本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
：tft型液晶顯示裝置通過控制經(jīng)由tft對(duì)各像素的液晶層(在電的方面稱為“液晶電容”)施加的電壓來調(diào)節(jié)透射過各像素的光量而進(jìn)行顯示。對(duì)各像素的液晶層施加的電壓的極性按一定期間進(jìn)行反轉(zhuǎn)。這種液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法被稱為交流驅(qū)動(dòng)法，不對(duì)液晶層長(zhǎng)時(shí)間施加直流電壓。其原因是，當(dāng)對(duì)液晶層長(zhǎng)時(shí)間施加直流電壓時(shí)，會(huì)引起液晶材料中存在的離子的不均勻(界面極化)、液晶材料的劣化，顯示質(zhì)量降低。在本說明書中，將對(duì)各像素的液晶層(液晶電容)施加的電壓稱為像素電壓。像素電壓是對(duì)像素的像素電極與相對(duì)電極之間施加的電壓，用相對(duì)于相對(duì)電極的電位的像素電極的電位表示。將像素電極的電位高于相對(duì)電極的電位時(shí)的像素電壓的極性設(shè)為正，將像素電極的電位低于相對(duì)電極的電位時(shí)的像素電壓的極性設(shè)為負(fù)。在tft型液晶顯示裝置中，像素電極連接到tft的漏極電極，被供應(yīng)從與tft的源極電極連接的源極總線供應(yīng)的顯示信號(hào)電壓。對(duì)像素電極供應(yīng)的顯示信號(hào)電壓與對(duì)相對(duì)電極供應(yīng)的相對(duì)電壓之差相當(dāng)于像素電壓。在tft型液晶顯示裝置中，像素電壓的極性典型地按每個(gè)幀期間反轉(zhuǎn)。在此，tft型液晶顯示裝置的幀期間是為了對(duì)全部像素供應(yīng)像素電壓而需要的期間，是指從選擇某柵極總線(掃描配線)至下次選擇該柵極總線為止的期間，有時(shí)也稱為垂直掃描期間。像素以具有行和列的矩陣狀排列，典型地，柵極總線與像素的行對(duì)應(yīng)，源極總線與像素的列對(duì)應(yīng)，通過對(duì)柵極總線供應(yīng)的掃描信號(hào)(柵極信號(hào))按每一行依次供應(yīng)像素電壓。以往的一般的tft型液晶顯示裝置的幀期間是1/60秒(幀頻率為60hz)。在輸入視頻信號(hào)例如是ntsc信號(hào)的情況下，ntsc信號(hào)是隔行驅(qū)動(dòng)用信號(hào)，1幀(幀頻率為30hz)包括奇數(shù)場(chǎng)和偶數(shù)場(chǎng)這2個(gè)場(chǎng)(場(chǎng)頻率為60hz)，但在tft型液晶顯示裝置中，與ntsc信號(hào)的各場(chǎng)對(duì)應(yīng)地對(duì)全部像素供應(yīng)像素電壓，因此tft型液晶顯示裝置的幀期間成為1/60秒(幀頻率為60hz)。此外，最近為了提高動(dòng)態(tài)圖像顯示特性或進(jìn)行3d顯示，而市售有幀頻率為120hz的倍速驅(qū)動(dòng)、240hz的4倍速驅(qū)動(dòng)的tft型液晶顯示裝置。這樣，tft型液晶顯示裝置具備驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成為根據(jù)輸入的視頻信號(hào)來決定幀期間(幀頻率)，在各幀期間對(duì)全部像素供應(yīng)像素電壓。近年來，已廣泛利用以inplaneswitching(ips：面內(nèi)開關(guān))模式或fringefieldswitching(ffs：邊緣場(chǎng)開關(guān))模式為代表的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置與verticalalignment(va：垂直取向)模式等縱向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置相比，存在易于看到與像素電壓的極性反轉(zhuǎn)相伴的閃爍的問題。認(rèn)為其原因是，當(dāng)液晶層的液晶分子的取向發(fā)生與彎曲變形或展曲(スプレイ)變形相伴的變化時(shí)，會(huì)發(fā)生由液晶分子取向的不對(duì)稱導(dǎo)致的取向極化(稱為“撓曲極化”)。專利文獻(xiàn)1公開了通過將液晶材料的撓曲系數(shù)e11、e33、彈性常數(shù)k11、k33設(shè)為規(guī)定的范圍內(nèi)來抑制由撓曲極化導(dǎo)致的閃爍的發(fā)生的液晶顯示裝置。另外，最近本申請(qǐng)的申請(qǐng)人制造并銷售了使用具備氧化物半導(dǎo)體層(例如in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層)的tft的低功耗的液晶顯示裝置。具有in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層的tft具有高遷移率(與a-sitft相比超過20倍)和低漏電電流(與a-sitft相比不到百分之一)。當(dāng)使用具有in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層的tft作為像素tft時(shí)，由于漏電電流小，因此通過應(yīng)用中止驅(qū)動(dòng)(有時(shí)也稱為低頻驅(qū)動(dòng))，能降低功耗。例如在專利文獻(xiàn)2中記載了中止驅(qū)動(dòng)法。為了參考，在本說明書中引用專利文獻(xiàn)2的全部公開內(nèi)容。在中止驅(qū)動(dòng)中，在通常的60hz驅(qū)動(dòng)(1幀期間＝1/60秒)中反復(fù)進(jìn)行在1幀期間(1/60秒)寫入圖像后在接下來的59幀期間(59/60秒)不寫入圖像這一循環(huán)。該中止驅(qū)動(dòng)由于在1秒內(nèi)僅寫入1次圖像，因此有時(shí)也稱為1hz驅(qū)動(dòng)。在此，中止驅(qū)動(dòng)是指具有比寫入圖像的期間長(zhǎng)的中止期間的驅(qū)動(dòng)方法或者幀頻率不到60hz的低頻驅(qū)動(dòng)?？吹介W爍的容易度依賴于頻率。例如在60hz時(shí)并不明顯的亮度變化當(dāng)頻率小于60hz時(shí)、特別是為30hz以下時(shí)也易于被看成閃爍。特別是，已知亮度以10hz附近的頻率發(fā)生變化時(shí)，閃爍會(huì)非常明顯?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：特開2010-282037號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開第2013/008668號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題本申請(qǐng)的發(fā)明人在橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置中應(yīng)用了上述中止驅(qū)動(dòng)后，發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生通過專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)無法應(yīng)對(duì)的閃爍。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供即使以不到60hz的頻率驅(qū)動(dòng)也不易看到閃爍的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。用于解決問題的方案本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置具備：第1基板和第2基板，其以相互相對(duì)的方式設(shè)置；以及液晶層，其設(shè)置于上述第1基板和上述第2基板之間，上述液晶顯示裝置具有按矩陣狀排列的多個(gè)像素，在上述液晶顯示裝置中，上述第1基板具有：第1電極和第2電極，其能在上述液晶層中生成橫向電場(chǎng)；以及取向膜，其以與上述液晶層接觸的方式設(shè)置，規(guī)定作為未對(duì)上述液晶層施加電場(chǎng)時(shí)的液晶分子的取向軸方位的初始取向軸方位，上述第1電極具有至少1個(gè)狹縫，在上述多個(gè)像素中的每一像素中，上述取向膜具有：第1區(qū)域，其與上述第1電極的上述至少1個(gè)狹縫對(duì)應(yīng)；以及第2區(qū)域，其與上述第1電極的上述至少1個(gè)狹縫以外的部分對(duì)應(yīng)，由上述取向膜的上述第1區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位不同于由上述取向膜的上述第2區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位。在某實(shí)施方式中，本發(fā)明的液晶顯示裝置還具備至少隔著上述液晶層相互相對(duì)的一對(duì)偏振板，上述一對(duì)偏振板以正交尼科耳配置，上述一對(duì)偏振板中的一個(gè)偏振板的偏振軸大致平行于由上述第1區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位和由上述第2區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位中的、與上述至少1個(gè)狹縫的延伸方向形成的角度較大的初始取向軸方位。