3)中的至少一種。[化學式12]通式(iv-1)～通式(iv-14)中，x1～x59分別獨立地表示配位部位，l1～l25分別獨立地表示單鍵或二價的連接基，l26～l32分別獨立地表示三價的連接基，l33～l34分別獨立地表示四價的連接基。x1～x42優(yōu)選為分別獨立地表示包含含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)的基團、選自所述組(an-1)、或組(ue-1)中的至少一種。x43～x56優(yōu)選為分別獨立地表示包含含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)的基團、選自所述組(an-2)、或組(ue-2)中的至少一種。x57～x59優(yōu)選為分別獨立地表示選自所述組(ue-3)中的至少一種。l1～l25分別獨立地表示單鍵或二價的連接基。作為二價的連接基，優(yōu)選為碳原子數(shù)1～12的亞烷基、碳原子數(shù)6～12的亞芳基、-s0-、-o-、-so2-或包含這些的組合的基團，更優(yōu)選為碳原子數(shù)1～3的亞烷基、亞苯基、-so2-或包含這些的組合的基團。l26～l32分別獨立地表示三價的連接基。作為三價的連接基，可舉出自所述二價的連接基中去除一個氫原子而成的基團。l33～l34分別獨立地表示四價的連接基。作為四價的連接基，可舉出自所述二價的連接基中去除兩個氫原子而成的基團。由所述式(iv-12)所表示的化合物更優(yōu)選為由下述的式(iv-12’)所表示的化合物。[化學式13]r1的含義與組(ue-1)～組(ue-3)中的r1相同，表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，r2表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、氨基或酰基。r1彼此可相同，也可不同。由所述式(iv-13)所表示的化合物更優(yōu)選為由下述的通式(iv-13’)所表示的化合物。[化學式14]r1的含義與組(ue-1)～組(ue-3)中的r1相同，表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，r2表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、氨基或?；?。r1彼此可相同，也可不同。l23、x38的含義與式(iv-13)中的l23、x38相同。此處，關于組(an-1)～組(an-2)中的r、以及組(ue-1)～組(ue-3)中的r1可在r彼此、r1彼此、或r與r1之間可連接而形成環(huán)。例如，作為通式(iv-2)的具體例，可舉出下述的化合物(iv-2a)。并且，x3、x4、x43為以下所示的基團，l2、l3為亞甲基，r1為甲基，但該r1彼此可連接而形成環(huán)，成為(iv-2b)或(iv-2c)。[化學式15]并且，為了提高可見光透過性，化合物(a)優(yōu)選為芳香族等π共軛系未連續(xù)地鍵合多個?；衔?a)也優(yōu)選為包含5元環(huán)或6元環(huán)的化合物，且也優(yōu)選為以共享電子對進行配位的配位原子構成5元環(huán)或6元環(huán)。也優(yōu)選為化合物(a)所具有的以未共享電子對進行配位的配位原子為氮原子。并且，鄰接于化合物(a)所具有的作為以未共享電子對進行配位的配位原子的氮原子的原子為碳原子，所述碳原子具有取代基也優(yōu)選。通過設為這種構成，銅絡合物的結構更容易變形，因此可進一步提升色價。取代基的含義與所述的含有以未共享電子對進行配位的配位原子的環(huán)可具有的取代基相同，優(yōu)選為碳原子數(shù)1～30的烷基、碳原子數(shù)6～30的芳基、羧基、碳原子數(shù)1～12的烷氧基、碳原子數(shù)1～12的?；?、碳原子數(shù)1～12的烷硫基、鹵素原子。特別優(yōu)選為烷基、芳基、羧基、鹵素原子?；衔?a)的分子量優(yōu)選為50～1000，更優(yōu)選為50～500。若分子量為所述范圍，則獲得絡合物的分子量成為小的值，克吸光系數(shù)變大的效果。并且，本發(fā)明中，化合物(a)的分子量為根據(jù)結構式求出的理論值。作為化合物(a)的具體例，可舉出以下的化合物及以下的化合物的鹽(例如鈉等的金屬鹽(堿金屬鹽))，但并不限定于這些。作為具有兩個配位部位的化合物，可舉出以下的a2-1～a2-240所示的化合物。作為具有三個配位部位的化合物，可舉出以下的a3-1～a3-142所示的化合物。作為具有四個配位部位的化合物，可舉出以下的a4-1～a4-220所示的化合物。作為具有五個配位部位的化合物，可舉出以下的a5-1～a5-37所示的化合物。并且，以下所示的化合物均為在400nm～600nm的波長區(qū)域不具有最大吸收波長的化合物。[化學式16][化學式17][化學式18][化學式19][化學式20][化學式21][化學式22][化學式23][化學式24][化學式25][化學式26][化學式27][化學式28][化學式29][化學式30][化學式31]作為本發(fā)明中可使用的銅絡合物的具體例，可舉出下述表所示的例子，但本發(fā)明并不限定于這些。以下的表中，ph表示苯基。并且，近紅外吸收性組合物的銅絡合物以外的成分(溶劑、各種添加劑等)可進一步進行配位，且，也可以銅絡合物的配體的一部分與銅絡合物以外的成分進行置換的狀態(tài)存在。所述為具有取代活性的d9電子配置的銅(ii)絡合物的通常的性質。[表2][表3][表4][表5][表6][表7][表8][表9][表10][表11][表12][表13][表14]相對在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物(也包含溶劑)，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物中的銅絡合物的含量(使化合物(a)與銅成分反應而成的銅絡合物也相同)優(yōu)選為1質量％以上，更優(yōu)選為5質量％以上。上限例如優(yōu)選為60質量％以下，更優(yōu)選為40質量％以下，進一步優(yōu)選為20質量％以下。相對于組合物的總固體成分，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物中的銅絡合物的含量優(yōu)選為15質量％以上，更優(yōu)選為20質量％以上，進一步優(yōu)選為25質量％以上。上限優(yōu)選為60質量％以下，更優(yōu)選為50質量％以下，進一步優(yōu)選為45質量％以下。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物所包含的近紅外吸收性物質中，使化合物(a)與銅成分反應而成的化合物的比例優(yōu)選為80質量％以上，更優(yōu)選為90質量％以上，進一步優(yōu)選為95質量％以上。相對于組合物的總固體成分，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物中的銅的含量優(yōu)選為0.1質量％以上，更優(yōu)選為1質量％以上，進一步優(yōu)選為5質量％以上。上限優(yōu)選為30質量％以下，更優(yōu)選為20質量％以下，進一步優(yōu)選為15質量％以下。相對于組合物，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的總固體成分優(yōu)選為1質量％以上，更優(yōu)選為10質量％以上。上限優(yōu)選為60質量％以下，更優(yōu)選為40質量％以下，進一步優(yōu)選為20質量％以下。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物可單獨使用一種所述的本發(fā)明中所用的銅絡合物，也可并用兩種以上。在使用兩種以上的所述的本發(fā)明中所用的銅絡合物的情況下，優(yōu)選為其合計量為所述范圍內。<<其他近紅外吸收性化合物>>為了進行膜分光的調整等，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可配制所述的銅絡合物以外的近紅外吸收性化合物(以下，也稱為其他近紅外吸收性化合物)。在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物含有其他近紅外吸收性化合物的情況下，相對在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的總固體成分，其他近紅外吸收性化合物的含量優(yōu)選為0.01質量％以上，更優(yōu)選為1質量％以上，進一步優(yōu)選為5質量％以上。上限值優(yōu)選為60質量％以下，更優(yōu)選為40質量％以下，進一步優(yōu)選為20質量％以下。并且，也可將本發(fā)明設為不含有其他近紅外吸收性化合物的組成。其他近紅外吸收性化合物只要在700nm～2500nm的范圍內，優(yōu)選為700nm～1200nm的范圍內具有最大吸收波長區(qū)域，則并無特別限制。例如可舉出在700nm～1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長，且該最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)小于100(l/mol·cm)的銅絡合物等。并且，也可使用吡咯并吡咯系化合物、菁系化合物、酞菁系化合物(包含酞菁銅絡合物)、萘酞菁系化合物、亞銨系化合物、硫醇絡合物系化合物、過渡金屬氧化物系化合物、方酸菁鹽系化合物、四萘嵌苯(quaterrylene)系化合物、二硫醇金屬絡合物系化合物、克酮酸(croconium)系化合物等等。吡咯并吡咯系化合物可為顏料，也可為染料，但就容易形成耐熱性優(yōu)異的膜這一理由而言，優(yōu)選為顏料。作為吡咯并吡咯系化合物，例如可舉出日本特開2009-263614號公報的段落編號0016～段落編號0058中所述的吡咯并吡咯化合物等。菁系化合物、酞菁系化合物、亞銨系化合物、方酸菁鹽系化合物及克酮酸系化合物可使用日本特開2010-111750號公報的段落0010～段落0081中所述的化合物，其內容可被編入至本說明書中。并且，菁系化合物例如可參考“功能性色素，大河原信/松岡賢/北尾悌次郎/平嵨恒亮·著，講談社科技(kodanshascientific)”，其內容可被編入至本申請說明書中。并且，酞菁系化合物可參考日本特開2013-195480號公報的段落0013～段落0029的記載，其內容可被編入至本申請說明書中。作為摩爾吸光系數(shù)小于100(l/mol·cm)的銅絡合物，可使用通過包含配位部位的化合物與銅成分的反應而獲得的低分子型的銅絡合物、通過包含配位部位的聚合物(也稱為聚合物(b))與銅成分的反應而獲得的聚合物型的銅絡合物。<<無機微粒子>>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物為了獲得目標的近紅外線遮蔽性，也可含有無機微粒子。無機微粒子可僅使用一種，也可使用兩種以上。無機微粒子是主要發(fā)揮對紅外線進行遮光(吸收)的作用的粒子。就紅外線遮蔽性更優(yōu)異的觀點而言，無機微粒子優(yōu)選為金屬氧化物微粒子或金屬微粒子。作為金屬氧化物粒子，例如可舉出：氧化銦錫(ito)粒子、氧化銻錫(ato)粒子、氧化鋅(zno)粒子、摻鋁氧化鋅(al-dopedzno)粒子、摻氟二氧化錫(f-dopedsno2)粒子、摻鈮二氧化鈦(nb-dopedtio2)粒子等。作為金屬微粒子，例如可舉出：銀(ag)粒子、金(au)粒子、銅(cu)粒子、鎳(ni)粒子等。并且，為了兼具紅外線遮蔽性與光光刻性，理想的是曝光波長(365nm～405nm)的透過率高，優(yōu)選為氧化銦錫(ito)粒子或氧化銻錫(ato)粒子。無機微粒子的形狀并無特別限制，不限于球狀、非球狀，也可為片狀、線狀、管狀。并且，作為無機微粒子，可使用氧化鎢系化合物，具體而言，更優(yōu)選為由下述通式(組成式)(i)所表示的氧化鎢系化合物。mxwyoz……(i)m表示金屬，w表示鎢，0表示氧。0.001≤x/y≤1.12.2≤z/y≤3.0作為m所表示的金屬，可舉出堿金屬、堿土金屬、mg、zr、cr、mn、fe、ru、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、in、tl、sn、pb、ti、nb、v、mo、ta、re、be、hf、os、bi，優(yōu)選為堿金屬，更優(yōu)選為rb或cs，特別優(yōu)選為cs。m的金屬可為一種，也可為兩種以上。通過x/y為0.001以上，可充分地遮蔽紅外線，通過x/y為1.1以下，可更可靠地避免在氧化鎢系化合物中生成雜質相。通過z/y為2.2以上，可進一步提升作為材料的化學穩(wěn)定性，通過z/y為3.0以下，可充分地遮蔽紅外線。作為由所述通式(i)所表示的氧化鎢系化合物的具體例，可舉出cs0.33wo3、rb0.33wo3、k0.33wo3、ba0.33wo3等，優(yōu)選為cs0.33wo3或rb0.33wo3，進一步優(yōu)選為cs0.33wo3。氧化鎢系化合物例如可作為sumitomometalminingco.，ltd.制造的ymf-02、ymf-02a、yms-01a-2、ymf-10a-1等鎢微粒子的分散物而獲得。無機微粒子的平均粒徑優(yōu)選為800nm以下，更優(yōu)選為400nm以下，進一步優(yōu)選為200nm以下。通過無機微粒子的平均粒徑為這種范圍，可使可見光區(qū)域中的透光性變得更可靠。就避免光散射的觀點而言，平均粒徑越小越佳，但就制造時的處理容易性等理由而言，無機微粒子的平均粒徑通常為1nm以上。