本發(fā)明涉及一種量子點(diǎn)薄膜(quantumdotfilm)制造方法，更加具體地，涉及一種量子點(diǎn)薄膜和其制造方法，可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲使得量子點(diǎn)均勻地分散，且簡(jiǎn)化制造過(guò)程，降低制造成本，并使得導(dǎo)光板、擴(kuò)散薄膜、棱鏡薄膜(prismfilm)等與量子層實(shí)現(xiàn)一體化。

本發(fā)明強(qiáng)調(diào)2014年11月28日申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2014-0168265號(hào)及韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2014-0168266號(hào)的利益，其全部?jī)?nèi)容包括于本說(shuō)明書(shū)。

此外，本發(fā)明強(qiáng)調(diào)2015年1月20日申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0009264號(hào)及韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0009265號(hào)的利益，其全部?jī)?nèi)容包括于本說(shuō)明書(shū)。

背景技術(shù)：

通常，背光單元(backlightunit)是在液晶顯示裝置(lcd，liquidcrystaldisplay)等液晶屏幕的后面起到發(fā)光作用的光源裝置，并將發(fā)光二極管(led，lightemittingdiode)用作光源。

所述背光單元將發(fā)光二極管用作光源時(shí)，為了發(fā)出白色的光，將紅色(red，r)或綠色(green，g)等的熒光物質(zhì)用于藍(lán)色(blue，b)發(fā)光二極管芯片(ledchip)。

最近，參考圖1，提出一種利用量子點(diǎn)薄膜的發(fā)出白色光的背光單元。

由于通過(guò)所述量子點(diǎn)薄膜實(shí)現(xiàn)的白色光與現(xiàn)有的通過(guò)藍(lán)色發(fā)光二極管芯片和熒光物質(zhì)而產(chǎn)生的白色光相比具有色彩表現(xiàn)力更優(yōu)秀的優(yōu)點(diǎn)，因此實(shí)情是，利用所述量子點(diǎn)薄膜的背光單元的生產(chǎn)量逐漸增加。

最近，參考圖1及圖2，提出一種利用量子點(diǎn)薄膜來(lái)發(fā)出白色光的背光單元。

所述背光單元構(gòu)成為，包括導(dǎo)光板1、發(fā)光二極管光源2、反射板3、量子點(diǎn)薄膜4、擴(kuò)散薄膜5、棱鏡薄膜6，從而發(fā)出白色光，所述發(fā)光二極管光源2配置于所述導(dǎo)光板1的側(cè)面，所述反射板3配置于所述導(dǎo)光板1的下部，所述量子點(diǎn)薄膜4依次疊層于所述導(dǎo)光板1的上部。

例如，在所述發(fā)光二極管光源2是藍(lán)色(blue)發(fā)光二極管的情況下，使用量子點(diǎn)薄膜4，所述量子點(diǎn)薄膜4包括顯示出紅色(r)和綠色(g)的顏色的量子點(diǎn)(quantumdot)。

參考圖3，所述量子點(diǎn)薄膜4包括：量子點(diǎn)層4a，量子點(diǎn)分布于所述量子點(diǎn)層4a；屏障(barrier)層4b，其覆蓋(cover)所述量子點(diǎn)層4a的上面和下面。所述屏障層4b防止水分及空氣向量子點(diǎn)層4a內(nèi)流入。

所述量子點(diǎn)薄膜4的問(wèn)題在于，具有使得各個(gè)屏障層4b粘著于所述量子點(diǎn)層4a的上面和下面的結(jié)構(gòu)，從而另外的粘著層4c設(shè)置于所述量子點(diǎn)層4a和所述屏障層4b之間，所述粘著層4c使得光的透光度及光效率降低，且制造過(guò)程復(fù)雜、需要大量的制造費(fèi)用。

所述量子點(diǎn)薄膜4的問(wèn)題在于，在形成所述量子點(diǎn)層4a之后，使得所述屏障層4b分別粘著于上面和下面的過(guò)程中，所述量子點(diǎn)層4a與空氣相接觸，從而被氧化，并且具有厚度變厚的問(wèn)題。

所述量子點(diǎn)薄膜4的問(wèn)題在于，具有量子點(diǎn)在所述量子點(diǎn)層4a內(nèi)凝聚或團(tuán)在一起的情況，從而量子點(diǎn)的固有特性降低，并頻繁發(fā)生無(wú)法實(shí)現(xiàn)均勻發(fā)光的不良情況，為了解決如上所述問(wèn)題，需要使得比需要基準(zhǔn)值的量子點(diǎn)更多的量的量子點(diǎn)包括于所述量子點(diǎn)層4a內(nèi)。

尤其，所述量子點(diǎn)薄膜的問(wèn)題在于，區(qū)別于所述導(dǎo)光板1而另外制造，從而具有安裝于導(dǎo)光板上的結(jié)構(gòu)，并在與所述導(dǎo)光板1之間形成有微小的氣隙(airgap)，由此空氣向其中間流入，據(jù)此通過(guò)導(dǎo)光板而發(fā)出的光的損失增大，且用于發(fā)出白色光的量子層內(nèi)量子點(diǎn)的需要量增加。