在某實(shí)施方式中，由上述第1區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位與上述至少1個(gè)狹縫的延伸方向形成的角度和由上述第2區(qū)域規(guī)定的初始取向軸方位與上述至少1個(gè)狹縫的延伸方向形成的角度中的較大的角度是4°以上且15°以下，較小的角度是3°以上且14°以下。在某實(shí)施方式中，上述第1電極隔著電介質(zhì)層設(shè)置于上述第2電極上，上述第1基板從上述液晶層側(cè)起按順序具有上述取向膜、上述第1電極、上述電介質(zhì)層和上述第2電極。在某實(shí)施方式中，本發(fā)明的液晶顯示裝置能進(jìn)行在1幀中設(shè)置對(duì)上述多個(gè)像素中的每一像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓的信號(hào)供應(yīng)期間和對(duì)上述多個(gè)像素中的每一像素不供應(yīng)顯示信號(hào)電壓的中止期間的中止驅(qū)動(dòng)。在某實(shí)施方式中，上述第1基板具有設(shè)置于上述多個(gè)像素中的每一像素的薄膜晶體管，上述薄膜晶體管具有包含氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層。在某實(shí)施方式中，上述氧化物半導(dǎo)體包含in-ga-zn-o系半導(dǎo)體。在某實(shí)施方式中，上述in-ga-zn-o系半導(dǎo)體包含結(jié)晶質(zhì)部分。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可提供即使按不到60hz的頻率驅(qū)動(dòng)也不易看到閃爍的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。附圖說明圖1(a)是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的俯視圖，圖1(b)是沿著(a)中的1b-1b’線的截面圖。圖2(a)是表示與圖1(a)中的區(qū)域r2a對(duì)應(yīng)的部分的俯視圖，圖2(b)是沿著圖1(a)中的2b-2b’線的截面圖。圖3是表示在液晶顯示裝置100中施加電壓時(shí)液晶分子lc旋轉(zhuǎn)的方向的圖。圖4是表示在橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置中進(jìn)行了中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化的坐標(biāo)圖。圖5(a)和圖5(b)分別是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖和截面圖。圖5(c)是表示施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖，圖5(d)是表示施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖。圖6是表示初始取向角度為3°、7°、11°和15°時(shí)的vt特性(像素電壓與標(biāo)準(zhǔn)化透射率的關(guān)系)的坐標(biāo)圖。圖7是表示初始取向角度為3°、7°、11°和15°時(shí)的響應(yīng)特性(時(shí)間與標(biāo)準(zhǔn)化亮度的關(guān)系)的坐標(biāo)圖。圖8是表示液晶顯示裝置100的其它構(gòu)成的圖，是表示與圖1(a)中的區(qū)域r2a對(duì)應(yīng)的部分的俯視圖。圖9是表示液晶顯示裝置100所具備的一對(duì)偏振板的優(yōu)選配置的圖。圖10是表示將取向膜18的第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1設(shè)為3°、將第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2設(shè)為15°、將一對(duì)偏振板中的一個(gè)偏振板的偏振軸a1配置為與由第2區(qū)域18b規(guī)定的初始取向軸方位d2大致平行時(shí)的vt特性的坐標(biāo)圖。圖11是表示初始取向角度為3°、7°、11°、15°和19°時(shí)的vt特性(像素電壓與標(biāo)準(zhǔn)化亮度的關(guān)系)的坐標(biāo)圖。圖12(a)是表示在實(shí)施例1中施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖，圖12(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1中100msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與106msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差的坐標(biāo)圖。圖13(a)是表示在實(shí)施例1中施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖，圖13(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1中200msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與206msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差的坐標(biāo)圖。圖14是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1中進(jìn)行了10hz驅(qū)動(dòng)的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化的坐標(biāo)圖。圖15是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1中進(jìn)行了10hz的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率的坐標(biāo)圖。圖16(a)是表示在實(shí)施例2中施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖，圖16(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2中100msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與106msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差的坐標(biāo)圖。圖17(a)是表示在實(shí)施例2中施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖，圖17(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2中200msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與206msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差的坐標(biāo)圖。圖18(a)和圖18(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2中進(jìn)行了10hz驅(qū)動(dòng)的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化的坐標(biāo)圖。圖19是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2中進(jìn)行了10hz的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率的坐標(biāo)圖。圖20是用于說明針對(duì)取向膜18和28的光取向處理的圖。圖21(a)和圖21(b)是用于說明針對(duì)取向膜18和28的摩擦處理的圖。圖22(a)和圖22(b)是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的其它構(gòu)成的截面圖。圖23(a)是用于說明“取向軸方位”、“取向方位”和“取向方向”的立體圖，圖23(b)是用于說明相對(duì)于取向膜主面規(guī)定的極角θ和方位角的立體圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的說明中，需要準(zhǔn)確地記述液晶分子的取向方向，因此，對(duì)用于表述“取向方向”的用語進(jìn)行定義。這是因?yàn)椋m然“方向”一般是由三維空間內(nèi)的向量表示，但有時(shí)不需要區(qū)分顯示面內(nèi)(二維面內(nèi))的方向、正方向與負(fù)方向(相互相差180°的2個(gè)方向)。首先，參照?qǐng)D23(a)和圖23(b)來說明本說明書中的“取向軸方位”、“取向方位”以及“取向方向”這些用語。如圖23(a)所示，液晶分子lc典型地是以相對(duì)于取向膜主面(xy面)具有指定的預(yù)傾角β的方式取向。此時(shí)，考慮從液晶分子lc中的離xy面較近的端部朝向較遠(yuǎn)的端部(圖23(a)中用小的白圈示出的端部)的向量。將該向量在xy面內(nèi)的分量(向xy面內(nèi)的投影)所示出的朝向稱為“取向方位”。能使用圖23(b)所示的方位角在0°～360°的范圍內(nèi)表示“取向方位”。