相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，無機微粒子的含量優(yōu)選為0.01質量％～30質量％。下限優(yōu)選為0.1質量％以上，進一步優(yōu)選為1質量％以上。上限優(yōu)選為20質量％以下，進一步優(yōu)選為10質量％以下。<<溶劑>>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可含有溶劑。溶劑并無特別限制，只要是可使各成分均勻地溶解或分散的溶劑，則可根據(jù)目的而適宜選擇。例如可使用水、有機溶劑。并且，也可并用水與有機溶劑。作為有機溶劑，例如可適宜地舉出：醇類、酮類、酯類、芳香族烴類、鹵化烴類、及二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、環(huán)丁砜等。這些可單獨使用一種，也可并用兩種以上。作為醇類、芳香族烴類、鹵化烴類的具體例，可舉出日本特開2012-194534號公報段落0136等中的記載，其內容可被編入至本申請說明書中。作為酯類、酮類、醚類的具體例，可舉出日本特開2012-208494號公報段落0497(相對應的美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的[0609])中的記載。進一步可舉出：乙酸-正戊酯、丙酸乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、苯甲酸乙酯、硫酸甲酯、丙酮、甲基異丁基酮、二乙醚、乙二醇單丁醚乙酸酯等。作為溶劑，優(yōu)選為使用選自環(huán)戊酮、環(huán)己酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、n-甲基-2-吡咯啶酮、乙酸丁酯、乳酸乙酯及丙二醇單甲醚中的至少一種以上。溶劑的含量優(yōu)選為本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的總固體成分變成5質量％～60質量％的量，更優(yōu)選為變成10質量％～40質量％的量。并且，當并用水與有機溶劑時，以水與有機溶劑的質量比計優(yōu)選為0.1∶99.9～30∶70，更優(yōu)選為0.2∶99.8～20∶80，進一步優(yōu)選為0.5∶99.5～10∶90。溶劑可僅為一種，也可為兩種以上，在兩種以上的情況下，優(yōu)選為合計量成為所述范圍。<<固化性化合物>>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可含有固化性化合物。固化性化合物可為具有聚合性基等的化合物，也可為粘合劑等非聚合性化合物。固化性化合物可為單體、低聚物、預聚物、聚合物等化學方式的任一種。作為固化性化合物，例如可參考日本特開2014-41318號公報的段落0070～段落0191(相對應的國際公開wo2014/017669號手冊的段落0071～段落0192)、日本特開2014-32380號公報的段落0045～段落0216等的記載，其內容可被編入至本申請說明書中。作為固化性化合物，例如可舉出：具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物、具有環(huán)狀醚基(例如環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁基等)的化合物。作為具有烯屬不飽和鍵的基團，優(yōu)選為乙烯基、苯乙烯基、(甲基)丙烯?；?甲基)烯丙基。具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物可為具有一個所述基團的單官能化合物，也可為具有兩個以上所述基團的多官能化合物，但優(yōu)選為多官能化合物。通過近紅外吸收性組合物含有多官能化合物，可進一步提升耐熱性。作為固化性化合物，可舉出：單官能的(甲基)丙烯酸酯、多官能的(甲基)丙烯酸酯(優(yōu)選為三官能～六官能的(甲基)丙烯酸酯)、多元酸改性丙烯酸低聚物、環(huán)氧樹脂、多官能的環(huán)氧樹脂等。并且，在本發(fā)明中，作為固化性化合物，可使用具有由m-x所表示的部分結構的化合物。m為選自si、ti、zr及al中的原子。x為選自羥基、烷氧基、?；趸?、磷酰基氧基、磺酰基氧基、氨基、肟基及0＝c(ra)(rb)中的一種。ra及rb分別獨立地表示一價的有機基。由具有由m-x所表示的部分結構的化合物所獲得的固化物通過牢固的化學結合而進行交聯(lián)，因此耐熱性優(yōu)異。并且，難以產生與近紅外吸收性化合物(特別是銅絡合物)的相互作用，因此可抑制近紅外吸收性化合物的特性下降。因此，可形成維持高近紅外線遮蔽性且耐熱性優(yōu)異的固化膜。在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物含有固化性化合物的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，固化性化合物的含量優(yōu)選為1質量％～90質量％。下限優(yōu)選為5質量％以上，更優(yōu)選為10質量％以上，進一步優(yōu)選為20質量％以上。上限優(yōu)選為80質量％以下，更優(yōu)選為75質量％以下。并且，在使用含有具有聚合性基的重復單元的聚合體作為固化性化合物的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，固化性化合物的含量優(yōu)選為10質量％～75質量％。下限優(yōu)選為20質量％以上。上限優(yōu)選為65質量％以下，進一步優(yōu)選為60質量％以下。固化性化合物可僅為一種，也可為兩種以上。在兩種以上的情況下，優(yōu)選為合計量成為所述范圍。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可實質上不含有固化性化合物。所謂“實質上不含有固化性化合物”，例如相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分而優(yōu)選為0.5質量％以下，更優(yōu)選為0.1質量％以下，尤其優(yōu)選為不含有。<<<具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物>>>在本發(fā)明中，作為固化性化合物，可使用具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物。作為具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物的例子，可參考日本特開2013-253224號公報的段落0033～段落0034的記載，其內容可被編入至本說明書中。作為具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物，優(yōu)選為乙烯氧基改性季戊四醇四丙烯酸酯(市售品為nk酯atm-35e；shin-nakamurachemicalco.，ltd.制造)、二季戊四醇三丙烯酸酯(市售品為kayaradd-330；nipponkayakuco.，ltd.制造)、二季戊四醇四丙烯酸酯(市售品為kayaradd-320；nipponkayakuco.，ltd.制造)、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯(市售品為kayaradd-310；nipponkayakuco.，ltd.制造)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(市售品為kayaraddpha；nipponkayakuco.，ltd.制造、a-dph-12e；shin-nakamurachemicalco.，ltd.制造)，以及這些的(甲基)丙烯?；橛谝叶細埢?、丙二醇殘基之間的結構。并且，也可使用這些的低聚物型。并且，可參考日本特開2013-253224號公報的段落0034～段落0038的聚合性化合物的記載，其內容可被編入至本說明書中。并且，可舉出日本特開2012-208494號公報段落0477(相對應的美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的[0585])中所述的聚合性單體等，這些的內容可被編入至本申請說明書中。并且，優(yōu)選為二甘油eo(環(huán)氧乙烷)改性(甲基)丙烯酸酯(市售品為m-460；toagoseico.，ltd.制造)。季戊四醇四丙烯酸酯(shin-nakamurachemicalco.，ltd.制造、a-tmmt)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(nipponkayakuco.，ltd.制造，kayaradhdda)也優(yōu)選。也可使用這些的低聚物型。例如可舉出rp-1040(nipponkayakuco.，ltd.制造)等。具有含有烯屬不飽和鍵的基團的化合物也可具有羧基、磺基、磷酸基等酸基。作為含有酸基的所述化合物，可舉出脂肪族多羥基化合物與不飽和羧酸的酯等。優(yōu)選為使非芳香族羧酸酐與脂肪族多羥基化合物的未反應的羥基進行反應而具有酸基的化合物，特別優(yōu)選為在該酯中，脂肪族多羥基化合物為季戊四醇及/或二季戊四醇。作為市售品，例如可舉出作為toagoseico.，ltd.制造的多元酸改性丙烯酸低聚物的阿羅尼斯(aronix)系列的m-305、m-510、m-520等。含有酸基的所述化合物的酸價優(yōu)選為0.1mgkoh/g～40mgkoh/g。下限優(yōu)選為5mgkoh/g以上。上限優(yōu)選為30mgkoh/g以下。<<<具有環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物>>>在本發(fā)明中，作為固化性化合物，可使用具有環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物。作為具有環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物，可舉出側鏈上具有環(huán)氧基的聚合物、分子內具有兩個以上的環(huán)氧基的單體或低聚物等。例如可舉出：雙酚a型環(huán)氧樹脂、雙酚f型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、脂肪族環(huán)氧樹脂等。并且，也可舉出單官能縮水甘油醚化合物或多官能縮水甘油醚化合物，優(yōu)選為多官能脂肪族縮水甘油醚化合物。重均分子量優(yōu)選為500～5000000，更優(yōu)選為1000～500000。這些化合物可使用市售品，也可使用通過向聚合物的側鏈導入環(huán)氧基所獲得的化合物。作為市售品，例如可參考日本特開2012-155288號公報段落0191等的記載，這些的內容可被編入至本申請說明書中。并且，可舉出：denacolex-212l、ex-214l、ex-216l、ex-321l、ex-850l(以上，nagasechemtexcorporation制造)等多官能脂肪族縮水甘油醚化合物。這些為低氯品，但也可同樣地使用并非低氯品的ex-212、ex-214、ex-216、ex-321、ex-850等。除此以外，也可舉出：adekaresinep-4000s、adekaresinep-4003s、adekaresinep-4010s、adekaresinep-4011s(以上，adekacorporation制造)，nc-2000、nc-3000、nc-7300、xd-1000、eppn-501、eppn-502(以上，adekacorporation制造)，jer1031s、celloxide2021p、celloxide2081、celloxide2083、celloxide2085、ehpe3150、epoleadpb3600、epoleadpb4700(以上，daicelcorporation制造)，cyclomerpaca200m、cyclomerpaca230aa、cyclomerpacaz250、cyclomerpacaz251、cyclomerpacaz300、cyclomerpacaz320(以上，daicelcorporation制造)等。進而，作為苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂的市售品，可舉出：jer-157s65、jer-152、jer-154、jer-157s70(以上，mitsubishichemicalcorporation制造)等。并且，作為側鏈上具有氧雜環(huán)丁基的聚合物、分子內具有兩個以上的氧雜環(huán)丁基的聚合性單體或低聚物的具體例，可使用：aroneoxetaneoxt-121、oxt-221、ox-sq、pnox(以上，toagoseico.，ltd.制造)。作為具有環(huán)氧基的化合物，也可使用(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或烯丙基縮水甘油醚等具有縮水甘油基作為環(huán)氧基的化合物，優(yōu)選的是具有脂環(huán)式環(huán)氧基的不飽和化合物。作為這種化合物，例如可參考日本特開2009-265518號公報段落0045等的記載，這些的內容可被編入至本申請說明書中。含有環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物也可含有具有環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基作為重復單元的聚合體。