本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，尤其是有關(guān)于一種包括具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置等中所用的有源矩陣(activematrix)基板在每個像素中包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor，以下稱作“tft”)等開關(guān)(switching)元件。作為這種開關(guān)元件，已知有使用氧化物半導(dǎo)體層來作為活性層的tft(以下稱作“氧化物半導(dǎo)體tft”)。專利文獻(xiàn)1中揭示了一種液晶顯示裝置，其在tft的活性層中使用ingazno(包含銦、鎵、鋅的氧化物)。

氧化物半導(dǎo)體tft能夠以比非晶硅(amorphoussilicon)tft高的速度進(jìn)行動作。另外，氧化物半導(dǎo)體膜是以比多晶硅膜簡便的制程(process)而形成，因此也可以適用于需要大面積的裝置。因此，氧化物半導(dǎo)體tft作為可抑制制造步驟數(shù)或制造成本(cost)地制造高功能的有源元件而受到期待。

另外，由于氧化物半導(dǎo)體的遷移率高，因此與先前的非晶硅tft相比，即使將尺寸小型化，也能夠獲得同等以上的功能。因此，若使用氧化物半導(dǎo)體tft來制造顯示裝置的有源矩陣基板，則可使像素內(nèi)的tft的占有面積率下降，從而可提高像素開口率。因此，即使抑制背光(backlight)的光量，也可以進(jìn)行明亮的顯示，從而可實現(xiàn)低消耗電力。

進(jìn)而，氧化物半導(dǎo)體tft的泄漏(offleak)特性優(yōu)異，因此，也可以利用使圖像的改寫(確認(rèn)術(shù)語)頻率下降而進(jìn)行顯示的動作模式(mode)。例如，在靜態(tài)圖像顯示等時，可以下述方式進(jìn)行動作，即，以1秒1次的頻率來改寫圖像數(shù)據(jù)。這種驅(qū)動方式被稱中止驅(qū)動或低頻驅(qū)動等，可大幅削減顯示裝置的消耗電力。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2012-134475號公報

專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2011-66375號公報

如上所述，通過使用氧化物半導(dǎo)體tft，與使用非晶硅tft的情況相比，盡管可實現(xiàn)開口率的提高，但在最近，顯示裝置的高精細(xì)化進(jìn)一步發(fā)展，迫切期望開口率的進(jìn)一步提高。

然而，由于以下原因，包括氧化物半導(dǎo)體tft的顯示裝置中的開口率的進(jìn)一步提高存在困難。

氧化物半導(dǎo)體tft會因光的照射而導(dǎo)致其tft特性發(fā)生劣化(參照專利文獻(xiàn)2)。具體而言，閾值電壓發(fā)生負(fù)漂移(minusshift)。因此，在包括氧化物半導(dǎo)體tft的顯示裝置中，設(shè)置于對向基板(以與有源矩陣基板對向的方式設(shè)置)側(cè)的黑矩陣(blackmatrix)(遮光層)包含與氧化物半導(dǎo)體tft重疊的區(qū)域，通過該區(qū)域(薄膜晶體管遮光部)來對氧化物半導(dǎo)體tft進(jìn)行遮光。該薄膜晶體管遮光部會妨礙開口率的進(jìn)一步提高。

本發(fā)明是鑒于所述問題而完成，其目的在于提高包括氧化物半導(dǎo)體tft的顯示裝置的開口率。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的實施形態(tài)的顯示裝置包括第一基板及以與第一基板對向的方式設(shè)置的第二基板，且具有呈矩陣狀排列的多個像素，其中，所述第一基板具有tft，所述tft設(shè)置于所述多個像素的每一個，且具有包含溝道區(qū)域、源極區(qū)域及漏極(drain)區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體層，所述第二基板具有彩色濾光片層及遮光層，所述彩色濾光片層包含使彼此不同色的光透射的第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片，所述第一彩色濾光片、所述第二彩色濾光片及所述第三彩色濾光片中的至少一個對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，所述遮光層在設(shè)置有對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下的彩色濾光片的像素中，(a)具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道長度方向延伸，并對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且其所具有的寬度是所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道寬度方向的長度以下；或者(b)具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道寬度方向延伸，并對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且其所具有的寬度是所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道長度方向的長度以下；或者(c)不具有對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部。

某一個實施方式中，所述多個像素包含顯示紅色的紅色像素、顯示綠色的綠色像素及顯示藍(lán)色的藍(lán)色像素，所述第一彩色濾光片、所述第二彩色濾光片及所述第三彩色濾光片分別是使紅色光透射的紅色彩色濾光片、使綠色光透射的綠色彩色濾光片及使藍(lán)色光透射的藍(lán)色彩色濾光片。

某一個實施方式中，所述紅色彩色濾光片及所述綠色彩色濾光片中的至少一者對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下。

某一個實施方式中，所述藍(lán)色彩色濾光片對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％，所述遮光層在所述藍(lán)色像素中具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道長度方向延伸并對所述tft進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且具有超過所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道寬度方向的長度的寬度。

某一個實施方式中，所述紅色彩色濾光片及所述綠色彩色濾光片各自對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，所述遮光層在所述紅色像素及所述綠色像素的每一個中：具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道長度方向延伸，并對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且其所具有的寬度是所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道寬度方向的長度以下；或者不具有對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部。

某一個實施方式中，所述藍(lán)色彩色濾光片對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％，所述遮光層在所述藍(lán)色像素中具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道寬度方向延伸并對所述tft進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且具有超過所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道長度方向的長度的寬度。

某一個實施方式中，所述紅色彩色濾光片及所述綠色彩色濾光片各自對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，所述遮光層在所述紅色像素及所述綠色像素的每一個中：具有薄膜晶體管遮光部，所述薄膜晶體管遮光部是沿著溝道寬度方向延伸，并對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部，且其所具有的寬度是所述氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道長度方向的長度以下；或者不具有對所述tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部。

某一個實施方式中，所述遮光層在所述紅色像素及所述綠色像素的每一個中具有所述薄膜晶體管遮光部，所述紅色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度與所述綠色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度相同。

某一個實施方式中，所述遮光層在所述紅色像素及所述綠色像素的每一個中具有所述薄膜晶體管遮光部，所述紅色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度小于所述綠色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度。