另外，將由該“取向方位”以及與該取向方位相差180°的取向方位(相反朝向)規(guī)定的直線的方向稱為“取向軸方位”?！叭∠蜉S方位相同”的情況可以是指取向方位相同的關(guān)系，也可以是指取向方位相差180°的關(guān)系。此外，“取向方向”是指三維方向(為液晶分子的長(zhǎng)軸方向，將圖23(b)所示的極角θ也考慮在內(nèi)的方向)。以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，以下例示ffs模式的液晶顯示裝置，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于ffs模式的液晶顯示裝置，還能應(yīng)用于ips模式的液晶顯示裝置。在圖1(a)和圖1(b)中示出本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100。圖1(a)和圖1(b)分別是示意性地表示液晶顯示裝置100的俯視圖和截面圖。圖1(a)示出與液晶顯示裝置100的1個(gè)像素px對(duì)應(yīng)的區(qū)域，圖1(b)示出沿著圖1(a)中的1b-1b’線的截面。液晶顯示裝置100具備：有源矩陣基板(第1基板)10和相對(duì)基板(第2基板)20，其以相互相對(duì)的方式設(shè)置；以及液晶層30，其設(shè)置于有源矩陣基板10與相對(duì)基板20之間。另外，液晶顯示裝置100具有按矩陣狀排列的多個(gè)像素px。而且，在此雖未圖示，但液晶顯示裝置100具備一對(duì)偏振板。一對(duì)偏振板以至少隔著液晶層30相互相對(duì)的方式設(shè)置(典型地是設(shè)置在有源矩陣基板10和相對(duì)基板20各自的與液晶層30相反的一側(cè))。這些偏振板以正交尼科耳配置。即，如圖1(a)所示，一對(duì)偏振板中的一個(gè)偏振板的偏振軸(吸收軸)a1與另一個(gè)偏振板的偏振軸(吸收軸)a2大致正交。有源矩陣基板10具有：第1電極11和第2電極12，其能在液晶層30中生成橫向電場(chǎng)；以及取向膜18，其以與液晶層30接觸的方式設(shè)置。第1電極11和第2電極12中的一方是像素電極，另一方是共用電極。在此，例示第1電極11是像素電極，第2電極12是共用電極的構(gòu)成。第1電極11電連接到按每一像素px設(shè)置的薄膜晶體管(tft)的漏極電極，經(jīng)由tft被供應(yīng)顯示信號(hào)電壓。第1電極11由透明的導(dǎo)電材料(例如ito)形成。第1電極11具有至少1個(gè)(圖1所示的例子中為多個(gè))狹縫11a和多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電極部分(枝部)11b。多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電極部分11b相互大致平行地延伸。各狹縫11a形成于相鄰的細(xì)長(zhǎng)電極部分11b之間。細(xì)長(zhǎng)電極部分11b彼此通過連接部(干部)11c電連接。在圖1(a)所例示的構(gòu)成中，狹縫11a和細(xì)長(zhǎng)電極部分11b在像素px的上半部分和下半部分是向不同的方向延伸的。具體地，狹縫11a和細(xì)長(zhǎng)電極部分11b在像素px的上半部分向相對(duì)于顯示面的垂直方向按順時(shí)針傾斜了指定的角度θ的方向延伸，在像素px的下半部分向相對(duì)于顯示面的垂直方向按逆時(shí)針傾斜了上述角度θ的方向延伸。此外，狹縫11a的數(shù)量和細(xì)長(zhǎng)電極部分11b的數(shù)量不限于例示的數(shù)量。另外，狹縫11a的寬度、細(xì)長(zhǎng)電極部分11b的寬度也沒有特別限制。第1電極11隔著電介質(zhì)層13設(shè)置于第2電極12上。即，有源矩陣基板10從液晶層30側(cè)起按順序具有取向膜18、第1電極11、電介質(zhì)層13和第2電極12。電介質(zhì)層13例如由無機(jī)絕緣材料形成。第2電極12被供應(yīng)共用電壓。第2電極12典型地是整面電極(沒有設(shè)置狹縫等的電極)。第2電極12由透明的導(dǎo)電材料(例如ito)形成。取向膜18規(guī)定作為未對(duì)液晶層30施加電場(chǎng)時(shí)的液晶分子的取向軸方位的初始取向軸方位。取向膜18如后面詳述的，具有所規(guī)定的初始取向軸方位不同的多個(gè)區(qū)域。在本實(shí)施方式中，取向膜18是光取向膜，主要作為規(guī)定液晶分子的取向方位的水平取向膜發(fā)揮功能。由取向膜18規(guī)定的液晶分子的預(yù)傾角典型地設(shè)定為1°以下。此外，優(yōu)選液晶分子的預(yù)傾角是0.1°以上且1.0°以下。在本說明書中，“光取向膜”是指通過照射光(例如偏振紫外線)而被賦予取向限制力的取向膜。在國(guó)際公開第2009/157207號(hào)中記載了具備光取向膜的液晶顯示裝置，記載了例如通過對(duì)取向膜照射光從而形成光取向膜的技術(shù)，上述取向膜包括具有聚酰亞胺的主鏈和包含作為光反應(yīng)性官能團(tuán)的肉桂酸酯基的側(cè)鏈的高分子。為了參考，在本說明書中引用上述國(guó)際公開第2009/157207號(hào)的全部公開內(nèi)容。有源矩陣基板10的構(gòu)成要素由具有絕緣性的透明的基板(例如玻璃基板)10a支撐。在基板10a上設(shè)置有柵極金屬層。柵極金屬層包含tft的柵極電極和電連接到柵極電極的掃描配線(柵極總線)(均未圖示)。掃描配線對(duì)tft供應(yīng)掃描信號(hào)電壓。以覆蓋柵極金屬層的方式設(shè)置有柵極絕緣層14。在柵極絕緣層14上設(shè)置有作為tft的活性層的氧化物半導(dǎo)體層(未圖示)。通過使用由氧化物半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體層，可得到對(duì)實(shí)現(xiàn)低頻驅(qū)動(dòng)來說合適的元件特性(截止特性)。氧化物半導(dǎo)體層例如包含in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體(以下略稱為“in-ga-zn-o系半導(dǎo)體”。)。在此，in-ga-zn-o系半導(dǎo)體是in(銦)、ga(鎵)、zn(鋅)的三元系氧化物，in、ga和zn的比例(組成比)沒有特別限定，例如包括in：ga：zn＝2：2：1、in：ga：zn＝1：1：1、in：ga：zn＝1：1：2等。在本實(shí)施方式中，氧化物半導(dǎo)體層可以是例如按in：ga：zn＝1：1：1的比例包含in、ga、zn的in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層。具有in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層的tft具有高遷移率(與a-sitft相比超過20倍)和低漏電電流(與a-sitft相比不到百分之一)，因此適于用作驅(qū)動(dòng)tft和像素tft。若使用具有in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層的tft，則能大幅度削減液晶顯示裝置100的功耗。in-ga-zn-o系半導(dǎo)體既可以是非晶的，也可以包含結(jié)晶質(zhì)部分，具有結(jié)晶性。作為結(jié)晶質(zhì)in-ga-zn-o系半導(dǎo)體，優(yōu)選c軸與層面大致垂直地取向的結(jié)晶質(zhì)in-ga-zn-o系半導(dǎo)體。這種in-ga-zn-o系半導(dǎo)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)例如公開在特開2012-134475號(hào)公報(bào)中。為了參考，在本說明書中引用特開2012-134475號(hào)公報(bào)的全部公開內(nèi)容。氧化物半導(dǎo)體層也可以包含代替in-ga-zn-o系半導(dǎo)體的其它氧化物半導(dǎo)體。例如也可以包含zn-o系半導(dǎo)體(zno)、in-zn-o系半導(dǎo)體(izo(注冊(cè)商標(biāo)))、zn-ti-o系半導(dǎo)體(zto)、cd-ge-o系半導(dǎo)體、cd-pb-o系半導(dǎo)體、cdo(氧化鎘)、mg-zn-o系半導(dǎo)體、in-sn-zn-o系半導(dǎo)體(例如in2o3-sno2-zno)、in-ga-sn-o系半導(dǎo)體等。在氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置有源極金屬層。源極金屬層包含tft的源極電極、漏極電極(均未圖示)和電連接到源極電極的信號(hào)配線(源極總線)15。信號(hào)配線15對(duì)tft供應(yīng)顯示信號(hào)電壓。以覆蓋源極金屬層的方式設(shè)置有保護(hù)層16。保護(hù)層16例如由無機(jī)絕緣材料形成。在保護(hù)層16上設(shè)置有機(jī)層間絕緣層17。有機(jī)層間絕緣層17例如由具有感光性的樹脂材料形成。在有機(jī)層間絕緣層17上按順序?qū)盈B有第2電極12、電介質(zhì)層13、第1電極11和取向膜18。相對(duì)基板20具有：遮光層21和彩色濾光片層22；以及以與液晶層30接觸的方式設(shè)置的取向膜28。遮光層(也稱為“黑矩陣”)21例如由具有感光性的黑色樹脂材料形成。彩色濾光片層22包含紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍(lán)彩色濾光片22b。紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍(lán)彩色濾光片22b例如由具有感光性的著色樹脂材料形成。由取向膜28規(guī)定的液晶分子的取向方位與由取向膜18規(guī)定的液晶分子的取向方位平行或者反向平行。在本實(shí)施方式中，取向膜28是光取向膜，主要作為規(guī)定液晶分子的取向方位的水平取向膜發(fā)揮功能。由取向膜28規(guī)定的液晶分子的預(yù)傾角也典型地設(shè)定為1°以下。另外，優(yōu)選由取向膜28規(guī)定的液晶分子的預(yù)傾角也是0.1°以上且1.0°以下。在本實(shí)施方式中，以覆蓋遮光層21和彩色濾光片層22的方式設(shè)置有有機(jī)平坦化層23，在該有機(jī)平坦化層23上設(shè)置有取向膜28。有機(jī)平坦化層23例如由具有感光性的樹脂材料形成。相對(duì)基板20的構(gòu)成要素由具有絕緣性的透明的基板(例如玻璃基板)20a支撐。在基板20a的與液晶層30相反的一側(cè)的表面設(shè)置有用于防止帶電的透明導(dǎo)電層26。透明導(dǎo)電層26例如被施加0v的電位。液晶層30包含介電各向異性為正的向列液晶材料，液晶層30中的液晶分子通過取向膜18和28的取向限制力大致水平地取向。如已經(jīng)說明的，取向膜18在各像素px中具有所規(guī)定的初始取向軸方位不同的多個(gè)區(qū)域。以下還參照?qǐng)D2(a)和圖2(b)來說明該點(diǎn)。圖2(a)是表示與圖1(a)中的區(qū)域r2a對(duì)應(yīng)的部分的俯視圖，圖2(b)是沿著圖1(a)中的2b-2b’線的截面圖。此外，在圖2(a)和圖2(b)中，省略在圖1(a)和圖1(b)中示出的構(gòu)成要素的一部分。如圖2(a)和圖2(b)所示，在各像素px中，取向膜18具有：第1區(qū)域18a，其與第1電極11的狹縫11a對(duì)應(yīng)；以及第2區(qū)域18b，其與第1電極11的狹縫11a以外的部分(主要是細(xì)長(zhǎng)電極部分11b)對(duì)應(yīng)。由取向膜18的第1區(qū)域18a規(guī)定的液晶分子lc的初始取向軸方位d1與由取向膜18的第2區(qū)域18b規(guī)定的液晶分子lc的初始取向軸方位d2相互不同。在圖2(a)所示的例子中，由第1區(qū)域18a規(guī)定的初始取向軸方位d1與狹縫11a的延伸方向形成的角度(以下有時(shí)也稱為“初始取向角度”)θ1比由第2區(qū)域18b規(guī)定的初始取向軸方位d2與狹縫11a的延伸方向形成的角度θ2小。第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1例如為3°，第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2例如為15°。這樣，取向膜18具有規(guī)定相互不同的初始取向軸方位d1、d2的2種區(qū)域(第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b)。此外，如本實(shí)施方式那樣，在相對(duì)基板20側(cè)也設(shè)置有取向膜28的情況下，由該取向膜28規(guī)定的取向方位在與取向膜18的第1區(qū)域18a相對(duì)的區(qū)域中與由第1區(qū)域18a規(guī)定的取向方位平行或者反向平行，在與取向膜18的第2區(qū)域18b相對(duì)的區(qū)域中，與由第2區(qū)域18b規(guī)定的取向方位平行或者反向平行。即，取向膜28在與第1電極11的狹縫11a對(duì)應(yīng)的區(qū)域和與狹縫11a以外的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中規(guī)定不同的取向方位。當(dāng)對(duì)第1電極11與第2電極12之間施加電壓時(shí)，會(huì)生成與狹縫11a的延伸方向正交的方向的橫向電場(chǎng)(邊緣電場(chǎng))。如圖3所示，液晶分子lc以其取向方向接近該橫向電場(chǎng)的方向的方式旋轉(zhuǎn)。此外，在圖3中示出圖1(a)中的區(qū)域r2a中的液晶分子lc的取向方向的變化。即，示出像素px的下半部分的取向方向的變化。根據(jù)圖3可知，在像素px的下半部分，在施加電壓時(shí)液晶分子lc按順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。而在像素px的上半部分，在施加電壓時(shí)液晶分子lc按逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。液晶顯示裝置100能進(jìn)行中止驅(qū)動(dòng)。在顯示靜止圖像時(shí)等，通過進(jìn)行中止驅(qū)動(dòng)(例如以1hz～數(shù)hz的頻率改寫圖像數(shù)據(jù))，能大幅度削減功耗。在一般的60hz驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置中，按每1個(gè)垂直掃描期間(約1/60秒)對(duì)像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓。即，在60hz驅(qū)動(dòng)中，在1秒內(nèi)對(duì)像素施加60次顯示信號(hào)。而在中止驅(qū)動(dòng)中，在指定的垂直掃描期間對(duì)像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓，在其后的單個(gè)或者多個(gè)垂直掃描期間不供應(yīng)顯示信號(hào)電壓。即，在中止驅(qū)動(dòng)中，在1幀中設(shè)置對(duì)各像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓的信號(hào)供應(yīng)期間和對(duì)各像素不供應(yīng)顯示信號(hào)電壓的中止期間。例如，驅(qū)動(dòng)頻率為1hz的中止驅(qū)動(dòng)可以如下執(zhí)行：在1個(gè)垂直掃描期間(60hz驅(qū)動(dòng)的1個(gè)垂直掃描期間：1/60秒)對(duì)像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓后，在該垂直掃描期間之后接下來的59個(gè)垂直掃描期間(59/60秒)中不將顯示信號(hào)供應(yīng)給像素而將其中止。此外，在中止驅(qū)動(dòng)中，為了對(duì)像素施加所希望的顯示信號(hào)電壓，也可以在多個(gè)垂直掃描期間內(nèi)供應(yīng)電壓。例如也可以在最初的3個(gè)垂直掃描期間對(duì)像素供應(yīng)顯示信號(hào)電壓，將其后的57個(gè)垂直掃描期間設(shè)為中止期間。根據(jù)以上說明可知，在本申請(qǐng)說明書中，將為了對(duì)像素供應(yīng)某顯示信號(hào)而分配的期間稱為1幀。在1hz的中止驅(qū)動(dòng)中，1幀包含60個(gè)垂直掃描期間，其中適當(dāng)?shù)卦O(shè)定信號(hào)供應(yīng)期間和中止期間。此外，在上述60hz驅(qū)動(dòng)的情況下，1幀與1個(gè)垂直掃描期間對(duì)應(yīng)。另外，根據(jù)上述說明可以理解，在本說明書中“驅(qū)動(dòng)頻率”這一用語與1幀期間(秒)的倒數(shù)對(duì)應(yīng)。例如在通過中止驅(qū)動(dòng)將驅(qū)動(dòng)頻率設(shè)定為10hz的情況下，1幀期間是0.1秒。如上所述，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，在各像素px中，取向膜18具有規(guī)定相互不同的初始取向軸方位d1、d2的2種區(qū)域(第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b)。由此，即使通過不到60hz的頻率驅(qū)動(dòng)，也能不易看到由撓曲極化導(dǎo)致的閃爍。以下說明其原因，但在此之前說明撓曲極化及其導(dǎo)致的閃爍。在向列液晶中，各個(gè)液晶分子雖然具有永久偶極矩并極化，但是由于分子排列的對(duì)稱性，在平衡狀態(tài)下不會(huì)發(fā)生宏觀的極化。但是，由于電場(chǎng)分布的急劇變化，液晶分子在試圖使其取向方向一致而排列時(shí)會(huì)成為局部的展曲取向或者彎曲取向(即分子排列的對(duì)稱性被破壞)，發(fā)生宏觀的極化。該極化(撓曲電效應(yīng)導(dǎo)致的極化)是撓曲極化。在專利文獻(xiàn)1中記載了在ffs模式的液晶顯示裝置中由于撓曲極化而在對(duì)液晶層施加正極性的電壓時(shí)與施加負(fù)極性的電壓時(shí)產(chǎn)生透射率的差異。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，該撓曲極化是由在液晶層中生成的電場(chǎng)(用拱形電力線表示)的取向限制力與有源矩陣基板側(cè)的取向膜的取向限制力的沖突而產(chǎn)生的局部的(有源矩陣基板側(cè)的取向膜與液晶層的界面附近的)展曲取向造成的。撓曲極化的方向隨著對(duì)液晶層施加的極性的反轉(zhuǎn)而反轉(zhuǎn)，因此像素內(nèi)的暗線(由于撓曲極化而產(chǎn)生)隨之移動(dòng)，而看到閃爍。在專利文獻(xiàn)1中記載了將液晶材料的撓曲系數(shù)e11、e33、彈性系數(shù)k11、k33設(shè)為指定的范圍內(nèi)從而能抑制上述閃爍。