具體而言，可舉出具有下述的重復單元的聚合體(共聚物)。[化學式32]<<<具有由m-x所表示的部分結構的化合物>>>在本發(fā)明中，作為固化性化合物，可使用具有由m-x所表示的部分結構的化合物。m為選自si、ti、zr及al中的原子，優(yōu)選為si、ti、zr，更優(yōu)選為si。x為選自羥基、烷氧基、?；趸?、磷?；趸?、磺酰基氧基、氨基、肟基及o＝c(ra)(rb)中的一種，優(yōu)選為烷氧基、?；趸半炕?，更優(yōu)選為烷氧基。并且，在x為o＝c(ra)(rb)的情況下，通過羰基(-co-)的氧原子的未共享電子對而與m鍵合。ra及rb分別獨立地表示一價的有機基。尤其，由m-x所表示的部分結構優(yōu)選為m為si、x為烷氧基的組合。通過該組合，具有適度的反應性，因此可使近紅外吸收性組合物的保存穩(wěn)定性良好。進一步容易形成耐熱性更優(yōu)異的固化膜。烷氧基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10，進一步優(yōu)選為1～5，特別優(yōu)選為1～2。烷氧基可為直鏈、分支、環(huán)狀的任一種，但優(yōu)選為直鏈或分支，更優(yōu)選為直鏈。烷氧基可未經取代，也可具有取代基，但優(yōu)選為未經取代。作為取代基，可舉出：鹵素原子(優(yōu)選為氟原子)、聚合性基(例如乙烯基、(甲基)丙烯?；?、苯乙烯基、環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基等)、氨基、異氰酸酯基、異三聚氰酸酯基、脲基、巰基、硫醚基、磺基、羧基、羥基等。作為?；趸缈膳e出：碳原子數(shù)2～30的經取代或未經取代的烷基羰基氧基、碳原子數(shù)6～30的經取代或未經取代的芳基羰基氧基等。例如可舉出：甲?；趸?、乙酰基氧基、三甲基乙?；趸?、硬脂?；趸?、苯甲?；趸?、對甲氧基苯基羰基氧基等。作為取代基可舉出所述取代基。肟基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10，進一步優(yōu)選為1～5。例如可舉出乙基甲基酮肟基等。作為氨基，可舉出：氨基、碳原子數(shù)1～30的經取代或未經取代的烷基氨基、碳原子數(shù)6～30的經取代或未經取代的芳基氨基、碳原子數(shù)0～30的雜環(huán)氨基等。例如可舉出：氨基、甲基氨基、二甲基氨基、苯氨基、n-甲基-苯氨基、二苯基氨基、n-1，3，5-三嗪-2-基氨基等。作為取代基可舉出所述取代基。作為ra及rb所表示的一價的有機基，可舉出：烷基、芳基、由-r101-cor102所表示的基團等。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10。烷基可為直鏈、分支、環(huán)狀的任一種。烷基可未經取代，也可具有所述取代基。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～20，更優(yōu)選為6～12。芳基可未經取代，也可具有所述取代基。在由-r101-cor102所表示的基團中，r101表示亞芳基，r102表示烷基或芳基。r101所表示的亞芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10。亞芳基可為直鏈、分支、環(huán)狀的任一種。亞芳基可未經取代，也可具有所述取代基。r102所表示的烷基及芳基可舉出ra、rb中的說明，優(yōu)選的范圍也相同。具有由m-x所表示的部分結構的化合物可為低分子化合物、聚合物的任一方式，但就更容易形成耐熱性優(yōu)異的膜這一理由而言，優(yōu)選為聚合物。具有由m-x所表示的部分結構的化合物中，低分子化合物的分子量優(yōu)選為100～1000。上限優(yōu)選為800以下，更優(yōu)選為700以下。并且，分子量為根據(jù)結構式求出的理論值。具有由m-x所表示的部分結構的化合物中，聚合物型化合物的重均分子量優(yōu)選為500～300000。下限優(yōu)選為1000以上，更優(yōu)選為2000以上。上限優(yōu)選為250000以下，更優(yōu)選為200000以下。具有由m-x所表示的部分結構的化合物中，作為低分子化合物，例如可舉出由下述(mx1)所表示的化合物。m-(x1)m……(mx1)m表示選自si、ti、zr及al中的原子，x1表示取代基或配體，m個x1中，至少一個為選自羥基、烷氧基、?；趸?、磷?；趸?、磺酰基氧基、氨基、肟基及o＝c(ra)(rb)中的一種，x1彼此可分別鍵合而形成環(huán)，m表示m與x1的結合鍵的數(shù)量。ra及rb分別獨立地表示一價的有機基。m為選自si、ti、zr及al中的原子，優(yōu)選為si、ti、zr，更優(yōu)選為si。x1表示取代基或配體，m個x1中，至少一個為選自羥基、烷氧基、酰基氧基、磷?；趸?、磺酰基氧基、氨基、肟基及o＝c(ra)(rb)中的一種，優(yōu)選為m個x1中，至少一個為選自烷氧基、?；趸半炕械囊环N，更優(yōu)選為m個x1中，至少一個為烷氧基，進一步優(yōu)選為x1全部為烷氧基。取代基及配體中，羥基、烷氧基、?；趸?、磷?；趸?、磺?；趸?、氨基、肟基及o＝c(ra)(rb)的含義與所述相同，優(yōu)選的范圍也相同。作為羥基、烷氧基、?；趸?、磷?；趸⒒酋；趸?、氨基、肟基以外的取代基，優(yōu)選為烴基。作為烴基，可舉出：烷基、烯基、芳基等。烷基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀的任一種。直鏈狀的烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～12，進一步優(yōu)選為1～8。分支狀的烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為3～12，進一步優(yōu)選為3～8。環(huán)狀的烷基可為單環(huán)、多環(huán)的任一種。環(huán)狀的烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為4～10，進一步優(yōu)選為6～10。烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為2～10，更優(yōu)選為2～8，進一步優(yōu)選為2～4。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～14，進一步優(yōu)選為6～10。烴基也可具有取代基，作為取代基，可舉出：烷基、鹵素原子(優(yōu)選為氟原子)、聚合性基(例如乙烯基、(甲基)丙烯?；?、苯乙烯基、環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基等)、氨基、異氰酸酯基、異三聚氰酸酯基、脲基、巰基、硫醚基、磺基、羧基、羥基、烷氧基等。作為m由si表示的化合物，可舉出：甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、1，6-雙(三甲氧基硅烷基)己烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、對苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基硅烷基-n-(1，3-二甲基-亞丁基)丙基胺、n-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-(乙烯基芐基)-2-氨乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷的鹽酸鹽、三-(三甲氧基硅烷基丙基)異三聚氰酸酯、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、雙(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫醚、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等。作為市售品，可舉出：shin-etsusiliconeco.，ltd.制造的kbm-13、kbm-22、kbm-103、kbe-13、kbe-22、kbe-103、kbm-3033、kbe-3033、kbm-3063、kbe-3063、kbe-3083、kbm-3103、kbm-3066、kbm-7103、sz-31、kpn-3504、kbm-1003、kbe-1003、kbm-303、kbm-402、kbm-403、kbe-402、kbe-403、kbm-1403、kbm-502、kbm-503、kbe-502、kbe-503、kbm-5103、kbm-602、kbm-603、kbm-903、kbe-903、kbe-9103、kbm-573、kbm-575、kbm-9659、kbe-585、kbm-802、kbm-803、kbe-846、kbe-9007等。作為m由ti表示的化合物，可舉出：四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯、丁基鈦酸酯二聚物、四辛基鈦酸酯、雙(乙酰丙酮)二異丙氧基鈦酸酯、四乙酰丙酮鈦、雙(乙酰乙酸乙酯)二異丙氧基鈦酸酯、磷酸鈦化合物、二-2-乙基己氧基雙(2-乙基-3-羥基六氧化物)鈦、雙(乙酰乙酸乙酯)二異丙氧基鈦酸酯、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、雙(三乙醇胺)二異丙氧基鈦酸酯、叔戊基鈦酸酯、四-叔丁基鈦酸酯、四硬脂基鈦酸酯、鈦-1，3-丙二氧基雙(乙酰乙酸乙酯)、十二烷基苯磺酸鈦化合物、異硬脂酸鈦、二乙醇胺鈦酸酯、氨乙基氨基乙醇鈦等。作為市售品，可舉出：matsumotofinechemicalco.，ltd.制造的orgatix系列(例如：ta-10、ta-21、ta-23、ta-30、tc-100、tc-401、tc-710、tc-1040、tc-201、tc-750、tc-300、tc-310、tc-315、tc-400、ta-60、ta-80、ta-90、tc-120、tc-220、tc-730、tc-810、tc-800、tc-500、tc-510等)，ajinomotofine-technoco.，inc.制造的plenact系列(例如：tts、46b、55、41b、38s、138s、238s、338x、44、9sa、et等)。作為m由zr表示的化合物，可舉出：四正丙醇鋯、四正丁醇鋯、四乙酰丙酮鋯、三丁氧基單乙酰丙酮鋯、二丁氧基雙(乙酰乙酸乙酯)鋯等。作為市售品，可舉出：matsumotofinechemicalco.，ltd.制造的orgatix系列(例如：za-45、za-65、zc-150、zc-540、zc-700、zc-580、zc-200、zc-320、zc-126、zc-300等)。作為m由al表示的化合物，可舉出乙酰乙酸烷基酯二異丙醇鋁等。作為市售品，可舉出ajinomotofine-technoco.，inc.制造的plenactal-m等。具有由m-x所表示的部分結構的化合物中，作為聚合物型化合物，例如可舉出：丙烯酸樹脂、丙烯酰胺樹脂、苯乙烯樹脂、聚硅氧烷等。其中，就皮膜性的提高·涂布液粘度調整的容易性這一理由而言，優(yōu)選為丙烯酸樹脂、丙烯酰胺樹脂或苯乙烯樹脂。作為聚合物型化合物的具體例，例如可舉出：具有選自由下述(mx2-1)所表示的重復單元、由下述(mx2-2)所表示的重復單元及由下述(mx2-3)所表示的重復單元中的一種的聚合物等。[化學式33]m表示選自si、ti、zr及al中的原子，x2表示取代基或配體，n個x2中，至少一個為選自羥基、烷氧基、?；趸⒘柞；趸⒒酋；趸?、氨基、肟基及o＝c(ra)(rb)中的一種，x2彼此可分別鍵合而形成環(huán)，r1表示氫原子或烷基，l1表示單鍵或二價的連接基，n表示m與x2的結合鍵的數(shù)量。m、x2的含義與(mx1)的m及x1相同，優(yōu)選的范圍也相同。r1表示氫原子或烷基。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～5，進一步優(yōu)選為1～3，特別優(yōu)選為1。烷基優(yōu)選為直鏈、分支的任一種，更優(yōu)選為直鏈。烷基的氫原子的一部分或全部可經鹵素原子(優(yōu)選為氟原子)取代。l1表示單鍵或二價的連接基。作為二價的連接基，可舉出：亞烷基、亞芳基、-o-、-s-、-co-、-coo-、-oco-、-so2-、-nr10-(r10表示氫原子或烷基，優(yōu)選為氫原子)、或包含這些的組合的基團，優(yōu)選為亞烷基、包含亞芳基及亞烷基的至少一個與-o-的組合的基團。亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～30，更優(yōu)選為1～15，進一步優(yōu)選為1～10。亞烷基可具有取代基，但優(yōu)選為未經取代。亞烷基可為直鏈、分支、環(huán)狀的任一種。并且，環(huán)狀的亞烷基可為單環(huán)、多環(huán)的任一種。亞芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～14，進一步優(yōu)選為6～10，特別優(yōu)選為亞苯基。除由式(mx2-1)、式(mx2-2)、式(mx2-3)所表示的重復單元以外，所述聚合物型化合物也可含有其他重復單元。作為構成其他重復單元的成分，可參考日本特開2010-106268號公報的段落編號0068～段落編號0075(相對應的美國專利申請公開第2011/0124824號說明書的[0112]～[0118])中所公開的共聚成分的記載，這些的內容可被編入至本申請說明書中。