某一個實施方式中，所述遮光層在所述紅色像素及所述綠色像素的每一個中具有所述薄膜晶體管遮光部，所述綠色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度小于所述紅色像素中的所述薄膜晶體管遮光部的寬度。

或者，本發(fā)明的實施形態(tài)的顯示裝置包括第一基板及以與第一基板對向的方式設(shè)置的第二基板，且具有呈矩陣狀排列的多個像素，其中，所述第一基板具有tft與彩色濾光片層，所述tft設(shè)置于所述多個像素的每一個，且具有氧化物半導(dǎo)體層，所述多個像素包含顯示第一色的第一像素、顯示與所述第一色不同的第二色的第二像素、顯示與所述第一色及所述第二色不同的第三色的第三像素，所述彩色濾光片層包含使所述第一色的光透射的第一彩色濾光片、使所述第二色透射的第二彩色濾光片、及使所述第三色透射的第三彩色濾光片，所述第一彩色濾光片及所述第二彩色濾光片各自對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，所述第一彩色濾光片是以與設(shè)置于所述第一像素中的所述tft重疊的方式而配置，所述第二彩色濾光片是以與設(shè)置于所述第二像素中的所述tft重疊的方式而配置。

某一個實施方式中，所述第一像素、所述第二像素及所述第三像素分別是顯示紅色的紅色像素、顯示綠色的綠色像素及顯示藍(lán)色的藍(lán)色像素，所述第一彩色濾光片、所述第二彩色濾光片及所述第三彩色濾光片分別是使紅色光透射的紅色彩色濾光片、使綠色光透射的綠色彩色濾光片及使藍(lán)色光透射的藍(lán)色彩色濾光片，所述紅色彩色濾光片是以與設(shè)置于所述紅色像素中的所述tft重疊的方式而配置，所述綠色彩色濾光片是以與設(shè)置于所述綠色像素中的所述tft重疊的方式而配置，所述紅色彩色濾光片及所述綠色彩色濾光片中的一者以也與設(shè)置于所述藍(lán)色像素中的所述tft重疊的方式而配置。

某一個實施方式中，所述氧化物半導(dǎo)體層包含銦-鎵-鋅-氧(in-ga-zn-o)系半導(dǎo)體。

某一個實施方式中，所述in-ga-zn-o系半導(dǎo)體包含晶質(zhì)部分。

某一個實施方式中，本發(fā)明的顯示裝置還包括液晶層，所述液晶層設(shè)置于所述第一基板及所述第二基板之間。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可提高包括氧化物半導(dǎo)體tft的顯示裝置的開口率。

附圖的簡單說明

圖1(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100a的俯視圖，圖1(b)是沿著圖1(a)中的1b-1b’線的截面圖。

圖2(a)～(c)是示意性地表示液晶顯示裝置100a所包括的對向基板20的制造方法的制程截面圖。

圖3(a)～(e)是示意性地表示液晶顯示裝置100a所包括的tft基板10的制造方法的制程截面圖。

圖4(a)～(d)是示意性地表示液晶顯示裝置100a所包括的tft基板10的制造方法的制程截面圖。

圖5是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖。

圖6是表示將用于可靠性評價的面板p1及面板p2放入恒溫槽中1000小時后的、面板p1的tft的閾值電壓的變化量與面板p2的tft的閾值電壓的變化量之差的圖表。

圖7(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100b的俯視圖，圖7(b)是沿著圖7(a)中的7b-7b’線的截面圖。

圖8(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100c的俯視圖，圖8(b)是沿著圖8(a)中的8b-8b’線的截面圖。

圖9是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100d的俯視圖。

圖10是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100e的俯視圖。

圖11是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100f的俯視圖。

圖12是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100g的俯視圖。

圖13(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100h的俯視圖，圖13(b)是沿著圖13(a)中的13b-13b’線的截面圖。

圖14是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的有機(jī)電激發(fā)光(electroluminescence，el)顯示裝置100i的截面圖。

圖15是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100j的俯視圖。

圖16(a)、圖16(b)及圖16(c)分別為沿著圖15中的16a-16a’線、16b-16b’線及16c-16c’線的截面圖。

圖17是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置1000的俯視圖。

圖18(a)、圖18(b)及圖18(c)分別為沿著圖17中的18a-18a’線、18b-18b’線及18c-18c’線的截面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖說明本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明不限于以下的實施方式。

(第一實施方式)

圖1(a)以及(b)表示本實施方式的液晶顯示裝置100a。圖1(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100a的俯視圖，圖1(b)是沿著圖1(a)中的1b-1b’線的截面圖。

如圖1(b)所示，液晶顯示裝置100a包括tft基板(第一基板)10、以與tft基板10相對的方式設(shè)置的對向基板(第二基板)20、設(shè)于tft基板10以及對向基板20之間的液晶層30。另外，液晶顯示裝置100a具有呈矩陣狀排列的多個像素。本實施方式中，液晶顯示裝置100a的多個像素含有顯示紅色的紅色像素r、顯示綠色的綠色像素g、顯示藍(lán)色的藍(lán)色像素b。

如圖1(a)以及(b)所示，tft基板10具有分別設(shè)于所述多個像素的tft(薄膜晶體管)2、沿著行方向延伸的多條掃描配線(柵極總線，gatebusline)11、沿著列方向延伸的多條信號配線(源極總線，sourcebusline)12。另外，tft基板10具有分別設(shè)于所述多個像素的像素電極13、和以與像素電極13相對的方式設(shè)置的輔助電容相對電極14。

tft2具有氧化物半導(dǎo)體層2a、柵極電極2g、源極電極2s以及漏極電極2d。柵極電極2g電性連接于掃描配線11，從掃描配線11供給掃描信號電壓。本實施方式中，掃描配線11的一部分的寬度形成為比其他部分寬度寬，該部分作為柵極電極2g起作用。源極電極2s與信號配線12電性連接，從信號配線12供給顯示信號電壓。本實施方式中，信號配線12的一部分重疊于氧化物半導(dǎo)體層2a，該部分作為源極電極2s起作用。漏極電極2d與電性連接于像素電極13。