然而，本申請(qǐng)的發(fā)明人在橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置中應(yīng)用了上述中止驅(qū)動(dòng)后，發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生通過專利文獻(xiàn)1中公開的技術(shù)無法應(yīng)對(duì)的閃爍。在圖4中示出在橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置中進(jìn)行了中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化。此外，在圖4中還一并示出像素電壓的波形。在圖4所示的例子中，通過中止驅(qū)動(dòng)使驅(qū)動(dòng)頻率成為10hz(即1幀期間為100msec)，像素電壓的極性按每100msec反轉(zhuǎn)。具體地，對(duì)第1幀(0～100msec)施加正極性的像素電壓，對(duì)第2幀(100msec～200msec)施加負(fù)極性的像素電壓，對(duì)第3幀(200msec～300msec)施加正極性的像素電壓。根據(jù)圖4可知，在極性反轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)發(fā)生亮度下降。該亮度下降被看成閃爍。此外，在極性反轉(zhuǎn)時(shí)亮度如向下的角(つ)那樣下降，所以下面將該現(xiàn)象還稱為“下角響應(yīng)”。本申請(qǐng)的發(fā)明人進(jìn)行了模擬后發(fā)現(xiàn)：即使將液晶材料的撓曲系數(shù)e11、e33或彈性系數(shù)k11、k33設(shè)定為專利文獻(xiàn)1中公開的范圍內(nèi)，也無法改善上述閃爍(下角響應(yīng))。下面，說明發(fā)生下角響應(yīng)的原因。撓曲極化伴隨著電位差，因此施加電場(chǎng)時(shí)的液晶分子的旋轉(zhuǎn)量成為：與撓曲極化所致的電位差相當(dāng)?shù)牧康男D(zhuǎn)量疊加于施加電場(chǎng)所致的旋轉(zhuǎn)量后的量。因此，像素內(nèi)液晶分子的旋轉(zhuǎn)量產(chǎn)生大小差異，成為亮暗差。在此，以圖4所示的情況為例，進(jìn)一步參照?qǐng)D5(a)～圖5(d)來進(jìn)行更具體的說明。圖5(a)和圖5(b)分別是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖和截面圖，是相當(dāng)于與本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100有關(guān)的圖2(a)和圖2(b)的圖。圖5(c)是表示施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布(相對(duì)亮度和橫向(圖5(a)和圖5(b)的左右方向)的距離的關(guān)系)的坐標(biāo)圖，圖5(d)是表示施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布的坐標(biāo)圖。圖5(a)和圖5(b)所示的比較例的液晶顯示裝置900與本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的不同之處在于，通過取向膜918對(duì)像素整體規(guī)定1個(gè)初始取向軸方位d3。在液晶顯示裝置900中，由取向膜918的與像素電極11的狹縫11a對(duì)應(yīng)的區(qū)域918a規(guī)定的初始取向軸方位d3與由取向膜918的與狹縫11a以外的部分(主要是細(xì)長(zhǎng)電極部分11b)對(duì)應(yīng)的區(qū)域918b規(guī)定的初始取向軸方位d3相同。初始取向軸方位d3與狹縫11a的延伸方向形成的角度θ3在此為15°。在對(duì)像素電極11與共用電極12之間施加了指定的電壓時(shí)、即在施加正極性的像素電壓時(shí)和在施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)，在有源矩陣基板10附近，液晶分子lc均成為展曲取向，由此發(fā)生撓曲極化。該撓曲極化是由于在液晶層30中生成的電場(chǎng)的取向限制力與有源矩陣基板10側(cè)的取向膜918的取向限制力的沖突而產(chǎn)生的。不過，撓曲極化的方向在像素電壓的極性為正時(shí)和為負(fù)時(shí)是不同的。即，隨著像素電壓的極性的反轉(zhuǎn)，撓曲極化的方向也反轉(zhuǎn)。另外，在像素電壓的極性剛反轉(zhuǎn)后，撓曲極化緩和(消失)。圖5(c)和圖5(d)所示的亮度分布是通過模擬得到的。作為模擬軟件，使用了shintek株式會(huì)社制lcdmaster。由撓曲極化導(dǎo)致的閃爍在進(jìn)行低灰度級(jí)(例如256灰度級(jí)顯示的液晶顯示裝置的64灰度級(jí)：與標(biāo)準(zhǔn)化透射率為5％對(duì)應(yīng))顯示的情況下易于被看到，因此模擬時(shí)的像素電壓設(shè)為與64灰度級(jí)顯示對(duì)應(yīng)的電壓(具體為1.35v：參照后述的表2)。將單元厚度(液晶層的厚度)設(shè)為3.0μm，將電介質(zhì)層的厚度設(shè)為0.3μm。第1電極(像素電極)11的狹縫11a的寬度和細(xì)長(zhǎng)電極部分11b的寬度分別設(shè)為5.0μm和3.0μm。構(gòu)成液晶層30的正型液晶材料的物理性質(zhì)值如下述的表1所示。此外，當(dāng)使像素電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)，施加正極性的電壓時(shí)的亮度(透射率)與施加負(fù)極性的電壓時(shí)的亮度(透射率)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生差。通過對(duì)共用電壓(vcom)施加指定的dc電壓來調(diào)整該透射率的不對(duì)稱性。在比較例中，偏移后的共用電壓是0.017v。[表1]根據(jù)圖5(c)所示的100msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布可知，在像素電壓的極性為正時(shí)，像素電極11的狹縫11a上亮，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上暗。另外，根據(jù)106msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布可知，當(dāng)像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)，狹縫11a上的亮度下降，并且細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度上升。此時(shí)，與細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此，平均亮度(像素px整體的亮度)下降。另一方面，根據(jù)圖5(d)所示的200msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布可知，在像素電壓的極性為負(fù)時(shí)，像素電極11的細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上亮，狹縫11a上暗。另外，根據(jù)206msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布可知，當(dāng)像素電壓的極性從負(fù)反轉(zhuǎn)為正時(shí)，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時(shí)，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細(xì)長(zhǎng)電極11b上的亮度的下降較大，因此，平均亮度下降。這樣，在像素電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)，像素px的亮度下降，被看成閃爍。并且，當(dāng)進(jìn)行中止驅(qū)動(dòng)時(shí)，這種閃爍會(huì)變得明顯。根據(jù)上述原因，會(huì)發(fā)生由撓曲極化導(dǎo)致的下角響應(yīng)(閃爍)。在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，取向膜18具有第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b，由此，即使按不到60hz的頻率驅(qū)動(dòng)，也能不易看到由撓曲極化導(dǎo)致的閃爍。下面，說明通過模擬對(duì)這一點(diǎn)進(jìn)行驗(yàn)證的結(jié)果。作為模擬的條件，使用了已經(jīng)說明過的條件(在亮度分布的計(jì)算中使用的條件)。首先，通過模擬驗(yàn)證了vt特性的初始取向角度依賴性。在圖6中，示出初始取向角度(初始取向軸方位與狹縫11a的延伸方向形成的角度)為3°、7°、11°和15°時(shí)的vt特性(像素電壓與標(biāo)準(zhǔn)化透射率的關(guān)系)。根據(jù)圖6可知，vt特性根據(jù)初始取向角度的大小而不同。具體地，初始取向角度越小(即按15°、11°、7°和3°的順序)，標(biāo)準(zhǔn)化透射率成為最大的電壓越低。