此外，區(qū)別于所述導(dǎo)光板1、擴(kuò)散薄膜5、棱鏡薄膜6而另外制造所述量子點(diǎn)薄膜4的同時(shí)，難以以添加工藝的形式制作，且成為使得背光單元的制造費(fèi)用增加的原因。

問(wèn)題在于，使用另外制造的量子點(diǎn)薄膜4，從而背光單元的體積增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是考慮到如上所述問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種量子點(diǎn)薄膜和其制造方法，通過(guò)靜電紡絲或靜電噴霧方法來(lái)形成量子點(diǎn)層，從而制造過(guò)程單純且制造費(fèi)用低廉，并使得量子點(diǎn)均勻地分散，從而在背光單元均勻且有效地發(fā)光。

此外，本發(fā)明是考慮到如上所述問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種量子點(diǎn)薄膜和其制造方法，將量子點(diǎn)層一體地形成于導(dǎo)光板上，從而減少背光單元的厚度，并簡(jiǎn)化量子點(diǎn)薄膜的制造過(guò)程，且降低制造費(fèi)用。

此外，本發(fā)明是考慮到如上所述問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種量子點(diǎn)薄膜和其制造方法，將量子點(diǎn)一體地構(gòu)成于擴(kuò)散薄膜，從而減少背光單元的體積及厚度，且簡(jiǎn)化背光單元的制造過(guò)程的同時(shí)，可有助于降低制造費(fèi)用。

此外，本發(fā)明是考慮到如上所述問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種量子點(diǎn)薄膜和其制造方法，將量子點(diǎn)一體地構(gòu)成于棱鏡薄膜，從而減少背光單元的體積及厚度，且簡(jiǎn)化背光單元的制造過(guò)程的同時(shí)，可有助于降低制造費(fèi)用。

此外，本發(fā)明提供一種背光單元，就所述背光單元而言，量子點(diǎn)層與導(dǎo)光板、擴(kuò)散薄膜、棱鏡薄膜中任意一個(gè)相粘著或熔接，從而改善光的透光度及光效率，由此可實(shí)現(xiàn)為具有更加鮮明的畫(huà)質(zhì)的顯示裝置。

根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜的特征在于，包括量子點(diǎn)層及覆蓋薄膜層，多個(gè)量子點(diǎn)配置于所述量子點(diǎn)層內(nèi)部，所述覆蓋薄膜層疊層于所述量子點(diǎn)層上，從而覆蓋所述量子點(diǎn)層的上面和下面中至少任意一面，所述量子點(diǎn)層通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲的形式形成。

在本發(fā)明中，所述覆蓋薄膜層是用于保護(hù)量子點(diǎn)層的屏障層，所述屏障層可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層上。

在本發(fā)明中，所述覆蓋薄膜層是導(dǎo)光板體、擴(kuò)散薄膜體、棱鏡薄膜體中任意一個(gè)，所述量子點(diǎn)層可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于導(dǎo)光板體、擴(kuò)散薄膜體、棱鏡薄膜體中任意一個(gè)上。

在本發(fā)明中，用于保護(hù)量子點(diǎn)層的屏障層可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層上。

在本發(fā)明中，所述量子點(diǎn)層可熔接于所述覆蓋薄膜層上，從而得到接合，或者通過(guò)自身粘著力粘著于所述覆蓋薄膜上。

在本發(fā)明中，所述屏障層可以是聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中任意一種材質(zhì)，或者是包括聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中至少任意一種的混合樹(shù)脂。

在本發(fā)明中，所述量子點(diǎn)層能夠由與所述屏障層相同材質(zhì)的高分子樹(shù)脂形成。

根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法的特征在于，包括如下步驟：利用包括多個(gè)量子點(diǎn)的高分子樹(shù)脂溶液，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成量子點(diǎn)層，多個(gè)量子點(diǎn)配置于所述量子點(diǎn)層的內(nèi)部。

根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法還可包括如下步驟：通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層形成于所述量子點(diǎn)層上，所述屏障層覆蓋所述量子點(diǎn)層。

根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法在形成所述量子點(diǎn)層的步驟之前還包括如下步驟：通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層形成于集合器(collector)上，形成所述量子點(diǎn)層的步驟可將量子點(diǎn)層形成于所述屏障層上，所述屏障層形成于所述集合器上。

在形成所述量子點(diǎn)層的步驟之前包括如下步驟：準(zhǔn)備導(dǎo)光板體、擴(kuò)散薄膜體、棱鏡薄膜體中任意一個(gè)，形成所述量子點(diǎn)層的步驟可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲將量子點(diǎn)層形成于在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的導(dǎo)光板體、擴(kuò)散薄膜體、棱鏡薄膜體中任意一個(gè)上，多個(gè)量子點(diǎn)配置于所述量子點(diǎn)層內(nèi)部。