氧化物半導(dǎo)體層2a中，與源極電極2s接觸的區(qū)域2as稱為“源極區(qū)域”，與漏極電極2d接觸的區(qū)域2ad稱為“漏極區(qū)域”。另外，氧化物半導(dǎo)體層2a中，與柵極電極2g重疊(overlap)且位于源極區(qū)域2as與漏極區(qū)域2ad之間的區(qū)域2ac稱為“溝道區(qū)域”。由此，氧化物半導(dǎo)體層2a包含溝道區(qū)域2ac、源極區(qū)域2as以及漏極區(qū)域2ad。在本申請說明書中，將在與基板平行的面內(nèi)、與電流在溝道區(qū)域2ac流動的方向平行的方向dl稱為“溝道長度方向”，與溝道長度方向正交的方向dw稱為“溝道寬度方向”。本實施方式中，溝道長度方向dl平行于行方向(即，溝道寬度方向dw平行于列方向)，源極區(qū)域2as、溝通區(qū)域2ac以及漏極區(qū)域2ad沿著行方向排列。在本申請說明書中，這樣的tft2的配置稱為“橫向配置”。

所述tft基板10的構(gòu)成要素是由具有絕緣性的透明基板10a來支撐。在透明基板10a的液晶層30側(cè)的表面上，設(shè)有柵極電極2g以及掃描配線11，以覆蓋柵極電極2g以及掃描配線11的方式設(shè)有柵極絕緣膜15。

在柵極絕緣膜15上設(shè)有氧化物半導(dǎo)體層2a、源極電極2s、漏極電極2d以及信號配線12。源極電極2s為以與氧化物半導(dǎo)體層2a的源極區(qū)域2as的上面接觸的方式而形成，漏極電極2d為以與氧化物半導(dǎo)體層2a的漏極區(qū)域2ad的上面接觸的方式而形成。

以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層2a、源極電極2s、漏極電極2d以及信號配線12的方式而設(shè)置無機(jī)絕緣層16。在無機(jī)絕緣層16上設(shè)有有機(jī)絕緣層17。

在有機(jī)絕緣層17上設(shè)有輔助電容相對電極14。以覆蓋輔助電容相對電極14的方式而設(shè)置電介質(zhì)層18。在電介質(zhì)層18上設(shè)有像素電極13。像素電極13在形成于無機(jī)絕緣層16、有機(jī)絕緣層17以及電介質(zhì)層18的接觸孔(contacthole)ch中連接于漏極電極2d。通過像素電極13以及輔助電容相對電極14，與位于它們之間的電介質(zhì)層18構(gòu)成輔助電容。

對向基板20具有遮光層(黑矩陣)21、彩色濾光片層22、相對電極23。

遮光層21具有重疊于信號配線12的第一部分21s、以及重疊于tft2的至少一部分的第二部分21t。第一部分21s沿著列方向延伸，對此，第二部分21t沿著行方向(即，沿著溝道長度方向dl)延伸。以下，將對tft2的至少一部分進(jìn)行遮光的第二部分21t稱為“薄膜晶體管遮光部”。

彩色濾光片層22包含透射相互不同顏色的光的三種彩色濾光片。具體而言，彩色濾光片層22包含使透射紅色光的紅色彩色濾光片22r、使透射綠色光的綠色彩色濾光片22g以及使透射藍(lán)色光的藍(lán)色彩色濾光片22b。

相對電極23為以與像素電極13相對的方式而設(shè)置。典型的是，相對電極23為遍及像素整體而連續(xù)的一個導(dǎo)電膜(即，共用電極)。

所述對向基板20的構(gòu)成要素是由具有絕緣性的透明基板20a來支撐。

在tft基板10以及對向基板20的液晶層30側(cè)的表面設(shè)有一對配向膜(未圖示)。本實施方式中，顯示模式為va(verticalalignment：垂直配向)模式，由此一對配向膜分別為垂直配向膜。

本實施方式中液晶顯示裝置100a中，藍(lán)色彩色濾光片22b對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％。對此，紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g各自對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下。

另外，如圖1(a)所示，遮光層21的在藍(lán)色像素b中的薄膜晶體管遮光部21t具有寬度wb，該寬度wb超過沿著氧化物半導(dǎo)體層2a的溝道寬度方向dw的長度l1。對此，紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t分別具有寬度wr以及寬度wg，該寬度wr以及寬度wg為沿著氧化物半導(dǎo)體層2a的溝道寬度方向dw的長度l1以下。在此，紅色像素r的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr相同于綠色像素g的tft21t的寬度wg。

如上所述，本實施方式中，紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，且紅色像素r以及綠色像素g的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下。

本實施方式的液晶顯示裝置100a可以例如如以下的方式制造。

首先，參照圖2(a)～(c)說明對向基板20的制造方法。圖2(a)～(c)是示意性地表示液晶顯示裝置100a所包括的對向基板20的制造方法的制程截面圖。

首先，如圖2(a)所示，通過透明基板(例如，玻璃基板)20a上沉積遮光膜，利用光刻制程將該遮光膜圖案化(patterning)為所需的形狀，由此形成含有第一部分21s以及第二部分(薄膜晶體管遮光部)21t的遮光層21。遮光層21例如為厚度200nm的ti(鈦)層。此外，遮光層21的材料并不限于如例示的金屬材料，例如也可以是黑色的感光性樹脂材料。

接著，如圖2(b)所示，通過在與紅色像素r、綠色像素g、藍(lán)色像素b對應(yīng)的區(qū)域依次形成紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b，從而形成彩色濾光片層22。作為紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b的材料，例如可以使用經(jīng)過著色的感光性樹脂材料。

接著，如圖2(c)所示，彩色濾光片層22上通過濺射法沉積透明的導(dǎo)電膜而形成相對電極23。相對電極23例如為厚度100nm的銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)層。之后，相對電極23上形成配向膜而獲得相對電極20。

接著，參照圖3(a)～(e)以及圖4(a)～(d)，說明tft基板10的制造方法。圖3(a)～(e)以及圖4(a)～(d)是示意性地表示tft基板10的制造方法的制程截面圖。