此外，根據(jù)圖6所示的結(jié)果，可得到與各灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的電壓。初始取向角度為3°、7°、11°和15°時(shí)的與64灰度級(jí)顯示對(duì)應(yīng)的電壓如下述的表2所示。[表2]初始取向角度3°7°11°15°64灰度級(jí)電壓1.71v1.53v1.42v1.35v接著，驗(yàn)證了響應(yīng)特性的初始取向角度依賴性。在圖7中，示出初始取向角度為3°、7°、11°和15°時(shí)的響應(yīng)特性(時(shí)間與標(biāo)準(zhǔn)化亮度的關(guān)系)。根據(jù)圖7可知，響應(yīng)特性根據(jù)初始取向角度的大小而不同。具體地，初始取向角度越小(即按15°、11°、7°和3°的順序)，像素電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)的亮度的下降越小。這樣，通過減小初始取向角度能抑制極性剛反轉(zhuǎn)后的亮度下降。在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，取向膜18具有所規(guī)定的初始取向軸方位不同的多個(gè)區(qū)域(第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b)。因此，通過減小本來在極性反轉(zhuǎn)時(shí)亮度下降大的區(qū)域的初始取向角度，從而能有效地抑制亮度下降。因而，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，即使按不到60hz的頻率進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，也能不易看到由撓曲極化導(dǎo)致的閃爍(下角響應(yīng))。通過減小初始取向角度而可抑制亮度下降的機(jī)理雖然尚不明確，但認(rèn)為是，若初始取向角度小，則在撓曲極化緩和時(shí)，液晶分子lc的恢復(fù)旋轉(zhuǎn)角度變大，由此，液晶分子lc的彈力變大，其結(jié)果是，恢復(fù)時(shí)間縮短，能抑制亮度下降(下角響應(yīng))。此外，在圖2(a)中例示了取向膜18的第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1比第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2小的構(gòu)成。與此相反，如圖8所示，也可以是第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1比第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2大的構(gòu)成。在此，說明一對(duì)偏振板的優(yōu)選配置。如已說明的，一對(duì)偏振板以正交尼科耳配置。如圖9所示，優(yōu)選一對(duì)偏振板中的一個(gè)偏振板的偏振軸a1大致平行于由第1區(qū)域18a規(guī)定的初始取向軸方位d1和由第2區(qū)域18b規(guī)定的初始取向軸方位d2中的、與狹縫11a的延伸方向形成的角度較大的初始取向軸方位(在圖9所示的例子中為由第2區(qū)域18b規(guī)定的初始取向軸方位d2)。通過采用圖9所示的配置，能充分地降低黑顯示狀態(tài)的亮度，能充分地提高對(duì)比度比。在圖10中示出將第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1設(shè)為3°、將第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2設(shè)為15°、將一對(duì)偏振板中的一個(gè)偏振板的偏振軸a1配置為與由第2區(qū)域18b規(guī)定的初始取向軸方位d2大致平行時(shí)的vt特性。根據(jù)圖10可知，未施加電壓時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度大于零，當(dāng)使電壓從0v增加時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)化亮度一度減少并在取得極小值(大致為零)后上升。在通過施加電壓使第1區(qū)域18a(初始取向角度相對(duì)較小的區(qū)域)上的液晶分子lc的取向方位與偏振軸a1一致時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)化亮度取得極小值，通過將此時(shí)的電壓(圖10所示的例子中為約1.8v)設(shè)為黑顯示電壓，從而能充分地提高對(duì)比度比。此外，第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1和第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2只要相互不同即可，不限于例示的值。不過，優(yōu)選第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1和第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2中較大的角度是4°以上且15°以下，并優(yōu)選較小的角度是3°以上且14°以下。下面，說明其原因。首先，偏振板的軸精度、制造工藝精度被設(shè)想為±1°左右，所以可以說優(yōu)選初始取向角度θ1和θ2的下限值是3°～4°左右。在圖11中示出初始取向角度為3°、7°、11°、15°和19°時(shí)的vt特性(像素電壓與標(biāo)準(zhǔn)化透射率的關(guān)系)。此外，圖11所示的vt特性是將初始取向角度為3°時(shí)的最大透射率設(shè)為100％而進(jìn)行了透射率的標(biāo)準(zhǔn)化的vt特性。根據(jù)圖11可知，角度越小，則最大透射率越高，另外，以更低的電壓取得最大透射率。例如在19°的情況下，與3°的情況相比，最大透射率低了約8％，取得最大透射率的電壓高了約0.6v。因此，從低功耗的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選初始取向角度θ1和θ2的上限值是14°～15°左右。在15°的情況下，與3°的情況比較時(shí)的最大透射率的下降為約8％，取得最大透射率的電壓的上升為約0.3v，對(duì)低功耗性的不良影響比較輕微。根據(jù)上述原因，優(yōu)選第1區(qū)域18a中的初始取向角度θ1和第2區(qū)域18b中的初始取向角度θ2中較大的角度是4°以上且15°以下，較小的角度是3°以上且14°以下。在此，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100，說明通過模擬驗(yàn)證了使像素電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)的亮度下降的抑制效果的結(jié)果。作為模擬的條件，使用了已經(jīng)說明過的條件。(實(shí)施例1)首先，作為實(shí)施例1，說明取向膜18的第1區(qū)域18a(與狹縫11a對(duì)應(yīng)的區(qū)域)中的初始取向角度θ1為3°、第2區(qū)域18b(主要與細(xì)長(zhǎng)電極部分11b對(duì)應(yīng)的區(qū)域)中的初始取向角度θ2為15°時(shí)的驗(yàn)證結(jié)果。此外，共用電壓是0.000v。在圖12(a)中，示出施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布。根據(jù)圖12(a)可知，在像素電壓的極性為正時(shí)，像素電極11的狹縫11a上(圖12(a)中的區(qū)域s)亮，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上(圖12(a)中的區(qū)域e)暗。另外，當(dāng)像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)，狹縫11a上的亮度下降，并且細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度上升。此時(shí)，與細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據(jù)圖12(a)與圖5(c)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖12(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1的100msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與106msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差。根據(jù)圖12(b)也可知，在實(shí)施例1中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖13(a)中，示出施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布。根據(jù)圖13(a)可知，在像素電壓的極性為負(fù)時(shí)，像素電極11的細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上(圖13(a)中的區(qū)域e)亮，狹縫11a上(圖13(a)中的區(qū)域s)暗。