作為優(yōu)選的其他重復單元，可舉出由下述式(mx3-1)～式(mx3-6)所表示的重復單元。[化學式34]式(mx3-1)～式(mx3-6)中，r5表示氫原子或烷基，l4～l7分別獨立地表示單鍵或二價的連接基，r10～r13分別獨立地表示烷基或芳基。r5的含義與式(mx2-1)～式(mx2-3)的r1相同，優(yōu)選的范圍也相同。l4～l7的含義與式(mx2-1)～式(mx2-3)的l1相同，優(yōu)選的范圍也相同。由r10所表示的烷基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀的任一種，優(yōu)選為環(huán)狀。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～30，更優(yōu)選為1～20，進一步優(yōu)選為1～10。烷基可具有取代基，作為取代基，可舉出所述取代基。由r10所表示的芳基可為單環(huán)，也可為多環(huán)，但優(yōu)選為單環(huán)。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12，進一步優(yōu)選為6。r10優(yōu)選為環(huán)狀的烷基或芳基。由r11、r12所表示的烷基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀的任一種，優(yōu)選為直鏈狀或分支狀。烷基可經取代，作為取代基，可舉出所述取代基。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，更優(yōu)選為1～6，進一步優(yōu)選為1～4。由r11、r12所表示的芳基可為單環(huán)，也可為多環(huán)，但優(yōu)選為單環(huán)。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12，進一步優(yōu)選為6。r11、r12優(yōu)選為直鏈狀或分支狀的烷基。由r13所表示的烷基可為直鏈狀、分支狀或環(huán)狀的任一種，優(yōu)選為直鏈狀或分支狀。烷基可經取代，作為取代基，可舉出所述取代基。烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，更優(yōu)選為1～6，進一步優(yōu)選為1～4。由r13所表示的芳基可為單環(huán)，也可為多環(huán)，但優(yōu)選為單環(huán)。芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6～18，更優(yōu)選為6～12，進一步優(yōu)選為6。r13優(yōu)選為直鏈狀或分支狀的烷基、或芳基。當所述聚合物型化合物含有其他重復單元(優(yōu)選為由式(mx3-1)～式(mx3-6)所表示的重復單元)時，由式(mx2-1)～式(mx2-3)所表示的重復單元的合計與其他重復單元的合計的摩爾比優(yōu)選為95∶5～20∶80，更優(yōu)選為90∶10～40∶60。通過使由式(mx2-1)～式(mx2-3)所表示的重復單元的含有率提高至所述范圍內，存在所獲得的固化膜的耐濕性及耐溶劑性進一步提高的傾向。并且，通過使由式(mx2-1)～式(mx2-3)所表示的重復單元的含有率降低至所述范圍內，存在所獲得的固化膜的耐熱性進一步提高的傾向。作為m由si表示的聚合物型化合物，例如可舉出下述所示的化合物。并且，重復單元中所述的數(shù)值為摩爾比。并且，mw為重均分子量。并且，me表示甲基，et表示乙基。[化學式35][化學式36][化學式37][化學式38]本發(fā)明中，作為具有由m-x所表示的部分結構的聚合物型化合物，也可使用聚硅氧烷。作為聚硅氧烷，可舉出：shin-etsusiliconeco.，ltd.制造的kc-89s、kr-500、x-40-9225、x-40-9246、x-40-9250(均為具有甲氧基的甲基系硅酮烷氧基低聚物)，kr-9218、kr-213、kr-510、x-40-9227、x-40-9247(均為具有甲氧基的甲基苯基系硅酮烷氧基低聚物)，x-41-1053、x-41-1059、a、x-41-1056、x-41-1805、x-41-1818、x-41-1810、kr-513、x-40-2672b、x-40-9272b、x-40-2651、x-40-2308、x-40-9238(硅酮烷氧基低聚物)等。在含有具有由m-x所表示的部分結構的化合物作為固化性化合物的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，具有由m-x所表示的部分結構的化合物的含量優(yōu)選為15質量％以上，更優(yōu)選為20質量％以上，進一步優(yōu)選為25質量％以上。上限并無特別限定，但優(yōu)選為99質量％以下，更優(yōu)選為90質量％以下，進一步優(yōu)選為80質量％以下，尤其優(yōu)選為70質量％以下。若具有由m-x所表示的部分結構的化合物的含量為所述范圍，則容易形成耐熱性優(yōu)異的固化膜。并且，具有由m-x所表示的部分結構的化合物與銅絡合物的質量比優(yōu)選為具有由m-x所表示的部分結構的化合物∶銅絡合物＝15∶85～90∶10，更優(yōu)選為20∶80～80∶20，進一步優(yōu)選為25∶75～70∶30。若兩者之比為所述范圍，則容易形成維持高近紅外線遮蔽性且耐熱性優(yōu)異的固化膜。并且，也可設為具有由m-x所表示的部分結構的化合物實質上是由選自所述低分子化合物及聚合物型化合物中的一種構成的方式。并且，所謂“實質上是由選自低分子化合物及聚合物型化合物中的一種構成”，例如在低分子化合物及聚合物型化合物中，優(yōu)選為目標型化合物以外的含量在具有由m-x所表示的部分結構的化合物的總量中為1質量％以下，更優(yōu)選為0.5質量％以下，尤其優(yōu)選為不含有。例如在目標型化合物為聚合物型化合物的情況下，低分子化合物相當于除目標型化合物以外的化合物。并且，也可將選自低分子化合物中的一種以上與選自聚合物型化合物中的一種以上組合使用。低分子化合物的合計與聚合物型化合物的合計的質量比優(yōu)選為1∶9～5∶5，進一步優(yōu)選為1∶9～4∶6，特別優(yōu)選為1∶9～3∶7。<<<其他固化性化合物>>>在本發(fā)明中，作為固化性化合物，可使用具有己內酯改性結構的聚合性化合物。作為具有己內酯改性結構的聚合性化合物，可參考日本特開2013-253224號公報的段落0042～段落0045的記載，其內容可被編入至本說明書中。具有己內酯改性結構的聚合性化合物例如可舉出：作為kayaraddpca系列而由nipponkayakuco.，ltd.市售的dpca-20、dpca-30、dpca-60、dpca-120等，sartomercompany，inc.制造的作為具有四個亞乙氧基鏈的四官能丙烯酸酯的sr-494、作為具有三個亞異丁氧基鏈的三官能丙烯酸酯的tpa-330等。<<粘合劑聚合物>>為了提升膜特性等，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物可含有粘合劑聚合物。作為粘合劑聚合物，可優(yōu)選使用堿可溶性樹脂。通過含有堿可溶性樹脂，對于耐熱性等的提升、或涂布適性的微調整有效果。作為堿可溶性樹脂，可參考日本特開2012-208494號公報段落0558～段落0571(相對應的美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的[0685]～[0700])的記載，這些的內容可被編入至本申請說明書中。在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物含有粘合劑聚合物的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，粘合劑聚合物的含量優(yōu)選為1質量％～80質量％。下限優(yōu)選為5質量％以上，更優(yōu)選為7質量％以上。上限優(yōu)選為50質量％以下，更優(yōu)選為30質量％以下。<<表面活性劑>>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可含有表面活性劑。表面活性劑可僅使用一種，也可將兩種以上加以組合。在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物含有表面活性劑的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，表面活性劑的含量優(yōu)選為0.0001質量％～2質量％。下限優(yōu)選為0.005質量％以上，進一步優(yōu)選為0.01質量％以上。上限優(yōu)選為1.0質量％以下，進一步優(yōu)選為0.1質量％以下。作為表面活性劑，可使用氟系表面活性劑、非離子系表面活性劑、陽離子系表面活性劑、陰離子系表面活性劑、硅酮系表面活性劑等各種表面活性劑。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物優(yōu)選為含有氟系表面活性劑及硅酮系表面活性劑的至少一方。被涂布面與涂布液的界面張力下降，對于被涂布面的潤濕性得到改善。因此，近紅外吸收性組合物的液體特性(特別是流動性)提升，涂布厚度的均一性或省液性進一步改善。其結果，即便在以少量的液量形成幾μm左右的薄膜的情況下，也可進行厚度不均小的厚度均一的膜形成。氟系表面活性劑的氟含有率優(yōu)選為3質量％～40質量％。下限優(yōu)選為5質量％以上，進一步優(yōu)選為7質量％以上。上限優(yōu)選為30質量％以下，進一步優(yōu)選為25質量％以下。在氟含有率為所述范圍內的情況下，就涂布膜的厚度的均一性或省液性的觀點而言有效，在近紅外吸收性組合物中的溶解性也良好。作為氟系表面活性劑，具體而言，可舉出日本特開2014-41318號公報的段落0060～段落0064(相對應的國際公開w02014/17669號手冊的段落0060～段落0064)等中所述的表面活性劑，這些的內容可被編入至本申請說明書中。作為氟系表面活性劑，例如可舉出：megafacf171、megafacf172、megafacf173、megafacf176、megafacf177、megafacf141、megafacf142、megafacf143、megafacf144、megafacr30、megafacf437、megafacf475、megafacf479、megafacf482、megafacf554、megafacf780、megafacrs-72-k(以上，diccorporation制造)，fluoradfc430、fluoradfc431、fluoradfc171(以上，sumitomo3mlimited制造)，surflons-382、surflonsc-101、surflonsc-103、surflonsc-104、surflonsc-105、surflonsc1068、surflonsc-381、surflonsc-383、surflons393、surflonkh-40(以上，asahiglassco.，ltd.制造)，pf636、pf656、pf6320、pf6520、pf7002(omnovasolutionsinc.制造)等。氟系表面活性劑也可使用日本特開2015-117327號公報的段落0015～段落0158中所述的化合物。也可使用嵌段聚合物作為氟系表面活性劑，作為具體例，例如可舉出日本特開2011-89090號公報中所述的化合物。氟系表面活性劑也可優(yōu)選使用含氟高分子化合物，所述含氟高分子化合物包含來源于具有氟原子的(甲基)丙烯酸酯化合物的重復單元、與來源于具有兩個以上(優(yōu)選為五個以上)的亞烷氧基(優(yōu)選為亞乙氧基、亞丙氧基)的(甲基)丙烯酸酯化合物的重復單元，下述化合物也可作為本發(fā)明中所用的氟系表面活性劑而例示。[化學式39]所述化合物的重均分子量優(yōu)選為3,000～50,000，例如為14,000。并且，也可將側鏈上具有烯屬不飽和基的含氟聚合體用作氟系表面活性劑。作為具體例，可舉出：日本特開2010-164965號公報0050段落～0090段落及0289段落～0295段落中所述的化合物，例如diccorporation制造的megafacrs-101、megafacrs-102、megafacrs-718k等。<<聚合引發(fā)劑>>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可含有聚合引發(fā)劑。作為聚合引發(fā)劑，只要具有通過光、熱的任一方或所述兩者來使聚合性化合物的聚合開始的能力，則并無特別限制，但優(yōu)選為光聚合引發(fā)劑。作為聚合引發(fā)劑，優(yōu)選為具有芳香族基的化合物。例如可舉出：?；⒒衔铮揭彝衔?，d-氨基酮化合物，二苯甲酮化合物，安息香醚化合物，縮酮衍生物化合物，噻噸酮化合物，肟化合物，六芳基聯(lián)咪唑化合物，三鹵甲基化合物，偶氮化合物，有機過氧化物，重氮鎓化合物、碘化合物、锍化合物、吖嗪鎓化合物、茂金屬化合物等鎓鹽化合物，有機硼鹽化合物，二砜化合物，硫醇化合物等。聚合引發(fā)劑可參考日本特開2013-253224號公報的段落0217～段落0228的記載，其內容可被編入至本說明書中。聚合引發(fā)劑優(yōu)選為肟化合物、苯乙酮化合物或?；⒒衔?。作為苯乙酮化合物的市售品，可使用：irgacure-907、irgacure-369、irgacure-379(商品名：basfcorporation制造)等。