首先，如圖3(a)所示，通過透明基板(例如玻璃基板)10a上沉積導(dǎo)電膜，利用光刻制程將該導(dǎo)電膜圖案化為所需的形狀，從而形成柵極電極2g以及掃描配線11。柵極電極2g以及掃描配線11例如具有依次層疊有厚度30nm的tan(氮化鉭)層以及厚度300nm的w(鎢)層的層疊結(jié)構(gòu)。

接著，如圖3(b)所示，形成柵極絕緣層15，使其覆蓋柵極電極2g以及掃描配線11。柵極絕緣層15例如具有依次層疊有厚度325nm的sinx(氮化硅膜)層以及厚度50nm的sio2(氧化硅)層的層疊結(jié)構(gòu)。

接著，如圖3所示，通過柵極絕緣層15上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，使用光刻制程將該氧化物半導(dǎo)體膜圖案化為所需的形狀，從而形成氧化物半導(dǎo)體膜2a。氧化物半導(dǎo)體膜2a例如為厚度50nm的in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體層。

接著，如圖3(d)所示，通過沉積導(dǎo)電膜，使用光刻制程將該導(dǎo)電膜圖案化為所需的形狀，從而形成源極電極2s、漏極電極2d以及信號配線12。源極電極2s、漏極電極2d以及信號配線12例如具有依次層疊有厚度30nm的ti層、厚度200nm的al(鋁)層以及厚度100nm的ti層的層疊結(jié)構(gòu)。

接著，如圖3(e)所示，形成無機(jī)絕緣層16，使其覆蓋氧化物半導(dǎo)體層2a或者源極2s、漏極2d等。無機(jī)絕緣層16例如為厚度300nm的sio2層。無機(jī)絕緣層16的，之后成為接觸孔ch的區(qū)域中，形成有開口部16a。

接著，如圖4(a)所示，無機(jī)絕緣層16上形成用于平坦化的有機(jī)絕緣層17。有機(jī)絕緣層17例如由感光性樹脂所形成。在有機(jī)絕緣層17的，之后成為接觸孔ch的區(qū)域中，形成有開口部17a。

之后，如圖4(b)所示，通過在有機(jī)絕緣層17上沉積透明導(dǎo)電膜，使用光刻制程將該透明導(dǎo)電膜圖案化為所需的形狀，從而形成輔助電容相對電極14。輔助電容相對電極14例如為厚度100nm設(shè)為izo(indiumzincoxide，銦鋅氧化物)層。

接著，圖4(c)所示，形成電介質(zhì)層18，使其覆蓋輔助電容相對電極14。電介質(zhì)層18例如為厚度100nm的sin層。在電介質(zhì)層18的，之后成為接觸孔ch的區(qū)域中，形成有開口部18a。

之后，如圖4(d)所示，通過電介質(zhì)層18上沉積透明導(dǎo)電膜，使用光刻制程將該透明導(dǎo)電膜圖案化為所需的形狀，從而形成像素電極13。像素電極13例如為厚度100nm的izo層。之后，所需的位置形成柱狀間隔物(感光間隔物，photospacer)之后，在整個面形成配向膜，從而獲得tft基板10。

相互貼合如上所述制造的tft基板10以及相對基板20，兩者間隙中注入液晶材料而形成液晶層30。之后，將獲得的構(gòu)造體分割成各個面板，從而完成液晶顯示裝置100a。

本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100a，與包括氧化物半導(dǎo)體tft的先前的液晶顯示裝置相比可以提高開口率。以下說明其理由。

如已說明般，若對氧化物半導(dǎo)體tft照射光時，則閾值電壓負(fù)漂移。這種tft特性的劣化起因于波長450nm以下的可見光。因此，如本實施方式，若紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下時，則即便使紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg窄于先前(具體而言，為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下)，也可以充分抑制tft特性的劣化(閾值電壓的負(fù)漂移)。因此，不會損及氧化物半導(dǎo)體tft即tft2的可靠性，而可以提高開口率。

圖5表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖。比較例的液晶顯示裝置900與液晶顯示裝置100a的不同之處在于：未圖示的紅色彩色濾光片以及綠色彩色濾光片對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％。另外，比較例的液晶顯示裝置900的不同之處在于：紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg超過氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1(與藍(lán)色像素b中的薄膜晶體管遮光部21t的wb相同)。

圖5所示的比較例的液晶顯示裝置900中，紅色彩色濾光片以及綠色彩色濾光片對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％，由此為了抑制對tft2照射可見光引起的閾值電壓的負(fù)漂移，需要使紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg充分大(具體而言，如超過氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1)。因此，導(dǎo)致開口率下降。

對此，本實施方式的液晶顯示裝置100a可以使紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg窄于比較例的液晶顯示裝置900(具體而言，氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下)，因此提高開口率。

對于像素間距為21μm(解像度為403ppi)的情況下，估算開口率的提高效果，結(jié)果為：比較例的液晶顯示裝置900的開口率為56％，對比，本實施方式的液晶顯示裝置100a的開口率為61％。即，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，開口率與先前相比提高了約9％。

在此，對驗證下述效果的結(jié)果進(jìn)行說明，即：通過將紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率設(shè)為0.2％以下，可抑制tft特性的劣化(閾值電壓的負(fù)漂移)。

驗證是下述方式來進(jìn)行，即：將實際地試制本實施方式的液晶顯示裝置100a所得的面板(面板p1)、與除了省略遮光層21的點之外具有與液晶顯示裝置100a實際上相同的構(gòu)成的面板(面板p2)，在驅(qū)動狀態(tài)下放入恒溫槽中，評價可靠性。

恒溫槽內(nèi)保持為70℃的干燥狀態(tài)，對配置于恒溫槽內(nèi)的面板p1以及面板p2，從表面以3000lux的照度來照射發(fā)光二極管(lightemittingdiode，led)的光。圖6表示放入恒溫槽中1000小時后的、面板p1的tft的閾值電壓的變化量與面板p2的tft的閾值電壓的變化量之差。圖6中，對于紅色像素、綠色像素以及藍(lán)色像素分別表示閾值電壓變化量之差。

從圖6可知，對于藍(lán)色像素，在面板p1的tft與面板p2的tft中，閾值電壓的變化量之差大。對此，對于紅色像素以及綠色像素，在面板p1的tft與面板p2的tft的閾值電壓的變化量之差小。根據(jù)這些可知的是，若紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率設(shè)為0.2％以下，則即便無遮光層21也可以抑制tft2的可靠性的下降。