根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法還可包括如下步驟：通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層形成于所述量子點(diǎn)層上，所述屏障層覆蓋所述量子點(diǎn)層。

在根據(jù)用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法中，形成所述屏障層的步驟可通過(guò)靜電噴霧將屏障層形成為無(wú)孔致密膜形態(tài)。

在本發(fā)明中，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成量子點(diǎn)薄膜，從而使得量子點(diǎn)均勻地分散，由此解決現(xiàn)有在量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)的凝聚及團(tuán)在一起的現(xiàn)象，據(jù)此效果在于，有效地發(fā)出根據(jù)量子點(diǎn)的固有特性的白色光，且能夠均勻地發(fā)光于顯示板(displaypanel)前面。

在本發(fā)明中，量子點(diǎn)層與導(dǎo)光板、擴(kuò)散薄膜、棱鏡薄膜中任意一個(gè)相粘著或熔接，從而實(shí)現(xiàn)一體化，由此效果在于，可使得背光單元的厚度變薄，且使得光的損失最小化，且能夠通過(guò)比現(xiàn)有量子點(diǎn)薄膜更少的量子點(diǎn)的個(gè)數(shù)順利地發(fā)出白色光。

此外，在本發(fā)明中，在不使用粘著劑將屏障層附著于量子點(diǎn)薄膜的狀態(tài)下，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲的形式將屏障層疊層于量子點(diǎn)層，由此可抑制因現(xiàn)有的粘著劑的使用而產(chǎn)生的光的損失及透光度降低，從而可使得光效率最大化。

尤其，本發(fā)明在適用于40英寸(inch)以上的大面積顯示板的背光單元時(shí)，用較少的制造費(fèi)用就能夠使得均勻地發(fā)光于顯示板前面，從而效果在于，大大提高顯示板的品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

圖1及圖2是示出一般的背光單元的概略圖。

圖3是示出現(xiàn)有的量子點(diǎn)薄膜的截面圖。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的一個(gè)實(shí)施例的圖。

圖5是示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層一體地形成于導(dǎo)光板上的一個(gè)實(shí)施例的圖。

圖6是示出圖5的根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的實(shí)施例中使用例的圖。

圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層一體地形成于擴(kuò)散薄膜上的一個(gè)實(shí)施例的圖。

圖8是示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層一體地形成于擴(kuò)散薄膜上的一個(gè)實(shí)施例的圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜制造方法的一個(gè)實(shí)施例的工藝圖。

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜制造方法的另一個(gè)實(shí)施例的工藝圖。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的制造方法的另一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜制造方法的又另一個(gè)實(shí)施例的工藝圖。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的制造方法的又另一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜制造方法的又另一個(gè)實(shí)施例的工藝圖。

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜的制造方法的又另一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的背光單元的一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的背光單元的另一個(gè)實(shí)施例的概略圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10：量子點(diǎn)層11：量子點(diǎn)

20：覆蓋薄膜層21：屏障層

22：導(dǎo)光板體22a：槽

23：擴(kuò)散薄膜體24：棱鏡薄膜體

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在此，省略反復(fù)的說(shuō)明、可能會(huì)不必要地模糊本發(fā)明的要旨的公知功能及構(gòu)成的詳細(xì)說(shuō)明。為了更加完整地對(duì)在該行業(yè)中具有一般知識(shí)的技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明，提供本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。由此，為了更加明確地進(jìn)行說(shuō)明，可能會(huì)夸張?jiān)趫D中的要素的形狀及大小等。

例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜配置于背光單元的導(dǎo)光板上，從而可使得配置于導(dǎo)光板的側(cè)面的發(fā)光二極管光源的光發(fā)出為白色光。

圖4作為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜的截面圖，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜包括：量子點(diǎn)層10，多個(gè)量子點(diǎn)11配置于所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部；以及覆蓋薄膜層20，其疊層于所述量子點(diǎn)層10上，從而覆蓋所述量子點(diǎn)層10的上面和下面中至少任意一面。

例如，所述量子點(diǎn)層10具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述覆蓋薄膜層20上，從而在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性得到粘著或熔接。

所述覆蓋薄膜層20由于以通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著性得到粘著或相互得到熔接的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此在與所述量子點(diǎn)層10之間沒(méi)有用于附著的另外的粘著層的狀態(tài)下，與所述量子點(diǎn)層10實(shí)現(xiàn)一體化，從而可簡(jiǎn)化制造工藝，且使得背光單元的厚度形成得更薄。

例如，所述覆蓋薄膜層20是用于保護(hù)量子點(diǎn)層10的屏障層21。

所述屏障層21以熔接于所述量子點(diǎn)層10上的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，且分別設(shè)置于所述量子點(diǎn)層10的上面和下面，從而覆蓋所述量子點(diǎn)層10的上面及下面，由此防止水分向所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部流入，優(yōu)選地，形成為由高分子樹(shù)脂構(gòu)成且具有無(wú)孔形態(tài)，以便防止所述量子點(diǎn)層10與空氣相接觸而被氧化。