另外，當(dāng)像素電壓的極性從負(fù)反轉(zhuǎn)為正時(shí)，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時(shí)，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據(jù)圖13(a)與圖5(d)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖13(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1的200msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與206msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差。根據(jù)圖13(b)也可知，實(shí)施例1與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖14中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1的通過模擬對(duì)進(jìn)行了10hz驅(qū)動(dòng)的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化進(jìn)行計(jì)算的結(jié)果。在此，示出對(duì)奇數(shù)幀施加負(fù)極性的像素電壓、對(duì)偶數(shù)幀施加正極性的像素電壓的例子。根據(jù)圖14可知，在實(shí)施例1中，像素電壓的極性從負(fù)反轉(zhuǎn)為正時(shí)的亮度下降以及像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)的亮度下降這兩者與比較例的液晶顯示裝置900中相比進(jìn)一步被抑制。在圖15中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例1的對(duì)進(jìn)行了10hz的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率進(jìn)行計(jì)算的結(jié)果。此外，閃爍率本來是將透射率(標(biāo)準(zhǔn)化透射率)的最大值tmax與最小值tmin之差δt(＝tmax-tmin)除以累計(jì)平均透射率tave而得到的值，但在圖15中用將比較例的閃爍率設(shè)為100％的相對(duì)值表示閃爍率。根據(jù)圖15可知，在實(shí)施例1中，與比較例的液晶顯示裝置900相比閃爍率較低，閃爍率改善了8％～19％。(實(shí)施例2)接著，作為實(shí)施例2，說明取向膜18的第1區(qū)域18a(與狹縫11a對(duì)應(yīng)的區(qū)域)中的初始取向角度θ1為7°、第2區(qū)域18b(主要與細(xì)長(zhǎng)電極部分11b對(duì)應(yīng)的區(qū)域)中的初始取向角度θ2為3°時(shí)的驗(yàn)證結(jié)果。此外，共用電壓是0.020v。在圖16(a)中，示出施加正極性的像素電壓時(shí)(100msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從正反轉(zhuǎn)為負(fù)后(106msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布。根據(jù)圖16(a)可知，在像素電壓的極性為正時(shí)，像素電極11的狹縫11a上(圖16(a)中的區(qū)域s)亮，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上(圖16(a)中的區(qū)域e)暗。另外，當(dāng)像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)，狹縫11a上的亮度下降，并且細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度上升。此時(shí)，與細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據(jù)圖16(a)與圖5(c)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖16(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2的100msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與106msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差。根據(jù)圖16(b)也可知，在實(shí)施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖17(a)中，示出施加負(fù)極性的像素電壓時(shí)(200msec時(shí)點(diǎn))以及像素電壓的極性剛從負(fù)反轉(zhuǎn)為正后(206msec時(shí)點(diǎn))的亮度分布。根據(jù)圖17(a)可知，在像素電壓的極性為負(fù)時(shí)，像素電極11的細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上(圖17(a)中的區(qū)域e)亮，狹縫11a上(圖17(a)中的區(qū)域s)暗。另外，當(dāng)像素電壓的極性從負(fù)反轉(zhuǎn)為正時(shí)，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時(shí)，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據(jù)圖17(a)與圖5(d)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖17(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2的200msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布與206msec時(shí)點(diǎn)的亮度分布的差。根據(jù)圖17(b)也可知，在實(shí)施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖18中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2的通過模擬對(duì)進(jìn)行了10hz驅(qū)動(dòng)的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化亮度的時(shí)間變化進(jìn)行計(jì)算的結(jié)果。在此，示出對(duì)奇數(shù)幀施加負(fù)極性的像素電壓、對(duì)偶數(shù)幀施加正極性的像素電壓的例子。根據(jù)圖18可知，在實(shí)施例2中，像素電壓的極性從負(fù)反轉(zhuǎn)為正時(shí)的亮度下降以及像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)的亮度下降這兩者與比較例的液晶顯示裝置900中相比進(jìn)一步被抑制。在圖19中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實(shí)施例2的對(duì)進(jìn)行了10hz的中止驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率進(jìn)行計(jì)算的結(jié)果。在圖19中，也用將比較例的閃爍率設(shè)為100％的相對(duì)值表示閃爍率。根據(jù)圖19可知，在實(shí)施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比閃爍率較低，閃爍率改善了11％～18％。(制造方法)接著，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的制造方法。有源矩陣基板10能用公知的各種方法制作。柵極金屬層(包含tft的柵極電極和掃描配線)和源極金屬層(包含tft的源極電極、漏極電極和信號(hào)配線)例如分別由厚度為0.4μm的tin/al/tin層疊膜形成。柵極絕緣層14和電介質(zhì)層13例如分別由厚度為0.2μm～0.5μm的sinx膜形成。保護(hù)層16例如由厚度為0.4μm的sinx膜形成。有機(jī)層間絕緣層17例如由厚度為2.5μm的丙烯酸系樹脂材料形成。第1電極(像素電極)11和相對(duì)電極(共用電極)12例如由厚度為0.1μm的ito膜形成。第1電極11的細(xì)長(zhǎng)電極部分11b的寬度例如是3.0μm。另外，細(xì)長(zhǎng)電極部分11b的間隔(狹縫11a的寬度)例如是5.0μm。相對(duì)基板20也能用公知的各種方法制作。遮光層21例如由黑色樹脂材料形成，其厚度例如是1.6μm。紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍(lán)彩色濾光片22b例如分別由著色樹脂材料形成，其厚度例如為1.5μm。有機(jī)平坦化層23例如由丙烯酸系樹脂材料形成，其厚度例如為2.0μm。透明導(dǎo)電層26例如由厚度為20nm的ito膜形成。透明導(dǎo)電層26例如在液晶注入工序后通過濺射法形成。作為光取向膜的取向膜18和28例如能通過如下方式形成。