此外，為了將紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，只要適當(dāng)選定紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g各自的材料即可。只要對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，則紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g的材料無特別限制。在紅色彩色濾光片22r的情況下，例如作為感光性樹脂中包含的顏料，除了紅色系的顏料之外，可以使用黃色系的顏料(即添加黃色類顏料)來調(diào)整透射特性，從而可以將對波長450nm以下的可見光的平均透射率設(shè)為0.2％以下。另外，在綠色彩色濾光片22g的情況下，例如作為感光性樹脂中包含的顏料，除了綠色系的顏料之外，可以使用黃色系的顏料(即添加黃色類顏料)來調(diào)整透射特性，從而可以將波長450nm以下的可見光的平均透射率設(shè)為0.2％以下。

(關(guān)于氧化物半導(dǎo)體)

氧化物半導(dǎo)體層2a中包含的氧化物半導(dǎo)體也可以是非晶氧化物半導(dǎo)體，也可以是具有結(jié)晶質(zhì)部分的結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體。作為結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體，可以舉例多晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體、微晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體、c軸大致垂直于層面而配向的結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體等。

氧化物半導(dǎo)體層2a也可以具有兩層以上的層疊結(jié)構(gòu)。在氧化物半導(dǎo)體層2a具有層疊結(jié)構(gòu)的情況下，氧化物半導(dǎo)體層2a也可以含有非晶氧化物半導(dǎo)體層與結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體層?；蛘?，也可以含有結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同的多個結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體層。在氧化物半導(dǎo)體層2a具有包含上層與下層的兩層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選為：上層中包含的氧化物半導(dǎo)體的能隙(energygap)大于下層中包含的氧化物半導(dǎo)體的能隙。但是，在這些層的能隙之差相對小的情況下，下層的氧化物半導(dǎo)體的能隙大于上層的氧化物半導(dǎo)體的能隙。

非晶氧化物半導(dǎo)體以及所述各結(jié)晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體的材料、結(jié)構(gòu)、成膜方法、具有層疊結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體的構(gòu)成等記載于例如特開2014-007399號公報。在本說明書引用特開2014-007399號公報的全部公開內(nèi)容用于參考。

氧化物半導(dǎo)體層2a例如也可以是in、ga以及zn中至少包含一種金屬元素。本實施方式中，氧化物半導(dǎo)體層2a例如包含in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體。在此，in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體是in(銦)、ga(鎵)、zn(鋅)的三元系氧化物，in、ga以及zn的比例(組成比)沒有特別限定，例如包含in：ga：zn＝2：2：1、in：ga：zn＝1：1：1、in：ga：zn＝1：1：2等。這樣的氧化物半導(dǎo)體層2a是可以由包含in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體膜而形成。此外，有時將溝道蝕刻型的tft稱為“ce-ingazno-tft”，該溝道蝕刻型的tft具有包含in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體的活性層。

in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體也可以是非晶，也可以是結(jié)晶質(zhì)。作為in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體，優(yōu)選為c軸大致垂直于層面而配向的結(jié)晶質(zhì)in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體。

此外，結(jié)晶質(zhì)in-ga-zn-o系的半導(dǎo)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)例如揭示于所述特開2014-007399號公報、特開2012-134475號公報、特開2014-209727號公報等。在本說明書引用特開2012-134475號公報及特開2014-209727號公報的全部公開內(nèi)容用于參考。具有in-ga-zn-o系半導(dǎo)體層的tft具有高遷移率(與a-sitft相比超過20倍)和低漏電流(與a-sitft相比小于百分之一)，因此可適當(dāng)用作驅(qū)動tft和像素tft。

氧化物半導(dǎo)體層2a也可以取代in-ga-zn-o系半導(dǎo)體而包含其它的氧化物半導(dǎo)體。也可以包含例如in-sn-zn-o系半導(dǎo)體(例如in2o3-sno2-zno)。in-sn-zn-o系半導(dǎo)體是in(銦)、sn(錫)、zn(鋅)的三元系氧化物?；蛘哐趸锇雽?dǎo)體層2a也可以包含in-al-zn-o系半導(dǎo)體、in-al-sn-zn-o系半導(dǎo)體、zn-o系半導(dǎo)體、in-zn-o系半導(dǎo)體、zn-ti-o系半導(dǎo)體、cd-ge-o系半導(dǎo)體、cd-pb-o系半導(dǎo)體、cdo(氧化鎘)、mg-zn-o系半導(dǎo)體、in-ga-sn-o系半導(dǎo)體、in-ga-o系半導(dǎo)體、zr-in-zn-o系半導(dǎo)體、hf-in-zn-o系半導(dǎo)體等。

此外，作為氧化物半導(dǎo)體tft的tft2也可以是“溝道蝕刻型tft”，也可以是“蝕刻阻擋型tft”。

“溝道蝕刻型tft”中，溝道區(qū)域上未形成蝕刻阻擋層，源極以及漏極的溝道側(cè)的端部以與氧化物半導(dǎo)體層的上面接觸的方式而配置。溝道蝕刻型的tft例如是通過由下述方式而形成，即：在氧化物半導(dǎo)體層上形成源極漏極用的導(dǎo)電膜，進(jìn)行源極漏極分離。源極漏極分離制程中，有時溝道區(qū)域的表面部分被蝕刻。

一方面，在溝道區(qū)域上形成有蝕刻阻擋層的tft(蝕刻阻擋型tft)中，源極以及漏極的溝道側(cè)的端部例如位于蝕刻阻擋層上。蝕刻阻擋型的tft例如是通過下述方式而形成，即：形成對氧化物半導(dǎo)體層中成為溝道區(qū)域的部分進(jìn)行覆蓋的蝕刻阻擋層之后，在氧化物半導(dǎo)體層以及蝕刻阻擋層上形成源極漏極用的導(dǎo)電膜，進(jìn)行源極漏極分離。

(第二實施方式)

圖7(a)以及(b)表示本實施方式的液晶顯示裝置100b。圖7(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100b的俯視圖，圖7(b)是沿著圖7(a)中的7b-7b’線的截面圖。以下是，本實施方式的液晶顯示裝置100b與第一實施方式的液晶顯示裝置100a不同之處為中心進(jìn)行說明。