圖5作為示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層10一體地形成于導(dǎo)光板上的一個(gè)實(shí)施例的圖，參考圖5，所述覆蓋薄膜層20可以是從配置于側(cè)面的光源得到光的傳遞從而使其分布于前面的導(dǎo)光板體22。

此外，用于保護(hù)量子點(diǎn)層10的屏障層21可疊層于所述量子點(diǎn)層10上，所述量子點(diǎn)層10疊層于所述導(dǎo)光板體22上。例如，所述屏障層21具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層10上，從而在與所述量子點(diǎn)層10之間沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述量子點(diǎn)層10上。

優(yōu)選地，多個(gè)槽22a形成于所述導(dǎo)光板體22的下部面，從而在使得通過(guò)反射板而反射的光的反射角度變更的情況下，可使得光向外部發(fā)出，所述反射板配置于所述導(dǎo)光板面板(panel)部的下部。

例如，所述量子點(diǎn)層10具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述導(dǎo)光板體22上，從而在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述導(dǎo)光板體22。

由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述導(dǎo)光板體22上，所述屏障層21通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述量子點(diǎn)層10上，因此在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，與所述量子點(diǎn)層10實(shí)現(xiàn)一體化，從而可簡(jiǎn)化制造工藝，且降低制造費(fèi)用，并使得背光單元的厚度形成得更薄。

為了防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分的滲透，需要分別覆蓋所述量子點(diǎn)層10的上面和下面，且通過(guò)所述導(dǎo)光板體22來(lái)覆蓋兩面中的一面，通過(guò)所述屏障層21來(lái)覆蓋另一面，從而防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分滲透。

參考圖6，就根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜而言，并非是現(xiàn)有導(dǎo)光板的情況中在表面使得相同顏色的反射反復(fù)多次，而是量子點(diǎn)層10一體地設(shè)置于所述導(dǎo)光板體22上，從而在進(jìn)行全反射期間，發(fā)光二極管光源2(參照?qǐng)D1)的光，即藍(lán)色發(fā)光二極管的光，與量子點(diǎn)層10內(nèi)量子點(diǎn)11發(fā)生沖突的概率增加，從而即使通過(guò)量子點(diǎn)層10內(nèi)少量的量子點(diǎn)也可形成充分的白色光，由此與用于現(xiàn)有的導(dǎo)光板的量子點(diǎn)薄膜內(nèi)量子點(diǎn)相比，可減少量子點(diǎn)使用量。

此外，所述導(dǎo)光板體22的彎曲率約為1.49，在光透到所述量子點(diǎn)層10期間，可降低在界面反射并顯示的光的損失，從而通過(guò)所述導(dǎo)光板體22使得發(fā)光效率增加。

另外，圖7作為示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層10一體地形成于擴(kuò)散薄膜上的一個(gè)實(shí)施例的圖，例如，參考圖7，所述覆蓋薄膜層20是擴(kuò)散薄膜體23，所述擴(kuò)散薄膜體23起到如下作用：使得從導(dǎo)光板得到傳遞的光擴(kuò)散。

例如，所述擴(kuò)散薄膜體23以與用于現(xiàn)有的背光單元的擴(kuò)散薄膜相同的形式制造，且使得從導(dǎo)光板得到傳遞的光擴(kuò)散，從而防止光的聚集現(xiàn)象。

例如，所述量子點(diǎn)層10具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述擴(kuò)散薄膜體23上，從而在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述擴(kuò)散薄膜體23。

此外，用于保護(hù)量子點(diǎn)層10的屏障層21可疊層于所述量子點(diǎn)層10上，所述量子點(diǎn)層10疊層于所述擴(kuò)散薄膜體23上。例如，所述屏障層21具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層10上，從而在與所述量子點(diǎn)層10之間沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述量子點(diǎn)層10上。

由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述擴(kuò)散薄膜體23上，所述屏障層21通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述量子點(diǎn)層10上，因此在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，與所述量子點(diǎn)層10實(shí)現(xiàn)一體化，從而可簡(jiǎn)化制造工藝，且降低制造費(fèi)用，并使得背光單元的厚度形成得更薄。

為了防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分的滲透，需要分別覆蓋所述量子點(diǎn)層10的上面和下面，且通過(guò)所述導(dǎo)光板體22來(lái)覆蓋兩面中的一面，通過(guò)所述屏障層21來(lái)覆蓋另一面，從而防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分滲透。

另外，圖8作為示出在根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中量子點(diǎn)層10一體地形成于擴(kuò)散薄膜體23上的一個(gè)實(shí)施例的圖，例如，參考圖7，所述覆蓋薄膜層20是棱鏡薄膜體24，所述棱鏡薄膜體24聚攏分散的光，從而使得亮度提高。

例如，所述棱鏡薄膜體24以與用于現(xiàn)有的背光單元的棱鏡薄膜相同的形式制造。

例如，所述量子點(diǎn)層10具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述棱鏡薄膜體24上，從而在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述棱鏡薄膜體24。