作為酰基膦化合物的市售品，可使用：irgacure-819、darocur-tpo(商品名：basfcorporation制造)等。在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物含有聚合引發(fā)劑的情況下，相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，聚合引發(fā)劑的含量優(yōu)選為0.01質量％～30質量％。下限優(yōu)選為0.1質量％以上。上限優(yōu)選為20質量％以下，更優(yōu)選為15質量％以下。聚合引發(fā)劑可僅為一種，也可為兩種以上，在兩種以上的情況下，優(yōu)選為合計量成為所述范圍。(熱穩(wěn)定性賦予劑)本發(fā)明的近紅外吸收性組合物也可含有熱穩(wěn)定性賦予劑。作為熱穩(wěn)定性賦予劑，可舉出肟化合物。作為肟化合物，可使用作為市售品的irgacure-oxe01(basfcorporation制造)、irgacure-oxe02(basfcorporation制造)，tr-pbg-304(常州強力電子新材料有限公司制造)，adekaarklsnci-831(adekacorporation制造)、adekaarklsnci-930(adekacorporation制造)等。本發(fā)明也可使用具有氟原子的肟化合物作為肟化合物。作為具有氟原子的肟化合物的具體例，可舉出日本特開2010-262028號公報所述的化合物，日本專利特表2014-500852號公報所述的化合物24、化合物36～化合物40，日本特開2013-164471號公報所述的化合物(c-3)等。其內容可被編入至本說明書中。本發(fā)明可使用具有硝基的肟化合物作為肟化合物。作為具有硝基的肟化合物的具體例，可舉出日本特開2013-114249號公報的段落0031～段落0047、日本特開2014-137466號公報的段落0008～段落0012、段落0070～段落0079中所述的化合物、或adekaarklsnci-831(adekacorporation制造)。相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，熱穩(wěn)定性賦予劑的含量優(yōu)選為0.01質量％～30質量％。下限優(yōu)選為0.1質量％以上。上限優(yōu)選為20質量％以下，更優(yōu)選為10質量％以下。(催化劑)本發(fā)明的近紅外吸收性組合物可含有催化劑。例如在使用具有由m-x所表示的部分結構的化合物作為固化性化合物的情況下，通過含有催化劑，促進固化性化合物的交聯(lián)反應，容易獲得耐溶劑性或耐熱性優(yōu)異的固化膜。作為催化劑，可舉出：有機金屬系催化劑、酸系催化劑、胺系催化劑，優(yōu)選為有機金屬系催化劑。作為有機金屬系催化劑，可舉出三(2，4-戊二酮酸(pentanedionate))鋁(iii)等。相對于近紅外吸收性組合物的總固體成分，催化劑的含量優(yōu)選為0.01質量％～5質量％。下限優(yōu)選為0.05質量％以上。上限優(yōu)選為3質量％以下，更優(yōu)選為1質量％以下。<<其他成分>>作為可在本發(fā)明的近紅外吸收性組合物中并用的其他成分，例如可舉出分散劑、敏化劑、交聯(lián)劑、固化促進劑、填料、熱固化促進劑、熱阻聚劑、增塑劑等，進而也可并用針對基材表面的密合促進劑及其他助劑類(例如導電性粒子、填充劑、消泡劑、阻燃劑、流平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、表面張力調整劑、鏈轉移劑等)。通過適宜含有這些成分，而可調整作為目標的近紅外吸收性組合物的穩(wěn)定性、膜物性等性質。這些成分例如可參考日本特開2012-003225號公報的段落編號0183以后(相對應的美國專利申請公開第2013/0034812號說明書的[0237]以后)的記載，日本特開2008-250074號公報的段落編號0101～段落編號0104、段落編號0107～段落編號0109等的記載，這些的內容可被編入至本申請說明書中。<近紅外吸收性組合物的制備、用途>本發(fā)明的近紅外吸收性組合物可混合所述各成分而制備。在制備組合物時，可將構成組合物的各成分一次性配制，也可將各成分溶解于有機溶劑并進行分散后逐次配制。并且，配制時的投入順序或作業(yè)條件不特別受限制。本發(fā)明中，優(yōu)選為利用過濾器進行過濾來去除異物或減少缺陷等。只要為先前以來用于過濾用途等中的過濾器，則可無特別限定地使用過濾器。例如可舉出：聚四氟乙烯(ptfe)等氟樹脂、尼龍-6、尼龍-6，6等聚酰胺系樹脂、聚乙烯、聚丙烯(pp)等聚烯烴樹脂(包含高密度、超高分子量)等的過濾器。這些原材料中，優(yōu)選為聚丙烯(包含高密度聚丙烯)及尼龍。過濾器的孔徑優(yōu)選為0.1μm～7.0μm，更優(yōu)選為0.2μm～2.5μm，進一步優(yōu)選為0.2μm～1.5μm，尤其優(yōu)選為0.3μm～0.7μm。通過設定為該范圍，可抑制過濾堵塞且可將組合物中所含的雜質或凝聚物等微細的異物可靠地去除。在使用過濾器時，也可將不同的過濾器組合。此時，利用第1過濾器的過濾可僅進行一次，也可進行兩次以上。在將不同的過濾器組合而進行兩次以上的過濾的情況下，優(yōu)選為第二次過濾以后的孔徑與第一次過濾的孔徑相等，或大于第一次過濾的孔徑。并且，也可將在所述范圍內孔徑不同的第1過濾器組合。此處的孔徑可參照過濾器廠商(filtermaker)的標稱值。作為市售的過濾器，例如可自nihonpallltd.、advantectoyoco.，ltd.、entegrisjapanco.，ltd.(原japanesemykroliscorporation)或kitzmicrofiltercorporation等所提供的各種過濾器中選擇。第2過濾器可使用由與所述第1過濾器相同的材料等所形成的材料。第2過濾器的孔徑優(yōu)選為0.2μm～10.0μm，更優(yōu)選為0.2μm～7.0μm，進一步優(yōu)選為0.3μm～6.0μm。通過設定為該范圍，可在使組合物中所含有的成分粒子殘存的狀態(tài)下去除異物。關于本發(fā)明的近紅外吸收性組合物，在使用本發(fā)明的近紅外吸收性組合物制造干燥后的膜厚為100μm的膜的情況下，膜的厚度方向的波長550nm中的透光率優(yōu)選為45％以上，更優(yōu)選為80％以上，進一步優(yōu)選為85％以上，尤其優(yōu)選為90％以上，特別優(yōu)選為92％以上，最優(yōu)選為95％以上。并且，膜的厚度方向的波長800nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。在通過涂布來形成近紅外截止濾光片的情況下，本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的粘度優(yōu)選為1mpa·s～3000mpa·s。下限優(yōu)選為10mpa·s以上，進一步優(yōu)選為100mpa·s以上。上限優(yōu)選為2000mpa·s以下，進一步優(yōu)選為1500mpa·s以下。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的總固體成分通過涂布方法來變更，例如優(yōu)選為1質量％～50質量％。下限更優(yōu)選為10質量％以上。上限更優(yōu)選為30質量％以下。本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的用途并無特別限定，可優(yōu)選地用于近紅外截止濾光片等的形成。例如可優(yōu)選地用于固體成像元件的受光側的近紅外截止濾光片(例如，針對晶片級透鏡的近紅外截止濾光片用等)、固體成像元件的背面?zhèn)?與受光側為相反的側)的近紅外截止濾光片等。尤其，可優(yōu)選地用作固體成像元件的受光側的近紅外截止濾光片。<近紅外截止濾光片>其次，對本發(fā)明的近紅外截止濾光片進行說明。本發(fā)明的近紅外截止濾光片為使用所述本發(fā)明的近紅外吸收性組合物而成。本發(fā)明的近紅外截止濾光片優(yōu)選為透光率滿足以下的(1)～(9)中的至少一個條件，更優(yōu)選為滿足以下的(1)～(8)的所有條件，進一步優(yōu)選為滿足(1)～(9)的所有條件。(1)波長400nm中的透光率優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為85％以上，進一步優(yōu)選為90％以上，尤其優(yōu)選為92％以上，特別優(yōu)選為95％以上。(2)波長450nm中的透光率優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為85％以上，進一步優(yōu)選為90％以上，尤其優(yōu)選為92％以上，特別優(yōu)選為95％以上。(3)波長500nm中的透光率優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為85％以上，進一步優(yōu)選為90％以上，尤其優(yōu)選為92％以上，特別優(yōu)選為95％以上。(4)波長550nm中的透光率優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為85％以上，進一步優(yōu)選為90％以上，尤其優(yōu)選為92％以上，特別優(yōu)選為95％以上。(5)波長700nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。(6)波長750nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。(7)波長800nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。(8)波長850nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。(9)波長900nm中的透光率優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為20％以下，進一步優(yōu)選為15％以下，尤其優(yōu)選為10％以下，特別優(yōu)選為5％以下。近紅外截止濾光片優(yōu)選為膜的厚度方向的400nm～550nm的波長區(qū)域的所有范圍內的透光率為85％以上，更優(yōu)選為90％以上，進一步優(yōu)選為95％以上。可見區(qū)域中的透光率越高越佳，優(yōu)選為在400nm～550nm的波長區(qū)域中的透光率高。并且，優(yōu)選為700nm～800nm的波長區(qū)域的至少一處的透光率為25％以下，更優(yōu)選為20％以下。其中，優(yōu)選為700nm～800nm的波長區(qū)域的所有范圍內的透光率為25％以下，更優(yōu)選為20％以下。近紅外截止濾光片的膜厚優(yōu)選為300μm以下，進一步優(yōu)選為200μm以下，特別優(yōu)選為100μm以下。膜厚的下限例如優(yōu)選為0.1μm以上，更優(yōu)選為0.2μm以上，更優(yōu)選為0.5μm以上。根據(jù)本發(fā)明的近紅外吸收性組合物，因具有高近紅外線遮蔽性，因此可使近紅外截止濾光片的膜厚變薄。本發(fā)明的近紅外截止濾光片可用于具有吸收·截止近紅外線的功能的透鏡(數(shù)位照相機或移動電話或車載照相機等照相機用透鏡、f-θ透鏡、讀取透鏡等光學透鏡)及半導體受光元件用的濾光器、為了節(jié)能而阻斷紅外線的近紅外吸收膜或近紅外吸收板、以太陽光的選擇性的利用為目的的農業(yè)用涂布劑、利用近紅外線的吸收熱的記錄媒體、電子機器用或照片用近紅外線濾光片、保護眼鏡、太陽眼鏡、紅外線阻斷膜、光學文字讀取記錄、防止機密文件復印用途、電子照片感光體、激光焊接等。并且，作為ccd照相機用雜訊截止濾光片、cm0s影像傳感器用濾光片也有用。<近紅外截止濾光片的制造方法>本發(fā)明的近紅外截止濾光片可經應用本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的工序來制造。具體而言，可經如下的工序來制造：通過將本發(fā)明的近紅外吸收性組合物應用于支撐體上來形成膜的工序、對膜進行干燥的工序。關于膜厚、層疊結構等，可根據(jù)目的而適宜選擇。并且，可進一步進行形成圖案的工序。形成膜的工序例如可通過使用滴加法(滴落澆鑄)、旋轉涂布機、狹縫式旋轉涂布機、狹縫式涂布機、網版印刷、敷料器涂布等來將本發(fā)明的近紅外吸收性組合物實施于支撐體上。在滴加法(滴落澆鑄)的情況下，為了以規(guī)定的膜厚獲得均勻的膜，優(yōu)選為在支撐體上形成將光阻劑作為隔壁的近紅外吸收性組合物的滴加區(qū)域。通過調整近紅外吸收性組合物的滴加量及固體成分濃度、滴加區(qū)域的面積，而可獲得所期望的膜厚。作為干燥后的膜的厚度，并無特別限制，可根據(jù)目的而適宜選擇。支撐體也可為包含玻璃等的透明基板。并且，也可為固體成像元件。并且，也可為設置于固體成像元件的受光側的其他基板。并且，也可為設置于固體成像元件的受光側的平坦化層等層。在對膜進行干燥的工序中，作為干燥條件，也根據(jù)各成分、溶劑的種類、使用比例等而不同。例如優(yōu)選為60℃～150℃的溫度、30秒～15分鐘。作為形成圖案的工序，例如可舉出包含如下的工序的方法等：將本發(fā)明的近紅外吸收性組合物應用于支撐體上來形成膜狀的組合物層的工序、將組合物層曝光成圖案狀的工序、及將未曝光部顯影去除來形成圖案的工序。作為形成圖案的工序，可通過光光刻法來形成圖案，也可通過干式蝕刻法來形成圖案。近紅外截止濾光片的制造方法中，也可包含其他工序。