第一實施方式的液晶顯示裝置100a的顯示模式為va模式，對此，本實施方式的液晶顯示裝置100b的顯示模式為ffs(fringefieldswitching：邊緣場開關(guān))模式。

如圖7(a)以及圖7(b)所示，液晶顯示裝置100b中像素電極13至少具有一個(此處為兩個)狹縫13a。另外，輔助電容相對電極14也可以作為共用電極起作用，與對應(yīng)于像素電極13以及共用電極14間的電位差生成邊緣電場。在對向基板20未設(shè)置有相對電極。在tft基板10以及對向基板20的液晶層30側(cè)的表面所設(shè)置的一對配向膜(未圖示)分別為水平配向膜。

本實施方式中，紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，且紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg也為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下。因此，本實施方式的液晶顯示裝置100b也與第一實施方式的液晶顯示裝置100a相同，可以提高開口率。

此外，圖7(a)以及(b)所示的例子中，共用電極14的導(dǎo)電膜僅在接觸孔ch附近的區(qū)域14a(圖7(a)中以劃線表示)中被去除。即，從顯示面法線方向觀察時，共用電極14是以重疊于掃描配線11或者tft2的方式而形成。

使薄膜晶體管遮光部21t相對變窄的像素(此處為紅色像素r以及綠色像素g)中，掃描配線11或者tft2的電場有時會漏出至上面，混亂液晶層30的配向狀態(tài)，由此產(chǎn)生漏光。如圖7(a)以及(b)所示，通過共用電極14重疊于掃描配線11或者tft2，由此可以通過共用電極14來電性屏蔽掃描配線11或者tft2的電場，可以防止如上所述的漏光的產(chǎn)生。

(第三實施方式)

圖8(a)以及(b)表示本實施方式的液晶顯示裝置100c。圖8(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100c的俯視圖，圖8(b)是沿著圖8(a)中的8b-8b’線的截面圖。以下是，本實施方式的液晶顯示裝置100c與第一實施方式的液晶顯示裝置100b不同之處為中心進(jìn)行說明。

本實施方式的液晶顯示裝置100c的顯示模式與第二實施方式的液晶顯示裝置100b的顯示模式相同，是ffs模式。

但是，第二實施方式的液晶顯示裝置100b中，像素電極13相對地位于上側(cè)，共用電極14相對地位于下側(cè)，對此，本實施方式的液晶顯示裝置100c中，如圖8(a)以及(b)所示，像素電極13相對地位于下側(cè)，共用電極14相對地位于上側(cè)。

本實施方式中，像素電極13設(shè)于有機(jī)絕緣層17上，設(shè)有電介質(zhì)層18，使其覆蓋像素電極13。共用電極14形成于電介質(zhì)層18上。像素電極13不具有狹縫，如圖8(a)所示，共用電極14至少具有一個(此處為兩個)狹縫14b。

如上所述，本實施方式的液晶顯示裝置100c和第二實施方式的液晶顯示裝置100b中，即便像素電極13與共用電極14的相對位置關(guān)系不同，但在本實施方式的液晶顯示裝置100c中，當(dāng)然也可以毫無問題地進(jìn)行ffs模式下的顯示。

另外，本實施方式中，紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g對波長450nm以下的可見光的平均透射率也為0.2％以下，且紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及wg為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下。因此，本實施方式的液晶顯示裝置100c也與第二實施方式的液晶顯示裝置100b相同，可以提高開口率。

此外，圖8(a)以及(b)所示的例子中，從顯示面法線方向觀看時，像素電極13以及/或者共用電極14是以重疊于掃描配線11或者tft2的方式而形成。因此可以通過像素電極13以及/或者共用電極14來電性屏蔽掃描配線11或者tft2的電場，由此可以防止使薄膜晶體管遮光部21t相對變窄的像素(此處為紅色像素r以及綠色像素g)的漏光的產(chǎn)生。

(第四實施方式)

圖9以及圖10表示本實施方式的液晶顯示裝置100d以及100e。圖9是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100d的俯視圖，圖10是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100e的俯視圖。以下是，本實施方式的液晶顯示裝置100d以及100e與第一實施方式的液晶顯示裝置100a不同之處為中心進(jìn)行說明。

第一實施方式的液晶顯示裝置100a中，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr和綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg相同(wr＝wg≦l1<wb)。對此，本實施方式的液晶顯示裝置100d以及100e中，如圖9以及圖10所示，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr與綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg不同。具體而言，圖9所示的液晶顯示裝置100d中，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr小于綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg(wr<wg≦l1<wb)，圖10所示的液晶顯示裝置100e中，綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg小于紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr(wg<wr≦l1<wb)。

如上所述，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr于綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg也可以是如第一實施方式的液晶顯示裝置100a相同，也可以是如本實施方式的液晶顯示裝置100d以及100e不同。如圖9所示的液晶顯示裝置100d，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr小于綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg的構(gòu)成具有以下優(yōu)點，開口率會因為前者的寬度wr小于后者的寬度wg而相應(yīng)地進(jìn)一步提高。另外，如圖10所示的液晶顯示裝置100e，綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wg小于紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr的構(gòu)成具有以下優(yōu)點，開口率會因為前者的寬度wg小于后者的寬度wr而相應(yīng)地進(jìn)一步提高。

圖11表示本實施方式的其他液晶顯示裝置100f。圖11是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100f的俯視圖。

如圖1(a)以及(b)所示，第一實施方式的液晶顯示裝置100a中，各像素的薄膜晶體管遮光部21t含有不重疊于tft2的部分(相對于接觸孔ch或者漏極電極2d更右側(cè)的部分)。對此，圖11所示的液晶顯示裝置100f中，各像素的薄膜晶體管遮光部21t不含有不重疊于tft2的部分(相對于接觸孔ch或者漏極電極2d更右側(cè)的部分)。因此，可以謀求開口率的進(jìn)一步提高。

此外，紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及寬度wg只要為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下(即長度l1的100％以下)即可，并不特別限定，但是從提高開口率的觀點而言，優(yōu)選為盡量小，具體而言，優(yōu)選為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1的50％以下。