此外，用于保護(hù)量子點(diǎn)層10的屏障層21可疊層于所述量子點(diǎn)層10上，所述量子點(diǎn)層10疊層于所述棱鏡薄膜體24上。例如，所述屏障層21具有如下形態(tài)：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層10上，從而在與所述量子點(diǎn)層10之間沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，通過(guò)自身的粘著性粘著或熔接于所述量子點(diǎn)層10上。

由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述棱鏡薄膜體24上，所述屏障層21通過(guò)自身的粘著性或者以熔接的形態(tài)直接一體地形成于所述量子點(diǎn)層10上，因此在沒(méi)有另外的粘著層的狀態(tài)下，與所述量子點(diǎn)層10實(shí)現(xiàn)一體化，從而可簡(jiǎn)化制造工藝，且降低制造費(fèi)用，并使得背光單元的厚度形成得更薄。

為了防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分的滲透，需要分別覆蓋所述量子點(diǎn)層10的上面和下面，且通過(guò)所述棱鏡薄膜體24來(lái)覆蓋兩面中的一面，通過(guò)所述屏障層21來(lái)覆蓋另一面，從而防止因與空氣的接觸而產(chǎn)生氧化并防止水分滲透。

另外，優(yōu)選地，所述屏障層21是透明性優(yōu)秀的聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))，或者是耐水性優(yōu)秀的聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中任意一種材質(zhì)，或者是包括聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中至少任意一種的混合樹(shù)脂。

所述屏障層21也可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成于所述量子點(diǎn)層10上。

例如，就所述量子點(diǎn)層10而言，量子點(diǎn)11包括于高分子樹(shù)脂層內(nèi)部，所述高分子樹(shù)脂層是聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中任意一種材質(zhì)，或者是包括聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中至少任意一種的混合樹(shù)脂，優(yōu)選地，由與所述屏障層21相同的高分子樹(shù)脂形成。

所述量子點(diǎn)層10也可以是聚苯乙烯(ps，polystyrene)、可發(fā)性聚苯乙烯(eps，expandablepolystyrene)、聚氯乙烯(pvc，polyvinylchloride)、苯乙烯丙烯腈共聚物(san，styreneacrylonitrilecopolymer)、聚氨酯(pu，polyurethane)、聚酰胺(pa，polyamide)、聚乙烯醇縮丁醛(pvb，poly(vinylbutyral))、聚醋酸乙烯酯(pvac，poly(vinylacetate))、丙烯酸樹(shù)脂(acrylicresin)、環(huán)氧樹(shù)脂(ep：epoxyresin)、硅樹(shù)脂(siliconeresin)、不飽和聚酯(up：unsaturatedpolyester)等，并且也可由其中一種形成或者混合其中兩種以上來(lái)使用，也可以是包括其中至少一種的合成樹(shù)脂。

就所述量子點(diǎn)11而言，納米大小的ⅱ-ⅳ半導(dǎo)體粒子是構(gòu)成中心(core)的粒子。所述量子點(diǎn)11的熒光是從導(dǎo)帶(conductionband)躍遷到價(jià)帶(valenceband)狀態(tài)的電子往下降的同時(shí)產(chǎn)生的光。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，量子點(diǎn)11可包括ⅱ-ⅵ族、ⅲ-ⅴ族、ⅳ-ⅵ族、ⅳ族半導(dǎo)體及它們的混合物等任意種類的半導(dǎo)體。所述半導(dǎo)體是si、ge、sn、se、te、b、c、p、bn、bp、bas、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、zno、zns、znse、znte、cds、cdse、cdxseysz、cdte、hgs、hgse、hgte、bes、bese、bete、mgs、mgse、ges、gese、gete、sns、snse、snte、pbo、pbs、pbse、pbte、cuf、cucl、cuins2、cu2sns3、cubr、cui、si3n4、ge3n4、al2o3、(al、ga、in)2(s、se、te)3、cigs、cgs、(zns)y(cuxsn1-xs2)1-y中任意一個(gè)，或者包括混合有所述半導(dǎo)體至少兩個(gè)以上的混合半導(dǎo)體。所述量子點(diǎn)11可具有核/殼結(jié)構(gòu)或合金(alloy)結(jié)構(gòu)，且作為具有核/殼結(jié)構(gòu)或合金結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)11的非限制性的例子有cdse/zns、cdse/znse/zns、cdse/cdsx(zn1-ycdy)s/zns、cdse/cds/zncds/zns、inp/zns、inp/ga/zns、inp/znse/zns、pbse/pbs、cdse/cds、cdse/cds/zns、cdte/cds、cdte/zns、cuins2/zns、cu2sns3/zns等。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)11以能夠根據(jù)用于相應(yīng)背光單元的發(fā)光二極管光源的光源顏色形成白色光的形式被選擇，例如，在所述發(fā)光二極管光源是藍(lán)色(blue)發(fā)光二極管的情況下，顯示紅色(r)和綠色(g)的量子點(diǎn)(quantumdot)11被選擇并使用。