作為其他工序，并無特別限制，可根據(jù)目的而適宜選擇。例如可舉出：基材的表面處理工序、前加熱工序(預烘烤工序)、固化處理工序、后加熱工序(后烘干工序)等。<<前加熱工序·后加熱工序>>前加熱工序及后加熱工序中的加熱溫度優(yōu)選為80℃～200℃。上限優(yōu)選為150℃以下。下限優(yōu)選為90℃以上。前加熱工序及后加熱工序中的加熱時間優(yōu)選為30秒～240秒。上限優(yōu)選為180秒以下。下限優(yōu)選為60秒以上。<<固化處理工序>>固化處理工序是根據(jù)需要對所形成的所述膜進行固化處理的工序，通過進行該處理，近紅外截止濾光片的機械強度提升。作為固化處理工序，并無特別限制，可根據(jù)目的而適宜選擇。例如可適宜地舉出全面曝光處理、全面加熱處理等。此處，本發(fā)明中，所謂“曝光”是以不僅包含照射各種波長的光，也包含照射電子束、x射線等放射線的含義來使用。曝光優(yōu)選為通過照射放射線來進行，作為可在曝光時使用的放射線，尤其可優(yōu)選使用電子束、krf、arf、g射線、h射線、i射線等紫外線或可見光。作為曝光方式，可舉出：步進式曝光、或利用高壓汞燈的曝光等。曝光量優(yōu)選為5mj/cm2～3000mj/cm2。上限優(yōu)選為2000mj/cm2以下，更優(yōu)選為1000mj/cm2以下。下限優(yōu)選為10mj/cm2以上，更優(yōu)選為50mj/cm2以上。作為全面曝光處理的方法，例如可舉出對所形成的膜的全面進行曝光的方法。當近紅外吸收性組合物含有聚合性化合物時，通過全面曝光來促進聚合性化合物的固化，膜的固化進一步進行，且機械強度、耐久性得到改良。作為進行全面曝光的裝置，并無特別限制，可根據(jù)目的而適宜選擇，例如可適宜地舉出超高壓汞燈等紫外線曝光機。并且，作為全面加熱處理的方法，可舉出對所形成的所述膜的全面進行加熱的方法。通過全面加熱而可提高圖案的膜強度。全面加熱中的加熱溫度優(yōu)選為100℃～260℃。下限優(yōu)選為120℃以上，更優(yōu)選為160℃以上。上限優(yōu)選為240℃以下，更優(yōu)選為220℃以下。若加熱溫度為所述范圍，則容易獲得強度優(yōu)異的膜。全面加熱中的加熱時間優(yōu)選為1分鐘～180分鐘。下限優(yōu)選為3分鐘以上。上限優(yōu)選為120分鐘以下。作為進行全面加熱的裝置，并無特別限制，可根據(jù)目的而自公知的裝置中適宜選擇，例如可舉出：干燥烘箱、加熱板、紅外線(ir)加熱器等。<相機模塊、相機模塊的制造方法>本發(fā)明的相機模塊具有固體成像元件、配置于固體成像元件的受光側的近紅外截止濾光片。并且，本發(fā)明的相機模塊的制造方法具有在固體成像元件的受光側，涂布所述本發(fā)明的近紅外吸收性組合物的工序。圖1是表示具有本發(fā)明的實施方式的近紅外截止濾光片的相機模塊的構成的概略剖視圖。相機模塊10例如包括：固體成像元件11、設置于固體成像元件的主面?zhèn)?受光側)的平坦化層12、近紅外截止濾光片13、及配置于近紅外截止濾光片的上方且在內部空間具有成像透鏡14的透鏡支架15。在相機模塊10中，來自外部的入射光hv依次透過成像透鏡14、近紅外截止濾光片13、平坦化層12后，到達固體成像元件11的成像元件部。固體成像元件11例如在作為基體的硅基板16的主面上依次具備光電二極管、層間絕緣膜(未圖示)、基底層(未圖示)、彩色濾光片17、外涂層(未圖示)、微透鏡18。以對應于固體成像元件11的方式，分別配置有彩色濾光片17(紅色的彩色濾光片、綠色的彩色濾光片、藍色的彩色濾光片)或微透鏡18。并且，也可為如下的方式：在微透鏡18的表面、基底層與彩色濾光片17之間、或彩色濾光片17與外涂層之間設置近紅外截止濾光片13來代替在平坦化層12的表面設置近紅外截止濾光片13。例如，近紅外截止濾光片13也可設置于自微透鏡表面起2mm以內(更優(yōu)選為1mm以內)的位置上。若設置于該位置上，則可簡化形成近紅外截止濾光片的工序，可充分地截止朝向微透鏡的不需要的近紅外線，因此可進一步提高近紅外線遮蔽性。本發(fā)明的近紅外截止濾光片可供于回流焊工序。通過回流焊工序來制造相機模塊，由此可實現(xiàn)需要進行焊接的電子器件安裝基板等的自動安裝化，與不使用回流焊工序的情況相比，可格外地提升生產性。進而，由于可自動地進行，因此也可謀求低成本化。當被供于回流焊工序時，由于會暴露于250℃～270℃左右的溫度下，因此近紅外截止濾光片優(yōu)選為具有經得起回流焊工序的耐熱性(以下，也稱為“耐回流焊性”)。在本說明書中，所謂“具有耐回流焊性”，是指在200℃下進行10分鐘加熱的前后保持作為近紅外截止濾光片的特性。更優(yōu)選為在230℃下進行10分鐘加熱的前后保持特性。進一步優(yōu)選為在250℃下進行3分鐘加熱的前后保持特性。當不具有耐回流焊性時，在以所述條件進行保持的情況下，存在近紅外截止濾光片的近紅外線遮蔽性下降、或作為膜的功能變得不充分的情況。并且，本發(fā)明也涉及一種包括進行回流處理的工序的相機模塊的制造方法。本發(fā)明的近紅外截止濾光片即便具有回流工序，也維持近紅外線遮蔽性，因此不會損害小型輕量·經高性能化的相機模塊的特性。圖2～圖4是表示相機模塊中的近紅外截止濾光片周邊部分的一例的概略剖視圖。如圖2所示，相機模塊可依次具有固體成像元件11、平坦化層12、紫外·紅外光反射膜19、透明基材20、近紅外吸收層21、及抗反射層22。紫外·紅外光反射膜19具有賦予或提高近紅外截止濾光片的功能的效果，例如可參考日本特開2013-68688號公報的段落0033～段落0039，其內容可被編入至本申請說明書中。透明基材20是使可見區(qū)域的波長的光透過的基材，例如可參考日本特開2013-68688號公報的段落0026～段落0032，其內容可被編入至本申請說明書中。近紅外吸收層21可通過涂布所述本發(fā)明的近紅外吸收性組合物來形成。抗反射層22是具有如下功能的層，即通過防止入射至近紅外截止濾光片中的光的反射來提升透過率，并高效地利用入射光，例如可參考日本特開2013-68688號公報的段落0040，其內容可被編入至本申請說明書中。如圖3所示，相機模塊可依次具有固體成像元件11、近紅外吸收層21、抗反射層22、平坦化層12、抗反射層22、透明基材20、及紫外·紅外光反射膜19。如圖4所示，相機模塊可依次具有固體成像元件11、近紅外吸收層21、紫外·紅外光反射膜19、平坦化層12、抗反射層22、透明基材20、及抗反射層22。并且，作為固體成像元件，也可設為國際公開wo14/061188號手冊的0049欄以后所述的第1實施方式～第14實施方式中的成像元件的構成。實施例以下舉出實施例來更具體地說明本發(fā)明。只要不脫離本發(fā)明的主旨，則以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理程序等可適宜變更。因此，本發(fā)明的范圍并不限定于以下所示的具體例。并且，只要無特別說明，則“％”及“份”為質量基準。本實施例中采用以下的略號。<固化性化合物>kayaraddpha：(nipponkayakuco.，ltd.制造，二季戊四醇五丙烯酸酯與二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物)jer157s65：(mitsubishichemicalcorporation制造，特殊酚醛清漆型環(huán)氧樹脂)kayaradd-320：(nipponkayakuco.，ltd.制造，二季戊四醇四丙烯酸酯)m-510：(toagoseico.，ltd.制造，多元酸改性丙烯酸低聚物)m-520：(toagoseico.，ltd.制造，多元酸改性丙烯酸低聚物)dpca-60：(nipponkayakuco.，ltd.制造，具有六個亞戊氧基鏈的六官能丙烯酸酯)<溶劑>pgmea：丙二醇單甲醚乙酸酯[銅絡合物的合成](銅絡合物cu3-6的合成例)[化學式40]向200ml燒瓶中導入2，6-雙(溴甲基)吡啶(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)4.0g、二甲基胺的33％乙醇溶液(aldrich公司制造)30ml，在室溫下攪拌3小時后，在室溫下靜置2天。通過過濾來去除所析出的白色固體(二甲基胺溴化氫鹽)，將濾液減壓并加以濃縮，使用飽和碳酸氫鈉水溶液與乙酸乙酯對所得的粗產物進行分液，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后進行減壓濃縮，由此獲得化合物a3-231.0g。[化學式41]向10ml燒瓶中添加化合物a3-2338mg、甲醇1ml，在室溫下一面攪拌一面導入氯化銅(ii)二水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)34mg，進行10分鐘攪拌。對所得的藍色溶液進行減壓干固，由此以綠色固體的形式獲得銅絡合物cu3-6。(銅絡合物cu3-7的合成例)[化學式42]根據(jù)所述流程，通過與銅絡合物cu3-6相同的方法來合成銅絡合物cu3-7。(銅絡合物cu3-10的合成例)通過文獻(j.organomet.chem.2009，694，2636)中所述的方法來合成化合物a3-43。使用化合物a3-43，通過與銅絡合物cu3-6相同的方法來合成銅絡合物cu3-10。(銅絡合物cu3-15的合成例)通過文獻(tetrahedron1998，54，2365)中所述的方法來合成化合物a3-52。使用化合物a3-52，通過與銅絡合物cu3-6相同的方法來合成銅絡合物cu3-15。(銅絡合物cu3-16的合成例)化合物a3-54由tokyochemicalindustryco.，ltd.市售，使用化合物a3-54，通過與銅絡合物cu3-6相同的方法來合成銅絡合物cu3-16。(銅絡合物cu3-35的合成例)[化學式43]向300ml燒瓶中導入雙(2-吡啶基甲基)胺19.9g、三乙胺13.3g、四氫呋喃150ml，在室溫下進行攪拌。一面進行水冷一面滴加2-乙基己酰氯16.5g，在室溫下攪拌3小時。使用水與乙酸乙酯進行分液，利用無水硫酸鎂對所得的有機相進行預干燥后進行減壓濃縮。通過硅膠柱層析法(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)對該粗產物進行精制，由此獲得化合物a3-13510g。使用所得的化合物a3-135，通過與銅絡合物cu3-6相同的方法來合成銅絡合物cu3-35。(銅絡合物cu3-56的合成例)[化學式44]相對于苯甲酸銅(kantochemicalco.，inc.制造)1摩爾而添加2摩爾的磷酸二苯酯(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，在丙酮中在室溫下攪拌3小時后，添加己烷，由此獲得雙(磷酸二苯基)銅(ii)。使其溶解于甲醇中，添加1摩爾的化合物a3-2(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，進行10分鐘攪拌。對所得的藍色溶液進行減壓干固，由此獲得銅絡合物cu3-56。(銅絡合物cu3-63的合成例)使用乙酸銅(ii)一水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與銅絡合物cu3-35相同的方法來合成銅絡合物cu3-63。(銅絡合物cu4-36的合成例)[化學式45]向100ml燒瓶中導入乙酸銅(ii)一水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)1.99g、化合物a3-59(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)1.67g、甲醇20ml，進行10分鐘加熱回流。向其中添加化合物a2-15(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)1.84g，進一步進行10分鐘加熱回流。將溶劑減壓濃縮至5ml左右為止，通過添加水20ml而將析出的固體過濾，由此進行回收，并以藍色固體的形式獲得銅絡合物cu4-36。(銅絡合物cu4-39的合成例)[化學式46]向200ml燒瓶中添加4-甲基噻唑(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)5.0g、乙酸銅(無水)(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)1.83g、甲苯100ml，進行12小時加熱回流。冷卻至室溫后添加水而濾取析出物，然后向濾液中添加乙酸乙酯并進行分液·萃取。利用無水硫酸鎂對所得的有機相進行預干燥，并利用甲醇對減壓濃縮所得的褐色的粗產物(含有微量的原料)進行再結晶，由此以澹黃色固體的形式獲得化合物a2-22。使用該化合物，通過與銅絡合物cu4-36相同的方法來合成銅絡合物cu4-39。(銅絡合物cu4-45的合成例)[化學式47]在氮氣氣氛下，向500ml三口燒瓶中添加3，5-二甲基吡唑(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)10g、二甲基亞砜60ml并進行攪拌。向其中逐次少量添加氫氧化鉀(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)23.3g，在60℃下攪拌1小時。向其中滴加已溶解于二甲基亞砜40ml中的二溴甲烷(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)9g，在60℃下攪拌4小時。冷卻至室溫后，滴加水200ml，利用氯仿進行萃取后，將利用水、飽和食鹽水進行清洗所得的有機相減壓濃縮，由此以白色固體的形式獲得化合物a2-32。使用該化合物，通過與銅絡合物cu4-36相同的方法來合成銅絡合物cu4-45。