另外，紅色像素r以及綠色像素g的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及寬度wg也可以是零(zero)。即，如圖12所示的液晶顯示裝置100g，遮光層21也可以在紅色像素r以及綠色像素g中不具有薄膜晶體管遮光部21t。

(第五實施方式)

圖13(a)以及(b)表示本實施方式的液晶顯示裝置100h。圖13(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100h的俯視圖，圖13(b)是沿著圖13(a)中的13b-13b’線的截面圖。以下是，本實施方式的液晶顯示裝置100h與第一實施方式的液晶顯示裝置100a不同之處為中心進(jìn)行說明。

第一實施方式的液晶顯示裝置100a中，tft的配置為橫向配置。即，溝道長度方向dl平行于行方向，源極區(qū)域2as、溝道區(qū)域2ac以及漏極區(qū)域2ad沿著行方向排列。

對此，本實施方式的液晶顯示裝置100h中，如圖13(a)以及(b)所示，溝道長度方向dl平行于列方向，源極區(qū)域2as、溝道區(qū)域2ac以及漏極區(qū)域2ad沿著列方向排列。在本申請說明書中，這樣的tft2的配置稱為“縱向配置”。

本實施方式中，遮光部21的薄膜晶體管遮光部21t與第一實施方式的液晶顯示裝置100a的薄膜晶體管遮光部21t相同，沿著行方向延伸。但是第一實施方式的液晶顯示裝置100a中，tft2的配置為橫向配置，對此，本實施方式的液晶顯示裝置100h中tft2的配置為縱向配置。因此，本實施方式的薄膜晶體管遮光部21t將沿著溝道寬度方向dw而延伸。

本實施方式的液晶顯示裝置100h中，藍(lán)色彩色濾光片22b對波長450nm以下的可見光的平均透射率超過0.2％。對此，紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g各自對波長450nm以下的可見光的平均透射率0.2％以下。

另外，遮光層21在綠色像素b中的薄膜晶體管遮光部21t具有寬度wb，該寬度wb超過氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2。對此，紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t具有分別寬度wr以及寬度wg，該寬度wr以及寬度wg為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2以下。

本實施方式的液晶顯示裝置100h中，基于與第一實施方式的液晶顯示裝置100a相同的理由，也可以不損壞作為氧化物半導(dǎo)體tft的tft2的可靠性，而可以提高開口率。

此外，紅色像素r中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr與綠色像素g中的tft21t的寬度wg也可以是相同，也可以是不同。另外，紅色像素r以及綠色像素g中的tft21t的寬度wr以及寬度wg只要是氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2以下(即長度l2的100％以下)即可，并不特別限定，但是從提高開口率的觀點而言，優(yōu)選為盡量小，具體而言，優(yōu)選為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2的50％以下。

另外，紅色像素r以及綠色像素g中的薄膜晶體管遮光部21t的寬度wr以及寬度wg也可以是零。即，遮光層21也可以在紅色像素r以及綠色像素g中不具有tft遮光部21t。

此外，所述第一至第五實施方式中，例示了紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g這兩者對波長450nm以下的可見光的平均透射率0.2％以下的情況，但是本實施方式中并不限定于此。紅色彩色濾光片22r以及綠色彩色濾光片22g中的僅一方對波長450nm以下的可見光的平均透射率0.2％以下，此時，只要在設(shè)有對波長450nm以下的可見光的平均透射率0.2％以下的彩色濾光片的像素中，使薄膜晶體管遮光部21t的寬度窄于先前即可(具體而言，在薄膜晶體管遮光部21t沿著溝道長度方向dl延伸的情況下，只要設(shè)為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下即可，另外，在薄膜晶體管遮光部21t沿著溝道寬度方向dw延伸的情況下，只要設(shè)為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2以下即可)。

此外，所述第一至第五實施方式中，例示了彩色濾光片層22包含紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b的情況，但是本實施方式并不限定于此。彩色濾光片22除了紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b之外(或者取代紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b的至少一個)，也包含使其他顏色的光透射的彩色濾光片。例如彩色濾光片22除了紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b之外，也可以包含使黃色光透射的黃色彩色濾光片。黃色彩色濾光片設(shè)于顯示黃色的黃色像素中。

在彩色濾光片22包含黃色彩色濾光片的情況下，通過黃色彩色濾光片對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下，并且黃色像素中，使薄膜晶體管遮光部21t的寬度窄于先前(具體而言，在薄膜晶體管遮光部21t沿著溝道長度方向dl延伸的情況下，設(shè)為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道寬度方向dw的長度l1以下，另外，在薄膜晶體管遮光部21t沿著溝道寬度方向dw延伸的情況下，設(shè)為氧化物半導(dǎo)體層2a的沿著溝道長度方向dl的長度l2以下)，由此對于黃色像素中，可以獲得提高開口率的效果。

如以上所知，本發(fā)明的實施方式的顯示裝置通過具有以下記載的(1)以及(2)的兩者的構(gòu)成，可以謀求開口率的提高。

(1)使相互不同顏色的光透射的第一彩色濾光片、第二彩色濾光片以及第三彩色濾光片中的至少一個對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下。

(2)遮光層在設(shè)有對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下的彩色濾光片的像素中，(a)具有薄膜晶體管遮光部，該薄膜晶體管遮光部是沿著溝道長度方向延伸，并對tft的至少一部分進(jìn)行遮光，且具有氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道寬度方向的長度以下的寬度，或者(b)具有薄膜晶體管遮光部，該薄膜晶體管遮光部是沿著溝道寬度方向延伸，并對tft的至少一部分進(jìn)行遮光，且具有氧化物半導(dǎo)體層的沿著溝道長度方向的長度以下的寬度，或者(c)不具備對tft的至少一部分進(jìn)行遮光的薄膜晶體管遮光部。

另外，所述第一至第五實施方式中例示了液晶顯示裝置，但是，本發(fā)明的實施方式并不限定于液晶顯示裝置。本發(fā)明的實施方式的顯示裝置例如也可以是圖14所示的有機(jī)el顯示裝置100i。