所述量子點(diǎn)層10可包括所述量子點(diǎn)11中對(duì)從包括紅色光、綠色光、藍(lán)色光及黃色光的群中選擇的一種以上的顏色進(jìn)行顯示的量子點(diǎn)11。所述量子點(diǎn)11可吸收具有約100至約400nm之間波長(zhǎng)的紫外線以及具有約380至780nm之間波長(zhǎng)的可見(jiàn)光。在本說(shuō)明書(shū)中，藍(lán)色光在410nm以上500nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中可具有發(fā)光峰值(peak)，綠色光在500nm以上550nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中可具有發(fā)光峰值，黃色光在550nm以上600nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中可具有發(fā)光峰值，紅色光在600nm以上660nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中可具有發(fā)光峰值。為了方便，在本說(shuō)明書(shū)中以藍(lán)色、綠色、黃色、紅色四種名稱為代表來(lái)表示，但是在所述波長(zhǎng)區(qū)域中除了所述顏色之外還可包括橙色、靛藍(lán)色、紫色等多種顏色。

參考圖9，用于制造所述量子點(diǎn)薄膜的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法包括：步驟s200，通過(guò)利用包括多個(gè)量子點(diǎn)11的高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)形成量子點(diǎn)層10，多個(gè)量子點(diǎn)11配置于所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部，而且還可包括：步驟s300，通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層21形成于所述量子點(diǎn)層10上，所述屏障層21覆蓋所述量子點(diǎn)層10。

由于所述量子點(diǎn)層10和所述屏障層21以通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)相互熔接或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10的粘著力或所述屏障層21的粘著力來(lái)粘著的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此不需要用于使得二者相互附著的另外的粘著層。

此外，參考圖10，在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200之前還包括步驟s100，通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧(electro-spray)或靜電紡絲(electro-spinning)將屏障層21形成于集合器2上，例如，在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，將量子點(diǎn)層10形成于所述屏障層21上，所述屏障層21形成于所述集合器2上。

在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法中，在移送所述集合器2的同時(shí)，依次將屏障層21、所述量子點(diǎn)層10、所述屏障層21形成于所述集合器2上，從而可連續(xù)地制造量子點(diǎn)薄膜，由此可大大提高生產(chǎn)率。

參考圖11及圖12，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200之前還包括準(zhǔn)備導(dǎo)光板體22的步驟s110，例如，在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，利用包括多個(gè)量子點(diǎn)11的高分子樹(shù)脂溶液，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲將量子點(diǎn)層10形成于所述導(dǎo)光板體22上，多個(gè)量子點(diǎn)11配置于所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部。

所述導(dǎo)光板體22起到如下作用：在背光單元中從配置于側(cè)面的光源得到光的傳遞從而使其分布于前面。

所述導(dǎo)光板體22和所述量子點(diǎn)層10以如下形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化：所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲以疊層結(jié)構(gòu)形成于所述導(dǎo)光板體22上，從而在其分界面所述量子點(diǎn)層10直接熔接于所述導(dǎo)光板體22上，或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力得到粘著。

由于所述量子點(diǎn)層10以通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲與所述導(dǎo)光板體22相熔接或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力粘著于所述導(dǎo)光板體22的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此不需要用于附著于所述導(dǎo)光板體22的另外的粘著層。

換句話說(shuō)，由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲熔接于所述導(dǎo)光板體22上，因此在沒(méi)有用于附著于所述導(dǎo)光板體22上的另外的粘著層的狀態(tài)下，一體地形成于所述導(dǎo)光板體22上。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法還可包括：步驟s400，通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層21形成于所述量子點(diǎn)層10上，所述屏障層21覆蓋所述量子點(diǎn)層10。

由于所述量子點(diǎn)層10和所述屏障層21以通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)相互熔接或通過(guò)所述量子點(diǎn)層10的粘著力或所述屏障層21的粘著力來(lái)粘著的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此不需要用于使得二者相互附著的另外的粘著層。

另外，參考圖13及圖14，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法，在形成量子點(diǎn)層10的步驟s200之前還包括準(zhǔn)備擴(kuò)散薄膜體23的步驟s120，所述擴(kuò)散薄膜體23從配置于側(cè)面的光源得到光的傳遞從而使其分布于前面，例如，在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，利用包括多個(gè)量子點(diǎn)11的高分子樹(shù)脂溶液，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲將量子點(diǎn)層10形成于所述擴(kuò)散薄膜體23上，多個(gè)量子點(diǎn)11配置于所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部。

在本發(fā)明中，所述量子點(diǎn)層10以如下形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲以疊層結(jié)構(gòu)形成于所述擴(kuò)散薄膜體23上，從而在其分界面所述量子點(diǎn)層10直接熔接于所述擴(kuò)散薄膜體23上，或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力得到粘著。

由于所述量子點(diǎn)層10以通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲與所述擴(kuò)散薄膜體23相熔接或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力粘著于所述擴(kuò)散薄膜體23的形態(tài)形成一體化，因此不需要用于附著于所述擴(kuò)散薄膜體23的另外的粘著層。