首先，通過旋涂法等對(duì)有源矩陣基板10/相對(duì)基板20的表面涂敷光取向膜材料，通過進(jìn)行燒制形成例如厚度為0.06μm～0.08μm的取向膜18/28。更具體地，將pvci(聚肉桂酸乙烯酯)系的光取向膜材料以固體成分濃度成為大致3.0wt％的方式混合到γ丁內(nèi)酯中，調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速(例如為1500rpm～2500rpm)將得到的溶液以厚度成為60nm～80nm的方式涂敷到設(shè)置于旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的有源矩陣基板10/相對(duì)基板20上。接下來，在加熱板上對(duì)基板進(jìn)行預(yù)烘(例如以80℃進(jìn)行1分鐘)和后烘(例如以180℃進(jìn)行1小時(shí))的燒制處理。其后，如圖20所示，經(jīng)由具有在指定的方向上延伸的多個(gè)狹縫48s的掩模(線柵狹縫掩模)48對(duì)取向膜18/28照射偏振方向l1的直線偏振紫外線(偏振uv)，從而得到光取向膜18/28。例如在uv光源ls與取向膜18/28之間配置具有寬度為約7μm的狹縫48s的掩模48，將照射能量設(shè)定為1.5j/cm2而照射偏振uv。此時(shí)，例如按35μm/sec的速度沿著指定的方向d4掃描基板，從而能對(duì)樹脂膜整體進(jìn)行光取向處理。此外，在此，使用表現(xiàn)出與偏振uv的偏振方向l1垂直的方向的取向限制力(用取向軸方位d1表示)的光取向膜材料。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置100中，為了形成規(guī)定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的2種區(qū)域(第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b)，對(duì)光取向膜18進(jìn)行2次上述曝光工序。具體地，在取向膜18與線柵掩模48之間還配置有具有與對(duì)應(yīng)于第1電極11的狹縫11a的區(qū)域?qū)?yīng)的開口部的掩模(未圖示)的狀態(tài)下進(jìn)行曝光，之后(或者之前)，在取向膜18與線柵掩模48之間配置有與對(duì)應(yīng)于第1電極11的狹縫11a以外的部分的區(qū)域?qū)?yīng)的開口部的別的掩模(未圖示)的狀態(tài)下進(jìn)行曝光。各個(gè)曝光工序中的偏振uv的偏振方向l1以使第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b中的初始取向軸方位d1和d2成為所希望的方位的方式設(shè)定。同樣地，對(duì)光取向膜28也進(jìn)行2次曝光工序。這樣，能形成作為光取向膜的取向膜18和28。此外，取向膜18和28也可以不是光取向膜。例如對(duì)取向膜18和28也可以實(shí)施作為取向處理的摩擦處理。例如能按如下方式形成實(shí)施了摩擦處理的取向膜18和28。首先，將聚酰胺酸系的取向膜材料以固體成分濃度成為大致3.0wt％的方式混合到γ丁內(nèi)酯中，調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速(例如為1500rpm～2500rpm)將得到的溶液以厚度成為60nm～80nm的方式涂敷到設(shè)置于旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)的有源矩陣基板10/相對(duì)基板20上。接下來，在加熱板上對(duì)基板進(jìn)行預(yù)烘(例如以80℃進(jìn)行1分鐘)和后烘(例如以180℃進(jìn)行1小時(shí))的燒制處理。其后，如圖21(a)所示，使用卷繞有摩擦布42的摩擦輥43對(duì)取向膜18/28進(jìn)行摩擦處理。例如將吉川化工制ya18r(材質(zhì)為人造絲)用作摩擦布42，按摩擦輥43的轉(zhuǎn)速為300rpm、載臺(tái)的移動(dòng)速度為25mm/min、纖維接觸量為0.6μm的條件進(jìn)行摩擦處理。摩擦輥43的旋轉(zhuǎn)方向d5、摩擦方向d6以及載臺(tái)的移動(dòng)方向d7的關(guān)系如圖21(a)中所示。如圖21(b)所示，摩擦布42的纖維42a是傾斜的，在圖21(a)所示的例子中，進(jìn)行所謂的順向摩擦(順目ラビング)。此外，在橫向電場(chǎng)模式的情況下，優(yōu)選取向膜18和28的錨定特性比較強(qiáng)。例如通過減緩載臺(tái)的移動(dòng)速度能提高摩擦密度并加強(qiáng)錨定特性。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置100中，為了形成規(guī)定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的2種區(qū)域(第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b)，對(duì)取向膜18進(jìn)行2次上述摩擦處理。例如首先按與第1區(qū)域18a的初始取向軸方位d1對(duì)應(yīng)的摩擦方向d6對(duì)取向膜18的整個(gè)面進(jìn)行摩擦處理。接著，在用抗蝕劑圖案保護(hù)取向膜18的第1區(qū)域18a的狀態(tài)下，按與第2區(qū)域18b的初始取向軸方位d2對(duì)應(yīng)的摩擦方向d6進(jìn)行摩擦處理。其后，將抗蝕劑圖案剝離。通過這樣進(jìn)行2次摩擦處理，從而能對(duì)取向膜18的第1區(qū)域18a和第2區(qū)域18b賦予規(guī)定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的取向限制力。同樣地，對(duì)取向膜28也進(jìn)行2次摩擦處理。在如上所述制作了有源矩陣基板10和相對(duì)基板20后，將液晶材料密封到上述基板之間從而得到包含液晶層30的液晶面板。該工序也能用公知的各種方法來進(jìn)行。以下說明具體例。首先，使用分配器對(duì)相對(duì)基板20中與1個(gè)面板對(duì)應(yīng)的區(qū)域的周邊部涂敷密封材料。作為密封材料，能使用例如熱固化性樹脂。接著，進(jìn)行預(yù)烘工序(例如以80℃進(jìn)行5分鐘)。另外，在有源矩陣基板10上干式散布所希望的直徑(例如3.3μm)的球狀間隔物。其后，將有源矩陣基板10與相對(duì)基板20貼合，在進(jìn)行了真空沖壓工序或者剛體沖壓工序后，進(jìn)行后烘工序(例如以180℃進(jìn)行60分鐘)。此外，一般使用大型母玻璃同時(shí)形成多個(gè)液晶面板，因此將有源矩陣基板10與相對(duì)基板20貼合后，進(jìn)行切分成各液晶面板的工序。在各液晶面板中，在基板間形成有由間隔物維持間隔的空隙，而成為空單元的狀態(tài)。對(duì)該空單元注入液晶材料。液晶注入工序是通過如下方式進(jìn)行的：將適量液晶材料放入注入盤，與空單元一起放置到真空腔室內(nèi)，在抽真空(例如60分鐘)后，進(jìn)行浸漬注入(例如60分鐘)。在從真空腔室取出被注入了液晶材料的單元后，對(duì)附著于注入口的液晶材料進(jìn)行清掃。另外，對(duì)注入口涂布uv固化樹脂，通過uv照射使其固化從而將注入口密封，完成液晶面板。以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但當(dāng)然能進(jìn)行其它各種改變。例如，如圖22(a)所示，也可以將第2電極(共用電極)12與源極金屬層(包含信號(hào)配線15和tft的源極電極、漏極電極)設(shè)置于同層。在該構(gòu)成中，保護(hù)層16作為輔助電容的(即位于像素電極11和共用電極12之間的)電介質(zhì)層發(fā)揮功能?；蛘撸鐖D22(b)所示，也可以將第2電極(共用電極)12與柵極金屬層(包含掃描配線和tft的柵極電極)設(shè)置于同層。在該構(gòu)成中，柵極絕緣層14和保護(hù)層16作為輔助電容的(即位于像素電極11和共用電極12之間的)電介質(zhì)層發(fā)揮功能。此外，一對(duì)偏振板各自的透射軸和吸收軸也可以相互置換。在本說明書中，“偏振軸”可以指吸收軸或透射軸中的任一者。另外，在上述說明中例示了ffs模式的液晶顯示裝置，但本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置也可以是ips模式的液晶顯示裝置。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的實(shí)施方式廣泛應(yīng)用于橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。附圖標(biāo)記說明10第1基板(有源矩陣基板)11第1電極(像素電極)11a狹縫11b細(xì)長(zhǎng)電極部分11c連接部12第2電極(共用電極)13電介質(zhì)層14柵極絕緣層15信號(hào)配線(源極總線)16保護(hù)層17有機(jī)層間絕緣層18取向膜18a第1區(qū)域18b第2區(qū)域20第2基板(相對(duì)基板)21遮光層(黑矩陣)22彩色濾光片層22r紅彩色濾光片22g綠彩色濾光片22b藍(lán)彩色濾光片23有機(jī)平坦化層26透明導(dǎo)電層28取向膜30液晶層100、200液晶顯示裝置d1、d2初始取向軸方位lc液晶分子px像素px1第1像素px2第2像素θ1、θ2初始取向角度。當(dāng)前第1頁12