如圖14所示，有機(jī)el顯示裝置100i包括tft基板10以及相對于tft基板10的對向基板20。

tft基板10具有設(shè)于各像素中的tft(未圖示)以及發(fā)出白色光wl的有機(jī)el層19。

對向基板20具有遮光層21以及彩色濾光片層22。彩色濾光片層22具有紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b。

從有機(jī)el層19發(fā)出的白色光wl透射過紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b，因此，從紅色像素r出射紅色光rl、從綠色像素g出射綠色光gl、從藍(lán)色像素b出射藍(lán)色光bl。

有機(jī)el顯示裝置100i中，也可以具有所述(1)以及(2)的兩者的構(gòu)成，由此可以謀求開口率的提高。

(第六實施方式)

圖15、圖16(a)、(b)以及(c)表示本實施方式的液晶顯示裝置100j。圖15是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100j的俯視圖，圖16(a)、圖16(b)及圖16(c)分別為沿著圖15中的16a-16a’線、16b-16b’線及16c-16c’線的截面圖。以下是，本實施方式的液晶顯示裝置100j與第一實施方式的液晶顯示裝置100a不同之處為中心進(jìn)行說明。

第一實施方式的液晶顯示裝置100a中，對向基板20具有彩色濾光片層22。對此，本實施方式的液晶顯示裝置100j中，如圖16(a)、(b)以及(c)所示，tft基板10具有彩色濾光片層22。即，采用了彩色濾色器陣列(colorfilteronarray)結(jié)構(gòu)。具體而言，含有紅色彩色濾光片22r、綠色彩色濾光片22g、以及藍(lán)色彩色濾光片22b的彩色濾光片層22形成于有機(jī)絕緣層17上，該彩色濾光片層22上依次設(shè)有輔助電容相對電極14、電介質(zhì)層18以及像素電極13。另外，本實施方式的液晶顯示裝置100j中，對向基板20不具有遮光層。

如圖16(a)所示，在紅色像素r中，紅色彩色濾光片22r以重疊于tft2的方式而配置。另外，如圖16(b)所示，在綠色像素g中，綠色彩色濾光片22g以重疊于tft2的方式而配置。進(jìn)一步，如圖16(c)所示，在藍(lán)色像素b中，紅色彩色濾光片22r(或者藍(lán)色彩色濾光片22g)以重疊于tft2的方式而配置。

本實施方式的液晶顯示裝置100j中，配置有對波長450nm以下的可見光的平均透射率為0.2％以下的彩色濾光片(紅色彩色濾光片22r或者綠色彩色濾光片22g)，使其重疊于各像素的tft2。因此，即便省略對向基板20側(cè)的遮光層，也可以抑制tft2的可靠性下降，由此可以提高開口率。

此外，藍(lán)色像素b中所設(shè)置的紅色彩色濾光片22r優(yōu)選為形成得稍大，以避免因?qū)ξ黄畹榷鴮?dǎo)致tft2的一部分從紅色彩色濾光片22r突出。另外，藍(lán)色像素b中所設(shè)置的紅色彩色濾光片22r的區(qū)域優(yōu)選為不用于顯示，因此優(yōu)選為通過柵極電極2g等而受到遮光。圖15、圖16(a)、(b)以及(c)例示的結(jié)構(gòu)中，藍(lán)色像素b中的柵極電極2g的沿著列方向的長度l3大于紅色像素r以及綠色像素g中的柵極電極2g的沿著列方向的長度l3，因此，設(shè)有紅色彩色濾光片22r的整個區(qū)域受到遮光。

此外，也考慮以下構(gòu)成，即，利用相同顏色的彩色濾光片(例如，紅色彩色濾光片22r)來對紅色像素r、綠色像素g以及藍(lán)色像素b的所有的tft2進(jìn)行遮光。如圖17、圖18(a)、(b)以及(c)表示具有此種構(gòu)成的比較例的液晶顯示裝置100。圖17是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置1000的俯視圖，圖18(a)、圖18(b)及圖18(c)分別為沿著圖17中的18a-18a’線、18b-18b’線及18c-18c’線的截面圖。

如圖18(a)、(b)以及(c)所示，比較例的液晶顯示裝置1000中，在所有紅色像素r、綠色像素g以及藍(lán)色像素b中，以重疊于tft2的方式而配置有紅色彩色濾光片22r。

在比較例的液晶顯示裝置1000中，也可以省略對向基板20側(cè)的遮光層。但是，比較例的液晶顯示裝置1000中，不僅藍(lán)色像素b，而且對于綠色像素g，也需要對設(shè)有紅色彩色濾光片22r的區(qū)域進(jìn)行遮光，由此，綠色像素g中的柵極電極2g的沿著列方向的長度l3大于紅色像素r中的柵極2g的沿著列方向長度l3。因此，與本實施方式的液晶顯示裝置100j相比，開口率下降。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以提高包括氧化物半導(dǎo)體tft的顯示裝置的開口率。本發(fā)明的實施方式被廣泛適用于包括氧化物半導(dǎo)體tft以及彩色濾光片的顯示裝置。

符號說明

2tft(薄膜晶體管)

2a氧化物半導(dǎo)體層

2ac溝道區(qū)域

2as源極區(qū)域

2ad漏極區(qū)域

2g柵極電極

2s源極電極

2d漏極電極

10tft基板(第一基板)

10a透明基板

11掃描配線

12信號配線

13像素電極

13a像素電極的狹縫

14輔助電容相對電極(共用電極)

14a被去除共用電極的導(dǎo)電膜的區(qū)域

14b共用電極的狹縫

15柵極絕緣層

16無機(jī)絕緣層

17有機(jī)絕緣層

18電介質(zhì)層

19有機(jī)el層

20對向基板(第二基板)

20a透明基板

21遮光層(黑矩陣)

21s遮光層的第一部分

21t遮光層的第二部分(薄膜晶體管遮光部)

22彩色濾光片層

22r紅色彩色濾光片

22g綠色彩色濾光片

22b藍(lán)色彩色濾光片

23相對電極

30液晶層

100a、100b、100c、100d、100e液晶顯示裝置

100f、100g、100h、100j液晶顯示裝置

100i有機(jī)el顯示裝置

ch接觸孔

r紅色像素

g綠色像素

b藍(lán)色像素

dl溝道長度方向

dw溝道寬度方向