(銅絡合物cu4-49的合成例)[化學式48]向100ml燒瓶中添加化合物a2-320.20g、乙酸銅(ii)一水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)0.19g、甲醇10ml，一面攪拌一面自室溫升溫至40℃，進行30分鐘攪拌。在慢慢溶解而成為藍色溶液后，滴加溶解有化合物a3-96(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)0.15g與50質量％氫氧化鈉水溶液0.16g的甲醇溶液10ml。通過過濾來回收緩慢析出的藍白色固體，獲得銅絡合物cu4-490.16g。(銅絡合物cu4-50的合成例)使用由wakopurechemicalindustries，ltd.市售的化合物a3-97，通過與銅絡合物cu4-49相同的方法來合成銅絡合物cu4-50。(銅絡合物cu4-52的合成例)使用由tokyochemicalindustryco.，ltd.作為白屈氨酸(chelidamicacid)一水合物而市售的化合物a3-103，通過與銅絡合物cu4-49相同的方法來合成銅絡合物cu4-52。(銅絡合物cu4-55的合成例)使用3，5-二異丙基吡唑(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)來代替3，5-二甲基吡唑，并通過與化合物a2-32相同的方法來合成化合物a2-36，使用所述化合物a2-36，通過與銅絡合物cu4-36相同的方法來合成銅絡合物cu4-55。(銅絡合物cu4-62的合成例)使用3，5-二異丙基吡唑(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)來代替3，5-二甲基吡唑，且使用2-氯甲基吡啶鹽酸鹽(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)來代替二溴甲烷，通過與化合物a2-32相同的方法來合成化合物a2-26，使用所述化合物a2-26，通過與銅絡合物cu4-36相同的方法來合成銅絡合物cu4-62。(銅絡合物cu4-63的合成例)使用由tokyochemicalindustryco.，ltd.市售的化合物a2-28，通過與銅絡合物cu4-36相同的方法來合成銅絡合物cu4-63。(銅絡合物cu5-1的合成例)在甲醇中，以1∶1的摩爾比將化合物a4-1(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)與氯化銅(ii)二水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)混合，將攪拌了10分鐘的反應液減壓干固，由此獲得銅絡合物cu5-1。(銅絡合物cu5-18的合成例)使用化合物a4-61(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-1相同的方法來合成銅絡合物cu5-18。(銅絡合物cu5-20的合成例)使用化合物a4-63(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-1相同的方法來合成銅絡合物cu5-20。(銅絡合物cu5-22的合成例)[化學式49]在氮氣氣氛下，向100ml三口燒瓶中添加化合物a4-620.93g、四氫呋喃30ml、苯甲醛2.34g、乙酸0.90g，在0℃下進行攪拌。向其中添加三乙酰氧基硼氫化鈉(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)3.78g，在室溫下攪拌2小時。滴加水50ml后，逐次少量添加濃鹽酸而將ph值調整為1，通過乙酸乙酯50ml進行3次分液·萃取來回收水相。向該水相中逐次少量添加50質量％氫氧化鈉水溶液而將ph值調整為10，通過乙酸乙酯50ml進行3次分液·萃取來回收有機相。利用無水硫酸鎂進行預干燥后加以減壓濃縮，由此以淡黃色油狀物的形式獲得化合物a4-651.90g。使用該化合物a4-65，通過與cu5-1相同的方法來合成銅絡合物cu5-22。(銅絡合物cu5-37的合成例)[化學式50]向100ml燒瓶中添加雙(2-吡啶基甲基)胺(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)1.99g、乙醇20ml、三乙胺1.01g，在室溫下一面攪拌一面滴加溴乙酸(kantochemicalco.，inc.制造)1.49g后，進行5小時加熱回流。冷卻至室溫后，向對反應液進行減壓濃縮而獲得的粗產物中添加乙酸乙酯，利用甲醇對所析出的固體進行分散清洗，通過過濾而獲得化合物a4-1210.5g。使用該化合物，通過與銅絡合物cu5-1相同的方法來合成銅絡合物cu5-37。(銅絡合物cu5-46的合成例)在甲醇中，以1∶1的摩爾比將化合物a4-1(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)與硫酸銅(ii)五水合物(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)混合，進行30分鐘攪拌。向該反應液中添加乙酸乙酯，通過過濾來回收所析出的固體，獲得銅絡合物cu5-46。(銅絡合物cu5-50的合成例)使用化合物a4-61(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-46相同的方法來合成銅絡合物cu5-50。(銅絡合物cu5-51的合成例)使用化合物a4-62(aldrich公司制造)，通過與銅絡合物cu5-46相同的方法來合成銅絡合物cu5-51。(銅絡合物cu5-52的合成例)使用化合物a4-63(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-46相同的方法來合成銅絡合物cu5-52。(銅絡合物cu5-72的合成例)使銅絡合物cu5-1溶解于水中，一面攪拌一面添加過量的飽和四氟硼酸鈉(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)水溶液。通過過濾來回收析出固體，獲得銅絡合物cu5-72。(銅絡合物cu5-82的合成例)使用化合物a4-62(aldrich公司制造)來代替銅絡合物cu5-1的合成中所使用的化合物a4-1，且使用四(五氟苯基)硼酸鋰(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)來代替四氟硼酸鈉，通過與cu5-72相同的方法來合成銅絡合物cu5-82。(銅絡合物cu5-83的合成例)使用化合物a4-63(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-83。(銅絡合物cu5-92的合成例)使用雙(三氟甲磺)酰亞胺鋰來代替四氟硼酸鈉，通過與cu5-72相同的方法來合成銅絡合物cu5-92。(銅絡合物cu5-95的合成例)使用化合物a4-63(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)，通過與銅絡合物cu5-92相同的方法來合成銅絡合物cu5-95。(銅絡合物cu5-96的合成例)使用溴化銅(ii)(kantochemicalco.，inc.制造)來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與銅絡合物cu5-18相同的方法來合成銅絡合物cu5-96。(銅絡合物cu5-97的合成例)使用化合物a4-188(aldrich公司制造)，通過與銅絡合物cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-97。(銅絡合物cu5-98的合成例)使用三(三氟甲磺?；?甲基化鉀來代替四(五氟苯基)硼酸鋰，通過與cu5-83相同的方法來合成銅絡合物cu5-98。(銅絡合物cu5-99的合成例)使用乙酸銅(ii)一水合物來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與cu5-83相同的方法來合成銅絡合物cu5-99。(銅絡合物cu5-100的合成例)使用溴化銅(ii)來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與cu5-83相同的方法來合成銅絡合物cu5-100。(銅絡合物cu5-101的合成例)使三氟甲磺酰胺(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)1摩爾與cu5-46反應，通過與cu5-80或cu5-82相同的方法而使絡合物析出，由此合成銅絡合物cu5-101。(銅絡合物cu5-102的合成例)使用乙酸銅(ii)一水合物來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-102。(銅絡合物cu5-103的合成例)使用苯甲酸銅(ii)來代替氯化銅(ii)二水合物，通過與cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-103。(銅絡合物cu5-104的合成例)將雙(三氟甲磺)酰亞胺鋰添加于cu5-46的水溶液而使絡合物析出，由此合成銅絡合物cu5-104。(銅絡合物cu5-105的合成例)使用化合物a4-65，通過與cu5-72相同的方法來合成銅絡合物cu5-105。(銅絡合物cu5-106的合成例)[化學式51]在氮氣氣氛下，向300ml三口燒瓶中添加6-甲基-2-吡啶甲醇(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)12g、四氫呋喃100ml，在室溫下進行攪拌。一面進行冰浴冷卻一面滴加三溴化磷(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)25g后，在室溫下攪拌一整夜。添加飽和氯化銨水溶液與乙酸乙酯，對分液·萃取所得的有機相進行濃縮，并通過硅膠柱層析法(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)進行精制，由此以澹紅色油狀物的形式獲得6-甲基-2-(溴甲基)吡啶。向100ml燒瓶中添加所合成的6-甲基-2-(溴甲基)吡啶1.86g、水10ml，在0℃下進行攪拌。向其中添加2-吡啶基甲基胺1.08g，在0℃下進行攪拌。向其中添加1mol/l的氫氧化鈉水溶液2ml，在室溫下攪拌一整夜。添加水、氯仿，并進行分液·萃取，以水對所得的有機相進行3次清洗，利用無水硫酸鈉進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而以澹黃色固體的形式獲得化合物a4-90。使用該化合物a4-90，通過與銅絡合物cu5-1相同的方法來合成銅絡合物cu5-106。(銅絡合物cu5-117的合成例)使用通過文獻(eur.j.inorg.chem.2009，3921)中所述的方法所合成的化合物a4-29，通過與銅絡合物cu5-72相同的方法來合成銅絡合物cu5-117。(銅絡合物cu5-118的合成例)使用化合物a4-65，通過與cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-118。(銅絡合物cu5-119的合成例)使用化合物a4-65，通過與cu5-46相同的方法來合成銅絡合物cu5-119。(銅絡合物cu5-120、銅絡合物cu5-122的合成例)使用雙(五氟乙磺?；?酰亞胺鋰或4，4，5，5，6，6-六氟二氫-4h-1，3，2-二噻嗪、1，1，3，3-四氧化鋰來代替四(五氟苯基)硼酸鋰，通過與cu5-83相同的方法來合成銅絡合物cu5-120、銅絡合物cu5-122。(銅絡合物cu5-123的合成例)[化學式52]向三口燒瓶中添加雙(2-氯乙基)胺鹽酸鹽101g、水200ml，在室溫下進行攪拌。向其中滴加50質量％二甲基胺水溶液600ml，在室溫下攪拌7天。添加氫氧化鈉150g、叔丁基甲醚100ml，利用無水硫酸鈉對由分液所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-216-a24.4g。向三口燒瓶中添加n-(叔丁氧基羰基)-n-甲基甘胺酸15.0g、乙腈100ml、三乙胺12g，在室溫下進行攪拌。向其中添加o-(苯并三唑-1-基)-n，n，n’，n’-四甲基脲六氟磷酸鹽(hbtu)38.1g，繼而，添加化合物a4-216-a12.0g，在40℃下攪拌4小時。添加飽和食鹽水100ml而制成中性水溶液。利用乙酸乙酯150ml對水相進行3次清洗后，添加飽和碳酸鉀水溶液100ml而制成堿性水溶液。以乙酸乙酯150ml自該水溶液進行3次分液·萃取，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-216-b5.7g。向燒瓶中添加化合物a4-216-b4.1g、水10ml，在室溫下一面攪拌一面添加濃鹽酸3.7ml后，在40℃下攪拌2小時。向該反應液中添加氫氧化鈉而制成堿性水溶液后，以叔丁基甲醚進行分液·萃取，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-216-c3.0g。在氮氣氣氛下，向三口燒瓶中添加氫化鋁鋰3.78g、脫水四氫呋喃60ml，使其冷卻至0℃。向其中滴加化合物a4-216-c3.0g的脫水四氫呋喃溶液40ml后，進行2小時加熱回流，然后冷卻至室溫。繼而，一面進行冰浴冷卻一面依序緩慢滴加水4ml、15質量％氫氧化鈉水溶液4ml、水12ml。濾取所生成的白色沉淀后，使對濾液進行減壓濃縮而所得的油狀物再次溶解于叔丁基甲醚，利用無水硫酸鈉進行預干燥后，通過再次進行減壓濃縮而獲得化合物a4-2161.1g。