換句話說(shuō)，由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲熔接于所述擴(kuò)散薄膜體23上，因此在沒(méi)有用于附著于所述擴(kuò)散薄膜體23上的另外的粘著層的狀態(tài)下，一體地形成于所述導(dǎo)光板體22上。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法還可包括：步驟s500，通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層21形成于所述量子點(diǎn)層10上，所述屏障層21覆蓋所述量子點(diǎn)層10。

由于所述量子點(diǎn)層10和所述屏障層21以通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)相互熔接或通過(guò)所述量子點(diǎn)層10的粘著力或所述屏障層21的粘著力來(lái)粘著的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此不需要用于使得二者相互附著的另外的粘著層。

另外，參考圖15及圖16，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法，在形成量子點(diǎn)層10的步驟s200之前還包括準(zhǔn)備棱鏡薄膜體24的步驟s130，所述棱鏡薄膜體24從配置于側(cè)面的光源得到光的傳遞從而使其分布于前面，例如，在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，利用包括多個(gè)量子點(diǎn)11的高分子樹(shù)脂溶液，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲將量子點(diǎn)層10形成于所述棱鏡薄膜體24上，多個(gè)量子點(diǎn)11配置于所述量子點(diǎn)層10的內(nèi)部。

在本發(fā)明中，所述量子點(diǎn)層10以如下形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化：通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲以疊層結(jié)構(gòu)形成于所述棱鏡薄膜體24上，從而在其分界面所述量子點(diǎn)層10直接熔接于所述棱鏡薄膜體24上，或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力得到粘著。

由于所述量子點(diǎn)層10以通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲與所述棱鏡薄膜體24相熔接或者通過(guò)所述量子點(diǎn)層10自身的粘著力粘著于所述棱鏡薄膜體24的形態(tài)一體地形成，因此不需要用于附著于所述棱鏡薄膜體24的另外的粘著層。

換句話說(shuō)，由于所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲熔接于所述棱鏡薄膜體24上，因此在沒(méi)有用于附著于所述棱鏡薄膜體24上的另外的粘著層的狀態(tài)下，一體地形成于所述導(dǎo)光板體22上。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜制造方法還可包括：步驟s500，通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲將屏障層21形成于所述量子點(diǎn)層10上，所述屏障層21覆蓋所述量子點(diǎn)層10。

由于所述量子點(diǎn)層10和所述屏障層21以通過(guò)利用高分子樹(shù)脂溶液的靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)相互熔接或通過(guò)所述量子點(diǎn)層10的粘著力或所述屏障層21的粘著力來(lái)粘著的形態(tài)實(shí)現(xiàn)一體化，因此不需要用于使得二者相互附著的另外的粘著層。

另外，雖然在形成所述屏障層21的步驟s100、s300、s400、s500中可通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲來(lái)形成屏障層21，但是更加優(yōu)選地，通過(guò)靜電噴霧來(lái)形成屏障層21。

在所述通過(guò)靜電紡絲來(lái)形成所述屏障層21的步驟s100、s300、s400、s500中，在通過(guò)靜電紡絲將納米纖維層形成于所述量子點(diǎn)層10上之后，利用殘留溶劑和熱可使得所述納米纖維層無(wú)孔致密膜化，但是通過(guò)熱可使得量子點(diǎn)21a熱化。

由此，優(yōu)選地，在形成所述屏障層21的步驟s100、s300、s400、s500中，通過(guò)靜電噴霧以無(wú)孔致密膜形態(tài)將屏障層21形成于所述量子點(diǎn)層10上。

此外，在形成所述屏障層21的步驟s100、s300中，對(duì)聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中任意一種樹(shù)脂溶液或者包括聚碳酸酯(pc，polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma，poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(pvdf，polyvinylidenefluoride)中至少任意一種的混合樹(shù)脂溶液進(jìn)行靜電噴霧或靜電紡絲，從而形成無(wú)孔致密膜形態(tài)的屏障層21。

在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，既可將包括量子點(diǎn)11的高分子樹(shù)脂溶液以靜電噴霧或靜電紡絲形式形成于集合器2、導(dǎo)光板體22、擴(kuò)散薄膜體23、棱鏡薄膜體中任意一個(gè)上，也可在將高分子樹(shù)脂溶液以靜電噴霧或靜電紡絲形式形成于集合器2上或?qū)Ч獍弩w22上的過(guò)程中，將量子點(diǎn)11另外噴射于集合器2上或?qū)Ч獍弩w22上，并使其分散，由此也可形成量子點(diǎn)層10。

優(yōu)選地，所述高分子樹(shù)脂溶液與形成所述屏障層21的高分子樹(shù)脂溶液相同。形成所述量子點(diǎn)層10的高分子樹(shù)脂及量子點(diǎn)11的實(shí)施例中省略如上記載的重復(fù)的記載。