使用該化合物a4-216，通過與銅絡合物cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-123。(銅絡合物cu5-125的合成例)[化學式53]向300ml燒瓶中添加二甲基甘胺酸5.13g、乙腈100ml、三乙胺6.20g，在室溫下進行攪拌。向其中添加o-(苯并三唑-1-基)-n，n，n’，n’-四甲基脲六氟磷酸鹽(hbtu)20g，繼而，添加n，n-二乙基乙二胺12.0g，在30℃下攪拌7小時。將反應液減壓濃縮，添加飽和氯化鈉水溶液100ml、乙酸乙酯100ml并進行分液。利用乙酸乙酯100ml對該水相進行2次清洗后，添加飽和碳酸鉀水溶液100ml，以乙酸乙酯100ml進行3次分液·萃取，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-217-a5.4g。在氮氣氣氛下，向200ml三口燒瓶中添加氫化鋁鋰4.0g、脫水四氫呋喃100ml，使其冷卻至0℃。向其中滴加化合物a4-217-a4.0g后，進行6小時加熱回流，冷卻至室溫。一面進行冰浴冷卻一面依序緩慢滴加水4ml、15％氫氧化鈉水溶液4ml、水12ml。濾取所生成的白色沉淀后，向將濾液減壓濃縮而得的油狀物中添加叔丁基甲醚，利用無水硫酸鈉進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-217-b2.4g。向200ml三口燒瓶中添加化合物a4-217-b1.25g、n-boc甘胺酸1.50g、乙腈30ml、三乙胺1.6g，在室溫下進行攪拌。向其中添加o-(苯并三唑-1-基)-n，n，n’，n’-四甲基脲六氟磷酸鹽(hbtu)5.44g，在室溫下攪拌一整夜。將反應液減壓濃縮，添加飽和食鹽水50ml、乙酸乙酯50ml并進行分液。利用乙酸乙酯50ml對水相進行3次清洗后，添加飽和碳酸鉀水溶液50ml，以乙酸乙酯50ml進行3次分液·萃取，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-217-c0.44g。向100ml燒瓶中添加化合物a4-217-c0.4g、水5ml，在室溫下一面攪拌一面添加濃鹽酸0.4ml，在40℃下攪拌1小時。向該反應液中緩慢添加50質量％氫氧化鈉水溶液而制成堿性水溶液后，以叔丁基甲醚進行分液·萃取，利用無水硫酸鈉對所得的有機相進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-217-d0.25g。在氮氣氣氛下，向10ml三口燒瓶中添加氫化鋁鋰0.25g、脫水四氫呋喃15ml，使其冷卻至0℃。向其中滴加化合物a4-217-d0.25g的脫水四氫呋喃溶液5ml后，進行5小時加熱回流。冷卻至室溫，繼而，一面進行冰浴冷卻一面依序緩慢滴加水0.25ml、15％氫氧化鈉水溶液0.25ml、水0.75ml。濾取所生成的白色沉淀后，向將濾液減壓濃縮而得的油狀物中添加叔丁基甲醚，利用無水硫酸鈉進行預干燥后，通過進行減壓濃縮而獲得化合物a4-2170.15g。使用所得的化合物a4-217，通過與銅絡合物cu5-82相同的方法來合成銅絡合物cu5-125。(銅絡合物cu5-127～銅絡合物cu5-152的合成例)使用對應的羧酸銅(ii)，通過與cu5-83相同的方法來合成銅絡合物cu5-127～銅絡合物cu5-152。在未市售有該羧酸銅(ii)的情況下，在水溶劑中將堿性碳酸銅與對應的羧酸以1∶2.1的比率混合，在60℃下攪拌30分鐘，由此獲得羧酸銅。(銅絡合物cu6-52的合成例)[化學式54]向100ml燒瓶中添加化合物a4-2161.08g、甲醇10ml，一面攪拌一面添加丙烯酸叔丁酯0.80g后，進行2小時加熱回流。將反應液減壓濃縮，由此獲得化合物a5-37-a1.4g。向100ml燒瓶中添加化合物a5-37-a1.3g、水5ml，在室溫下一面攪拌一面添加濃鹽酸2.0ml后，在50℃下攪拌6小時。向該反應液中添加甲苯進行共沸脫水后，將反應液濃縮，由此以黃色固體的形式獲得化合物a5-37的鹽酸鹽。向其中添加甲醇而進行攪拌，若將三乙胺添加于該懸浮液中，則完全溶解。若進一步添加三乙胺、乙酸乙酯，則三乙胺鹽酸鹽析出，因此對其進行濾取。將所述操作重復進行直至三乙胺鹽酸鹽不析出為止，最后將溶液濃縮，由此獲得化合物a5-371.0g。向100ml燒瓶中添加化合物a5-370.60g、甲醇20ml，在室溫下一面攪拌一面添加氯化銅(ii)二水合物170g、氫氧化銅98mg，在40℃下攪拌1.5小時。對微少的不溶物進行過濾器過濾后，添加四(五氟苯基)硼酸鋰1.52g，然后緩慢地滴加水，通過過濾來回收所得的結晶，由此獲得銅絡合物cu6-52。<銅絡合物的最大吸收波長、摩爾吸光系數(shù)及克吸光系數(shù)的測定>將各種銅絡合物溶解于下述表中所述的溶劑中而制備濃度為1g/l的溶液。其次，使用shimadzucorporation制造的uv-1800測定溶解有銅絡合物的溶液的吸收光譜，并測定最大吸收波長、最大吸收波長下的摩爾吸光系數(shù)及克吸光系數(shù)、800nm下的摩爾吸光系數(shù)及克吸光系數(shù)。并且，表中，dmf表示n，n-二甲基甲酰胺，mfg表示丙二醇單甲醚。-最大吸收波長的評價基準-a：在700nm以上、1200nm以下的波長區(qū)域具有最大吸收波長。b：在小于700nm或超過1200nm的波長區(qū)域具有最大吸收波長。[表15][表16]將各銅絡合物的τ值(計算值)示于以下。各銅絡合物的τ值(計算值)均使用量子化學計算程式gaussian09(美國gaussian公司)，且使用密度泛函法的方法。泛函數(shù)中使用b3lyp，基底函數(shù)中使用tzvp。τ值的計算中使用的分子結構是使用進行結構最優(yōu)選化計算而生成能量成為最小的結構。[表17]若為τ值接近1的銅絡合物，則容易成為在波長900nm附近具有最大吸收波長的銅絡合物，可對近紅外光的寬廣區(qū)域進行遮光。所述表中的銅絡合物中，cu7-1及cu7-2為下述結構的化合物。[化學式55]<近紅外吸收性組合物的制備>將下述表所示的銅絡合物(20質量份)、kayaraddpha(20質量份)、jer157s65(20質量份)及pgmea(120質量份)混合來制備近紅外吸收性組合物。<近紅外截止濾光片的制作>使用所述近紅外吸收性組合物來制作近紅外截止濾光片。在玻璃基板上涂布光阻劑，通過光刻來進行圖案化而形成光阻劑的隔壁，從而形成近紅外吸收性組合物的滴加區(qū)域。將各近紅外吸收性組合物3ml滴加至玻璃基板上的滴加區(qū)域中，通過在室溫下放置24小時來進行干燥。對干燥后的涂布膜的膜厚進行評價的結果，膜厚為100μm。<<近紅外線遮蔽性評價>>使用分光光度計u-4100(hitachihigh-technologiescorporation制造)，測定以所述方式獲得的近紅外截止濾光片中的波長800nm的透過率。通過以下的基準來評價近紅外線遮蔽性。將結果示于以下的表中。a：800nm的透過率≤5％b：5％＜800nm的透過率≤25％c：25％＜800nm的透過率<<可見光透過性評價>>使用分光光度計u-4100(hitachihigh-technologiescorporation制造)，測定以所述方式獲得的近紅外截止濾光片中的波長550nm的透過率。通過以下的基準來評價可見光透過性。將結果示于以下的表中。a：85％≤波長550nm的透過率b：45％≤波長550nm的透過率＜85％c：波長550nm的透過率＜45％[表18]銅絡合物可見光透過性近紅外線遮蔽性實施例1cu3-6aa實施例2cu3-7ba實施例3cu3-10aa實施例4cu3-15aa實施例5cu3-16aa實施例6cu3-35aa實施例7cu3-56ab實施例8cu3-63bb實施例9cu4-36aa實施例10cu4-39aa實施例11cu4-45aa實施例12cu4-49ba實施例13cu4-52ab實施例14cu4-62ab實施例15cu4-63aa實施例16cu5-1ab實施例17cu5-20aa實施例18cu5-37aa實施例19cu5-48aa實施例20cu5-50ba實施例21cu5-51ba實施例22cu5-52aa實施例23cu5-72ab實施例24cu5-82ab實施例25cu5-83ab實施例26cu5-92ab實施例27cu5-95aa實施例28cu5-96aa實施例29cu5-97ab實施例30cu5-98aa實施例31cu5-99aa實施例32cu5-100ab實施例33cu5-101ab實施例34cu5-102ab實施例35cu5-103ab實施例36cu5-104aa實施例37cu5-105aa實施例38cu5-106ba實施例39cu5-117aa實施例40cu5-118ab實施例41cu5-119aa實施例42cu5-22aa實施例43cu4-50bb實施例44cu4-55ab實施例45cu5-18ba[表19]銅絡合物可見光透過性近紅外線遮蔽性實施例46cu5-120aa實施例47cu5-122aa實施例48cu5-123ab實施例49cu5-125ab實施例50cu5-127aa實施例51cu5-128aa實施例52cu5-129aa實施例53cu5-130aa實施例54cu5-131aa實施例55cu5-132aa實施例56cu5-133aa實施例57cu5-134aa實施例58cu5-135aa實施例59cu5-136aa實施例60cu5-137aa實施例61cu5-138aa實施例62cu5-139aa實施例63cu5-140aa實施例64cu5-141aa實施例65cu5-142aa實施例66cu5-144aa實施例67cu5-145aa實施例68cu5-146aa實施例69cu5-147aa實施例70cu5-148aa實施例71cu5-149aa實施例72cu5-150aa實施例73cu5-151aa實施例74cu5-152aa實施例75cu6-52ab比較例1醋酸銅ca比較例2cu7-1ac比較例3cu7-2ca如由所述表而明確的，關于實施例的近紅外吸收性組合物，即便為100μm這一薄膜，也可提高近紅外線區(qū)域的遮蔽性，具有與使用酞菁銅絡合物或乙酸銅的比較例1、比較例3相同的優(yōu)異的近紅外遮蔽性。進而可知，實施例的近紅外截止濾光片的波長550nm的透光率均為45％以上，可提高可見光區(qū)域的透過性及近紅外線區(qū)域的遮蔽性。并且可確認到，實施例的近紅外截止濾光片的波長450nm～550nm的范圍內的透光率為45％以上，波長800nm～900nm的范圍內的透光率為25％以下。也可知，實施例的近紅外截止濾光片可確保高透過率的可見光區(qū)域寬廣，且分光特性優(yōu)異。另一方面，比較例的近紅外吸收性組合物無法兼具提高波長450nm～550nm的范圍內的透光率與降低波長800nm～900nm的范圍內的透光率。實施例1～實施例75的近紅外吸收性組合物中，即便將聚合性化合物(kayaraddpha)20質量份變更為等量的kayaradd-320、kayaradm-510、kayaradm-520或kayaraddpca-60的情況下，也可與這些實施例同樣地獲得優(yōu)異的效果。實施例1～實施例75的近紅外吸收性組合物中，即便將銅絡合物相對于組合物的總固體成分的含量設定為15質量％、20質量％、30質量％或40質量％的情況下，也可與這些實施例同樣地獲得優(yōu)異的近紅外線遮蔽性。實施例1～實施例75的近紅外吸收性組合物中，即便將溶劑(pgmea)的含量設定為10質量％、20質量％、30質量％或40質量％的情況下，也可與這些近紅外吸收性組合物同樣地獲得優(yōu)異的涂布性。實施例1～實施例75的近紅外吸收性組合物中，即便將溶劑變更為環(huán)己酮、乳酸乙酯、乙醇或環(huán)戊酮的情況下，也可與這些近紅外吸收性組合物同樣地獲得優(yōu)異的涂布性。實施例1～實施例75的近紅外吸收性組合物中，即便制備各組合物后使用nihonpallltd.制造的dfa4201nxey(0.45μm尼龍過濾器)進行過濾的情況下，也可獲得相同的效果。將實施例1～實施例75中所用的銅絡合物40質量份、所述的具有由m-x所表示的部分結構的化合物的具體例中所示的聚合物(p-1)54.9質量份、irgacure-oxe01(basfcorporation制造)5質量份、三(2，4-戊二酮酸)鋁(tokyochemicalindustryco.，ltd.制造)0.1質量份及環(huán)己酮66.7質量份混合來制備近紅外吸收性組合物。即便使用該近紅外吸收性組合物的情況下，也可與實施例1～實施例75同樣地獲得優(yōu)異的效果。即便代替聚合物(p-1)而變更為所述的具有由m-x所表示的部分結構的化合物的具體例中所示的聚合物(p-2)～聚合物(p-44)的情況下，也可與這些同樣地獲得優(yōu)異的效果。<具有由m-x所表示的部分結構的化合物的合成><聚合物(p-1)的合成>向三口燒瓶中加入1-甲氧基-2-丙醇(20g)，并于氮氣氣氛下升溫至85℃。經過2小時滴加使甲基丙烯酸2-乙基己酯(16.35g)、甲基丙烯酸3-(三甲氧基硅烷基)丙酯(13.65g)、及v-601(wakopurechemicalindustries，ltd.制造的偶氮系聚合引發(fā)劑，1.27g)溶解于1-甲氧基-2-丙醇(50g)中而成的溶液。滴加結束后攪拌4小時，并結束反應，由此獲得所述結構式的聚合物(p-1)。聚合物(p-1)的重均分子量為20，000。<聚合物(p-2)～聚合物(p-44)的合成>通過與聚合物(p-1)相同的方法來制造所述結構式的聚合物(p-2)～聚合物(p-44)。符號說明10-相機模塊，11-固體成像元件，12-平坦化層，13-近紅外截止濾光片，14-成像透鏡，15-透鏡支架，16-硅基板，17-彩色濾光片，18-微透鏡，19-紫外·紅外光反射膜，20-透明基材，21-近紅外吸收層，22-抗反射層。當前第1頁12