由于通過(guò)利用包括多個(gè)量子點(diǎn)11的高分子溶液的靜電噴霧或靜電紡絲形成所述量子點(diǎn)層10，因此量子點(diǎn)21a平均且最大限度均勻地分散于層上，從而解決現(xiàn)有在量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)21a的凝聚及團(tuán)在一起的現(xiàn)象。

所述量子點(diǎn)層10在通過(guò)所述靜電噴霧或靜電紡絲疊層于屏障層21、導(dǎo)光板體22、擴(kuò)散薄膜體、棱鏡薄膜體24中任意一個(gè)上時(shí)硬化，且在形成所述量子點(diǎn)層10的步驟s200中，可增加用于去除高分子樹(shù)脂內(nèi)殘留溶劑(solvent)的另外的加熱硬化過(guò)程。

所述屏障層21在通過(guò)所述靜電噴霧或靜電紡絲疊層于所述量子點(diǎn)層10上時(shí)硬化，且在通過(guò)所述靜電噴霧或靜電紡絲形成屏障層21的步驟s100、s300、s400、s500中，可增加用于去除高分子樹(shù)脂內(nèi)殘留溶劑的另外的加熱硬化過(guò)程。

參考圖17，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的背光單元包括：導(dǎo)光板體22；發(fā)光二極管光源2，其配置于所述導(dǎo)光板體22的側(cè)面；反射板3，其配置于所述導(dǎo)光板體22的下部；量子點(diǎn)層10，其疊層于所述導(dǎo)光板體22的上部；以及擴(kuò)散薄膜體23，其疊層于所述量子點(diǎn)層10上。

所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲被自身粘著性粘著于所述導(dǎo)光板體22的上部，或者熔接于所述導(dǎo)光板體22的上部，從而能夠與所述導(dǎo)光板體22實(shí)現(xiàn)一體化。

此外，所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲被自身粘著性粘著于所述擴(kuò)散薄膜體23的下部面，或者熔接于所述擴(kuò)散薄膜體23的下部面，從而能夠與所述擴(kuò)散薄膜體23實(shí)現(xiàn)一體化。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的背光單元還可包括棱鏡薄膜體24，所述棱鏡薄膜體24疊層于所述用于背光單元的量子點(diǎn)一體型擴(kuò)散薄膜上。

參考圖18，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的背光單元包括：導(dǎo)光板體22；發(fā)光二極管光源2，其配置于所述導(dǎo)光板體22的側(cè)面；反射板3，其配置于所述導(dǎo)光板體22的下部；擴(kuò)散薄膜體23，其疊層于所述導(dǎo)光板體22的上部；量子點(diǎn)層10，其疊層于所述擴(kuò)散薄膜體23上；以及棱鏡薄膜體24，其疊層于所述量子點(diǎn)層10上。

所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲被自身粘著性粘著于所述擴(kuò)散薄膜體23的上部面，或者熔接于所述擴(kuò)散薄膜體23的上部面，從而能夠與所述擴(kuò)散薄膜體23實(shí)現(xiàn)一體化。

此外，所述量子點(diǎn)層10通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲被自身粘著性粘著于所述棱鏡薄膜體24的下部面，或者熔接于所述棱鏡薄膜體24的下部面，從而能夠與所述棱鏡薄膜體24實(shí)現(xiàn)一體化。

在本發(fā)明中，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲形成量子點(diǎn)薄膜，從而使得量子點(diǎn)均勻地分散，由此解決現(xiàn)有在量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)的凝聚及團(tuán)在一起的現(xiàn)象，據(jù)此效果在于，有效地發(fā)出根據(jù)量子點(diǎn)的固有特性的白色光，且能夠均勻地發(fā)光于顯示板前面。

在本發(fā)明中，量子點(diǎn)層10與導(dǎo)光板、擴(kuò)散薄膜、棱鏡薄膜中任意一個(gè)相粘著或熔接，從而實(shí)現(xiàn)一體化，由此效果在于，可使得背光單元的厚度變薄，且使得光的損失最小化，且能夠通過(guò)比現(xiàn)有量子點(diǎn)薄膜更少的量子點(diǎn)的個(gè)數(shù)順利地發(fā)出白色光。

此外，在本發(fā)明中，在不使用粘著劑將屏障層21附著于量子點(diǎn)薄膜的狀態(tài)下，通過(guò)靜電噴霧或靜電紡絲的形式將屏障層21疊層于量子點(diǎn)層10，由此可抑制因現(xiàn)有的粘著劑的使用而產(chǎn)生的光的損失及透光度降低，從而可使得光效率最大化。

尤其，本發(fā)明在適用于40英寸以上的大面積顯示板的背光單元時(shí)，用較少的制造費(fèi)用就能夠使得均勻地發(fā)光于顯示板前面，從而效果在于，大大提高顯示板的品質(zhì)。

當(dāng)然，在如上所述本發(fā)明的基本技術(shù)思想的范疇內(nèi)，該領(lǐng)域的具有一般知識(shí)的技術(shù)人員可進(jìn)行其他多種變形，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)基于附加的權(quán)利要求書(shū)來(lái)解釋。